Эффект поля

Плотность состояний можно определить экспериментально, например, по фотоэмиссии или эффекту поля. [c.356]

К числу таких теорий относятся теория краевого эффекта, полу-моментная теория цилиндрических оболочек, безмоментная теория, теория пологих оболочек, техническая теория и др. [c.164]

ЭФФЕКТ ПОЛЯ. МДП-СТРУКТУРЫ [c.250]

Краевой эффект, полое/ем Не более 0,5 [c.122]

В режиме обеднения при высоких внешних напряжениях возможно образование инверсного слоя. Вследствие изменения концентрации свободных носителей заряда в приповерхностном слое полупроводника под действием внешнего перпендикулярного к поверхности электрического поля изменяется его проводимость. Это явление получило название эффекта поля. [c.81]

Сегнетоэлектрический эффект поля может быть использован в полевых транзисторах с памятью входного сигнала и в запоминающих ячейках со считыванием информации по величине сопротивления поверхностного слоя. [c.227]

Смешанные вторые производные термодинамического потенциала Гиббса будут определять связанные эффекты полей [c.652]

Кроме того, этот же метод позволяет отличить монокристаллы от поликристаллов. При повороте столика микроскопа монокристалл при скрещенных поляризаторах будет максимально просветляться или становится невидимым сразу по всему полю поликристалл, в котором входящие в него кристаллы различно ориентированы, не может произвести этот эффект — поле зрения будет пестрым, отдельные одинаково ориентированные кристаллы будут заметно выделяться на общем фоне, что даст возможность при повороте столика микроскопа определять структуру поликристалла. [c.248]

Краевой эффект полого немагнитного цилиндра определяется двумя независимыми переменными относительным радиусом [c.165]

Краевой эффект полого немагнитного цилиндра с магнитопроводом сочетает в себе черты краевых эффектов немагнитного и ферромагнитного цилиндров. Число переменных при длине внутреннего магнитопровода, равной длине цилиндра, равно трем т , гпв, Цв) и может быть сокращено до двух, если магнитную проницаемость сердечника можно принять очень большой (цв -> оо). [c.169]

ПОЙНТИНГА—РОБЕРТСОНА ЭФФЕКТ — ПОЛЕ ЗРЕНИЯ [c.89]

Волновое поле ультразвукового излучателя можно условно разделить на две зоны (рис. 63) ближнюю зону Френеля и дальнюю зону Фраунгофера. В ближней зоне поле формируется в результате интерференции колебаний, приходящих от различных точек излучателя. В дальней зоне основную роль играют дифракционные эффекты. Поле круглого излучателя в дальней зоне (его диаграмма направленности) хорошо известно и описывается с помощью функции Бесселя первого порядка [c.146]

Эффект поля Электрический ток Проводник Магнитное поле [c.380]

Общие представления. Эффект поля в широком смысле состоит в управлении электрофизическими параметрами поверхности твердого тела с помощью электрического поля, приложенного по нормали к поверхности. В качестве способа регистрации изменений электрофизических параметров под действием поля могут использоваться измерение проводимости, дифференциальной емкости [c.57]

А. может быть искусственно вызвана внеш. воздействием. Поликристаллич. материалы, состоящие из огромного числа случайно ориентированных мелких монокристаллов, могут приобрести А. в результате механич. обработки, напр, прокатки (см. Текстура). Искусственная оптич. А. может быть создана в кристаллах и изотропных средах под действием внеш. электрич, (см. Керра эффект) или маги, (см, Коттона—Мутона эффект) поля либо путём механич. воздействия (см. Фото-упругостъ). [c.84]

В простейшем микроволновол спектрометре излучение генератора СВЧ пропускают через волноводную ячейку, заполненную исследуемым газом, и направляют на приёмник излучения, сигнал к-рого, пропорциональный принимаемой мощности, подаётся на регистрирующий прибор. Линии поглощения в газе регистрируют по уменьшению приходящей на приёмник мощности излучения определённых частот. Для новыше-ния чувствительности спектрометров используют модуляцию частот спектральных линий, действуя на частицы электрич. [Штарка эффект) или магн. Зеемана эффект) полем и выделяя сигнал на частоте модуляции. В миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах используют модуляцию частоты излучения источника и приём сигналов от линий поглощения по модуляции давления исследуемого газа при поглощении им моду-лиров. излучения (см. Субмиллиметровая спектроскопия). Большой запас чувствительности позволяет исследовать, напр., спектры нестабильных молекул, запрещённые спектры молекул, а также применять М. с. для молекулярного и изотопного спектрального анализов. Повышения чувствительности в разл. микроволновых спектрометрах достигают также накачкой вспомогат. излучения (т. н. двойной резонанс), сортировкой частиц по состояниям (см. Молекулярный генератор) и др. [c.133]

Акустооптика изучает взаимодействие оптических волн с акустическими в различных веществах. Возможность такого взаимодействия впервые предсказал Бриллюэн в 1922 г., а затем ее экспериментально проверили в 1932 г. Дебай и Сиарс в США и Люка и Бигар во Франции. При взаимодействии света со звуковыми волнами наиболее интересное явление представляет собой дифракция света на акустических возмущениях среды. При распространении звука в среде возникает соответствующее поле напряжений. Эти напряжения приводят к изменению показателя преломления. Такое явление называется фотоупругим эффектом. Поле напряжений для плоской акустической волны является периодической функцией координат. Поскольку показатель преломления среды претерпевает периодическое возмущение, возникает явление брэгговской связи, как показано в гл. 6. Акустооптическое взаимодействие является удобным способом анализа звуковых полей в твердых телах и управления лазерным излучением. Модуляция света при акустооптическом взаимодействии находит многочисленные применения, в том числе в модуляторах света, дефлекторах, устройствах обработки сигналов, перестраиваемых фильтрах и анализаторах спектра. Некоторые из этих устройств мы рассмотрим в следующей главе. [c.343]

Ни в одной работе по ЛПМ не приводилось данных о катодах, которые обеспечивали бы устойчивое горение разряда при высоких давлениях неона и длительной наработке. Исключением является работа [194], в которой удалось поднять давление неона с 40 до 100 мм рт. ст. за счет протачивания в полом медном цилиндре кольцевых канавок размером в доли миллиметра, т. е. за счет достижения эффекта полого катода. В большинстве известных работ по ЛПМ давление буферного газа неона составляет 10-50 мм рт. ст., при котором разряд с катода горит диффузно. В качестве катода чаще всего применяют полые цилиндры из различных материалов (Nb, Та, Мо и др.), а в ряде работ используют электроды из ламп вспышек с медными стружками . В этих случаях удельные электрические и тепловые нагрузки минимальны и практически в качестве катода может работать любой металлический материал. В 1980 г. нами исследован АЭ с медным полым цилиндрическим катодом с продольными канавками на внутренней поверхности и с внешним радиатором для естественного охлаждения. Рабочий (внутренний) диаметр катода был равен 22 мм, длина 40 мм. Диаметр разрядного канала составлял 15 мм, длина 810 мм. При ЧПИ 9,5 кГц, Снак = 2200 пФ, С б = = 235 пФ и потребляемой мощности Рвыпр = 2,7-2,8 кВт изменение давления от 20 до 760 мм рт. ст. привело к снижению мощности излучения с 14 до 8 Вт. При pNe < 50 мм рт. ст. разряд горел диффузно со всей внутренней поверхности цилиндра, а при pNe > ЮО мм рт. ст. разряд локализовался в пятно малого диаметра и перемещался по всей поверхности, интенсивно распыляя материал (медь). Эффективность работы данного медного катода такая же, как и в работе [194. [c.51]

Эффект поля межмолекулярных сил. При отсутствии межмолекулярных взаимодействий (разреженные пары) коллектив молекул характеризуют спектром коэффициента Эйнштейна для поглощения Во у), который связан с коэффициентом поглощения o(v) простым соотношением (1.36). Величина Во(у) является усредненной характеристикой молекул. Она определяется совокупностью их микросвойств (расположением электронных уровней, вероятностями элементарных переходов, распределением по энергиям). В конденсированной среде спектр того же вещества будем характеризовать значением В у) К Обе функции различаются, поскольку оптические параметры свободных и конденсированных молекул неодинаковы. Задача заключается в том, чтобы установить связь величин В (у) и Во(у) (а также входящих в них микропараметров), учитывая межмолекулярные взаимодействия. [c.94]

Структуру металл — диэлектрик — полупроводник сокращенно называют МДП-структурой. Если в качестве диэлектрика применяют оксид, то в целях конкретизации, ее называют МОП-структурой. Эффект поля лежит в основе принципа работы Л ДП-транзисто-ров. [c.81]

Вторым свойством сегнетопол у проводников является сегнетоэлектрический эффект поля, заключающийся в изменении сопротивления полем спонтанной поляризации полевой эффект в обычных полупроводниках, используемый в полевых и МОП-транзисторах, заключается в изменении сопротивления канала внешним, перпеидикулярно приложенным полем, см. ч. П. [c.225]

Эффект поля. На величину барьера ф можно влиять, изменяя газовую среду. Однако ото меняет плотность и распределение самих поверхностных состояний. Более удобный метод — изменение приповерхностной нроводимости (а следовательно, и проводимости всего образца) наложением нормально к его новерхности элоктрич. ноля (эффект п-оля). Нри этом наведенный заряд рас.нределяется между поверхностными состояниями и объемом полупроводника. Если интервал изменения ф достаточно велик, так что проводимость образца проходит через минимум, то можно определить значение заряда в объеме Q,-и фй при данном поперечном ноле и тем самым зависимость поверхностного заряда Qsi a)- Ири включении электрич. поля (рис. 3) вначале создается индуцированный заряд в результате изменения концентрации основных носителей у поверхности затем [c.61]

Заметим еще следующее. Спиновые волны можно возбудить действием на электронный спин магнитного поля падающей на металл электромагнитной юлны. Появление спиновых волн могло бы быть зарегистрировано по изменению импеданса (например, при установлении стоячей юлны в пластине). Сила, действующая на электронный спин со стороны магнитного поля, равна РауЯ рЯ/б. Согласно уравнению Максвелла Я сЕ/ 8а). Следовательно, отношение силы со стороны магнитного поля к силе со стороны электрического поля волны порядка сР/(б (ое) Й./(тб (о). Для (О/ Ю с б 10 см, и это отношение порядка 10 . Однако надо заметить, что всякая юлна формируется на длине порядка ее длины волны X. В данном случае при (0/ 10 S Я,/-- /(О 10 /10 10 см. Так как в случае аномального скин-эффекта поле затухает по закону Е fn (6/j ) (это следует из формулы (7.33)), то для 10 см 10" о. Итак, условия для наблюдения таких волн неблагоприятные. [c.241]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...