Диффузное рассеяние

По существу, такой же результат был нами получен при выводе выражения для глубины проникновения Пиппарда, которое применимо в случае диффузного рассеяния на поверхности [c.721]

Физические соображения, приводящие к условию А = 0 вне поверхности при диффузном рассеянии, аналогичны тем, которые упоминались в п. 17 в связи с аномальным скин-эффектом. Электроны в этом случае покидают поверхность совершенно беспорядочно, как если бы они приходили из пространства, в котором отсутствует поле. Вывод, основанный на теории возмущений, приводит к тому же результату (см. п. 22). Если происходит диффузное рассеяние, то матрица плотности для двух точек внутри тела будет та же, что и для бесконечной среды, но она, разумеется, обращается в нуль, если одна точка лежит внутри тела, а другая—снаружи. Таким образом, интегрирование нужно проводить по физическому объему. Так как в теорию входят производные от матрицы плотности, а матрица плотности терпит разрыв на поверхности, возможно, что нужно добавить некоторый поверхностный интеграл. Во всяком случае, такой интеграл необходим для удовлетворения граничных условий, если на поверхности задано Если же интеграл по объему удовлетворяет естественному граничному условию (/j = 0 на поверхности), то никакого поверхностного интеграла добавлять не требуется. Если объемный интеграл и приводит к отличному от нуля току, текущему к поверхности, то поток от поверхности не может быть полностью беспорядочным и нельзя удовлетворить всем условиям, положив А = 0 вне поверхности, В этом случае необходимо прибавить поверхностный интеграл. [c.723]

Интенсивность звука, создаваемого каким-либо источником, зависит не только от характеристики источника, но и от помещения, в котором он находится. В каждую точку пространства внутри помещения наряду со звуком, идущим от источника, приходит также звук, многократно отраженный от стен, который называется диффузным (рассеянным) звуком. После прекращения действия источника звука диффузный звук исчезает не сразу. Это объясняется тем, что еще в течение некоторого времени приходят отраженные от стен волны. Такое явление затягивания звука после прекращения действия его источника называется реверберацией. Время, необходимое на то, чтобы звук в помещении после прекращения действия его источника полностью исчез, называют временем реверберации. Условно считают, что время реверберации равно промежутку времени, в течение которого интенсивность звука ослабевает в миллион раз. [c.236]

Фон на рентгенограмме является результатом диффузного рассеяния рентгеновских лучей [87]. Как известно, причинами появления фона могут быть тепловое диффузное рассеяние, отсутствие дальнего и (или) ближнего порядка в расположении атомов при аморфизации вещества и диффузное рассеяние твердым раствором. Тепловое диффузное рассеяние приводит к монотонному росту интенсивности фона с ростом угла дифракции в на рентге- [c.78]

В связи с вышесказанным, на наш взгляд, особую роль приобретает исследование фона на рентгенограммах наноструктурных материалов, значительные объемы в которых принадлежат границам зерен. Смещение атомов в границах зерен из равновесных положений, характерных для кристаллической решетки, должно существенно влиять на интенсивность диффузного рассеяния рентгеновских лучей наноструктурными материалами. [c.79]

Если поверхность стекла неровная (шероховатая, матовая) или стекло неоднородно в массе (содержит мельчайшие инородные включения, как, например, глуше-ное — молочное стекло) и размеры этих неровностей (неоднородностей) равны или больше длины волны падающего на стекло света, то всегда происходит неправильное или диффузное (рассеянное) отражение света и коэффициент отражения значительно возрастает. [c.459]

ДИФФУЗНОЕ РАССЕЯНИЕ РЕНТГЕНОВСКИХ ЛУЧЕЙ — рассеяние рентгеновских лучей веществом в направлениях, для к-рых не выполняется Брэгга — Вульфа условие. [c.691]

Масса Галактики в сферич. объёме радиусом ж15 кпк, как показывают подобные расчёты, равна 3 10 г ж Мо. При этом учитывается также масса всей диффузной (рассеянной) материи в Галактике. [c.60]

ФОНОВОЕ КОСМИЧЕСКОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ —эл,-магн, излучение Вселенной, не искажённое ближайшими источниками (атмосферой Земли, излучением Галактики и т. п.). Именно Ф, к, и, должны были бы воспринимать приборы с широким полем зрения, вынесенные в пространство между галактиками, К сожалению, такой эксперимент невозможен. Астрономы изучают Ф, к. и используя наземные и внеатмосферные приборы. В связи с этим отделение фонового компонента от диффузного (рассеянного) излучения локальной и галактич. природы является трудной задачей. [c.335]

Соответственно и свойства твердых растворов отличаются от свойств чистых металлов. Это изменение макроскопических термодинамических свойств определяли экспериментально, а для прямого измерения локального расположения атомов применяли метод диффузного рассеяния рентгеновских лучей [133. [c.154]

Суммарная мощность солнечной радиации /, достигающей поверхности Земли, складывается из прямой If, и диффузной (рассеянной). [c.479]

Можно учесть возможность частичного диффузного рассеяния, нредноло-жив, что доля р общего числа электронов претерпевает зеркальное отражение от поверхности, а остальная часть, т. е. (1 —ja), отражается диффузно. Такой путь является, конечно, интерполяционным приемом и может не соответствовать физической реальности. [c.205]

Сплошная линия—теоретическая кривая, вычисленная в нредпс-ложении диффузного рассеяния на границах образца (по Макдональду и Саргпнсону). I—экспериментальные данные для проволоки в капилляре диаметром 15д 2—20 Д . 3—ЗОд -/—6й д. [c.207]

Картину явления, наблюдавшуюся при более низких температурах (ниже 0,5° К), удается объяснить на основе предположения о том, что при этих температурах длина свободного пробега фононов становится порядка длины волны второго звука или порядка размеров полости. В этом случае вообще не имеет смысла говорить о втором звуке. Резкий передний край принимаемого импульса может быть обусловлен фононами, приходящими прямым путем со скоростью v . Значение v , полученное во всех трех трубках (если ввести запаздывание в 8 мксек, вызванное, возможно, тепловыми сопротивлениями, обнаруженными Капицей, на поверхностях нагревателя и термометра), составляет 236 i- 4 м/сек, что находится в хорошем согласии со значением Чейса и Херлина, приведенным выше. Большое размытие пмпульса, по-видимому, обусловлено фононами, приходящими к приемнику после большого числа столкновений со стенками и диффузного рассеяния на них. [c.571]

Пиппард предположил, что в случае диффузного рассеяния на поверх-иости интегрирование в (18.1) нужно производить по объему, занимаемому телом это соответствует тому, что мы полагаем вне тела А = 0. Довольно вероятным, хотя строго и не доказанным, является лондонский выбор калибровки с Aj = 0 на свободной поверхности. Линии векторного иоля А будут в этом случае параллельны поверхности, где будет выполняться условие div А = О, что приводит к условию divj = 0 внутри тела. Такой выбор однозначно определяет А. Однако может оказаться, что в этом случае на поверхности j i О и, таким образом, не выполняются необхо димые граничные условия. К счастью, в таких простых, но важных случаях, как проникновение поля в плоскую поверхность, в случаях цилиндра в продольном поле и сферы в однородном внешнем поле эта трудность не возникает. [c.723]

Диффузное рассеяние. До сих пор мы при вычислении глубины проникновения предполагали, что отражение электронов от поверхности металла происходит зеркальным образом. Рассмотрим теперь другой предельный случай, когда электроны отражаются диффузно. Что происходит в этом случае, можно легко выяснить, если воспользоваться результатами работы [13] по аномальному скин-эффокту. Если бы мы переписали уравнение (4.10), определяющее ток j в координатном представлении, то, как мы уже говорили, оно имело бы следующий вид [c.904]

Доля рассеянной энергии определяется главным образом отношением длины упругой волны к среднему размеру D кристаллита. При X = D рассеяние ультразвука очень велико, причем в интервале X/D =3...4 оно максимально. Это область диффузного рассеяния. При условии k/D < 2л, являющемся реальным при контроле ряда металлов и сварных соединений, Н. М Лившицем и Г. Д. Пархомовским получены формулы для расчета коэффициента затухания продольной и поперечной волн. Задавшись условием находим б,/б =7,14, Следовательно, затухание поперечной волны более существенно по сравнению с продольной. При 4 < X/D < 10 коэффициент рассеяния пропорционален произведению D/ а при K/D > 10 1ропорционален D [. Наименьшее затухание наблюдается при K/D > (20. .. 100). [c.22]

Интенсивность фона, наблюдаемого на рентгенограммах, является не только результатом диффузного рассеяния рентгеновских лучей на образце, но также связана с инструментальными факторами (например, с рассеянием дифрагировавшего излучения атмосферным воздухом) [141]. Если инструментальные факторы одинаковы для исследуемых образцов, то появляется возможность сравнительного анализа роли самих образцов в формировании диффузного фона рассеяния на рентгенограммах. Интенсивность дифрагировавших рентгеновских лучей, зафиксированная на рентгенограмме, складывается из интенсивности рентгеновских пиков и интенсивности фона [130]. Для отделения интенсивности, связанной с фоном, в районе рентгеновских пиков, представленных псевдофункциями Фойгта, проводят базисные линии. Левая и правая точки каждой базисной линии соответствуют интенсивности фона слева и справа от рентгеновского пика. Для получения интегральной интенсивности фона площади под базисными линиями суммируют с площадями под линией фона вне рентгеновских пиков. [c.79]

Диффузное рассеяние тепловых нейтронов на статич. неоднородностях аналогично Д. р. р. л. и описывается подобными ф-лами. Изучение рассеяния нейтронов даёт возможность исследовать также динамич. характеристики колебаний атомов и флуктуац. неоднородностей (см. Неупругое рассеяние нейтронов). [c.692]

Дефекты кристаллич. структуры (примеси, вакансии, флуктуации состава, сгатистич. разупорядочен-ность и др.) приводят к ослаблению и уширению осн. рефлексов и появлению диффузного рассеяния. Анализ спектра рассеянных нейтронов позволяет отделить рассеяние на статич. дефектах от рассеяния на колебаниях кристаллич. решётки. [c.287]

Пристеночная проводимость с диффузным рассеянием. Если поверхность гладкая (т. е. размер неровности б Гд — дебаевского радиуса экранирования) и скорость электрич. дрейфа параллельна ей, то П. п. создают те электроны, к-рые пронизывают дебаевский слой и диффузно рассеиваются непосредственно на поверхности. Это имеет место, напр., в осесимметричных системах с внешними (полоидальными) магн. и электрич, полями. [c.118]

В окрестности первичного луча появляется дополнит, диффузное рассеяние, интенсивность к-рого 1(e) определяет б [c.377]

Если бы кристалл был идеальной дифракционной решеткой, его дифрактограмма содержала бы только брэгговские пики. Но из-за нарушений периодичности интенсивность рассеянного образцом излучения оказывается отличной от нуля и при небрэгговских углах (рис. 109). Это так называемое диффузное рассеяние. [c.186]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...