Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Экранирования величина

Экранирования величина 51, 136, 310 Электрон валентный 44, 49 Электроны эквивалентные 171, 184, 290 Энергия атома водорода 19, 32, 100, 123 --гелия 152, 158, 161  [c.640]

Для топок котлов с большой степенью экранирования величина близка к нулю и ее можно не учитывать.  [c.371]

Замечание. Как показывает выражение (5 ), поле точечного заряда ге экранируется электронами системы. Входящая в это выражение обратная длина, характеризующая экранирование, называется константой экранирования. Величина х, определяемая соотношением (4), называется константой дебаев-ского экранирования, а величина д [см. соотношение (10) ] —константой экранирования Томаса — Ферми, поскольку метод, использованный нами при выводе выражения (10), принадлежит Томасу и Ферми. Правда, фактически выражение (10) впервые было получено Моттом, в связи - с чем было бы правильнее называть д константой экранирования Мотта. Мотт использовал описанный метод при изучении поведения электрического поля вблизи примесного атома в металле. Если металл одновалентен, как, скажем, Си, Ag или Аи, а примесный атом двухвалентен, как, например, Zn, или трехвалентен, как А1, то следует положить соответственно г = 1 или г = 2. Численное значение 1/д в этих примерах оказывается порядка 0,6 А (см. книгу Мотта и Джонса [7]). Неоднократно отмечалось, что поведение многих сплавов недостаточно хорошо описывается теорией Томаса — Ферми. По-видимому, это обусловлено тем, что нельзя пренебрегать волновой природой электронов в металле.  [c.378]


С помощью выражения (2-64) можно отыскать Тн для любого (й/)-состояния атома водорода, а затем с учетом экранирования определить величину а для валентного электрона рассматриваемого атома согласно (2-63). Заметим, что (Я/)-состояния валентного электрона атома исследуемого и водорода должны быть одинаковыми. Зная г, можно определить кинетическую энергию валентных электронов атомов, составляющих данную молекулу, после чего вычислить энергию связи по выражению (2-53), а затем квазиупругую постоянную, используя (2-55). Далее составляется система уравнений типа (2-30), в результате решения которой находится собственная частота колебаний.  [c.58]

Композиционные резисторы отличаются высокой надежностью, но величина их сопротивления зависит от напряжения, времени эксплуатации (старения) и частоты, имеют высокий уровень шумов выпускаются следующих типов 4-I — повышенной теплостойкости, ТВО —тепло- и влагостойкие, КОИ — с органической связкой, КИМ — изолированные малогабаритные, КЛМ — лакированные, КВМ — вакуумные (в стеклянном баллоне), КЭВ — экранированные высоковольтные.  [c.131]

Рассматриваем излучение из трубы, представляющей собой линейный источник. Протяженность его вне участка, экранированного насосом, =150 с.м. Выберем точку детектирования напротив середины линейного участка на расстоянии от оси его й=200 см. Решаем задачу по методике 7.8. Значения исходных и вспомогательных величин  [c.321]

При рассмотрении эффекта от многих ядер на первый взгляд может показаться, что действия ядер, расположенных по разные стороны относительно линии полета частицы, будут компенсировать друг друга. На самом деле это неверно, так как значения р ограничены сверху величиной рмакс, при которой заряд ядра полностью экранирован атомными электронами. Если частица пролетает от ядра на расстоянии р > Рмакс, то она с ним не взаимодействует (рмакс -/ ат). при введении понятия макроскопического эффек-  [c.222]

Таки.м образом на расстоянии г О потенциал поля убывает в е раз, что и объясняет смысл величины О. Более быстрое падение этого потенциала по сравнению с потенциалом кулоновских сил обусловлено наличием вокруг данной частицы частиц, несущих заряд противоположного знака, вследствие чего происходит экранирование заряда и ослабление его поля.  [c.636]

В используемом здесь приближении зависящая только от объема часть энергии включает в себя энергию свободного электронного газа, состоящую из вкладов кинетической, обменной и корреляционной энергий (3.52), (3.53), (3.54), а также первого порядка теории возмущений (5.47). Однако поскольку плотность электронов вблизи иона будет искажена эффектом экранирования, необходимо в качестве среднего значения (5.47) использовать сумму средней величины потенциальной энергии электрона в поле иона и экранирующих электронов. Выше говорилось, чта псевдопотенциал вне остовной части равен —Ze /r. Поскольку экранирующие электроны полностью его экранируют, то это означает, что вне остовной части их потенциальная энергия соответственно равна 2е2/л, и в этой области оба обсуждаемых вклада компенсируют друг друга. Поэтому потенциальную энергию необходимо усреднить только по объему остова.  [c.120]


Таким образом, при равенстве степени черноты всех участвующих в лучистом теплообмене тел и постановке одного экрана количество передаваемого тепла уменьшается в 2 раза, а при этих же условиях и при постановке п экранов количество передаваемого тепла уменьшается в п-Ь1) Р (з. Следовательно, постановка достаточно большого числа экранов позволяет снизить передачу теплоты излучением до сколь угодно малой величины. Эффективность экранирования значительно возрастает, если применяются экраны из материалов с малой 21 323  [c.323]

Испытания образцов материалов, подвергаемых облучению, осложняются необходимостью удалять измерительную аппаратуру на значительное расстояние от источника излучения, тогда как образец должен находиться в непосредственной близости от него. В условиях облучения задача определения обратимых изменений охватывает периодические измерения основных величин С, tg б, и 6/пр образцов, находящихся в зоне облучения. Для этой цели электроды образца соединяются экранированным кабелем с удаленной на безопасное расстояние- измерительной аппаратурой. Сопротивление изоляции кабеля должно в период облучения превышать  [c.201]

При конструкторском расчете топки по методике, приведенной в [10, с. 28], определяется величина лучевоспринимающей поверхности нагрева Рп (м ) экранированных стен топки и удвоенной поверхности плоскости двусветного экрана.  [c.172]

Такие же относительные различия, связанные со способом нейтронной дозиметрии, появляются в значениях максимальных интегральных потоков, выдерживаемых германиевыми и кремниевыми диодами. Автор полагает, что в настоящее время наиболее разумным подходом к дозиметрии и описанию радиационных нарушений в полупроводниках является использование пороговых детекторов в виде фольг и определение потоков нейтронов с энергиями больше 1 кэв (величина этой энергии примерно равна пороговой энергии смещения атомов нейтронами). Такой подход к дозиметрии уменьшает расхождения в экспериментальных данных по облучению, полученных в различных условиях замедления или экранирования нейтронов.  [c.294]

Толщину пленки измеряли на профилографе по величине уступа, получающегося в результате экранирования части поверхности подложки во время напыления. Точность измерения составляла 50 А. Эти результаты измерений толщин сопоставляли с измерениями на интерферометре Линника И-10 примерно с той же ошибкой. С удовлетворительной точностью такими способами можно было измерять толщины пленок выше 500 А. Толщины пленок в интервале О—500 А рассчитывали по толщинам более толстых пленок, являющихся стандартом и полученных путем помещения подложки при напылении на более близком расстоянии от источника испарения металла. Предполагалось, что источник испарения точечный, так как испарение происходило из сферической капли диаметром 3—6 мм, а напыляемый образец находился на расстоянии не ближе 50 мм,. и толщина осаждаемых пленок обратно пропорциональна квадрату расстояния от источника.  [c.16]

Зная величину К , проектируют обеспечивающую его конструкцию экранного заземления с учетом сопротивления одиночного электрода, его размеров и эффекта экранирования.  [c.48]

Весьма широкое распространение получили в 40-х годах управляемые ионные приборы — тиратроны, позволяющие производить включение и выключение (а в некоторых специальных схемах — и плавное регулирование) весьма значительных мощностей путем подачи управляющих сигналов малой мощности. Развитие этих приборов в послевоенные годы шло в направлении увеличения их стабильности и уменьшения ширины пусковой области, для чего первоначально применявшееся наполнение ртутными парами было заменено наполнением инертными газами. Для уменьшения сеточного пред-разрядного тока была применена специальная конструкция электродов, препятствующая оседанию активного вещества, испаряющегося с катода, на сетку. Были разработаны экранированные тиратроны, в которых путем введения дополнительного электрода удается изменять по желанию положение пусковой характеристики. Путем придания особой формы сетке и другим электродам удалось значительно повысить допустимую величину анодного напряжения (до нескольких киловольт), при котором сетка сохраняет управляющее действие. Разработка этих приборов велась заводскими лабораториями, а также лабораториями некоторых отраслевых институтов (например, ВЭИ).  [c.245]


В связи с указанным выше температура, механическая активация смазочного материала и трущихся поверхностей способствуют образованию трибохимических слоев. Поэтому знание стартовой температуры для присадок к смазочным маслам необходимо так же, как и обеспечение их термической стабильности в условиях работы узлов трения. Уменьшение адгезионного взаимодействия твердых тел за счет экранирования химически образующимися слоями существенно снижает износ и величину локальных сил трения в дискретных точках касания, при этом средний коэффициент трения малочувствителен к указанным явлениям.  [c.172]

Очевидно, что для пользования формулой (4-7) необходимо предварительно определить на основании эскиза топки геометрические размеры (Ft, Ra.T )i суммарную поверхность стен топки величину степени экранирования (ij) или ij ) и оценить степень черноты топки [формулы (4-9) и (4-10)].  [c.65]

При модернизации котлов и увеличении тепловой мощности топочной камеры возникает необходимость установки на стенах топки новых экранных поверхностей, обеспечивающих надлежащее снижение температуры газов в конце топки. При выборе величины экранирования следует учитывать, что с ростом поверхности нагрева экранов на стенах топочной камеры будет изменяться температура газов в конце топки, что в некоторых случаях может повлечь за собой снижение температуры перегретого пара. С другой стороны, недостаточная лучевоспринимающая поверхность нагрева в топке приводит к шлакованию стен, в особенности при камерном способе сжигания твердого топлива недостаточное закрытие экранами стен топочной камеры при сжигании газа и мазута приводит к быстрому разрушению обмуровки топки. При определении расхода топлива в модернизированных котлах необходимо учитывать, что температура уходящих газов в зависимости от температуры питательной воды и расчетной стоимости топлива (для котлов при давлении свыше 30 ат), руб т у. т., должна приниматься по табл. 4-10. Если существующие хвосто-  [c.107]

В процессе проведения исследований экспериментатору зачастую приходится определять также и величины, являющиеся функцией нескольких параметров. Например, для определения воспринятого экранированной топкой тепла необходимо измерять расход среды в экранах, ее температуру и давление в разных точках.  [c.34]

Величина потери тепла в окружающую среду зависит от качества обмуровки и ее теплопроводности, степени экранирования топки, качества тепловой изоляции, отношения площади внешних ограждений к производительности агрегата, скорости омывания ограждений воздушными потоками в котельной и т. п.  [c.137]

По форме это выражение идентично уравнению Блоха — Грюнейзена, однако оно свидетельствует о том, что абсолютная величина сопротивления так же стремится к нулю [благодаря множителю (в/Ф) ], как и при полном экранировании. В общем случае, если Г/Ф< 1 (или Т/в С 1), имеем  [c.196]

Причина, по которой гамильтониан Блоха дает удонлетворительные результаты в большинство случаев в теории металлов, состоит в том, что кулоновские взаимодействия экранированы в пределах расстояния, по порядку величины равного расстоянию между частицами. Например, Абра-гамс [128] оценил поперечное сечение соударения и среднюю длину свободного пробега для экранированных электронов в щелочных металлах. Он нашел, что возможные рассеяния настолько ограничены принципом Паули, что практически при всех температурах средняя длина свободного пробега при электронных столкновениях значительно больше, чем длина свободного пробега для электронпо-фононных взаимодействий.  [c.756]

В отличие от методов просвечивания, ультразв>тсовые методы позволяют успешно выявлять именно трещиноподобные дефекты. Спецификой ультразвукового метода контроля является то, что он не дает конкретной информации о характере дефекта, так как на экране дефектоскопа появляется импульс, величина которого пропорциональна отражающей способности обнаруженного дефекта. Последняя зависит от многих факторов размеров дефекта, его геометрии и ориентации по отношению к направлению распространения ультразвуковых колебаний. В связи с тем, что эти параметры при контроле остаются неизвестными, обнар> -женные дефекты обычно характеризуются эквивалентной площадью, которая устанавливается в зависимости от интенсивности полученного сигнала Достоинствами л льтразвукового метода являются его меньшая по сравнению с методами просвечивания трудоемкость, а также возможность достаточно точного определения координат обнаруженного дефекта. Как показала практика применения ультразвукового метода, он не позволяет достаточно надежно обнаружить дефекты, лежащие вблизи поверхности изделия в связи с экранированием сигнала от дефекта сигналом ог поверхности. Это обстоятельство также необходимо ч читы-вать при практическом использовании данного метода контроля. Ультразвуковые методы используют как для контроля дефектов металла листов и поковок на стадии их изготовления, так и для контроля сварных соединений, для диагностики трубопроводного транспорта. На данном принципе созданы внутритрубные инспекционные снаряды (ВИС) — Ультраскан-СД, которые, двигаясь внутри трубы, считывают информацию о техническом состоянии трубопроводов. При этом фиксируется толщина стенки, коррозионные каверны, расслоения мета.лла, дефекты стресс-коррозионного происхождения.  [c.61]

При повышении концентрации примесных атомов электрон, локализованный вблизи одного из атомов примеси, начнет испытывать воздействие и со стороны других примесных атомов. В результате его энергетический уровень, оставаясь дискретным, несколько сдвйнется по энергии. Величина этого сдвига зависит от расположения других примесных атомов относительно центра локализации она тем больше, чем больше атомов примеси отстоит от центра на расстояние, не превышающее примерно Го (го — так называемый радиус экранирования, в случае слабо легированных полупроводников го>ав, где ав — радиус боровской орбиты в ир исталле см. гл. II, 8). Но распределение примеси в решетке никогда не бывает строго упорядоченным. Всегда имеют место локальные флюктуации концентрации. Поэтому и сдвиг энергии примесного уровня относительно дна свободной зоны Ес оказывается случайным и различным в разных точках образца. Это приводит к тому, что в запрещенной зоне вместо одного дискретного уровня появляется некоторый их набор. Такое явление называется классическим уширением уровней (см. рис. 44, б Ес—АЕ — энергия бывшего уровня примеси). Изложенная ситуация отв1бчает промежуточно легированному полупроводнику.  [c.120]


В сильно легированном полупроводнике можно добиться условия, при котором Го ав, где ав —радиус первой боров-ской орбиты 1ВО Дородоподо1бного иона в кристалле. Указанное соотношение между го и Зв при экранировании приводит к исчезновению дискретных уровней, создаваемых примесным ионом. Поэтому если исчезают примесные уровни, то не может существовать примесная область спектра. Попутно поясним, что роль экранирования определяется и концентрациями свободных носителей заряда, и концентрацией заряженных атомов примеси. Но указанные величины зависят от характера энергетического спектра системы—от того, существуют ли и в каком количестве примесные уровни. Поэтому задача сводится к тому, что сам энергетический спектр сильно легированного полупроводника следует определять самосогласованным полем.  [c.123]

Поскольку сечения фотоэффекта и комптон-эффекта в области высоких энергий спадают практически до нуля, то рождение пар становится здесь основным механизмом поглощения уизлучения. Пропорциональность сечения величине имеет место практически при всех энергиях. График зависимости от энергии для свинца и алюминия приведен на рис. 8.8. Универсальная кривая без экранирования рассчитана в пренебрежении экранированием заряда ядра атомными электронами.  [c.451]

Для современных котлов большой па-ропроизводительности степень экранирования к = 0,96-=-0,98. У котлов малой мощности, где экранами покрыты не все стены топки, величина и заметно меньше.  [c.178]

Ассортимент изоляционных материалов разнообразен. Многие из них носят специальные названия, например шлаковая вата, зоно-лит, асбозурит, асбослюда, ньювель, совелит и др. Шлаковая вата получается из шлака, который расплавляется и затем паровой струей разбрызгивается. Зонолит получается из вермикулита (сорт слюды) путем прокаливания его при температуре 700—800° С. Асбослюда представляет собой смесь асбеста и слюдяной мелочи. Совелит является продуктом химического производства. Широкое применение получила так называемая альфольевая изоляция. В качестве изоляции здесь используется воздух, и вся забота сводится к уменьшению коэффициента конвекции и снижению теплоотдачи излучением путем экранирования алюминиевой фольгой (см. рис. 6-11). Коэффициент теплопроводности материалов в сильной мере зависит от их пористости. Чем больше пористость, тем меньше значение эффективного коэффициента теплопроводности. О пористости материала можно судить по величине его плотности, с увеличением пористости плотность материала уменьшается.  [c.200]

Замедление скорости коррозии связано здесь прежде всего с исключением из коррозионного процесса части поверхности из-за ее экранирования ингибитором. Предполагается, что на кластерах коррозионный процесс отсутствует или протекает со скоростью, меньшей, чем на остальной поверхности (рис. 5). Экранирование поверхности различно влияет на процессы с кинетическими и с диффузионными ограничениями. Падение скорости кинетически ограниченного процесса пропорционально сокращению активной поверхности металла, т. е. величине 0. При диффузионных ограничениях вследствие возможности бокового подвода [157 223] деполяризатора влияние экранирования до известного предела (при малых и при размерах кластеров, меньших, чем промежуток между ними и чем толщина диффузионного слоя) почти не будет сказываться на скорости коррозии, отнесенной к единице геометрической поверхности (рис. 7) . Однако при этом тот же поток деполяризатора будет приходиться уже на меньшую площадь, и фактическая скорость коррозии, определяемая отношением плотности тока к единице свободной поверхности, может существенно возрасти. Таким образом,  [c.21]

Величина 1В0зникающей вследствие эффекта экранирования ошибки определяется величиной отсекаемого диафрагмой потока излучения и вычисляется по формуле  [c.445]

В конце расчета теплообмена топочной камеры нроверяется правильность выбора взятой в первом подсчете величины степени экранирования i] (конструктивный расчет) или температуры газов на выходе из топки О т (поверочный расчет). При расхождении значений я) более 5% или температуры газов на выходе из топки более чем на 100° С тепловой расчет повторяется.  [c.69]

Как известно [Л. 28], реакция N 2-f02 4r2N0 — 43,2 ккал происходит только при очень высокой температуре. При понижении температуры реакция сдвигается влево, и N0 разлагается на N 2 и О2. Однако установлено, что если быстро охладить дымовые газы, то обратная реакция не успевает произойти и в смеси остается почти то же количество N0, что было и в зоне высоких температур. Этим, по-видимому, объясняется присутствие N0 в уходящих газах экранированных котлов, в топках которых температура газов изменяется с 1 500— 1 800° С в ядре факела до величины, близкой к температуре стенок экранных труб.  [c.93]

Изучение структурных и энергетических закономерностей пластической деформации в приповерхностных слоях материалов в сравнении с их внутренними объемными слоями имеет важное значение для развития теории и практики процессов трения, износа и схватывания. При этом следует отметить, что. поверхностные слои кристаллических материалов имеют, как правило, свои специфические закономерности пластической деформации. Так, например, в работе [11 при нагружении монокристаллов кремния через пластичную деформируемую среду силами контактного трения было найдено, что в тонких приповерхностных слоях на глубине от сотых и десятых долей микрона до нескольких микрон величины критического напряжения сдвига и энергии активации движения дислокаций значительно меньше, чем аналогичные характеристики в объеме кристалла. Было также показано [2], что при одинаковом уровне внешне приложенных напряжений по поперечному сечению кристалла в радиусе действия дислокационных сил изображения эффективное напряжение сдвига значительно выше, чем внутри кристалла. Поэтому поверхностные источники генерируют значительно большее количество дислокационных петель и на большее расстояние от источника по сравнению с объемными источниками аналогичной конфигурации и геометрии при одинаковом уровне внешних напряжений. Высказывалось также предположение, что облегченные условия пластического течения в приповерхностных слоях обусловлены не только большим количеством легкодействующих гомогенных и различного рода гетерогенных источников сдвига [3], но и различной скоростью движения дислокаций у поверхности и внутри кристалла [2]. Аномальное пластическое течение поверхностных слоев материала на начальной стадии деформации может быть обусловлено действием и ряда других факто-зов, например а) действием дислокационных сил изображения 4, 5] б) различием в проявлении механизмов диссипации энергии на дислокациях, движущихся в объеме кристалла и у его поверхности причем в общем случае это различи е, по-видимому, может проявляться на всех семи фононных ветвях диссипации энергии (эффект фононного ветра, термоупругая диссипация, фонон-ная вязкость, радиационное трение и т. д.) [6], а также на электронной [71 ветви рассеяния вводимой в кристалл энергии в) особенностями атомно-электронной структуры поверхностных слоев и их отличием от объема кристалла, которые могут проявляться во влиянии поверхностного пространственного заряда и дебаевского радиуса экранирования на вели-  [c.39]


Теплопередача излучением между двумя телами может быть еще больше снижена путем уменьшения поглощательной способности экранов. Так, например, введение только одного экрана с. 4э = = 0,2 снижает согласно уравнению (6-38) теплопередачу излучением между телами при Ai=A2 = 0,8 в 7 раз, а введение экрана с Лэ = 0,П5 (полированные металлы) в этих же условиях позволяет снизить теплопередачу в 27 раз. При более высокой поглощательной способности Ai и /4г, например при Ai=A2=l,0, установка экрана с Лэ=0,05 снижает теплопередачу между телами еще больше, а именно — в 40 раз. При малой величине поглощательной способности Ai и Аг эффективность установки такого экрана существенно снижается. Так, например, при Л) =/32=0,05 установка экрана с такой же пoглoи a-тельной способностью снизит теплопередачу только в 2 раза, а если в этих условиях установить экран с Лэ=1,0, то снижение теплопередачи составит всего только 2,5%. Таким образом эффективность экранирования при лучистом теплообмене существенно зависит как от абсолютной величины поглощательной способностп экрана Лэ, так и от относительного значения A lAi и Лэ/Лг.  [c.79]

Уравнения (17-17) и (17-31) могут быть использовань также и для расчета лучистого теплообмена в системах, аналогичных показанной на рис. 17-9 (экранированная стенка). Для этого, как и в рассмотренном выше случае, в эти уравнения вместо и s следует подставить эффективную поверхность (рис. 17-9) и эффективную степень черноты. Введение этих величин позволяет систему из двух твердых тел и излучающей среды свести  [c.313]

Сначала задаются степенью экранирования 9 затем находится по уравнению (31—1) степень черноты топки а , после чего по формуле (28—I) подсчитывается величина Яр и, наконец, прове,ряется значение 9 по уравнению (31—I).  [c.121]

Таким же путем можно составить формулы для других типов экранирования. По формулам (2-94) и (2-95) рассчитана гидравлическая характеристика для и-образных труб (рис. 2-23). Обращает на себя внимание большая область многозначности при значительных величинах +(pjiy) и (рш). Такие трубы наиболее подвержены нарушениям устойчивости движения, особенно при больших тепловых развер-ках и различных возмуш,ениях.  [c.75]


Смотреть страницы где упоминается термин Экранирования величина : [c.163]    [c.45]    [c.57]    [c.196]    [c.106]    [c.51]    [c.51]    [c.319]    [c.217]    [c.294]    [c.51]    [c.111]    [c.50]   
Оптические спектры атомов (1963) -- [ c.51 , c.136 , c.310 ]



ПОИСК



Экранирование



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте