Электроны эквивалентные

Специфическое своеобразие б свойствах электрона и позитрона, (равные массы, противоположные заряды, движение дырки навстречу электрону, эквивалентность рождения частицы уничтожению античастицы) позволяет распространить метод фейнмановских диаграмм, описанный в 2, на позитроны (и вообще на античастицы). [c.100]

ВОЗБУЖДЕНИЕ Двух электронов, эквивалентные электроны [c.171]

Возбуждение двух электронов. Эквивалентные электроны [c.171]

ВОЗБУЖДЕНИЕ ДВУХ ЭЛЕКТРОНОВ. ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ ЭЛЕКТРОНЫ [c.173]

Экранирования величина 51, 136, 310 Электрон валентный 44, 49 Электроны эквивалентные 171, 184, 290 Энергия атома водорода 19, 32, 100, 123 --гелия 152, 158, 161 [c.640]

Докладываю, что в соответствии с Постановлением Совета Министров СССР в Физическом институте им. П.Н. Лебедева Академии наук СССР под основным руководством члена-корреспондента АН СССР В.О. Векслера закончен постройкой и начал работать электронный ускоритель С-25 , позволяющий получать электронные пучки со скоростью электронов, эквивалентной 250 миллионам электронвольт. [c.742]

Правило "10-ти электронов", эквивалентное упомянутому выше правилу "16-ти электронов" для молекул АВС (см. разд. 7.4), утверждает, что молекула НАВ при наличии более 10 валентных электронов должна быть изогнутой, а если число электронов не превышает 10, молекула должна быть линейной. При линейной структуре на связывающих орбиталях молекулы может находиться лишь 10 электронов [c.137]

Для конфигурации К — 3(1 (группы железа) электроны эквивалентны и разложение (1.4) в группе 0=0 для любого из них имеет вид [c.6]

Задача трассировки электрических и гидравлических систем эквивалентна задачам трассировки проводных со-е динений в электронных устройствах при менее жестких ограничениях. [c.22]

Коррозионный процесс вследствие, электрохимических реакций, протекающих раздельно на анодных и катодных участках, сопровождается перемещением электронов от анодных к катодным участкам и ионов в растворе, т. е. протеканием электрического тока. Количество электричества, перетекающего за определенное время от анодных к катодным участкам, эквивалентно скорости коррозии. [c.58]

На рис. 4.7, й представлена эквивалентная схема биполярного транзистора, используемая во многих программах анализа электронных [c.171]

Автоматический станок для дискретной балансировки обычно состоит из двух агрегатов — измеряющего И и устраняющего У неуравновешенность (рис. 6.18), связанных между собой электронным устройством ЭУ. Сведения о неуравновешенности ротора Ра подаются в устройство ЭУ от датчиков а и (i неподвижных чувствительных опор /4 и В. В решающем блоке РБ эти сведения преобразуются в сигналы, эквивалентные дисбалансам >i и Da в плоскостях коррекции 1-1 и 2-2. Сигналы направляются в блоки УБ/ и УБ2, которые управляют инструментами, устраняющими дисбалансы в плоскостях коррекции. Но поступившие сигналы пока сохраняются там в памяти, так как в это время происходит устранение дисбалансов предыдущего ротора Pi путем удаления материала. При этом [c.222]

Измерить разность потенциалов можно с помощью подходящего прибора, подключенного к электрохимическому элементу. При этом условия равновесия в нем принципиально меняются. Действительно, общий результат электрохимического процесса в рассматриваемой системе заключается в переносе вещества В из фазы р в а. Но этот процесс возможен только тогда, когда эквивалентное количество электронов передается от б к у- Поскольку граница между аир для электронов непроницаемая, они могут передаваться только по внещней цепи, соединяющей [c.152]

Уточним постановку задачи пусть в единице объема имеется N хаотически расположенных эквивалентных атомов исследуемого вещества. Будем считать, что в каждом атоме имеется один оптический электрон с зарядом q. Электрическое поле световой волны воздействует на такой электрон с силой дЕ (вынуждающая сила). [c.139]

Создание элементарной частицы массы М требует затраты энергии, по меньшей мере достаточной для того, чтобы несколько превысить энергию AI , эквивалентную массе покоя. Это не так уж много самые тяжелые из известных в настоящее время элементарных частиц только в 4000 раз тяжелее электрона, так что их энергия покоя составляет не более нескольких тысячных эрга. Батарейка для карманного фонаря поставляет энергию, достаточную для создания тысяч частиц в секунду. Задача заключается в концентрации этой энергии с тем, чтобы необходимая энергия приходилась на весьма малый объем ( 10- см ), занимаемый одной частицей. Это достигается в крупном ускорителе, способном инициировать столкновение, при котором одиночная налетающая частица является носителем энергии, достаточной, чтобы начать реакцию или создать одну или несколько элементарных частиц (рис. 15.10). Ускорители на высокие энергии применяются главным образом для ускорения протонов, но для исследования структуры протонов и ней- [c.429]

Изображение это можно сфотографировать (если электроны попадают на фотопластинку) или наблюдать непосредственно глазом (если электроны падают на флуоресцирующий экран, светящийся под действием их ударов). На этом принципе построены многочисленные электронно-оптические системы, играющие важную роль в современной технике. Одной из таких систем является электронный микроскоп, схематически изображенный на рис. 15.6. Как мы видим, электронный микроскоп состоит из элементов, вполне эквивалентных элементам, составляющим обычный оптический микроскоп. Объект может быть самосветящимся — сам служить источником электронов (накаленный катод или освещаемый фотокатод), или освещенным , представляя собой препарат, на который падает поток электронов (обычно от накаленного катода) конечно, препарат должен быть достаточно тонким, а электроны достаточно быстрыми, чтобы они проходили сквозь препарат и проникали в оптическую систему. Впрочем, подобное же требование прозрачности мы предъявляем и к препаратам, рассматриваемым в обычном оптическом микроскопе. [c.359]

Методы, указанные в предыдущем параграфе, позволяют исследовать характер спектра рентгеновского импульса даже в том случае, когда импульс является белым , т. е. дает сплошной спектр. Такой характер имеет спектр рентгеновских лучей, получающихся в обычных условиях в рентгеновской трубке при торможении электронов ударами об анод. Изменение скорости электрона происходит при этом случайным путем, и образующееся излучение представляет совершенно неправильный импульс, эквивалентный совокупности разнообразных, длин волн. Однако наряду с такими импульсами появляется и гораздо более монохроматическое излучение. При бомбардировке анода электронами определенной скорости наблюдается следующее явление при некоторой их скорости, величина которой определяется веществом анода, последний становится источником [c.412]

Сравнение с теорией Бора — Зоммерфельда показывает, что п эквивалентно главному квантовому числу Бора I (которое называется орбитальным квантовым числом) выполняет функции азимутального числа (I = k—1) и, следовательно, определяет величину вектора момента количества движения электрона на орбите, а т совпадает с магнитным квантовым числом, определяющим величину проекции этого вектора. [c.61]

Из полученного соотношения видно, что эквивалентная энергия двух сталкивающихся протонов, каждый из которых имеет кинетическую энергию 10 Гэв, равна около 250 Гэв, а эквивалентная энергия двух электронов с энергией 1 Гзв — около 4000 Гэв. [c.570]

В идеальном полупроводнике при 7 = 0 К все электроны находятся в валентной зоне. Зона проводимости полностью свободна от электронов. В этом случае полупроводник не может проводить электрический ток н является изолятором. При ненулевой температуре часть электронов за счет теплового движения переходит из валентной зоны в зону проводимости. В результате такого перехода в валентной зоне появляются свободные места — дырки. Дырка эквивалентна частице с положительным зарядом. [c.295]

Bee эти термы возникнут лишь при й > 4. Если и = 4, то оба s-электрона эквивалентны и по принципу Паули часть термов выпадет, останутся лишь термы 3d2 4s2 S, Ю, Ю, Р, Из них наиболее глубоко расположен терм 3d2 4s2 3p — он и является нормальным термом Til ему соответствует потенциал ионизации 6,83 в. Интервалы между составляющими триплетного терма 3d24s2 F , равны = 170.13 = 386,87 их от- [c.269]

В узлах решетки, образованной в результате металлической связи, находятся ион-атомы металла. Валентные электроны находятся в постоянном движении, они перемещаются в металле и в процессе непрерывного движения обслуживают все ион-атомы металла. Количество свободных (вернее полусвободных) электронов эквивалентно числу ион-атомов в металле. [c.8]

Аналогичная идея предложена и качественно рассмотрена методом молекулярных орбит в работе [6]. Описанная картина распределения двенадцати электронов — шесть внешних электронов урана 5/ 7s и по четыре от каждого атома кислорода (два валентных 2 р и одна неподеленная пара 2 р-электронов) — эквивалентна образованию двух а- и четырех я-связей, что при допущении не чисто ковалентного характера связи по существу не отличается от трактовки М. Е. Дяткиной [1, 2]. [c.55]

Ларморова прецессия системы 1 электронов эквивалентна электрическому току, выражение для которого (в электромагнитных единицах) имеет вид [c.516]

Эти механизмы диффузии имеют место при росте защитных пленок первый — при образовании пленок ZnO, dO, BeO, AI2O3 и др. (рис. 35, а), второй — при образовании пленок с пустыми катионными или анионными узлами в кристаллической решетке, например Си О, FeO, NiO, СоО (рис. 35, б), a-FeaOg, Т1О2 (рис. 35, в) и др. Диффузия катионов в защитной пленке для соблюдения электронейтральности сопровождается одновременным перемещением в том же направлении эквивалентного числа электронов в междоузлиях при первом механизме и по электронным дыркам (катионам с более высокой валентностью) при втором механизме. [c.60]

Анодный сдвиг потенциала в поверхностном слое металла и пассивность последнего могут быть обусловлены активированной адсорбцией (хемосорбцией) пассивирующих частиц, в первую очередь пассивируюш,их анионов, в особенности однозарядного атомного иона кислорода 0 (анион радикала ОН, образуюш,егося из НаО или 0Н при анодной поляризации). Адсорбция ионов кислорода уменьшает свободную энергикэ поверхностных ионов металла за счет вытеснения эквивалентного количества свободных поверхностных электронов металла, т. е. создает пассива-ционный барьер. Поскольку поверхностный электронный газ вырожден, вытесняются электроны, находяш,иеся на самых высоких электронных уровнях, и при этом снижается поверхностный уровень Ферми металла. Изменение свободной энергии поверхности при полном ее покрытии адсорбированным монослоем составляет 3,8-10 эрг на один электрон, что соответствует 2,37 эВ, или 54,6 ккал/г-экв. [c.311]

Когда ионы металла переходят в раствор (энергия гидратации ионов достаточна для разрыва связи между ион-атомами и электронами), на поверхности металла остается эквивалентное количество электронов (рис. 7), которые в раствор не переходят и сообщают металлу отрицательный заряд. 3)тот заряд вызывает электростатическое притяжение между положительно заряженными ионами металла, перешедшими в раствор, и поверхностью металла. Указанные явления на границе металл — водный раствор электролита приводят к возникновению двойного электрического слоя, образуемого электрическими зарядами, находящимися на металле, и ионами противоиоложного заряда, располагающимися у поверхности металла в растворе, что приводит к установлению некоторой разности иотенциалов между металлом и раствором электролита (рис. 8, а). [c.15]

СКВОЗЬ пленку СГ2О3 и вступают в реакцию с кислородом на границе раздела сред газ — оксид. Вагнер с помощью количественных исследований показал, что через AgjS мигрируют ионы Ag+, а не S . Он поместил два взвешенных диска из AggS между металлическим серебром и расплавленной серой (рис. 10.3). После выдержки в течение 1 ч при 220 °С было отмечено, что диск, соприкасающийся с металлическим серебром, не изменил своей массы, а увеличение массы диска, контактирующего с серой, эквивалентно потере массы металлического серебра. Вагнер показал также, что если принять Ag+-noH и электроны мигрирующими независимо, то скорость наблюдаемой реакции можно рассчитать, исходя из независимых физико-химических данных. Он вывел выражение для константы параболической скорости окисления [22], которое в упрощенном виде приводится ниже [23] [c.195]

Необходимо разобраться еще в одном вопросе как учесть неизбежное затухание колебаний осциллятора Физические причины, приводящие к затуханию излучения и связанному с ним уши-рению спектральной линии, были обсуждены выше (см. гл.1). Они сводятся к потере энергии вследствие излучения, к столкновениям, тушащим колебания осцилляторов, и к хаотическому тепловому движению атомов эффект Доплера). При феноменологическом описании можно объединить все эти разнородные процессы, вводя убывающую во времени амплитуду затухающей волны (что эквивалентно использованию комплексного показателя преломления). При составлении уравнения движения осциллирующего электрона для учета затухания нужно ввести тормозящую силу. Запишем ее в виде -gr, где g — некий коэффициент частное от его деления на массу электрона обозначают у и называют коэффициентом затухания. [c.140]

Такого рода несогласованность между энергией и импульсом приписывается образованию частицы с массой покоя, эквивалентной 135 МэВ. Недостающие энергия и импульс, выраженные уравнением (6), отдаются нейтральному я°-мезону, имею- цему массу покоя 264 /и, где т — масса электрона. Процесс выражается реакцией [c.433]

Из полученного соотношения видно, что эквивалентная энергия двух сталкивающихся протонов, каждый из которых имеет кинетическую энергию 20 Гэв, равна около 1000 Гэв, а эквивалентная энергия двух электронов с энергией 1 Гэв — около 4000 Гэв. В настоящее время уже запущен ускоритель с встречными протонными -пучками в ЦЕРНе (Швейцария) и (работают несколько ускорителей с встречными электронными и электрон-позитронными пучками в разных странах (СССР, США и др.). В СССР строится ускоритель с встречными яротон-антипротонными пучками. [c.139]

Итак, решение задачи о колебаниях атомов двух сортов в цепочке приводит к двум кривым зависимости 03 от k, которые получили название двух ветвей закона дисперсии. Ветви в приведенной зоне Бриллюэна изображены на рис. 5.9 для сличая Mi>M2. На этом же рисунке приведена расширенная зона Брнл,-люэна, для которой интервал изменений волновых чисел (—л/а 1й +л/а) такой же, как для линейной цепочки из одинаковых атомов и, как мы увидим в дальиейигем, для описания электронных состояний. Представление зависимости о) от k В расширенной зоне эквивалентно ее представлению в приведенной зоне, поскольку, как мы говорили выше, добавление к волновому числу k из интервала (5.53) величины 2л/(2а) не изменяет вида решения. [c.154]

Рассмотрим теперь вопрос о поляризации фононов. Теория Блоха предполагает, что поперечные фононы но могут непосредственно взаимодействовать с электронами проводимости. Иногда предполагается, что электроны проводимости не влияют па ту часть решеточной теплопроводности, которая обусловлена поперечными волнами. В этом случае решеточная теплопроводность была бы почти столь жо волпка, как и в эквивалентном диэлектрике. Однако, если считать, что поперечные и продольные волны взаимодействуют посредством трехфононных процессов с сохранением волнового вектора, которые стремятся уравнять параметр т в формуле (7.5), то эффективные времена релаксации для продольных и поперечных волн соответственно равны [c.281]

Другое возможное объяснение было предложено Халмом [144]. В нормальных областях X, выше, чем в сверхпроводящих, причем в последних областях в перенос тепла вносит вклад только доля х электронов, которые свободно проходят из сверхпроводящего металла в нормальные. На границе часть (1—х) электронов превращается из сверхпроводящих в нормальные, приводя к повышению температуры на самой границе. Рассмотрим теперь градиент температуры в направлении, перпендикулярном границе в области нормального металла на небольшом расстоянии от границы (Z,j—средний свободный пробег электрона). Доля электронов х имеет здесь температуру Т—/ s rad Т, а доля (1—х)—температуры Т—г grad Т. Таким образом, в области размером порядка полный тепловой поток уменьшается, что эквивалентно наличию слоя толщиной с тепловым сопротивлением порядка = И ,ДГ, р /Г). Для образца в целом это приводит к дополнительному теплосопротивлению (если пренебрежимо мало), равному [c.305]

Возникает вопрос о том, как учесть влияние 1 раницы. Если рассеяние на поверхности полностью хаотично, то электроны, покидающие поверхность, в среднем не будут нести импульса, параллельного поверхности. Эквивалентное распределение может быть получено в бесконечной среде, если положить Е равным нулю везде за границей. Этот вывод приводит к интегрированию уравнения (17.7) по физическому объему. В случае зеркального отражения от границы картина более сложная. Плоская поверхность может быть рассмотрена методом зеркального изображения. Если среда занимает полупространство. г > О, то можно считать, что Е(—х, у, z) = E x, у, z), и вести интегрирование по всему объему. В модели, рассматривавшейся Рейтером и Зондгеймером, предполагалось, что зеркально рассеивается некоторая часть р электронов, а часть 1 — /> рассеивается диффузно. Экспериментальные данные свидетельствуют о том, что р = 0. [c.706]

Переходя к эквивалентному случаю невращающегося цилиндра в однородном магнитном поле, мы найдем, что электроны не будут вращаться в поле, а останутся в покое. Таким образом, мы пришли к противоречию уравнения Лондона в однородном магнитном поле имеют единственное решение, которое соответствует электронам, вращающимся с ларморовской частотой, а такое вращение в системе с конечной корреляционной длиной не допускается теоремой о вращающемся сосуде . Это относится не только к обычным уравнениям Лондона, но и к любой схеме, которая приводит к истинному эффекту Мейснера, например к уравнениям Пиппарда. [c.727]

К уравнению (26.8) следует добавить условие divj = 0, и тогда ток в бесконечном пространстве полностью определяется. Уравнения (26.4) и (26.7) были предложены Лондоном в связи с дискуссией но поводу статьи Пиинарда [52]. Применение наших уравнений к телу конечных размеров, в случае когда электроны диффузно отражаются на его границе, сопряжено с трудностями. Можно было бы думать, что мы получим правильное уравнение для поля внутри тела, проинтегрировав (26.8) но его объему. Это эквивалентно иред-положению, что 11 = 0 в пространстве вне тела. Условие //=0, однако, не [c.728]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...