Циклотронный резонанс

Первоначально использовавшийся магнит диаметром 279 мм почти сразу оказался слишком маленьким для применения в ускорителях он был реконструирован и до настоящего времени применяется в Беркли для различных исследовательских целей. С этим магнитом, в частности, были проведены первые успешные опыты по циклотронному резонансу носителей заряда в кристаллах. [c.144]

Основные методы определения РА основаны на измерении константы равновесия для реакций с передачей протона путем использования масс-спектрометров высокого давления, ионного циклотронного резонанса или проточной техники исследования послесвечения плазмы и др. [23—25]. [c.422]

Прямым методом определения (р) и эффективных масс является циклотронный резонанс. Ценные сведения о зонной структуре и эффективных массах дают измере- [c.455]

Генераторами мощных колебаний миллиметрового диапазона волн являются мазеры на циклотронном резонансе. В них применяются винтовые электронные пучки в продольном статич. магн. поле, взаимодействующие с поперечным по отношению к оси пучка перем. электрич, полем резонатора или волновода. Возбуждение колебаний происходит па циклотронной частоте вращения электронов в магн. поле или на одной из её гармоник, а группировка электронов в сгустки обуслов- [c.433]

М. р. сходен с явлением циклотронного резонанса — в обоих случаях имеют место переходы с изменение.м энергии электрона. Однако в отличие от циклотронного резонанса М. р. — резонанс внутренний резонансное условие достигается, когда частота собств. колебаний кристаллич. решётки кратна частоте обращения электрона в магн. поле Н (циклотронной частоте). [c.21]

Рис. 11. Масс-спектрометр ионно-циклотронного резонанса.

При исследованиях, в к-рых требуется сочетание высокой разрешающей способности с большой чувствительностью, широким диапазоном измеряемых масс и воспроизводимостью результатов измерений, применяют статич. масс-анализаторы. Динамич. М,-с. используются в след, случаях время-пролётные для регистрации процессов длительностью от 10 до 10" с радиочастотные (малые масса, размеры и потребляемая мощность) — в космич. исследованиях квадру-польные (высокая чувствительность) — при работе с молекулярными пучками магниторезонансные — для измерения очень больших изотопных отношений М.-с. ионно-циклотронного резонанса — для изучения ион- [c.56]

Кроме ЭПР и ЯМР в твердых телах могут существовать еще и другие типы магнитных резонансов циклотронный резонанс, электронный ферромагнитный резонанс, электронный антиферромагнит-ный резонанс. Подробное описание этих явлений можно найти в книге С. В. Вонсовского. [c.352]

В сильных магн. полях при низких темп-рах в вырожденных полупроводниках и полуметаллах наблюдаются те же резонансные осцилляц, зависимости, что и в металлах. В невырожденных полупроводниках возможно наблюдение только акустич. циклотронного резонанса. [c.57]

ГИРОТрОН — генератор эл.-магн. колебаний СВЧ-диа-пазона, основанный на вынужденном излучении элек-тронов, вращающихся в однородном постоянном магн. поле, F.— разновидность мазера на циклотронном резонансе, в котором электроны взаимодействуют с эл.-магн. полем резонатора в условиях, когда фазовая скорость волпы больше с. [c.489]

Вынужденное Д. и. осциллирующих электронов широко используют в электронике для усиления и генерации микроволнового излучения см. Гиротрон, Мазер на циклотронном резонансе, Лазеры на саободных электронах, Ондулятор). [c.631]

Если при ятом на сшеоь ионов действует переменное электрич. поле с частотой oj, то энергию поглощают ионы, находящиеся в резонансе с полем 2= со. При этом г возрастает, что позволяет отделить эти ионы от других (см. Циклотронный резонанс). [c.125]

Наряду с К, о, в магн. поле в металлах и полупроводниках могут наблюдаться также квантовые эффекты др. природы размерное квантование в плоских плёнках, проволоках и цилиндрах, связанное с ограничением области движения (см. Квантовые размерные эффекты) или с интерференцией электронов (А ароно-ва Бома эффект), и розонапсные явления — циклотронный резонанс, резонанс на магнитных поверхностных уровнях, магнитофононный резонанс. [c.324]

Рис. 1. Системы накачки колебательной энергии частиц в основных разновидностях ЛСЭ а — в убитроне, б — в скат-троне, в — в мазере на циклотронном резонансе, г — в строфо-троне, 9 и в — во флиматронах.

Др. типы ЛСЭ основаны на вынужденном тормозном излучении электронов а) вращающихся в однородном магн. поле I/q циклотронной частотой (мазер на циклотронном резонансе рис. 1, в) б) колеблющихся в поперечно-неоднородном электростатич. поле U (х) (с т р о-ф о т р о н рис. 1, г). Кроме того, ЛСЭ могут быть основаны на черенковском излучении и переходном излучении частиц, движущихся равномерно и прямолинейно в нространственно-периодич. структурах (ф л и-матроны рис. 1, д, е). При этом колеблются не электроны исходного пучка, а их зеркальные изображения ф в структурах (пунктир на рис. 1, д). Суммарный диапазон, охватываемый перечисленными разновидностями ЛСЭ, простирается от СВЧ- до УФ-диапазона. [c.565]

Кроме ЛОВ типа О известны ЛОВ типа Mi>, ЛОВ МЦР, ЛОВ-убитроп, ЛОВ на аномальном эффекте Доплера, ЛОВ с плазменными электродпнамич. системами и др. Их объединяет явление образования распре-делённой внутренней обратной связи, тогда как механизм индивидуального излучения электронов, а также их группировка могут различаться. Напр., в ЛОВ типа М , как и в магнетроне (отсюда и назв. ЛОВ типа М ), электроны движутся в скрещенных алектрич. и магн. полях. Под действием синхронного ВЧ-поля электроны отдают ему свою потепц. энергию, перемещаясь в область с более высоким потенциалом. Работа ЛОВ МЦР (мазер па циклотронном резонансе в вари- [c.571]

Осцилляции коэф. поглощения полупроводника, находящегося в магн. поле, возможны также при непрямых переходах электронов (с участием поглощённого или излучённого фонона, необходимого для сохранения квазиимпульса при переходе), а также при запрещённых переходах, к-рые возникают при расщеплении валентных зон вследствие спин-орбитальпого взаимодействия. Эти эффекты используются для точного определения частот циклотронного резонанса электронов и дырок, для определения параметров зонной структуры полупроводников. [c.702]

Согласно условию(1), длина волны слаборелятивистского гиротрона, работающего на осп. циклотронном резонансе ( = 1), связана с величиной магн. поля соотношением [c.25]

В динаиич. масс-аналиааторах для разделения ионов с разны.мн mie используют, как правило, разные времена пролёта определ. расстояния, а также воздействие на ионы импульсных или радиочастотных электрич. полей с периодом, меньшим пли равным времени пролёта ионов через анализатор. Наиб, применение нашли времн-пролётные, радиочастотные, квадрупольные, магниторезонансные М.-с. и М.-с. ионно-циклотронного резонанса. [c.55]

В М.-с. ионно-циклотронного резонанса (рис. И) происходит резонансное поглощение ионами эл.-магн. энергии при совпадении циклотронной частоты ионов с частотой перем, злектрич. поля в анализаторе. Это позволяет идентифицировать ионы с данной величиной т е по резонансному поглощению. Ионы движутся в однородном магн. поло н по спирали с циклотронной частотой орбитального движения йс — еН1тс и попадают на коллектор. Для улучшения характеристик применяют сверхпроводящие [c.56]

М.-с. возникла в первые десятилетия 20 в. [Дж. Дж. Томсон (J. J. Thomson), 1912 Ф. У. Астон (F. W. Aston), 1919] и являлась одним из ося. методов определения масс ядер (Астоном было открыто 212 стабильных нуклидов). В дальнейшем центр исследований сместился в область анализа сложных органич. веществ. Однако с появлением масс-спектрометров ионно-циклотронного резонанса появилась возможность устанавливать массу иона с точностью лучше, чем 10" а. е. м., что индуцировало интерес к прецизионным измерениям масс ядер. Напр., удалось нзлшрить разность масс в дублете Не — Т+ с точностью до неск. эВ, позволяющей судить о наличии массы покоя у антинейтрино (см. Нейтрино, Бета-распад нейтрона). Дальнейшее повышение точности открывает перспективу определять энергии хим. связей (сопоставляя массы молекулы и составляющих её атомов). [c.57]

Нек-рые свойства М, (гл, обр. в сильном магн. поле) очень чувствительны к форме поверхности Ферми де Хаава — ван Альфена аффект. Циклотронный резонанс, геом. резонанс и др.). Они позволили восстановить по- [c.116]

Анизотропные свойства носителей в долинах проявляются при исследовании циклотронного резонанса, частота к-рого = elU nig, где й — напряжеииость магн. поля, е — заряд электрона, — циклотронная эфф. масса, определяе.мая в случае эллипсоидальных изоэнергетич. поверхностей соотношением [c.158]

Если анизотропия давления плазмы невелика или ф-ции распределении частиц по продольным (по отношению к магн. полю) и поперечным скоростям различаются мало, то изгибные (альвеновские) волны в плазме возбуждаются вследствие взаимодействия группы резонансных частиц с волной и Н, п. является кинетической (см. Взаимодействие частиц с волнами). Развитие неустойчивости в этом случае происходит за счёт перевода части энергии движения частиц вдоль магн. поля в энергию циклотронного движения вследствие циклотронного резонанса частиц с волной с учётом доплеровского сдвига частоты. В этом смысле такие Н. п. наз. циклотронными. [c.346]

Среди тепловых П, у, оси. интерес представляют неизотермич. ускорители, в к-рых Ре > рь Конструктивно стациоварный неизотермич, П. у. представляет собой магн, сопло , в к-ром либо путём инжекции быстрых электронов, либо путё.м электронного циклотронного резонанса создают плазму с горячими электронами Те 10 —10 К или в энер-гетич. единицах 10 —10 эВ). Электроны, стре- [c.610]

Ферромагнитный резонанс, Антиферромагнитный резонанс) при движении электронов проводимости в магн. поле (см. Циклотронный резонанс) В пр. Интервалн между уровнями энергии, изучаемые в Р., обычно соответствуют диапазону СВЧ (10 —3-10 Гц), а в случае ЯМР и ЯКР — диапазону ВЧ (10 —3-10 Гц). Столь малые интервалы, как правило, не удаётся разрешить в оптич, и ИК-спектрах, их можно зарегистрировать только методами Р. [c.234]

Всплеск поля формирует небольшая доля электронов (у к-рых разброс диаметров орбит АО 6), н, как правило, поле во всплеске невелико, оно меньше поля на поверхности пластины Е(0) Е 0 х1т) < (0)- Однако в условиях циклотронного резонанса возможна ситуация, когда одни и те же электроны формируют и поверхностный импеданс, и всплеск ВЧ-поля. Тогда Е Оех1г) 0(0). [c.246]

Размерный циклотронный ц зонанс. В магн. поле Н, параллельном граням пластины, при 0 ,х1г < Циклотронный резонанс имеет такой же характер, как ив массивных образцах, т. е. наблюдается резонансное уменьшение активной Л и реактивной X составляющих поверхностного импеданса 2 пластины. Если же траектория резонирующих электронов не помещается в сечении образца, т. е. Dgx J. > д, то происходит [c.246]

В пластинах с достаточно гладкими гранями циклотронный резонанс возможен в слабых иагн. полях, удовлетворяющих условию i "К г < P/d. При этом электроны периодически возвращаются в скинчшой за счёт зеркальных отражений от противоположной грани, а роль маги, поля сводится лишь К вскрввлению траекторий резонансных электронов. Условие резонанса имеет вид ы = 2лп7 " , где Т — период движения зеркально отражённых электронов. [c.247]

Смотреть страницы где упоминается термин Циклотронный резонанс : [c.380] [c.57] [c.372] [c.428] [c.478] [c.483] [c.16] [c.45] [c.355] [c.426] [c.24] [c.25] [c.26] [c.119] [c.155] [c.161] [c.492] [c.35] [c.42] [c.81] [c.236] [c.247]

Теория твёрдого тела (0) -- [ c.172 ]

Теория твёрдого тела (1980) -- [ c.298 ]

Физика твердого тела Т.2 (0) -- [ c.0 ]

Физическая кинетика (1979) -- [ c.270 , c.276 , c.290 ]

Магнитные осцилляции в металлах (1986) -- [ c.39 , c.52 , c.218 , c.230 , c.254 ]

Физика твердого тела Т.1 (0) -- [ c.0 ]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...