Диоды кремниевые

Детального равновесия принцип 322 Джинса число 113, 312 Джоуля закон 19 Диоды кремниевые 251 [c.444]

Диод (кремниевый и германиевый) 10-10- V Транзистор 7-10- рас 1- [c.139]

Диод состоит из проводника с выводом 1, баллона 5, корпуса 9 диода, электрода 6 из алюминиевой пластины, кристалла кремния 7 и шпильки 10 крепления диода. Кремниевый кристалл 7 запаян между алюминиевым электродом 6 и никелированным медным корпусом. Алюминий вплавляют в кристалл кремния. Для изоляции от внешней среды электрод герметически заключен [c.135]

Д Диоды кремниевые, исключающие обходные цепи при работе ли Ьта по приказам и вызовам [c.115]

Генератор (рис. 47) состоит из статора 21 и ротора. Статор изготавливают в виде кольца из отдельных тонких стальных пластин, изолированных друг от друга лаком. На внутренней поверхности статора имеется обмотка, состоящая из трех групп катушек, расположенных под углом 120° по отношению друг к другу. Катушки обмотки соединены между собой последовательно, а группы катушек соединены звездой, т. е. одни концы трех групп соединены между собой, а другие — выводятся в цепь. Ротор состоит из вала 11, обмотки возбуждения 25 и шести пар полюсов 24 и 26, создающих магнитное поле. На валу ротора установлены два контактных кольца 22, через которые в обмотку возбуждения подается электрический ток от аккумуляторной батареи. По контактным кольцам скользят щетки 16 и 17. Ротор вращается в шариковых подшипниках, установленных в крышках 10 и 34 статора. На корпусе генератора имеются три клеммы первая + (плюсовая), вторая III от обмотки возбуждения и третья — (минусовая), соединенная на массу (металлическая часть автомобиля). Внутри задней крышки 34 генератора помещен выпрямитель переменного тока в постоянный, состоящий из шести кремниевых диодов. Кремниевый диод изготовляется спаиванием кристалла кремния с пластиной алюминия. Ток в одном диоде может проходить только в одном направлении — от алюминия к кремнию. [c.72]

Диод кремниевый сплавной То же [c.47]

Диод германиевый точечный Диод кремниевый точечный [c.47]

Практически достоинством диода на основе арсенида галлия является то, что в широком диапазоне температур от 1 до по меньшей мере 400 К прямое падение напряжения на диоде при постоянном токе через диод зависит от температуры почти линейно. Так же ведут себя и кремниевые диоды при температурах выше 30 К, причем линейность у них даже лучше, чем [c.254]

Диод планарный — технологическая разновидность кремниевых диодов, у которого обе полупроводниковые области находятся на одной стороне пластины это позволяет получать на одной пластине большое число одинаковых структур диодов, из которых при распиливании получают отдельные диоды, обладающие очень близкими характеристиками [9]. [c.143]

В знакопеременных зонах в цепь токоотвода необходимо включить выпрямляющий элемент (германиевый или кремниевый диод), который не пропустит ток из земли через токоотвод в защищаемое сооружение. [c.25]

К числу существенных недостатков германиевых вентилей относится невысокая рабочая температура рабочий диапазон от — 50 до + Ж С при длительном воздействии температуры выше + 60° С в них проявляется тепловое старение, приводящее к ухудшению электрических параметров при низких температурах наблюдается значительное понижение обратного сопротивления. Кремниевые выпрямители могут работать при температуре до -1- 200° С. С точки зрения работы при высоких частотах кремниевые диоды имеют перед германиевыми преимущества, заключающиеся в большей чувствительности к слабым сигналам (пороговое напряжение у первых 0,01 В, у вторых от 0,1 до 0,25 В). Характеристики кремниевых вентилей, возможность получения больших выпрямленных мощностей в установках малых габаритов, особенно при использовании искусственного охлаждения, делают их исключительно прогрессивными. Поскольку кремний и германий являются элементами IV группы таблицы Менделеева, дырочная проводимость в них создается примесями элементов третьей группы, а электронная — элементов пятой группы. Для кремниевых полупроводников часто применяют алюминий, бор, для германиевых — индий в качестве акцепторной примеси мышьяк и сурьма (элементы V группы) — в качестве донорных примесей. [c.284]

Хотя измерения и не подтвердили применимость этого выражения к кремниевым диодам, Фридман и др. отмечают, что поскольку облучение увеличивает удельное сопротивление кремния, то объемное сопротивление может стать настолько высоким, что основное падение напряжения на диодах действительно можно связать не с переходом, а со всем объемом полупроводника. Более того, излучение, вероятно, создает уровни рекомбинации. Если предположить, что выражение для плотности прямого тока применимо к случаю облучения нейтронами, то в формулу можно ввести [c.293]

Такие же относительные различия, связанные со способом нейтронной дозиметрии, появляются в значениях максимальных интегральных потоков, выдерживаемых германиевыми и кремниевыми диодами. Автор полагает, что в настоящее время наиболее разумным подходом к дозиметрии и описанию радиационных нарушений в полупроводниках является использование пороговых детекторов в виде фольг и определение потоков нейтронов с энергиями больше 1 кэв (величина этой энергии примерно равна пороговой энергии смещения атомов нейтронами). Такой подход к дозиметрии уменьшает расхождения в экспериментальных данных по облучению, полученных в различных условиях замедления или экранирования нейтронов. [c.294]

Представляется вероятным, что оптимальной конфигурацией кремниевых диодов для использования в радиационных полях является диффузионная p-i-и-структура и минимальная толщина базы, совместимая с требованиями максимального обратного напряжения. Кроме того, пороговая доза облучения, влияющая на экспоненциальную область, или область малых токов, прямой характеристики диода, по-видимому, ниже, чем в области больших токов. При очень малых токах (от 0,001 до 0,1 ма) падение прямого напряжения уменьшается, а не увеличивается, как это обычно наблюдается. [c.295]

Рис. 6.1. Расчетная зависимость предельно допустимых интегральных потоков нейтронов от толщины базы кремниевых диодов.

Влияние излучения на кремниевые диоды и выпрямители общего назначения [c.298]

Рис. 6.3. Влияние облучения в реакторе на прямые характеристики кремниевых диодов (прямой ток 1 ма)

Влияние нейтронного облучения на кремниевые микроволновые диоды [c.300]

В работах [12, 28] изучалось поведение германиевых и кремниевых диодов Исаки под действием облучения быстрыми нейтронами. При низком прямом напряжении в характеристиках диодов Исаки обнаружен пик тока, обусловленный туннельными переходами электронов из зоны проводимости в валентную зону. Так как этот эффект не зависит от времени жизни носителей, то влияние излучения может привести только к уменьшению плотности ионизированных доноров и акцепторов. Подсчитано, что для существенного изменения вольт-амперных характеристик устройств с высокой начальной концентрацией доноров и акцепторов на основе такого механизма требуется интегральный поток быстрых нейтронов порядка 101 нейтрон 1см . [c.301]

Рис. 6.5. Вольт-амперные характеристики кремниевых диодов Исаки до (кривая 4) и после облучения интегральным потоком быстрых нейтронов, X 10 нейтрон/см 1—9 2—6 J—3.

Диод кремниевый — диод монокрнсталлической структуры, изготовленный из примесных полупроводниковых материалов, полученных на основе кремния работает при температурах до 120—150° С [4]. [c.142]

Со стороны контактных колец у генератора Г250 расположен выпрямитель, состоящий из шести кремниевых диодов. Кремниевые диоды теплостойки — их рабочая температура может достигать 120—150° С. Три диода прямой полярности установлены на специальной панели, имеющей хорошее охлаждение. Три диода обратной полярности крепятся к крышке генератора. Каждая обмотка статора (а их три) соединена с парой диодов, один нз которых имеет прямую, а другой обратную полярность. Когда ток, индуктнруел ый в одной из обмоток статора, движется по часовой стрелке, диод прямой полярности пропускает его во внешнюю цепь, а через диод обратной полярности ток возвращается в соответствующую обмотку. Когда ток меняет свое направление и [c.127]

Освещение, сигнализация, отопление Лр — арматура сигнальная (красная) Л г — арматура сигнальная (желтая) С — сигнал звуковой КС — кнопка сигнала ГЯ — электронагреватель трубчатый Дут — датчик указателя уровня топлива Л/С —плафон освещениа кабины РР — реле регулятор ПР-2 — блок предохранителей 10-амперный СВ1 — диоды кремниевые Лэп — арматура сигнальная зеленая ВБ — выключатель батареи Б — батарея 12 в Л/ —амперметр 20-0-20А Г5—тенлоэлектровентилятор ТР1, ТР2, ТРЗ — трансформатор на 220/12 S Лпер — лампа переносная Ф1, Ф2 — фары освещения канатов ФЗ, Ф4 —фары для освещения пути передвижения ТУ-1, ТУ-2, ТУ-8, ТУ-3, ТУ-4, ТУ-5, ГУ-7 — выключатель-тумблер ЛЯ/—Д/4 — штепсельная розетка Z//P — штепсельный разъем А1 — [c.324]

Более высокие значения тока через диод не рекомендуются из-за сильного эффекта самонагрева, а при токах, меньших 1 мкА, характеристика становится нелинейной при температурах выше 77 К. Воспроизводимость результатов для диодов на ОаАз составляет 10 мК выше 77 К и ниже 7 К, однако вблизи 20 К воспроизводимость не лучше 30 мК. Ниже 30 К кремниевые диоды дают более воспроизводимые результаты, чем диоды на ОаАз, но, к сожалению, проявляют большую чувствительность к магнитным полям при низких температурах. Магниторезистивный эффект у кремниевого [c.255]

При изготовлении интегральной схемы на пластинку из полупроводникового материала наносятся последовательно слои примесей, диэлектриков, напыляются слои металла. Для каждого нового слоя используется своя технология нанесения и свой рисунок расположения деталей. В результате на одном кристалле одновременно создается несколько тысяч транзисторов, коыден-саторов, резисторов и диодов, соединенных процодаиками в определенную схему. Например, микросхема часов Электроника размещена на кремниевом кристалле толщиной 0,5 мм и размерами 4x3,6 мм. В этой микросхеме содержится около 3000 транзисторов. Размеры отдельных элементов микросхемы могут быть 2—5 мкм, погрешность при их нанесении не должна превышать 0,2 мкм. [c.162]

Из кремния изготавляются различные типы полупроводниковых диодов низкочастотные (высокочастотные), маломощные (мощные), полевые транзисторы стабилитроны тиристоры. Широкое применение в технике нашли кремниевые фотопреобразователь-ные приборы фотодиоды, фототранзисторы, фотоэлементы солнечных батарей. Подобно германию, кремний используется для изготовления датчиков Холла, тензодатчиков, детекторов ядерных излучений. [c.288]

Фридман и др. рассмотрели кремниевый плоскостной диод с р — п-переходом, состоящий из материала базы и-типа с высоким удельным сопротивлением и сильно легированного материала р-типа с низким удельным сопротивлением. Они считают, что вопрос о соответствующем выражении для прямых характеристик при высокой плотности тока остается открытым. Они рассмотрели уравнение Рашбы и Толпыго [66] [c.293]

Гут [38] провел серию опытов по изучеЙ1ю различных факторов, включая изменение толщины базовой области, определяющих предельно допустимые интегральные потоки нейтронов для кремниевых диодов. Он сравнил подобные по электрическим характеристикам диффузионные и сплавные диоды при низких и высоких значениях прямого тока. Для этих целей был выбран типичный прибор, а именно выпрямитель 1N538 с максимумом обратного напряжения в 200 в. Этот диод служил основой, в нем по желанию модифицировались толщины базы и тип перехода. Полагают, что информация, полученная в этих экспериментах, должна быть применима к аналогичным кремниевым и германиевым выпрямителям. [c.294]

Экспериментальные данные, приведенные в работах [12, 28], показывают, что пик тока нечувствителен к радиационным повреждениям, тогда как минимум тока при облучении значительно возрастает. Из рис. 6.4 я 6.5 видно, что существенное увеличение тока в минимуме характеристики наблюдается в интервале потоков lOi —нейтрон1см для германиевых диодов и IQi —IQi нейтрон1см — для кремниевых. [c.301]

Впоследствии аналогичные результаты были получены и тщательно изучены при облучении кремниевых и германиевых диодов электронами с энергиями соответственно 0,8 Мэе [21, 54] и 7 Мэе [55]. Эти данные хорошо объясняются механизмом появления провала тока, предложенным Яджима и Исаки [87], согласно которому туннельные эффекты обусловлены примесями или, как в данном случае, энергетическими уровнями дефектов, находящимися внутри запрещенной зоны. Поведение вольт-амперных характеристик германиевых и кремниевых диодов Исаки (см. рис. 6.4 и 6.5) качественно согласуется с вышеуказанным механизмом для провала тока. Было замечено, что кремниевый диод более чувствителен к нейтронному облучению, чем германиевый. [c.301]

Рис. 6.8. Вольт-амперные характеристики кремниевого диода Исаки 28GE-2 до облучения (кривая А) и после облучения интегральным потоком быстрых нейтронов, нейтронI Mh в —3,3-10 С — D —3,310 Е —

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...