Отражение электронов зеркальное

Для электронов на открытых сечениях ФП следует учитывать дрейф электронов в плоскости, перпендикулярной Н, к-рый нв зависит от рд. При а = л/2 только электроны с открытыми траекториями формируют 0.3. Их смещение в глубь образца за период одинаково во всём слое открытых сечений ФП, и все они участвуют в формировании О. 3. Амплитуда О. 3. по зависит от Н и тем больше, чем выше степень зеркальности отражения электронов (при зеркальном отражении амплитуда в lld раз больше, чем при диффузном, где I — длина свободного пробега электронов). [c.485]

Фиг. П. Теневое изображение деревянной планки, полученное методом зеркального отражения электронов.

Осцилляция Фриделя 48 Открытые ферми-поверхности 72 Отражение электронов диффузное 111 -- зеркальное 110 [c.519]

Таким образом, мы ожидаем, что отражение электронов, падающих касательно к поверхности, является в большей степени зеркальным, чем отражение нормально падающих электронов, в противоположность классическому случаю (когда электрон рассматривается как частица). [c.121]

Факт существования магнитных поверхностных состояний и квантованных канальных состояний в полупроводниках явно свидетельствует о широком распространении явления зеркального отражения электронов проводимости при касательном падении на поверхность кристалла. Это находится в полном согласии с точкой зрения, выраженной в предыдущих разделах и ранее [c.143]

Но для скользящих падающих электронов среди этих корней всегда имеется один, отвечающий небольшому изменению квазиимпульса, причем = —Vx (т. е. отражение является зеркальным в буквальном смысле этого слова). Действительно, для электрона, движущегося почти параллельно границе, производная Vx = дг дpJ . мала это значит, что на изоэнергетической поверхности в р-пространстве электрону отвечает точка Р, находящаяся вблизи точки экстремума энергии е как функции р , т. е. точки, в которой дг/дрх = 0. Но вблизи такой точки, по другую сторону экстремума, всегда существует точка Р, в которой значение производной дг/др отличается от значения в точке Р лишь знаком. [c.445]

Приемник электронов С вращался вокруг той же оси и регистрировал электроны, отраженные монокристаллом никеля в разных направлениях в плоскости рисунка. В опытах ожидалось зеркальное отражение электронов, при котором угол падения равен углу отражения (V. 1.2.4°). Опы- [c.421]

В этом случае О. 3. возможны лишь при многоканальном отражении, когда есть неск. неэквивалентных состояний для отражённого электрона. О. 3. при этом формируют также электроны с рд-, при к-рых изменяется число каналов зеркального отражения. [c.485]

По периоду осцилляций АН можно определить величину 35/5рд для электронов, формирующих О. 3., а по величине амплитуды — вероятность зеркального отражения их при разл. углах падения на поверхность проводника. [c.485]

ОТРАЖЕНИЕ АНДРЕЕВСКОЕ — отражение носителей заряда (электронов и дырок) в металле, находящемся в нормальном состоянии (JV), от границы со сверхпроводником (5) при этом происходит изменение знаков массы и заряда носителей превращение электрона в дырку или дырки в электрон. Ввиду сохранения энергия ef носителей и практически точного сохранения импульса р при о. а. происходит изменение направления вектора скорости v на противоположное. Вместо клас-сич. закона зеркального отражения угол падения равен углу отражения при О. а. отражённый носитель заряда движется точно назад (А. Ф. Андреев, 1964) [1, 2]. [c.503]

О. а. обусловлено на.личием щели Д в энергетич. спектре электронов сверхпроводника (см. Сверхпроводимость). При < А носителя заряда не могут проникнуть в сверхпроводник. В то же время они обладают импульсом р > Д/п, т. к. в металле р Рг, где р,— ферми-импульс. При отражении от N — S-границы тангенциальная компонента импульса p сохраняется точно, а перпендикулярная компонента pi может измениться лишь на величину bpi й А/п. Если угол падения щ далёк от 90°, то 6pi pi. Поэтому обычное зеркальное отражение, при к-ром бр Pii невозможно. Малые изменения импульса 6р sfe Д/у соответствуют переходу с электронной ветви энергетич. спектра нормального металла на дырочную. При О. а. электрон (р > рг) подхватывает другой с антипараллельным импульсом, меньшим Рр, и образует куперовскую пару (см. Купера аффект), распространяющуюся без потерь вдоль поверхности сверхпроводника [3]. В нормальном металле остаётся дырка с импульсом, противоположным и.м-пульсу подхваченного электрона, что соответствует изменению знака п при О. а. При касательном падении

[c.503]

При аномальном С. а. рассеяние электронов на поверхности образца мало сказывается на величине б. Здесь существенную роль играют электроны с малыми углами скольжения, для к-рых отражение близко к зеркальному. Заметно влияет на аномальный С.-э. пост. магн. [c.541]

Диффузное рассеяние. До сих пор мы при вычислении глубины проникновения предполагали, что отражение электронов от поверхности металла происходит зеркальным образом. Рассмотрим теперь другой предельный случай, когда электроны отражаются диффузно. Что происходит в этом случае, можно легко выяснить, если воспользоваться результатами работы [13] по аномальному скин-эффокту. Если бы мы переписали уравнение (4.10), определяющее ток j в координатном представлении, то, как мы уже говорили, оно имело бы следующий вид [c.904]

Сравнение результатов, полученных с помощью расчетов в рамках данной модели, с экспериментальными результатами для случая Си показывает [273], что хорошее согласие между ними наблюдается при IR/ 1 — R) = 0,097мкм. В работе [275], используя данные [276] для скорости Ферми 1,57 х 10 см/с и времени релаксации 2,1 X 10 с при температуре 77К, вычислена длина свободного пробега электронов проводимости в Си I = 0,33 мкм. Исходя из этих результатов, коэффициент зеркального отражения электронов проводимости от границ зерен в Си, подвергнутой ИПД, оказался равным R = 0,23. Эта величина близка к вели- fnne 0,24, типичной для крупнокристаллической Си [274]. Следовательно, для довольно большой части электронов проводимости границы зерен являются непреодолимыми барьерами, и дальней-шее уменьшение размеров зерен в нанокристаллическую область [c.164]

При этом q существенно зависит от утла падения 9 влектрона на границу = 1 — рсозд (0 я/2). С ростом 6 отражение электронов приближается к зеркальному, при 0 я/2 д— I. [c.245]

Важную роль при анализе электрических свойств наноматериалов играют параметры к = 5// и Ь/1, т. е. толщина пленки и размер зерен, нормированные на длину свободного пробега носителей /, а также коэффициенты зеркального отражения электронов от вне-щних поверхностей и туннелирования электронов через поверхности раздела. [c.66]

Фиг. 9. Схема установки для получрния изображения структуры волнового поля методом зеркального отражения электронов

Более детальный расчет, в котором учитывается структура поверхиости [31], показывает, что в случае предельно аномального скин-эф<йкта отражение электронов от поверхности практически является зеркальным. Этот результат имеет простое физическое истолкование. Если электрон падает иа границу под углом 01, то длина волны де Бройля, соответствующая его движению по нормали к поверхности, имеет порядок п,/(.рМ. Если имеется шероховатость атомных размеров, то она вызывает неопределенность фазы волны на поверхности порядка а/К б . В случае аномального скин-эффекта существенные значения 01 б// 1. С этой точностью граница может считаться зеркальной. [c.116]

Итак, при таком отражении частица превращается в античастицу . Хвазиимпульс и энергия сохраняются, а скорость меняет знак. Такое отражение в корне отличается от зеркального отражения электронов, где меняет знак лишь нормальная компонента скорости электронов по отношению к границе. Специфика этого отражения, названного андреевским (Андреев, 1964) [234], связана с медленностью изменения потенциала, роль которого играет Д. [c.427]

Удельная электропроводность а металлической пленки была теоретически получена Фуксом [43] и Зондхаймером [44] как функция толщины с1 пленки, числа п электронов проводимости на единицу объема, средней длины свободного пробега электрона I, средней скорости V электрона на поверхности Ферми и вероятности р зеркального отражения электрона от поверхности пленки. Таким образом. [c.38]

Внимание было обращено на висмут, потому что он является одним из наиболее давно изучаемых материалов, которые дают четкое доказательство зеркального отражения электронов, участвующих в явлениях переноса. Этот вывод был сделан Смитом [68] при изучении аномального скин-эффекта и Фридманом и Кёнигом [9] на основании изучения собственно размерного эффекта. Последние обнаружили размерный эффект уменьшения удельной проводимости тонкого кристалла В1 при низких температурах, который, однако, выходил на насыщение при малых значениях [c.114]

Шриффер [91] признавал, что каналы простраственного заряда могут быть настолько узки, что будет иметь место квантование движения и при температурах в несколько градусов Кельвина уровни расщепятся более чем на кТ. Полагая, однако, что поверхность должна всегда быть сильно рассеивающей, он сделал заключение, что квантованные уровви в канале должны размываться и все квантовые эффекты исчезать. Квантовое расширение пространственного заряда в соответствии с принципом неопределенности, однако, должно иметь место даже при размытых уровнях, и этот факт будет иметь ряд последствий в явлениях переноса [79]. Кроме того, теперь ясно, что частично зеркальное отражение электронов, участвующих в явлениях переноса на поверхности кристалла, не является необычным, так что могут существовать дискретные канальные уровни, которые могут вызывать качественно новые явления. [c.131]

Можно учесть возможность частичного диффузного рассеяния, нредноло-жив, что доля р общего числа электронов претерпевает зеркальное отражение от поверхности, а остальная часть, т. е. (1 —ja), отражается диффузно. Такой путь является, конечно, интерполяционным приемом и может не соответствовать физической реальности. [c.205]

Возникает вопрос о том, как учесть влияние 1 раницы. Если рассеяние на поверхности полностью хаотично, то электроны, покидающие поверхность, в среднем не будут нести импульса, параллельного поверхности. Эквивалентное распределение может быть получено в бесконечной среде, если положить Е равным нулю везде за границей. Этот вывод приводит к интегрированию уравнения (17.7) по физическому объему. В случае зеркального отражения от границы картина более сложная. Плоская поверхность может быть рассмотрена методом зеркального изображения. Если среда занимает полупространство. г > О, то можно считать, что Е(—х, у, z) = E x, у, z), и вести интегрирование по всему объему. В модели, рассматривавшейся Рейтером и Зондгеймером, предполагалось, что зеркально рассеивается некоторая часть р электронов, а часть 1 — /> рассеивается диффузно. Экспериментальные данные свидетельствуют о том, что р = 0. [c.706]

Нарушение закона сохранения четности порождает целый ряд вопросов и ведет к некоторым очень общим и непривычным следствиям. Прежде всего, раз в изображенной на рис. 6.21 установке Р-электроны испускаются несимметрично относительно плоскости тока, то, значит, и сама установка должна обладать такой асимметрией. Возникает вопрос, что же является носителем этой асимметрии. Крайнее допущение состоит в том, что несимметричным является само пространство. Но предполагать асимметрию пространства вовсе не обязательно. Еще за несколько лет до опыта By в статье Г. Вика, А. Уайтмана и Е. Вигнера (I95I) было указано, что асимметрией относительно правого и левого могут обладать все заряженные элементарные частицы, так что положительный заряд, если смотреть на него через зеркало, превращается в отрицательный и наоборот. С этой точки зрения человек видит в зеркале не себя, а существо, составленное из античастиц — антипротонов, антинейтронов и позитронов. Зеркальное отражение такого типа Л. Д. Ландау (1957) назвал комбинированной инверсией. При таком взгляде на зеркальное отражение опыт By объясняется естественно при отражении в зеркале установка переходит не сама в себя, а в антиустановку , состоящую из образца антикобальта-60, окруженного позитронным круговым током. Тем самым установка не является зеркально симметричной, так что Р-электроны могут вылетать вправо и влево с разными интенсивностями. [c.250]

На рис. 3, б, в показаны одни и те же участки па поверхности разрушения двух половинок, являющиеся зеркальным отражением друг друга. На снимках, по.лученпых с помощью электронного сканирующего микроскопа, кажущиеся хрупкими бороздки представляют собой ряды треугольных выступов (на одной половнике) и треугольных ямок (на другой половинке) (рис. 3, г). Существенно, что вся поверхность разрз шепия покрыта пластичными бороздками ус- [c.151]

В рассматриваемый период бурное развитие получают оптические системы связи. В 1870 г, был изобретен светосигнальный прибор Манжена, который долго применялся в XIX в. в различных армиях. Он состоял из керосиновой лампы, расположенной в металлическом яш,ике. Пламя лампы, находившееся в фокусе линзы диаметром около 100 мм, давало параллельный световой пучок, прерыванием которого и подавались телеграфные сигналы по азбуке Морзе. Примерно в это же время (середина XIX в.), когда не только не существовало фотоприемников, необходимейшей части всякого оптико-электронного прибора, но и сам фотоэлектрический эффект ещ е не был открыт, делались попытки создать прибор для передачи и приема оптических сигналов, модулированных звуковой частотой. В качестве индикаторов приходящих сигналов применялись довольно грубые устройства, действие которых основывалось на тепловом нагревании световыми лучами. Понятно, что такого рода устройства не могли работать удовлетворительно они были мало чувствительны и обладали большой инерционностью. Только после развития техники изготовления фотоэлементов оптическая телефония получила основу для своего развития. В 1880 г. А. Г. Белл построил так называемый фотофон, состоящий из передатчика, модулированного звуковой частотой пучка лучей, и приемника с селеновым фотоэлементом. Вышедший из передающей станции параллельной пучок лучей падал на зеркальную мембрану микрофона и после отражения от нее направлялся к приемной станции. При колебаниях мембраны поверхность ее деформировалась и в зависимости от степени отклонения от плоскости пучок отраженных ею лучей становился более или менее расходящимся. В приемную часть, следовательно, поступало большее или меньшее количество света. 1880 г. можно считать годом рождения оптических систем связи. На протяжении последующих лет было разработано и описано различными авторами несколько систем оптических телефонов, различающихся между собой по преимуществу способами получения модулированного пучка световых лучей. Наибольший интерес представляет способ модуляции светового потока, предложенный в 1897 г. Г. Симоном. Он использовал в качестве источника излучения дуговую лампу, предложенную русским изобретателем П. Н. Яблочковым, установленную в фокусе передающего параболического зеркала. Излучение лампы модулировалось системой, состоящей из микрофона, трансформатора и источников питания. Дальность работы телефона Симона была в десять раз больше дальности работы фотофона Белла и достигала примерно 2,5 км. [c.379]

ОРБИТА электронная — траектория движения электрона вокруг ядра в атоме или молекуле ОРБИТАЛЬ —волновая функция одного электрона, входящего в состав электронной оболочки атома или молекулы и находящегося в электрическом иоле, создаваемом одним или несколькими атомными ядрами, и в усредненном электрическом поле, создаваемом остальными электронами ОСЦИЛЛЯТОР как физическая система, совершающая колебания ангармонический дает колебания, отличающиеся от гармонических гармонический осуществляет гармонические колебания квантовый имеет дискретный спектр энергии классический является механической системой, совершающей колебания около положения устойчивого равновесия) ОТРАЖЕНИЕ [волн происходит от поверхности раздела двух сред, и дальнейшее распространение их идет в той же среде, в которой она первоначально распросгра-нялась диффузное характеризуется наличием нерегулярно расположенных неровностей на поверхности раздела двух сред и возникновением огражен1 ых волн, идущих во всех возможных направлениях зеркальное происходит от поверхности раздела двух сред в том случае, когда эта поверхность имеет неровности, размеры которых малы по сравнению с длиной падающей волны, а направление отраженной волны определяется законом отражения наружное полное сопровождается частичным поглощением световой волны в отражающей среде вследствие проникновения волны в Э1у среду на глубину порядка длины волны полное внутреннее происходит от поверхности раздела двух прозрачных сред, при котором преломленная волна полностью отсутствует] [c.257]

К. о. в малых образцах (наир., на пластинках толщиной d, сравни.мон с диаметром 2г орбиты электронов в магн. поле). Если 2r>d, то по замкнутым орбитам могут двигаться лишь электроны, испытывающие зеркальное отражение от поверхностей образца, и К. о. будут определяться площадью участка сечения поверхности Ферми (рис, 5), изменяюп1егося при изменении поля. Их периодичность при этом нарушается. [c.324]

МАГНИТНЫЕ ПОВЕРХНОСТНЫЕ УРОВНИ — квантовые энергетич. уровни. электронов проводимости, движущихся в проводнике вблизи его поверхности под действием параллельного ей постоянного магн. поля. Для возникновения М. н, у, необходимы большая длина свободного пробега электронов и болыная вероятность их зеркального отражения при столкновении с поверхностью проводника. Выполнение этих условии достигается при гелиевых темп-рах (4,2 К) в очень чистых монокристаллах нроводников, имеющих оптически гладкую поверхность. [c.678]

Р. 3. проявляются в зависимости от d кинетич. коэф. (электропроводности, теплопроводности и др,), описывающих линейный отклик тела на внеш. воздействия (электрич. ноле, градиент темп-ры. и др.), приложенные в плоскости пластины либо вдоль оси проволоки или нитевидного кристалла. Эта зависимость обусловлена рассеянием квазичастиц границей образца. При столкновении с поверхностью импульсы падаюпцей на поверхность квазичастицы (р) и отражённой от поверхности (р ) могут быть строго скоррелированы (зеркальное отражение от идеально гладкой бездефектной поверхности) либо частично скоррелированы иля корреляция полностью отсутствует (диффузное отражение). Если на поверхности адсорбированы примесные атомы либо поверхность слабо шероховата (дефекты), то столкновения квазичастиц с поверхностью описываются угл. распределением импульсов отражённых электронов [c.244]

Размерные эффекты в эпектропроводвости. Падение уд, электропроводности проводников а с уменьшением (1 впервые объяснил Дж. Дж. Томсон (1.1. ТЬошзон) в 1900. Вероятность зеркального отражения свободных носителей заряда (для определённости электронов) от поверхности (параметр зеркальности) ниеет вид [c.245]

В пластинах с достаточно гладкими гранями циклотронный резонанс возможен в слабых иагн. полях, удовлетворяющих условию i "К г < P/d. При этом электроны периодически возвращаются в скинчшой за счёт зеркальных отражений от противоположной грани, а роль маги, поля сводится лишь К вскрввлению траекторий резонансных электронов. Условие резонанса имеет вид ы = 2лп7 " , где Т — период движения зеркально отражённых электронов. [c.247]

ЭЛЕКТРОННОЕ ЗЕРКАЛО — электрич. или магн. система, отражающая пучки электронов и предназначенная либо для получения с помощью таких пучков электронно-оптич. изображений, либо для изменения направления движения электронов. В своей значит, части Э. з.—системы, симметричные относительно нек-рой оси (см. Электронная и ионная оптика). Электростатические осесимме-тричныеЭ. 3. (рис. 1) используют для создания правильных электронно-оптич. изображений объектов. Если последний электрод такого Э. з. сплошной и электроны меняют направление движения непосредственно вблизи его поверхности, то можно получить увеличенное изображение микрорельефа этой поверхности. В зеркальном электронном микроскопе используется именно это свойство Э. з. Цилиндрические Э. з. с двухмерным>> (не зависящим от координаты х) электрич. (рис, 2) или магн. полем применяют для изменения направления электронных пучков, причём для электронов, движущихся в ср. плоскости зеркала, угол падения равен углу отражения, аналогично [c.558]

Применительно к ингибиторам анионо- и катионоактивного типов (донорам или акцепторам электронов) с одинаковыми активными группами, но отличающимися молекулярной массой и длиной углеводородного радикала, было подтверждено ранее установленное правило поведения маслорастворимых ПАВ в неполярных средах, являющееся зеркальным отражением пове-дения водорастворимых ПАВ в полярных средах (воде) Г17—18, 80]. [c.134]

Horo лучистого потока в сторону корабля А была максимальной, поскольку это увеличивает дальность действия локатора, расположенного на корабле. На языке радиолокации это явление носит название искусственного увеличения эффективной площади цели аппарата В. Для такого зеркального отражателя необходимо строгое выполнение его формы. Так, в сообщении подчеркивается, что точность изготовления призм такова, что угол между падающим и отраженным лучами не должен превышать 9,6-10 рад. В изготовленном блоке расстояние между параллельными сторонами шестиугольной входной грани одной призмы равно 6 см, а всего блока — 18 см [29]. Здесь же находится приемная оптическая система с диссектором (фотоэлемент, обеспечивающий определение координат светового пятна, падающего на его поверх ность). Подчеркивается, что это устройство нужно для того, чтобы принимать излучение лазера, установленного на аппарате А, и удерживать направление оптической оси приемного устройства, аппарата В строго по лучу лазера, что и обеспечивает следящая система корабля В. В левой части рисунка расположена схема аппаратуры, находящейся на корабле А. В нее входят два источника излучения — лазер и полупроводниковый диод, приемная оптическая система, два приемника излучения ФЭУ и диссектор, система обнаружения и сопровождения, а также системы ближнего и дальнего действия. Излучение полупроводникового диода сосредоточено в угле 2,5-1,74-10 2 рад, т. е. примерно 2,5 углового градуса, а излучение лазера сосредоточено в угле 0,5-1,74-10 рад т. е. в угле 0,5 углового градуса. Система углового сопровождения — по существу оптико-электронное следящее устройство с электронным сканированием, схема которого рассчитана на работу от импульсного источника. Для уменьшения влияния фоновых засветок в оптическую систему разработчики включили интерференционный фильтр, не показанный на рисунке. Поле зрения приемного устройства углового сопровождения формируется объектом с фокусным, расстоянием 90 мм и относительным отверстием 1 0,95 и составляет 10-1,74-10 рад, т. е. примерно 10 угловых градусов. Система обнаружения и сопровождения должна обеспечивать первоначальное обнаружение корабля В по его маячку и слежения за ним вначале по излучению маяка, а впоследствии по излучению собственного лазера, отраженного блоком [c.91]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...