Получение интенсивность

НАНОСТРУКТУРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ, ПОЛУЧЕННЫЕ ИНТЕНСИВНОЙ ПЛАСТИЧЕСКОЙ ДЕФОРМАЦИЕЙ [c.1]

Экспериментальные данные о необычной дефектной структуре границ зерен в наноструктурных материалах, полученных интенсивной пластической деформацией, наблюдение искажений кристаллической решетки вблизи границ зерен легли в основу развиваемых модельных представлений об атомной структуре и свойствах этих материалов [12]. Данные представления базируются на концепции неравновесных границ зерен, которая была введена в научную литературу в 70-80-х годах [110, 111] и позднее стала широко использоваться при описаниях взаимодействий решеточных дислокаций и границ зерен, для анализа рекристаллизационных и деформационных процессов в поликристаллах [3, 172]. Ниже будут кратко рассмотрены основные положения физики неравновесных границ, дано описание структурной модели нанокристаллов и ее развитие для понимания их необычных свойств. [c.87]

Следует отметить, что сохранение изменений в магнитных свойствах вплоть до температуры 873 К, обнаруженное в [260], отражает более высокую термостабильность при повышенных температурах наноструктурного Ni, полученного ИПД компактированием порошков, по сравнению с образцами, полученными интенсивной деформацией из массивных заготовок. Это, очевидно, связано с некоторым загрязнением порошков в процессе шарового размола и последующей консолидации. [c.158]

Если известна интенсивность отказов для каждого элемента за время работы системы, то в качестве упрощающего варианта можно применить преобразование этих интенсивностей в интенсивность отказов системы, если она удовлетворяет критериям худшего случая. При этом интенсивности отказов всех элементов можно сложить для получения интенсивности отказов системы, которая будет больше или равна действительной интенсивности отказов. (Слово больше приведено здесь потому, что часто параметры элементов или входные параметры могут слегка выходить за установленные пределы допусков, не вызывая отказа системы.) Заметим, что сужение пределов допусков приводит к уменьшению разности между потенциальной интенсивностью отказов схемы, определенной как сумма интенсивностей отдельных элементов, и действительными интенсивностями отказов, которые можно ожидать. [c.29]

Методы ускоренных и граничных испытаний были показаны на выставке, а в статье инженеров Ю. Т. Шевчука, О. С. Иванова и А. Я. Малкова описана методика испытаний для получения интенсивности отказов на примере туннельных диодов. [c.138]

О, о, электронов в кристаллах используется для получения интенсивных поляризов. пучков свободных электронов, т. к. при спец, обработке поверхности кристаллов в высоком вакууме удаётся достичь отрицат. электронного сродства и обеспечить высокий квантовый выход фотоэлектронной эмиссии. [c.438]

ТЯЖЁЛЫХ ионов УСКОРИТЕЛИ —мощные ускорит, установки, предназначенные для получения интенсивных пучков тяжёлых ионов элементов тяжелее лития) в широком диапазоне масс и энергий. Использование пучков ускоренных тяжёлых ионов стало в кон. 20 в. осн. методом исследований в области ядерной физики. Тяжёлые ионы используются в изучении деления ядер, свойств ядер вблизи границы устойчивости, в исследовании механизма взаимодействия сложных ядерных систем, состоящих из большого числа нуклонов, в к-рых проявляются коллективные эффекты, связанные со свойствами ядерной материи. Это позволяет получать важную физ. информацию не только в области ядерной физики, но и в физике твёрдого тела, астрофизике и др. Реакции с тяжёлыми ионами дают принципиальные возможности для синтеза тяжёлых элементов, включая синтез и изучение свойств сверхтяжёлых элементов. [c.196]

Метод интенсивной пластической деформации применялся для получения СМК-структуры таких металлов, как Си [175— 177], Pd [178—181], Fe [182—184], Ni [175, 177, 185—187], Со [188], сплавов на основе алюминия [168], магния [189] и титана [190, 191]. Авторы [177] отметили различие микроструктуры металлов Ni и Си, полученных одинаковой по величине интенсивной пластической деформацией в MK-Ni размер большинства зерен был около 100 нм, тогда как в СМК-Си — от 5 до 100 нм и зерна меди содержали больше дефектов (дислокаций, двойников), чем зерна MK-Ni. Это означает, что в MK-Ni перераспределение дислокаций в энергетически более выгодные конфигурации (например в ряды дислокаций) происходит уже в процессе интенсивной пластической деформации, а в СМК-Си такое перераспределение даже не начинается. Результаты [177] показывают, что микроструктура данного материала, полученного интенсивной пластической деформацией, должна сильно различаться на разных стадиях деформации кроме того, она весьма существенно зависит от вида деформации (давление, сдвиг или кручение) и ее параметров (температуры, величины, скорости и продолжительности приложения деформации). [c.60]

Уширение спектральных линий, вызываемое межатомными электрическими полями, т. е. межатомный эффект Штарка, наоборот, имеет место почти во всех источниках света и поэтому должно быть принято во внимание. В газовом разряде излучающие атомы претерпевают столкновения с ионами и электронами. При высокой плотности ионов и электронов возмущение уровней будет происходить под влиянием больших электрических полей. Это уширение прямо пропорционально концентрации ионов в степени 2/3. Ширина линии, выраженная в волновых числах, может достигать в отдельных случаях нескольких сотен Необходимость получения интенсивных линий часто приводит к очень большим межатомным полям в источниках и сильно расширенным линиям. Для того чтобы избежать межатомных полей, иногда приходится жертвовать интенсивностью. [c.16]

Второй вид измерений предполагает наличие монохроматора С высоким спектральным разрещением и возможностью работы на тормозном спектре, например вольфрамового анода о достаточно высокой мощностью на рентгеновской трубке (порядка 1 кВт) для получения интенсивного сплошного спектра. Требования к точности установки угла здесь того же порядка, что и в предыдущем случае. [c.41]

Для получения интенсивности света, выходящего из рассеивающего слоя, достаточно теперь подставить выражения (41) или (42) в (23). [c.333]

Этот раздел посвящен методам получения мощных звуковых и ультразвуковых колебаний п волн в газах, жидкостях и твердых телах. Здесь не будут рассматриваться методы получения средних и малых интенсивностей, так как ио этим вопросам есть много различных руководств. Нам хотелось бы обратить внимание читателей на ряд особенностей получения интенсивных колебаний и воли, а также отметить возможные причины, ограничивающие, во всяком случае в настоящее время, дальнейшее повышение интенсивности звука. [c.351]

Для получения интенсивного звука и ультразвука могут быть также использованы ультразвуковые свистки различных типов. Они, однако, имеют более низкий коэффициент полезного действия, чем сирены, и, кроме того, дают (во всяком случае конструкции, разработанные до сих лор) меньшие интенсивности звука. [c.353]

Получение интенсивного ультразвука в жидкостях [c.354]

Получение интенсивного звука и ультразвука в твердых телах [c.366]

Получение интенсивных пучков атомных частиц, обладающих большой скоростью, требует применения сложной аппаратуры основной ее частью является чаще всего генератор сверхвысокого напряжения (до нескольких миллионов вольт), питающий ускорительную трубку. Заряженные частицы, испускаемые в одном конце каким-либо источником, попадают в сильное электрическое поле и под действием его получают большие ускорения. Они двигаются по направлению поля вдоль оси трубки. При этом движении частицы быстро приобретают огромные скорости (тем большие, чем больше разность потенциалов на концах трубки) и бомбардируют соответствующую мишень. [c.69]

При использовании ишековых завихрителей следует иметь в виду два экспериментально установленных факта. Первый из них - организация безударного входа потока на завихритель уменьшает коэффициент гидравлического сопротивления по сравнению с ударным входом примерно вдвое второй сводится к определению оптимальной длины завихрителя, необходимой для получения интенсивного вращения, но с наименьшей затратой энергии на прокачку (оптимальная длина завихрителя была установлена в следующем эксперименте). [c.27]

Эксперименты с Д. п. позволяют определять энергии СВЯ.ЭИ с матрицей адсорбиров. частицы. Д. п. применяют для холодной очистки острий в полевой эмиссионной микроскопии, как один из методов получения интенсивных ионных пучков, напр, в ионных источниках масс-спектрометров. Д. п. и испарение полем — осн. про- [c.585]

Дальнейшего уменьшения Дм можно добиться, увеличивая время взаимодействия частиц с эл.-магн. полем, отбором медленных частиц. Однако доля таких частиц в М. в а. п., порождённых источником, находящимся в тепловом равновесии, мала. Эфф. способом уменьшения скорости является сочетание метода М. и а. п. с оптич. ориентацией ядер [А, Кастлер, (А. Казиег), 1950 см. Ориентированные ядра]. Возможности комбинир. методов расширились после появления лазеров. Стало возможным получение интенсивных медленных М. и а. п., лазерное охлаждение, исследования спектров единичных атомов и молекул, основанные на взаимодействии М. и а. п. с излучением лазеров, в частности пленение отд. атомов и молекул эл.-магн. полем и их длит, хранение в изолир. состоянии. [c.199]

В электронных ускорителях нейтроны получаются в результате фотонейтронной реакции у, п) от тормозною излучения электронов, падающих на вольфрамовую или урановую мишень. При энергии электронов 30 МэВ генерируется 1 нейтрон на 100 электронов. Наиб, крупным электронным ускорителем, используемым для получения интенсивных импульсных потоков нейтронов (до 3 10 l), является линейный ускоритель ORELA (Ок-Ридж, США) с энергией электронов 140 МэВ, импульсным током до 20 А, длительностью импульса 7—20 нс, частотой повторения 10 Гц. [c.283]

Основной особенностью структуры субмикрокристаллических материалов, полученных деформационными методами, являются неравновесные границы зерен, которые служат источником больших упругих напряжений. Другим источником напряжений служат тройные стыки зерен. О неравновесности свидетельствуют диффузный контраст границ и изгибные контуры экстинции в зернах, наблюдаемые на электронно-микроскопических изображениях. Ширина межзеренных границ в СМК-ма-териалах составляет, по разным оценкам, от 2 до 10 нм. Неравновесные границы зерен содержат большое количество дислокаций, а в стыках зерен суш,ествуют нескомпенсированные дис-клинации. Плотность дислокаций в СМК-материалах, полученных интенсивной пластической деформацией, составляет около 3-10 м" , а дисклинации имеют мощность 1—2°. Заметим, что Плотность дислокаций внутри зерен существенно меньше, чем на границах. Дислокации и дисклинации создают дальнодействую-Щие поля напряжений, концентрирующиеся вблизи границ зерен и тройных стыков, и являются причиной избыточной энергии Этих границ. Например, для СМК-Си со средним размером зерен [c.59]

Как уже неоднократно подчеркивалось, в структуре наноматериалов представлены поверхности раздела (межзеренные границы), что обусловливает необходимость рассмотрения роли ротационных мод и проскальзывания на границах зерен. Электронномикроскопическое исследование на просвет in situ деформации наноматериалов (Си, Ti, Ni, полученных интенсивной пластической деформацией, и сплава Fe —Nb —Си —Si —В, полученного кристаллизацией из аморфного состояния) обнаружило, что наряду со сдвиговыми процессами (активно протекающими при размере зерен более 70 нм) имеет место разворот нанозерен, т. е. проявляются ротационные моды деформации, что является преобладающим при Z- < 30 нм [9]. Ротация зерен и отсутствие дислокаций внутри кристаллитов (L 10 нм) были выявлены с помощью ПЭМ in situ также в пленках золота [5]. Эти наблюдения позволили предложить качественную модель деформации наноматериалов, когда по мере снижения размера зерна возникают кооперативные ротационные моды, т.е. разворачивающиеся зерна как бы подстраиваются друг под друга в направлении действия максимальных скалывающих напряжений и возникает мезоскопический сдвиг вдоль границ нанозерен близкой ориентации. Схематически модель развития такого сдвига показана на рис. 3.26. Наличие таких мезоскопических сдвигов предполагается не только в пластичных наноматериалах, но и в хрупких объектах. [c.87]

Основной проблемой кремниевой оптоэлектроники является проблема создания эффективного источника излучения, роль которого выполняет светодиод или лазер. Кремний является непрямозонным полупроводником, и эффективность межзонной излучательной рекомбинации в нем очень низка. Определенным выходом из этого положения является легирование кремния эрбием, примесью, которая формирует в кристаллической решетке эффективные центры излучательной рекомбинации с участием 4f электронов примесного атома. В процессе такой рекомбинации генерируется излучение с длиной волны 1,54 мкм, для которого сам кремний практически прозрачен и которое также соответствует окну максимальной прозрачности оптических волноводов из кварцевого стекла. К сожалению, растворимость Ег в Si составляет всего см (при 1300 °С). Этого явно недостаточно для получения интенсивного излучения. Для увеличения содержания Ег в кристаллической решетке используют неравновесные методы получения сильнолегированных кремниевых слоев — ионную имплантацию, молекулярно-лучевую эпитаксию, ионно-лучевое напыление и др. Увеличению содержания Ег в слое способствует и дополнительное его легирование кислородом или фтором, с которыми эрбий образует достаточно стабильные комплексы. На сегод- [c.96]

ИКП — инфракрасное поглощение КРС — комбинационное рассеяние света ЭМ — эллип-сометрия (так же, как и КРС, видимого света) РФС — рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия ФД — фотодесорбция. Отметим, что фотоны минимально возмущают поверхность и не заряжают ее. Основные трудности связаны с получением интенсивных пучков в нужном спектральном интервале здесь оказались полезны лазеры — монохроматические источники большой интенсивности. Кроме того, как правило, малы сечения реакций взаимодействия фотонов с поверхностью, однако совершенствование измерительной аппаратуры позволяет добиваться достаточной чувствительности. [c.153]

Источники ионов. Разработано большое число источников ионов разных типов, однако широкое применение нашли лишь несколько источники Пеннинга, Фримана, Кауфмана, дуаплаз-матроны, магнетроны [26, 157, 174]. Можно выделить следующие важнейшие требования к источнику 1) возможность получения высокоинтенсивных пучков ионов (десятки и сотни миллиампер) 2) возможность и степень ионизации атомов твердых тел, в том числе тугоплавких 3) высокая надежность. Проще обстоит дело с созданием интенсивных пучков газовых ионов, получаемых, например, в столкновениях атомов или молекул газа с пучком электронов [104]. Ионы летучих веществ можно получить аналогичным способом, нагревая соответствующий материал. Возможный путь получения интенсивных пучков нелетучих веществ—распыление поверхности ионами инертных газов с последующей ионизацией выбитых частиц. Трудности создания мощного источника явились одной из предпосылок интенсивного развития методики имплантации атомами отдачи. В последнее время появились сообщения о создании источников, позволяющих формировать однородные пучки газовых ионов с сечением до 0,5 м с интенсивностью 30—100 мА и более. [c.86]

Анализ накопленных экспериментальных результатов показывает, что в нанокристаллическом твердом теле важную роль играет не только размер зерна (как в изолированных наночастицах), но и структура и состояние границ раздела (границ зерен). Действительно, состояние межзеренных границ в компактных наноматериалах, полученных разными методами, имеет заметные различия. Например, в наноматериалах, полученных интенсивной деформацией, границы зерен отличаются высокой плотностью дислокаций, а в наноматериалах, полученных кристаллизацией, границы зерен могут быть квазиаморфными или иметь сильно искаженное кристаллическое строение. Все эти особенности нужно учитывать при интерпретации свойств компактных наноматериалов. Особенно отчетливо влияние границ раздела на структуру и свойства проявляется в наноматери- [c.190]

Кварц является наиболее подходящим пьезоэлектриком для получения интенсивностей, больших 15—20 erj M . Есть, однако, ряд причин, ограничивающих сверху уровень получаемых интенсивностей и при использовании кварцевых преобразователей. Рассмотрим факторы, оказывающие влияние на работу кварцевого преобразователя при излучении интенсивного ультразвука. [c.355]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...