Деформационный потенциал

Деформационный потенциал по абсолютной величине численно равен деформационному искажению уровня Ферми (до его выравнивания) и в конечном итоге характеризует изменение энергии электронов проводимости, от которой может зависеть работа выхода электрона. [c.100]

Рис. 3.34. Схема генерации сверхкоротких акустических импульсов. Оптический импульс (слева) падает на поверхность кристалла и поглощается в слое толщиной справа изображен временной профиль колебательной скорости акустического импульса, распространяющегося в глубь кристалла. Полярность акустического импульса определяется знаком деформационного потенциала dn (изображен случай dn<0)

Изменение ширины запрещенной зоны при деформации кристаллической решетки, связанное с изменением энергии решетки, можно рассчитать на основе теории деформационного потенциала, которая дает в линейном приближении следующую зависимость [c.224]

Обычно влияние электрических полей на затухание длинноволновых акустических волн является менее существенным, чем влияние деформационного потенциала. Поэтому можно учитывать только деформационный механизм электронного поглощения звука, т. е. положим [c.204]

Деформационный потенциал (34.13) определяет в координатном представлении оператор энергии взаимодействия электронов с длинноволновыми акустическими колебаниями. [c.225]

Подставив значение (34.14) в (34.13), находим оператор деформационного потенциала в представлении чисел заполнения акустических фононов [c.225]

Взаимодействие электрона с продольными акустическими колебаниями характеризуется потенциальной энергией (деформационный потенциал (34.13)) [c.234]

Р=— —упругая постоянная решетки а —параметр деформационного потенциала [c.241]

Подвижность свободных носителей заряда при фононном механизме рассеяния пропорциональна константе деформационного потенциала. Полученные экспериментально зависимости эффективной поверхностной подвижности от поверхностных избытков и температуры в условиях квантования качественно неплохо согласуются с теоретическими предсказаниями, однако для достижения количественного согласия приходится предполагать, что константа деформационного потенциала вблизи поверхности кристалла отличается от объемного значения. [c.55]

ДЕФОРМАЦИОННЫЙ ПОТЕНЦИАЛ - - изменение потенциальной энергии электрона в зоне проводимости при деформировании полупроводника. Деформирование изменяет ширину запрещённой зоны полупроводника и тем самым потенциальную энергию электрона в зоне проводимости. Энергия электрона изменяется при деформации кристалла на величину А = Dif Uif , где 0 — энергия при отсутствии деформации, Dif — тензор Д. п., uif — тензор деформации. Вместо тензора Д. п. для описания различных эффектов в по- [c.113]

Если бы каждый ион металла представлял собой просто точечный заряд, мы могли бы использовать выражение (10.25) при расчете формфактора по формуле приближения ПСЭ [2]. Очевидно, зто довольно грубое приближение, но при малых значениях д оно позволяет правильно воспроизвести подынтегральное выражение в формуле (10.17). В этом предельном случае структурный фактор 5 (д) дается классической формулой (4.22) — так, как если бы жидкость представляла собой непрерывную среду со сжимаемостью и. Таким образом, формула приближения ПСЭ согласуется с континуальной моделью, в которой рассеяние электронов описывается аналогично рассеянию света ( 4.4) на неоднородностях, связанных с флуктуациями плотности жидкости. В случае электронов фигурирующий в формуле (4.24) деформационный потенциал у есть просто предельное значение выражения (10.25) для бесконечно длинных волн, т. е. [c.459]

Так называемая деформационная теория пластичности представляет по существу распространение на пластическое тело того закона связи между напряжениями и деформациями, который устанавливается нелинейной теорией упругости. Пластический потенциал, который заменяет здесь упругий потенциал, для изотропного тела есть функция инвариантов тензора деформаций. Обычно нри этом применяются следующие гипотезы [c.533]

При достаточном удалении от равновесного потенциала можно пренебречь величиной и тогда деформационное приращение анодного тока [c.54]

Рис. 7. Распределение деформационного сдвига стандартного потенциала Д<р (/) и приращения тока растворения металла (2) в окрестности дислокации с радиусом ядра г . Кривая / построена для Ь = 3 мВ, т. е., например, для железа

В случае образования плоских скоплений из п дислокаций локальный ток растворения становится пропорциональным ехр [иАф (л )/Ы, поскольку величина деформационного изменения локального стандартного потенциала возрастет в п раз. [c.62]

В соответствии с 12.1 изменение энергии электрона в поле звуковой волны можно считать равным А ( ) (г, О ( — тензор деформации, деформационный потенциал). Эта величина играет роль потенциальной энергии. Соответствующий оператор записывается аналогично выражению (19.2). Частота звука, который реально можно генерировать, не превышает 10 Гц, в то время как Д/(2яЙ) 10 Гц. Следовательно, А< < Д. Ввиду этого при переходе к операторам квазичастиц опять надо отбро- [c.410]

Теория, учитывающая одновременное взаимодействие электрона с оптическими и акустическими ветвями колебаний без использования континуальной модели и адиабатического приближения, развивалась в работе Суми и Тоязавы [132] на основе метода фейнмановских интегралов. Было показано, что резкое изменение состояния полярона (наблюдаемое при увеличении связи) от почти свободного типа (Р) к самозахваченному типу (5) вызывается взаимодействием малого радиуса (деформационный потенциал акустических колебаний), а не дальнодействующим взаимодействием (поле электрической поляризации оптических колеба иий). Такое резкое изменение должно наблюдаться только при малом отношении средней энергии фононов к энергетической ширине электронной зоны в жесткой решетке, т. е. при 7< 1. При 7 5з1 почти свободное состояние Р практически не отличается от самозахваченного состояния 5. [c.256]

Другое предположение, самосогласованный потенциал Бардина, основывается на гипотезе, что в металлах ионные остовы при колебаниях смещаются как целое, однако газ электронов проводимости перестраивается в зависимости от моментальных положений ионов решетки. Для взаимодействия с одним выделенным электроном это означает только экранирование потенциала неменяющегося ионного остова электронным газом. Эго экранирование может быть учтено, если каждую компоненту Фурье потенциала электронного взаимодействия разделить на диэлектрическую проницаемость (13.12), зависящую от волнового числа. Мы здесь не будем останавливаться на не очень простом вычислении вероятности перехода (49.14) для этого случая для более детального обсуждения всех трех предположений Нордгейма, Блоха и Бардина—о виде потенциала сошлемся на изложение Брауэра [9], Хауга [11.И] и Займана [20]. Кроме того, надо рассмотреть еще одно предположение, которое для полупроводников играет наибольшую опь,—деформационный потенциал. [c.199]

При этом, определив = У [дЕ дУ), мы ввели константу деформационного потенциала. Так как 5 параллельно д, то вновь появляется оператор взаимодействия, похожий на (49.9), в котором, однако, величину электрои-фононной связи определяют уже не компоненты Фурье некоторого потенциала, а константа деформационного потенциала. [c.200]

Используйте приближение деформационного потенциала для расчета времени релаксации т( ) в случае взаимодействия между электропами и А-фононаии в певырождениом полупроводнике с параболической зоной проводимости. Как велик показатель степени г в т(Е) = гоЕ [c.171]

Потенциал-деформационное взаимодействие обусловлено зонной структурой твёрдых тел и возникает вследствие того, что деформация кристаллич. решётки приводит к локальным изменениям ширины заиреш,ённой зоны полупроводника (см. Деформационный потенциал). В результате под действием волны образуются области пониженной и повышенной плотности зарядов, между к-рыми возникает электрич. поле, действующее на электроны проводимости. Сила потенциал-деформационного взаимодействия пропорциональна квадрату волнового вектора звуковой волны [c.53]

Деформационный потенциал ИЗ Децибелл 114 Джоуля эффект 200 Диагностика 114 [c.397]

Имеется определенный успех и в теории проводимости и рассеяния в режиме квантования в тонких пленках. Демиховский и Тавгер [126] рассмотрели случай невырожденной полупроводниковой пленки с зеркальными поверхностями. Они рассчитали деформационный потенциал рассеяния электронов в основном состоянии. Следуя этому расчету, Иогансен [127] рассмотрел электроны в ряде состояний в пленке (в которой осуществляется размерное квантование), рассеивающиеся на фононах (см. выше), на поверхностных неровностях и при электрон-электрон-ном взаимодействии. Во второй статье Безака [121] явление переноса рассматривается методом матрицы плотности при полностью диффузном или полностью зеркальном рассеянии на поверхности. Общий подход к теории явлений переноса в тонких пленках был развит Дьюком [102]. [c.146]

Однако величина энергии макроскопической упругой деформации в изотермических условиях равна изменению свободной энергии тела (изохорно-изотермического потенциала), т. е. не может характеризовать изменение химического потенциала (частцой производной термодинамического потенциала по числу молей) и, следовательно, величину деформационного сдвига равновесного потенциала. [c.26]

Анализ кинетических уравнений свидетельствует о возможности увеличения скорости анодной реакции на несколько порядков велич ины, как это наблюдалось экспериментально. Решающую роль в дост, ижени и экстремальных параметров анодной реаксдаи (сдвиг стандартного потенциала на сотней милливольт и увеличение анодного тока в потенциостатическом режиме в десятки тысяч раз) играют деформационное упрочнение и образование дислокационных скоплений. Наоборот, пластическая деформация, не сопровождающаяся значительным деформационным упрочнением (стадия легкого скольжения I или заключительная стадия П1) и образованием плоских дислокационных скоплений, не приведет к заметному, механохимическрму эффекту. 54 [c.54]

Таким образом, механохимический эффект должен интенсивно нарастать при пластической деформации на стадиях деформационного упрочнения этот эффект будет значительно меньше на стадии легкого скольжения и на заключительной III стадии, когда наблюдается затухание деформационного упрочнения в связи с развитием процессов поперечного скольжения димркаций. Эти процессы приводят к исчезновению дислокационных скоплений, несмотря на рост общего числа дислокаций, выходящих на поверхность и дающих основной вклад в деформацию в ходе легкого скольжения. Ускорение анодного растворения металла обусловлено локальным понижением равновесного (стандартного) потенциала в окрестности дислокаций по мере увеличения их числа в группах, образующих плоские скопления перед барьерами в процессе деформационного упрочнения. [c.55]

Определяя среднее значение деформационного сдвига стандартного потенциала образца в целом (т. е. нелокального потенциала) Афобр из соотношения i = ia exp (Афобр/6) и сравнивая с (125), находим [c.65]

Смотреть страницы где упоминается термин Деформационный потенциал : [c.477] [c.598] [c.342] [c.166] [c.240] [c.56] [c.202] [c.223] [c.637] [c.252] [c.238] [c.414] [c.118] [c.325] [c.46] [c.22] [c.113] [c.416] [c.669] [c.17] [c.55] [c.56]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...