Атомы примесные

Различные типы ОКГ отличаются друг от друга либо всеми перечисленными элементами, либо их частью. В тех случаях, когда работа лазеров базируется на различных физических явлениях, эти различия имеют более принципиальный характер. Например, в ОКГ на твердом теле накачка производится при помощи фотонов, испускаемых специальными источниками света. В газовых же ОКГ она осуществляется при прохождении электрического тока через газ и возбуждении рабочих атомов при столкновении с электронами и возбужденными атомами примесного газа. К числу менее принципиальных различий относятся, например, разные способы канализации выведенной энергии из ОКГ к месту потребления она может быть осуществлена либо по световоду, либо при помощи линз и зеркал в свободном пространстве. [c.16]

С другой стороны, для обеспечения инверсии между уровнями области А необходимо стремиться к возможно большей населенности верхнего энергетического уровня. Это может быть обеспечено, если возбуждения атомов будут осуществляться не только под влиянием неупругих ударов электронов, но и при столкновениях второго рода с возбужденными атомами примесного газа. [c.36]

Эффективное использование резервов заложенных в материалах свойств приобретает актуальнейшее значение на современном этапе. О величине таких резервов достаточно красноречиво свидетельствует, например, теоретическая оценка прочности твердых тел, в частности металлов. Так, прочность металлов на разрыв (при всестороннем растяжении) может достигать нескольких сотен и тысяч килограмм-сил на 1 мм [1]. Прочность же промышленных металлов и сплавов обычно составляет 10—100 кгс/мм2. "Такая большая разница между значениями теоретической и технической прочности обусловлена наличием в реальном материале различных дефектов микроскопических — точечных (вакансии, межузельные атомы, примесные атомы в твердых растворах), линейных (дислокации), двухмерных (поверхностные и двойниковые границы, дефекты упаковки, межзеренные границы в поликристалле) и макроскопических (включения других фаз, поры, трещины и пр.). [c.6]

Радиационные повреждения. При воздействиях ионизирующих излучений (рентгеновское, а, р, у, протонное, нейтронное) на конструкционные материалы последние получают определенные повреждения, определяемые количеством энергии, поглощенной материалом. К числу таких радиационных повреждений относятся вакансии, внедренные атомы, примесные атомы, термические пики, ионизационные эффекты. [c.165]

В газовых лазерах накачка осуществляется при прохождении электрического тока через газ. Активные центры возбуждаются при столкновении с электронами и возбужденными атомами примесного газа. Уравнение баланса для трехуровневой системы в случае смеси двух газов (рис. 1.7, а) основного и примесного (рис. 1.7, б) будет иметь следующий вид [c.20]

Наряду с зонами в виде пластинок наблюдают также периодическое расположение полосок, как это показано на рис. 13.10, б в этом случае зоны, обогащенные и обедненные атомами примесного компонента, чередуются друг с другом. [c.302]

Пластическая деформация металлов может сопровождаться направленной диффузией примесных атомов. Примесные атомы вызывают локальные изменения межатомных расстояний и, как было отмечено ранее, стремятся скапливаться вблизи дислокаций. Дислокации в своем движении способны увлекать за собой часть -примесных атомов. Кроме того, примесные атомы, не связанные с дислокациями, также способны смещаться под действием деформирующих сил, проходя по вакансиям и т. п. [c.34]

Рассмотрим простейший процесс рассеяния света — резонансную флюоресценцию двухуровневых квантовых систем (атомы, примесные центры в кристаллической матрице, локализованные экситоны, квантовые точки и т. п.). Спектральная интенсивность рассеянного света определяется выражением [c.162]

При превращении аустенита в перлит по диффузионному механизму рост кристаллов новых фаз сопровождается оттеснением дефектов строения к границам зерен, другими словами, дефекты (дислокации, вакансии, примесные атомы), ранее располагавшиеся по границам аустенитных зерен, перераспределяются на границы ферритных (перлитных). [c.239]

Кристаллические решетки зерна могут иметь различные структурные несовершенства точечные, линейные и поверхностные, которые возникают в результате образования вакансий — мест не занятых атомами дислоцированных атомов, вышедших из узла решетки дислокаций, возникающих при появлении в кристалле незаконченных атомных плоскостей примесных атомов, внедренных в кристаллическую решетку. [c.7]

Такая формулировка связана со следующими обстоятельствами. Известные дислокационные модели зарождения микротрещин [4, 25, 170, 247] показывают, что они возникают при некотором критическом значении локальных напряжений в голове дислокационного скопления. Это соответствует критическому значению эффективного напряжения = Эффективное напряжение здесь определяется равенством a ff = ai — оо, в котором величина Оо есть так называемое напряжение трения, являющееся суммой напряжений Пайерлса—Набарро и сопротивления скольжению, обусловленного взаимодействием дислокаций с примесными атомами, точечными дефектами и исходными дислокациями [170]. Иными словами, оо есть напряжение, соответствующее началу пластического течения в зерне. С другой стороны, как известно, при температуре нулевой пластичности Т = = Tq условие наступления пластического течения (2.3) есть одновременно и условие разрушения сг/ = От(7 о) [170, 222]. Очевидно, что в данном случае выполнено условие зарождения микротрещины, и, следовательно, справедливо равенство [c.67]

В основе современного понимания проводимости металлов лежит идея Блоха [4, 5], что свободные электроны проходят через металл как плоские волны, модулированные некоторой функцией с периодом, равным периоду решетки. Это позволяет преодолеть противоречия простой теории электронного газа, согласно которой атомы решетки сами должны являться главными центрами рассеяния электронов проводимости В результате длина свободного пробега может достигать нескольких миллиметров, что и наблюдается при низких температурах в особо чистых металлах. Сопротивление металлов, согласно теории Блоха, обусловлено только неидеальностью решетки. Наличие примесных атомов, точечных дефектов и границ зерен приводит к дополнительному рассеянию и, следовательно, к увели- [c.189]

Вместо минимума здесь наблюдается монотонное уменьшение удельного сопротивления (см. рис. 5.30). В этом сплаве основной компонент, родий, имеет -зону, поэтому -состояния примеси (железа) не могут считаться локализованными. Однако флуктуации плотности спина усиливаются вблизи примесных атомов и магнитные свойства сплавов сходны со свойствами сплавов Кондо. Примесный вклад в удельное сопротивление аналогичен вкладу от эффекта Кондо, а положительный температурный коэффициент является главным образом следствием сходства между атомами железа и родия и, в частности, между их -зонами [11]. [c.196]

Если падающие частицы каналируются в основном между плоскостями атомов, примесный атом, лежащий в этих плоскостях, будет защищен от падающего излучения и для него эмиссия вторичного излучения будет маловероятна. Но если он лежит между плоскостями, вероятность эмиссии возрастает. Следовательно, интенсивность вторичного излучения можно использовать для обнаружения и локализации атомов примеси, и чувствительность такого метода будет высока. [c.332]

ДесЬекты кристаллического строения удобно классифицировать по их геометрической форме и размерам точечные (нульмерные) малы во всех трех измерениях, их размеры не больше нескольких атомных диаметров — это вакансии, межузельные атомы, примесные атомы [c.9]

Реализуемый в конкретных условиях термообработки или сварки тип превращения предопределяется двумя основными факторами термодинамическим стимулом и степенью развития релаксационных процессов. По данным работы [35], система в процессе превращений аккумулирует упругую энергию из-за различий кристаллических структур и удельных объемов исходной и конечной фаз. При этом энергетический баланс системы определяется как накоплением упругой энергии, так и релаксацией. Причем в случае образования когерентных границ исходной и конечной фаз роль поверхностной энергии значительно меньше, чем упругой. При возникновении некогерентных границ соотношение указанных энергий обратное. Необходимо также учитывать вклад в энергетический баланс системы дефектов кристаллического строения, растворенных атомов примесных элементов, неметаллических включений. Механизм влияния перечисленных факторов требует дальнейшего изучения. Поэтому не случайно, что до настоящего времени все еще отсутствует единая теория полиморф-76 [c.76]

К числу таких радиационных повреждений относятся вакансии, внедрегггше атомы, примесные атомы, термические пики, ионизационные эффекты. [c.283]

Участки кристалла вблизи Д. находятся в упруго напряжённом состоянии. Напряжения убывают обратно пропорционально расстоянрш от Д. Упругая энергия, обусловленная полем напряжений Д., составляет 10" эрг на 1 см её длины. Д. могут перемещаться в кристалле, вызывая его пластич. деформацию. Перемещению Д. препятствуют не только прочность разрываемых межатомных связей, но и рассеяние тепловых колебаний атомов и электронов проводимости в упругоискажённой области кристалла, окружающей движущиеся Д., а также упругое взаимодействие с другими Д., с атомами примесных элементов в твёрдых раство рах, межзёренные границы в поликристаллах и др. дефекты в кристаллах. Д. обычно образуются при кристаллизации, но могут возникать в кристалле ири пластич. деформации. Д. определяют многие физич. свойства кристаллов, они, в частности, вносят значительный вклад в поглощение УЗ (см. Дислокационное поглощение). [c.116]

Первые члены представляют собой произведение вероятиостн нахождения атома примесн в первой или второй координационной сфере на частоту прыжка, соответствующую такому расположению примесного атома. Последний член в скобках представляет вероятность прыжка в единицу времени (прн условии, что в пределах первой и второй координационных сфср иет атомов примеси), умноженную на вероятность осуществления указанного условия. [c.50]

По предположению, МЖз и вокруг каждого располагающегося в узле основной решетки атома примеси имеется шесть междоузельных позиций, где могут быть размещены внедренные атомы. Определим йз как число способов размещения Кз атомов по 6М позициям, причем так, что только одна пара смешаииого типа может быть образована с помощью каждого атома примесн, располагающейся по узлам. Тогда можно вычислить йз по формуле [c.56]

Аналогично из выражений (2.48) и (2.55) следует, что поток будет направлен из области, богатой атомами примесн, размещающимися по узлам решетки, если при условиях В о В7з и W W(, и 1 8 "4. Отметим также, что В равно нулю, когда 1 р=Ц7з и 74, так что в этом случае примесные атомы, находящиеся в узлах, ие влияют иа диффузик> внедренных атомов. [c.59]

Если в рассмотренном ранее тройном сплаве учесть вакансии, то атомы примесн, размещенные в узлах решетки, и атомы растворителя становятся подвижными. Это приводит к возможности образования ряда комплексов, которые влияют на поток внедренных атомов. Блуждание вакансии вблизи изолированного атома — первый из возможных вариантов. Присутствие внедренного атома изменяет частоту скачков вакансии, и, вероятно, вакансия меняет частоту прыжков внедренного атома такой комплекс мог бы привести к аннигиляции вакансии при попадании междоузельиого атома в вакантный узел. Кроме того, при образовании комплексов потоки изменяются. Эти два явления могли бы также иметь место, если один или несколько из соседних узлов вакансии занимают атомы другой примеси. Аннигиляция пары примесь —вакансия при попадании в пустой узел внедренного атома, конечно, изменила бы частоту скачков атомов примеси, располагающихся в узлах поэтому присутствие внедренных атомов уменьшило бы поток этой примеси. Образовавшийся комплекс уменьшил бы также подвижность внедренного атома, поскольку атом, обычно перемещающийся по междоузлиям, на какое-то время понал бы в узел, т, е. ловушку. Такое захватывание, очевидно, приведет к появлению недиагональных феноменологических коэффициентов Ьщ, поскольку присутствие и, следовательно, химический потенциал одной из примесей влияют иа подвижность другой. [c.65]

В чистых металлах введение вакансии в решетку представляет собой пе что иное, как перемещение иона па поверхность. Свободные электроны, которые можно рассматривать как газ, будут стремиться заполнить полость, образовавшуюся подобным образом. В результате образуется отрицательный заряд, связанный с вакантным узлом решетки. Поэтому, когда атом примеси имеет валентность, отличную от атомов растворителя, его нонный заряд будет взаимодействовать с электронами, заполняющими вакансию. Это обстоятельство будет вызывать кулоновское притяжение или отталкивание примесного иона и вакансии. В качестве примера рассмотрим одновалентный растворитель и двухвалентные ноны металла примесн. Двухвалентные ионы будут иметь заряд +2, тогда как ионы растворителя имеют заряд -1-1. Избыточный положительный заряд примеси - -1 будет притягивать вакансию. Таким образом, по утверждению Лазаруса, будет существовать энергия притяжения, удерживающая вакансию в одном из узлов решетки, ближайших к атому примеси. Кроме того, если примесный атом пытается перескочить в вакансию, то же самое кулоновское взаимодействие будет уменьшать необходимую для этого энергию. Следовательно, количество энергии, требуемое для образования вакансии в узле, ближайшем к атому примесн, будет отличаться от энергии образования вакансии в чистом металле. Отметим также, что энергия, необходимая для прыжка атому растворителя в вакантный узел, будет отличаться от энергии, характерной для атома примесн. [c.72]

Причины происхождения корреляционного множителя довольно просты. При движении внедренного атома каждый скачок не зависит от предыдущего, т. е. все скачки примеси независимы. В сплавах, представляющих собой сильно разбавленные растворы замещения, все вакаисионные скачки также независимы. Однако прыжки меченого атома примесн или растворителя не независимы, а коррелироваиы. Если только меченый атом обменялся местами с вакансией и проекция его перемещения иа ось X при этом равна то следующий, наиболее вероятный прыжок меченого атома — прыжок назад, т, е. обмен с той же вакансией. Таким образом, наиболее вероятное смещение по х для последовательности из двух прыжков — нуль. Именно по этой причине f I. Корреляционый множитель изменяет ситуацию, при которой последовательность нз п скачков не приводит [c.77]

Коэффициент самодиффузии для атомов примесн в ГЦК кристаллах находим, объединяя выражение (3.32) с (3.63). Тогда [c.87]

Приближенное вычисление подвижности- атомов примесн может быть выполнено без использования ЭВМ. В этом случае = поэтому матрица 5+ есть матрица размером 1ХЬ В вышеприведенных уравнениях следует произвести обращение матриц, связанных с переходами дефекта. Аналитические вычисле- [c.122]

В случае градиента температуры следует учесть вклад градиента химического потенциала вакансий в движение атомов примесн градиент температуры может влиять иа концентрацию [c.124]

Поскольку имеется N типов конфигураций а, где а=1,. ... .., N, в которых возможны скачки меченого атома примесн, очевидно, существует установившееся распределение этих конфигураций. Тогда можно определить стационарную вероятность пребывания меченого атома в конфигурации тнпа а. Предположим, что нам удалось определить число способов М , посредством которых реализуется конфигурация тнпа а. Далее предположим, что частота скачка меченого атома в конфигурации типа а равна W . Теперь можно вычислить среднюю частоту скачков меченого атома <.W>, которая равна сумме произведений частот скачков иа их вероятиостн U . Поскольку существует Л/+1 [c.142]

Частоты скачков вакансии вблизи атома примесн в разбавленном твердом растворе были рассмотрены ранее. Эти частоты где 1=1,. .., 4, отличаются от частоты о, с которой совершает скачки меченый атом растворителя в чистом материале. При введении примеси малой концентрации скачки меченых атомов растворителя частично будут совершаться с частотами ь Шз и К)4. Вследствие этого изменится средняя частота скачков. В таком случае можио ожидать и изменения корреляционного множителя. Ниже мы детально обсуждаем данный вопрос. Прн этом изложение соответствует работам Лндьярда [2] и Ховарда и Маннинга [3]. [c.143]

J,— атомная доля пар примесь — вакансия с атомом примесн, присоединенным в 120-градусиой конфигурации [c.149]

Из табл. 5.11 н 5.12 видно, что прнтяжеине атома примесн и вакансии ( <1) является главным фактором, обусловливающим зависимость теплоты переноса от концентрации. [c.185]

Примените статистическую механику к разбавленному бинарному твердому раствору замещения с Г1ДК решеткой. Пренебрегая наличием примесных пар, но учитывая взаимодействие вакансий с атомами примесн с энергией [c.232]

Можно полагать, что упрочнение электролитических осадков в интервале температур 150 - ЗВО С объясняется перераспределением подвижных дислокаций на стадии полигонизации и закреплением их в более стабильных конфигурациях атомами примесных компонентов, ко-торьа входят в состав промышленных электролитов, например, б электролит железнения - марганец, хром, никель, медь и др.), У. многих сплавов эффект упрочнения яри отжиге возрастает с увеличением степени легирования твердого раствора. [c.40]

Основными процессами, приводящими к возбуждению, являются столкновения первого рода. Практически легче всего достичь неравновесного состояния, используя газовый разряд соответствующим образом подобранной газовой смеси. Заселению необходимого уровня рабочего газа способствуют неупругие столкновения с возбужденными атомами примесного газа, которые возбуждаются электронными соударениями. При небольщом значении энергии возбужденных атомов двух рассматриваемых газов возбуждение атомов будет также происходить и в результате столкновений нх между собой посредством ударов второго рода. Энергия возбужденных атомов будет взаимно передаваться. Если вероятность такого возбуждения атомов больше вероятности возбуждения атома на данный уровень электронами, то равновесное распределение, определяемое взаимодействием электронов с атомами, будет нарушено, и в системе образуется инверсная заселенность уровней. Для получения последней необходимо, чтобы концентрация примесного газа была значительно больше концентрации рабочего газа. Эти условия впервые были получены в гелий-неоновой смеси, у которой разность энергетических уровней составляет всего 0,15 эВ, а соотношение примесного и рабочего газов соответствовало 10 1. [c.42]

При понижении температуры концентрация собственных носителей заряда экспоненциально убывает, а концентрация примесных носителей заряда остается постоянной до тех пор, пока примеси полностью ионизированы. При некоторой, достаточно низкой температуре, когда средняя тепловая энергия становится существенно меньше энергии ионизации примесных атомов, примесные атомы становятся только частично ионизированными и концентрация примесных носителей заряда начинает экспоненцнальио зависеть от температуры. И в собственном полупроводнике при некоторой, достаточно низкой температуре, когда концентрация собственных электронов станет меньше концентрации примесных носителей заряда, проводимость приобретает примесный характер. [c.34]

Чаще, правда, на электрониом (и даже оптическом) микроскопе обнаруживают не саму дисло,кацию, а выход ее на поверхность В виде точки (черточки), окруженную (как говорят, декорированную) всевозможными дефектами и примесными атомами. [c.66]

Прежде чем перейти к подробному обсуждению зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников от температуры, коснемся особенностей поведения концентрированных сплавов. Введение значительного количества примесных атомов в твердый раствор приводит к искажению кристаллической решетки. Вследствие этого появляется дополнительный вклад в рассеяние. Его величина почти не зависит от температуры и может во много раз превышать долю электрон-фонон-ного рассеяния в чистом металле. Изменение остаточного удельного сопротивления неупорядоченного сплава Си—Аи в зави- [c.191]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...