Отражение электронов диффузное

Осцилляция Фриделя 48 Открытые ферми-поверхности 72 Отражение электронов диффузное 111 -- зеркальное 110 [c.519]

Для электронов на открытых сечениях ФП следует учитывать дрейф электронов в плоскости, перпендикулярной Н, к-рый нв зависит от рд. При а = л/2 только электроны с открытыми траекториями формируют 0.3. Их смещение в глубь образца за период одинаково во всём слое открытых сечений ФП, и все они участвуют в формировании О. 3. Амплитуда О. 3. по зависит от Н и тем больше, чем выше степень зеркальности отражения электронов (при зеркальном отражении амплитуда в lld раз больше, чем при диффузном, где I — длина свободного пробега электронов). [c.485]

Резкое исчезновение одной из гармоник (более частой) на рис 8.2 свидетельствует о диффузном отражении электронов от поверхности. Это вполне понятно с точки зрения рассуждения, приведенного в сноске на с. 116. Если п-я орбита—последняя, умещающаяся в образце, то я1-я подходит к поверхности под углом ф п-1 2. Это приводит к неопределенности нмпульса порядка /I- . , а следовательно, к такой же неопределенности ларморовского радиуса. Но для наблюдения резонанса нужно, чтобы гармоники не перекрывались, т. е Дгi/ i[c.133]

Интересно, что значение поверхностного импеданса при предельно аномальном скин-эффекте фактически оказывается вообще малочувствительным к характеру отражения электронов. Так, при диффузном отражении (когда все направления отраженного электрона равновероятны вне зависимости от угла падения) значение импеданса отличается от (86,23) лишь множителем 9/8. Граничное условие при диффузном отражении от плоской поверхности формулируется как on(o >0, Vy, v ) = 0 при х=0. При этом, однако, метод Фурье оказывается непригодным и решение задачи должно производиться так называемым методом Винера — Хопфа ). [c.446]

Влияние условий измерений интенсивности на природу функции поглощения, вероятно, наиболее существенно в электронной микроскопии кристаллов, где апертура объективной линзы приводит к сочетанию прямого пучка с неупруго и упруго рассеянными пучками как в брэгговских отражениях, так и в диффузном фоне. При этом на указанные компоненты изображения аберрации линзы влияют различным образом. Этот случай будет рассмотрен в следующей главе. Здесь же мы ограничимся лишь рассмотрением наиболее общего случая функций поглощения, относящихся к резким брэгговским отражениям, получающимся в результате упругого рассеяния в кристалле. [c.280]

Электронографическая съемка на отражение является строгой проверкой чистоты поверхности, подготовленной для дальнейшего исследования в электронном микроскопе. Присутствие осадков продуктов травления или коррозии обнаруживается или по появлению соответствующих отражений, или по усилению диффузного фона и ослаблению основных отражений. Образец для съемки на отражение удобно иметь с плоской гранью, размером в направлении пучка 4—10 мм. [c.172]

Обычно даже самая лучшая металлическая поверхность имеет неоднородности с размерами порядка атомных. В результате часть электронов отражается от поверхности диффузно, т. е. не сохраняет памяти о своем первоначальном состоянии. Поэтому наряду с зеркальным отражением имеет смысл рассмотреть и противоположный предельный случай—чисто диффузное отражение. При этом мы можем положить для д = О, и > О [c.111]

Для того чтобы электроны не выходили за пределы скин-слоя, надо, чтобы угол ф иа рис. 7.7 не превышал ф Эффективное число электронов при этом будет порядка п ф . Соответствующим образом меняется и эффективная проводимость. Однако при этом не учитывается тот факт, что при каждом столкновении с поверхностью имеется малая вероятность диффузного отражения. Если обозначить эту вероятность через д, то формулу для эффективной проводимости электронов, движущихся по скачущим траекториям, можно написать в виде [c.121]

Подвижность свободных носителей заряда в области пространственного заряда 2.3.7. Феноменологический подход. Проблемы переноса свободных носителей заряда в приповерхностной области полупроводника и в тонких металлических пленках в какой-то мере схожи. Однако, имеются и отличия, одно из которых состоит в том, что в ОПЗ на носители заряда действует электрическое поле, направленное по нормали к поверхности. Для качественной оценки влияния этого поля на подвижность носителей в ОПЗ воспользуемся простой моделью треугольной потенциальной ямы, в которой перемещается электрон — см. рис. 1.13,а. При движении в тянущем поле вдоль поверхности (по оси X) электрон совершает колебательное движение по нормали к ней (ось 2), сталкиваясь попеременно с двумя стенками треугольной потенциальной ямы. Будем считать, что отражение от внутренней стенки (г = го) происходит зеркально, а от наружной (г = 0) — диффузно (см. п.2.1). [c.51]

После диффузного отражения от поверхности электрон со средней энергией кТ удаляется от нее на максимальное расстояние го — (рис. 1.13,й), го = кТ / дг., после чего снова начинает двигаться к поверхности. Среднее время между двумя столкновениями электрона с поверхностью = 2го/< > = [ т, кТу /д где [c.52]

Полуклассическое описание зеркального и диффузного отражений начинается с рассмотрения вероятности пи к ) того, что падающий электрон с вектором кг будет отражен в область Фк+ й-пространства. Величина хи к к+) также описывает отношение между нормальными, компонентами падающей и отраженной плотностей тока. Если число электронов с вектором ударяющихся о площадь Лг за секунду, равно ]г к-)Аг, то результирующее число электронов, попадающих с Аг в элемент с1 к+ -пространства, будет ]г к-)п к- к+)( к+Аг. Суммируя вклады от всех направлений падения, получаем [c.117]

Диффузное рассеяние. До сих пор мы при вычислении глубины проникновения предполагали, что отражение электронов от поверхности металла происходит зеркальным образом. Рассмотрим теперь другой предельный случай, когда электроны отражаются диффузно. Что происходит в этом случае, можно легко выяснить, если воспользоваться результатами работы [13] по аномальному скин-эффокту. Если бы мы переписали уравнение (4.10), определяющее ток j в координатном представлении, то, как мы уже говорили, оно имело бы следующий вид [c.904]

Сложение амплитуд, подобное (12.35), послужило основой подробных расчетов Дойля [119], проведенных на основе л-волновой теории интенсивностей плазмонного рассеяния в тонких кристаллах А1, ориентированных так, что возбуждался только систематический набор отражений hhh. В согласии с экспериментальными наблюдениями Дойль показал, что при возбуждении сильного отражения 111 диффузное рассеяние обнаруживает тенденцию к исчезновению в области между сильными пучками ООО и 111 (см. также [214]). Кроме того, в согласии с экспериментом он рассчитал форму полос равной толщины, полученных с помощью пучков электронов [c.277]

Это условие, правильное для данной геометрии задачи, не является универсальным для любой формы диффузно отражающей границы. Наиболее общее граничное условие при диффузном отражении, пригодное для границы произвольной формы,—это i )(x=0, > O) = onst, т. е. независимость функции распределения отраженных электронов от направления отражения. Эта константа определяется нз условия отсутствия тока по нормали к границе, т. е. /х=0 при х=0, которое должно выполняться для любой границы. В рассматриваемом случае плоской границы для предельно аномального скин-эффекта отсюда получается i >(x=0, > 0) = 0. [c.111]

Можно учесть возможность частичного диффузного рассеяния, нредноло-жив, что доля р общего числа электронов претерпевает зеркальное отражение от поверхности, а остальная часть, т. е. (1 —ja), отражается диффузно. Такой путь является, конечно, интерполяционным приемом и может не соответствовать физической реальности. [c.205]

Возникает вопрос о том, как учесть влияние 1 раницы. Если рассеяние на поверхности полностью хаотично, то электроны, покидающие поверхность, в среднем не будут нести импульса, параллельного поверхности. Эквивалентное распределение может быть получено в бесконечной среде, если положить Е равным нулю везде за границей. Этот вывод приводит к интегрированию уравнения (17.7) по физическому объему. В случае зеркального отражения от границы картина более сложная. Плоская поверхность может быть рассмотрена методом зеркального изображения. Если среда занимает полупространство. г > О, то можно считать, что Е(—х, у, z) = E x, у, z), и вести интегрирование по всему объему. В модели, рассматривавшейся Рейтером и Зондгеймером, предполагалось, что зеркально рассеивается некоторая часть р электронов, а часть 1 — /> рассеивается диффузно. Экспериментальные данные свидетельствуют о том, что р = 0. [c.706]

ОРБИТА электронная — траектория движения электрона вокруг ядра в атоме или молекуле ОРБИТАЛЬ —волновая функция одного электрона, входящего в состав электронной оболочки атома или молекулы и находящегося в электрическом иоле, создаваемом одним или несколькими атомными ядрами, и в усредненном электрическом поле, создаваемом остальными электронами ОСЦИЛЛЯТОР как физическая система, совершающая колебания ангармонический дает колебания, отличающиеся от гармонических гармонический осуществляет гармонические колебания квантовый имеет дискретный спектр энергии классический является механической системой, совершающей колебания около положения устойчивого равновесия) ОТРАЖЕНИЕ [волн происходит от поверхности раздела двух сред, и дальнейшее распространение их идет в той же среде, в которой она первоначально распросгра-нялась диффузное характеризуется наличием нерегулярно расположенных неровностей на поверхности раздела двух сред и возникновением огражен1 ых волн, идущих во всех возможных направлениях зеркальное происходит от поверхности раздела двух сред в том случае, когда эта поверхность имеет неровности, размеры которых малы по сравнению с длиной падающей волны, а направление отраженной волны определяется законом отражения наружное полное сопровождается частичным поглощением световой волны в отражающей среде вследствие проникновения волны в Э1у среду на глубину порядка длины волны полное внутреннее происходит от поверхности раздела двух прозрачных сред, при котором преломленная волна полностью отсутствует] [c.257]

Р. 3. проявляются в зависимости от d кинетич. коэф. (электропроводности, теплопроводности и др,), описывающих линейный отклик тела на внеш. воздействия (электрич. ноле, градиент темп-ры. и др.), приложенные в плоскости пластины либо вдоль оси проволоки или нитевидного кристалла. Эта зависимость обусловлена рассеянием квазичастиц границей образца. При столкновении с поверхностью импульсы падаюпцей на поверхность квазичастицы (р) и отражённой от поверхности (р ) могут быть строго скоррелированы (зеркальное отражение от идеально гладкой бездефектной поверхности) либо частично скоррелированы иля корреляция полностью отсутствует (диффузное отражение). Если на поверхности адсорбированы примесные атомы либо поверхность слабо шероховата (дефекты), то столкновения квазичастиц с поверхностью описываются угл. распределением импульсов отражённых электронов [c.244]

Однако металлические пленки препаратов для полупрямого исследования, как правило, дают настолько интенсивную собственную диффракцион-ную картину, что на ее фоне могут совершенно потеряться отражения, соответствующие кристаллической решетке второй фазы, — особенно тогда, когда этой фазы в исследуемом сплаве немного. В этом случае незаменима лаковая пленка (без отте-нения), которую можно изготовить настолько тонкой, что диффузное рассеяние в ней электронов практически совершенно не будет сказываться на качестве электронограммы частиц, находящихся в пленке. [c.37]

Как для рентгеновских лучей, так и для электронов, фон диффузного рассеяния и поглощение энергии, приводящие к уменьшению интенсивности резких брэгговских отражений,возникают прежде всего из-за неупругого рассеяния падающего излучения на электронах в кристалле. Представление амплитуды атомного рассеяния рентгеновских лучей в виде суммы действительной и мнимой частей, связанное с возбуждением электронов внутренних электронных оболочек, обсуждалось в гл. 4. Мнимая часть амплитуды рассеяния определяет коэффициент поглощения, который может бьгть весьма значительным для длин волн падающего излучения, меньших длины волны края поглощения, т.е. когда падающие кванты обладают достаточной энергией для того, чтобы выбить электрон из одной из внутренних оболочек. В этом случае на дифракционной картине появляется диффузный фон благодаря возникновению характеристического излучения от атомов образца. [c.269]

Можно ожидать, что суммирование интенсивностей, подобное (12.36), будет справедливым также и в случае, когда диффузное рассеяние имеет максимум далеко от сильных брэгговских отражений, поскольку оно будет получаться главным образом в результате рассеяния от коротковолновых фононов, малых дефектов или возбуждений электронов, прочно связанных с атомами. Для каждого из этих случаев возбуждение ограничено неболмиой областью кристалла. [c.277]

В случае дифракции рентгеновских лучей и электронов, когда значительная часть теплового диффузного рассеяния может оказаться включенной в измерения интенсквностей брэгговских отра- жений, никакого эффекта поглош,ения не обнаруживается. Однако если эксперимент проводится таким образом, что резкие брэгговские пики можно отделить от ожидаемого теплового диффузного максимума, то при расчетах интенсивности брэгговских отражений следует использовать функцию поглощения. [c.279]

До сих пор мы касались только одного идеализированного случая влияния диффузного рассеяния на резкие брэгговские отражения. При сравнении с экспериментом следует принимать во внимание, что измерение максимума брэгговского отражения включает, и некоторое тепловое диффузное рассеяние и — если не исполь -зуется фильтр для отсева неупруго рассеянных электронов — большую часть плазмонного рассеяния. Для разных экспериментальных условий соотвествующие коэффициенты поглощения будут.различными. Это важно для правильного понимания электронно-микро- скопических наблюдений, когда размеры апертуры и аберрации линз значительно влияют на кажущиеся эффекты поглощения. [c.286]

Большинство экспериментов по проверке теории Фукса выполнено на пленках щелочных и благородных металлов, так как для этих материалов приемлемы упрощающие допущения теории. К сожалению, открытым остается вопрос о возможности непосредственного применения результатов этой теории к другим металлам, поверхности Ферми которых сильно отличаются от сферических. Тем не менее оказалось, что теория Фукса неплохо описывает закономерности электропереноса в пленках, изготовленных из различных материалов. В соответствии с ожиданиями, величина параметра Р зависит от технологических факторов — в частности, для поликри-сталлических пленок рассеяние на поверхности обычно диффузное (Р = 0), для монокристаллических — частично зеркальное. Характер поверхностного рассеяния в первую очередь зависит от соотношения де-бройлевской длины волны Хв и размеров шероховатостей Д / при Хв >> Дотражение зеркальное, при обратном неравенстве — диффузное. Из-за малых величин Хв (доли нм) электроны в металлах обычно рассеиваются поверхностью диффузно, хотя иногда наблюдалось зеркальное рассеяние. Особенности электропереноса в металлических пленках объясняются зависимостью характера рассеяния от угла падения 9 электронных волн на поверхность (см. рис.2.2), Как и для световых волн, чем больше 9, тем отражение ближе к зеркальному. Если предположить, что имеется некоторый критический угол 0х (при 9 < 9х рассеяние электронов поверхностью диффузное, а при 9 > 9, — зеркальное), то даже для 9, = 89° величина размерного эффекта в тонких пленках значительно уменьшится по сравне- [c.48]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...