Зв. Для отражения от монокристалла

Спектр отражения монокристалла YIG приведен на рис. 1. В отличие от данных работы [6] в области от 800 до 165 нм не обнаружено длинноволновых пиков отражения при 592 и 490 нм, а при более коротких волнах наряду с ранее наблюдаемыми максимумами выявлены пики отражения при 450, 355, 343, 246 и 167 нм. Кроме того, в пиках при длинах волн 370 и 283 нм обнаружена структура (см. таблицу). При %< <165 нм наблюдается группа особенностей при 148, 137, 111 [c.148]

Приемник электронов С вращался вокруг той же оси и регистрировал электроны, отраженные монокристаллом никеля в разных направлениях в плоскости рисунка. В опытах ожидалось зеркальное отражение электронов, при котором угол падения равен углу отражения (V. 1.2.4°). Опы- [c.421]

В книге рассматриваются межатомные взаимодействия и энергия связи, некоторые физические свойства, симметрия и структура кристаллов, динамические и статические дефекты решетки, фазовые равновесия и превращения, новые типы аморфных материалов. Изложение ведется, как правило, таким образом, чтобы подчеркивать определяющую роль межчастичных взаимодействий в формировании структуры и Свойств твердого тела. Вместе с тем автор счел важным посвятить специальную главу аморфным материалам. Включение этого раздела отражает как возрастающую роль этих материалов в науке и технике, так и желание автора предметно показать, что физика твердого тела не сводится -к физике идеальных или чуть-чуть подпорченных монокристаллов. В то же время некоторые нередко излагающиеся в подобных книгах вопросы физики частных типов твердых тел не нашли отражения. Эти материалы читатель может найти в обстоятельных монографиях, указанных в списке литературы [1-5]. [c.6]

Способ Брэгга. В этом случае кристалл облучается монохроматическим рентгеновским излучением. Исследуется отражение от определенной системы параллельных атомных плоскостей при вращении монокристалла. В соответствии с формулой [c.51]

Если данный поликристаллический порошок облучать монохроматическим рентгеновским излучением, то среди составляющих его монокристаллов всегда найдутся такие, ориентация которых относительно падающего пучка удовлетворяет условию Вульфа-Брэгга (6.4). Если в направлении падающего луча установить фотопластинку, то ввиду аксиальной симметрии отраженных лучей на пластинке они оставят след в виде кольца (рис. 29). Так как отражение одновременно происходит от разных систем поверхностей и имеются отражения различных порядков, т. е. при различных значениях т в формуле [c.51]

Полярная диаграмма интенсивности отраженного пучка электронов от монокристалла никеля [c.60]

Применяются также высокотемпературные камеры с обратным отражением н фокусирующие камеры. Рентгенограммы при высоких температурах снимались, кроме того, с монокристаллов. [c.277]

Как уже отмечалось, МДК, как правило, получаются точечными, как от монокристаллов. Однако иногда, например при хаотическом распределении большого числа мелких кристалликов в матричном кристалле, на МДК фиксируются сплошные или состоящие из отдельных рефлексов кольца от этих кристалликов расчет таких МДК аналогичен расчету рентгеновских дебаеграмм. Подобный расчет применяют также в том случае, когда несколько кристалликов одной и той же фазы дают на МДК лишь одно-два отражения, не образующих какого-либо сечения обратной решетки данной фазы. [c.54]

РКУ-114 Прецизионные измерения на монокристаллах и на поликристаллах Камера светонепроницаема и позволяет получать снимки с неподвижного, вращающегося или колеблющегося образца. Положение и величина интервала колебаний могут устанавливаться и заменяться в процессе съемки. Диаметр камеры 114,6 мм. Величина углов отражения 4—86° [c.119]

Книга заканчивается приложением IV, составленным М. Т. Коганом. В нем собраны основные сведения о наиболее распространенных монокристаллах и многослойных молекулярных структурах, нашедших применение в МР-диапазоне. Приведены экспериментальные дифракционные характеристики интегральное отражение, полуширина и коэффициент отражения в максимуме для области длин волн 1—10 нм. [c.10]

Еще одна интересная возможность использования метода отражения рентгеновского излучения связана о чувствительностью тонкой структуры спектров отражения к структурным нарушениям в кристалле (например, к наличию радиационных дефектов). Как было показано в работе [34], тонкая структура в области 100—104 эВ в спектре 81 связана о наличием в монокристалле дальнего порядка. [c.39]

Однозначность регистрации рентг. отражений монокристалла реализуется в рентгеновские гониометрах за [c.343]

Способ Лауэ. Монокристалл облучается рентгеновским излучением с непрерывным спектром. Каждая из систем параллельных поверхностей, проведенных через узлы монокристалла, отражает в соответствующем направлении определенную длину волны. Интенсивность отраженного луча будет заметной лишь в том случае, когда атомы в отражающих плоскостях расположены достаточно плотно. Поэтому практически будет наблюдаться отражение лишь от небольшого числа систем плоскостей. Если на пути лучей, отраженных от различных систем плоскостей, поставить фотопластинку, то на ней получается система пятен - лау-эграмма (рис. 28). Зная геометрию опыта, можно установить соотношение между лауэграммой, -Структурой кристалла и длинами волн. [c.51]

В первом опыте на монокристалл никеля направляли электроны с энергией в несколько деся7ков электрон-вольт. Затем, изменяя угол падения электронов на поверхность кристалла, фиксировали изменение интенсивности отраженного пучка. Зависимость интенсивности отраженного пучка от угла скольжения а показана на рис. 35. На полярной диаграмме отчетливо виден максимум интенсивности отражения при угле ад. [c.60]

Постоянная кристаллической решетки равна d = 6,5 нм. Пучок электронов падает на естественную грань монокристаллов. Угол скольжения электронного пучка а = 30°. Наблюдение отраженных электронов производится под углом, равным углу падения. Пренебрегая лреломлением электронных волн, определить энергии электронов, при которых наблюдаются два первых максимума отражения. [c.66]

В монокристалле под малыми углами к его оси, испытывают отражение от встречающихся на их пути цепочек атомов, выстроенных вдоль этой оси (рис. 8.14), В этом случае говорят, что частицы движутся в режиме каналирования. Вследствие отражения от цепочек атомов каналированные частицы удерживаются на больших расстояниях от атомов. Поэтому прохождение каналированных частиц характеризуется теми особенностями, о которых мы говорили в п. I. [c.460]

Обнаружение дислокаций и включений в монокристаллах кремния методом визуального наблюдения на экране ЭОП или фоторегистрации на инфрахрома-тической пленке. Контроль в проходящем и отраженном свете, в темном и светлом поле в видимых и ИК-лучах [c.107]

В настоящее время наиболее интенсивные работы проводятся на монокристаллах СбЗ. Вызвано это, с одной стороны, высокими пьезоэлектрическими свойствами данного кристалла по сравнению со всеми прочими кристаллами группы А В ( 33 = 10,32 X X 10" ( 55 = 5,18 10" ) [74], а с другой стороны, возможностью использовать кристаллы С(35 для усиления ультразвуковых волн [75] и построения как активных линий задержки, так и усилителей радиочастотного сигнала с двойным преобразованием. Поэтому использование в этих системах и преобразователей, и звукопро-вода из сульфида кадмия упрощает задачу их акустического согласования, что позволяет построить систему более широкополосную с меньшим отношением сигнала к шуму, который вызывается нежелательными отражениями ультразвуковых волн от торцевых граней звукопровода. Кроме того, использование преобразователей такого типа в интегральных схемах позволяет значительно упростить конструкцию указанных устройств. [c.326]

Если мы имеем один монокристалл (см. стр. 156), то для получения отражения от какой-либо плоскости (кк1) этот кристалл надо облучать белым" рентгеновским излучением, в составе которого всегда найдётся такая длина волны X, которая будет удовлетворять уравнению (19). В методе порошков (Дебая-Шеррера) применяется не белое, а монохроматическое (характеристическое, см. стр. 154) излучение и в качестве образца не один монокристалл, а порошок (или другой агрегат), состоящий из множества мельчайших монокристалликов величиной не более 10 см, беспорядочно ориентированных в пространстве. В виде образца для исследования в случае пластичных металлов или сплавов может служить проволочка диаметром 0,2-0,5 мм и длиной около 5— 7 мм. Если пропускать параллельный пучок рентгеновых лучей через такой порошковый образец О (фиг. 56), то в нём всегда найдётся большое число монокристальных крупинок, в которых данная плоскость (кк1) будет ориентирована по отношению к направлению луча под брэгговским углом 6. В то же время все эти попадающие под условие отражения плоскости (Нк11 не будут параллельны между собой в различных крупинках, поэтому в сумме все отражённые лучи дадут конус отражения с характерным для данной плоскости кк1) [c.166]

ИК-спектры селективного отражения применяются гл. обр. при исследоиании спектров монокристаллов, неор-ганич. твёрдых веществ, минералов и т. п. [c.179]

МАГНИТНЫЕ ПОВЕРХНОСТНЫЕ УРОВНИ — квантовые энергетич. уровни. электронов проводимости, движущихся в проводнике вблизи его поверхности под действием параллельного ей постоянного магн. поля. Для возникновения М. н, у, необходимы большая длина свободного пробега электронов и болыная вероятность их зеркального отражения при столкновении с поверхностью проводника. Выполнение этих условии достигается при гелиевых темп-рах (4,2 К) в очень чистых монокристаллах нроводников, имеющих оптически гладкую поверхность. [c.678]

Рис. 10. Изображение магнитных доменов монокристалла желе-зоиттриевого граната на рентгеновской топограмме, снятой по методу Ланга. Толщина кристалла 180 зекм, излучение Лв, -мвг К,, отражение (800), время экспозиции 60 ч. эЗЭ

В Р. г. для исследования монокристаллов на образец направляется пучок с сечением —0,1 - 0,5 мм, сформированный коллиматором, состоящим из двух круглых диафрагм или двух фокусирующих зеркал полного внеш. отражения (см. Рентгеновская оптика). Чаще всего излучение ионохроматпзируется с помощью монохроматора из пиролитич. графита. [c.364]

Колебания возбуждаются в пьезопластинке (пьезодиэлектрике), изготовляемой обычно из титаната бария, реже из монокристалла кварца. Пластинка помещается в держателе, называемом щупом. Во избежание значительных потерь энергии ультразвука в пространстве между щупом и поверхностью детали, чтобы обеспечить акустический контакт щупа с деталью, контролируемую поверхность нужно механически обработать не грубее V6 и смазать машинным маслом. Следует учитывать, что для поверхности раздела металл — воздух отражение ультразвуковых колебаний полное, так как удельные волновые сопротивления отличаются примерно в 100 тыс. раз даже очень тонкий слой воздуха, порядка 0,0001 мм, вызывает практически полное отражение ультразвука. Чем тоньше слой смазки, тем чувствительнее будет дефектоскоп и меньше мертвая зона. [c.446]

На рио. 1.13 приведени полученные в [34] спектрн отражения для исходного монокристалла кремния (кривая /), облученного ионами фосфора (кривая 2), а также спектр облученного кремния после высокотемпературного отжига (кривая 5). Как видно, в спектре исходного 81 хорошо проявляется тонкая структура в области энергий 100—104 эВ. В спектре кристалла после облучения она отсутствует и вновь обнаруживается после высокотемпературного отжига. [c.40]

Модуляторы лазерного излучения. В работе [43] описан модулятор лазерного излучения, изготовленный на основе монокристалла НБС состава х = 0,5. При этом отмечается, что кри)в1аллы с ж = 0,25 для этих целей неприменимы вслед ствие высокого значения диэлектрической нроницаетсти е. Для модулятора использовался монокристалл НБС размерами 0,3 X 0,4 X 10 мм с большим размером вдоль оси х. Кристалл имел емкость 20 пФ и включался в 50-омную широкополосную согласующую схему. Отраженная мощность была менее 1% вплоть до 300 МГц, импульсы напряжения имели фронт нарастания до 3 НС и быстрый спад. Управляющее напряжение для длины волны света % = 0,633 мкм составляло 22 В. Отношение интенсивности прошедшего света к поглощенному составляло 15 дб. Диаметр лазерного пучка на поверхности кристалла имел величину 0,1 мм. [c.122]

С помощью электронного микроскопа высокого разрешения Комода [509] обнаружил, что более 80% частиц Аи, размер которых изменялся от 20 до 150 А в процессе роста островковой пленки на сколе нагретого до 300° С монокристалла Na l, являются дека- и ико-саэдрическими. Согласно изображениям, построенныл электронами, отраженными от семейства плоскостей 111 , эти частицы образованы упорядоченным расположением почти идеальных структурных единиц, но частицы Аи крупнее 200 А обладают более сложным строением (соответствующие электронно-микроскопические снимки воспроизведены в обзорах [1, 8]). [c.182]

Смотреть страницы где упоминается термин Зв. Для отражения от монокристалла : [c.416] [c.47] [c.552] [c.164] [c.176] [c.12] [c.355] [c.559] [c.560] [c.674] [c.235] [c.465] [c.594] [c.656] [c.274] [c.513] [c.370] [c.370] [c.370] [c.156] [c.156] [c.447] [c.403] [c.224]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...