Структуры покрытий кристаллические

Покрытия на основе линейных полимеров с волокнистой структурой имеют более высокую проницаемость, чем на основе полимеров с трехмерной сетчатой структурой. Покрытия, сформированные из полимеров, образующих кристаллическую структуру, имеют низкий коэффициент диффузии. [c.129]

Большое значение придается в гальванотехнике структуре электролитически осажденного металла. Условия процесса электролиза должны быть подобраны таким образом, чтобы осажденное покрытие имело мелкокристаллическую структуру. В большинстве случаев коррозионная стойкость защищаемого металла тем выше, чем более плотная и мелкая структура у покрытия. От характера кристаллической структуры покрытия зависят его свойства эластичность, пористость, твердость, блеск, чистота поверхности, сопротивление истиранию и наличие внутренних напряжений. [c.210]

При формировании многокомпонентных покрытий анализ значительно усложняется, так как коэффициенты распыления отдельных компонент не отличаются высокой точностью даже для термодинамически равновесных фаз. В условиях формирования метастабильных структур ионно-плазменных покрытий можно ожидать аномально высоких коэффициентов распыления в тех случаях, когда это соответствует смещению структуры покрытия к термодинамически равновесной. Анизотропия коэффициента распыления и глубины проникновения ионов в кристаллические материалы приводит к преимущественному росту зерен с ориентацией, благоприятной для каналирования и имеющих минимальный коэффициент распыления. Разница в значениях выхода распыления может достигать сотен процентов [147]. Таким образом, открывается возможность формирования текстурированных покрытий с развитой анизотропией свойств. Дополнительный пучок ионов играет роль стержней, на которые без разрушения могут насаживаться лишь плоскости со вполне определенной ориентацией. [c.147]

Межатомные расстояния имеются, например, в тех случаях, когда кристаллическая решетка основного металла продолжена структурой покрытия. В этом случае связь, а следовательно, и прочность сцепления, наиболее сильны. Воспроизводство струк- [c.83]

Сначала возникают кристаллические зародыши, которые затем растут вследствие присоединения разрядившихся атомов металла. Структура гальванического осадка определяется соотношением скоростей образования кристаллических зародышей и их роста. Чем выше относительная скорость образования зародышей, тем более мелкозерниста структура покрытия. Возникновение кристаллических зародышей сопряжено с большей затратой энергии по сравнению с их ростом. Поэтому повышение катодной поляризации способствует образованию мелкозернистых покрытий, которые обладают лучшими защитными свойствами. [c.151]

Поверхностная структура покрытий Т1С ГТ (см. рис. 4) свидетельствует о наличии дефектов кристаллического строения протяженность зоны контакта зерен Т1С между собой [c.17]

Детали с нанесенными слоями охлаждали на воздухе или в воде (при комнатной температуре) или же выдерживали в-масле, нагретом до 180° С. При этом, согласно данным рентгеноструктурного анализа [58], покрытия, охлажденные в воде, имели преимущественно аморфную структуру, охлажденные на> воздухе — содержали много кристаллической фазы, а структура покрытий, выдержанных в масле, состояла в основном из кристаллической фазы. [c.92]

Образуются ли кристаллы или кристаллиты из кристаллического вещества нли структура покрытия является аморфной [c.122]

Изучалось влияние движущихся частиц В4С в сульфатном электролите на структуру покрытий медью в условиях, когда исключается соосаждение частиц [226]. При увеличении концентрации порошка до 15 г/л средний размер зерен покрытия повышался с 1 до 4 мкм, а твердость осадков понижалась. При потенциостатических условиях (величина перенапряжения равна 150 мВ) сила тока возрастала с 0,45 до 0,60 А. Авторы работы [226] дают объяснение описанным изменениям в соответствии с теорией электрокристаллизации [192, 199], согласно которой скорость роста кристаллов понижается при адсорбции чужеродных растворенных веществ в растворе. Дисперсные частицы очищают поверхность от этих веществ, что способствует укрупнению кристаллических зерен покрытия. [c.140]

Образование электролитического покрытия на катоде происходит в результате электрокристаллизации. Электрокристаллизация состоит из двух одновременно протекающих процессов образования кристаллических зародышей (центров кристаллизации) и их роста. Структура покрытия будет зависеть от того, какой из этих процессов будет преобладающим. Если скорость образования новых зародышей (новых центров кристаллизации) будет опережать скорость роста образовавшихся кристаллов, то структура осадка будет мелкокристаллической И наоборот, при преобладающей скорости роста кристаллов покрытие получится крупнокристаллическим. [c.272]

Структура покрытий. Наиболее высокими эксплуатационными свойствами обладают покрытия с мелкокристаллической структурой. Структура этих покрытий находится в неравновесном состоянии, кристаллическая решетка их искажена из-за возникших внутренних напряжений. Покрытия отличаются повышенной твердостью [c.288]

Влияние состава электролита [65—69]. По мере увеличения толщины гальванического покрытия влияние подложки уменьшается в конечном итоге структура покрытия определяется только составом электролита, температурой, плотностью тока и способом перемешивания. Структуры покрытий весьма разнообразны. Некоторые и них аналогичны наблюдаемым в литых металлах, но другие свойственны только электролитическим осадкам. Кристаллические осадки, получающиеся в ваннах, не содержащих добавок (или содержащих их в небольших количествах), часто имеют структуру с предпочтительной ориентацией. Некоторые блестящие покрытия также имеют текстуру, но, как правило, по мере замедления роста при увеличении концентрации добавок или при введении более активных веществ, осадок становится все более мелкозернистым и теряет при этом преимущественную ориентацию. [c.345]

Структура Ni—-Р осадков, оказывающая, как и химический состав, большое влияние на их эксплуатационные характеристики, в исходном состоянии (т. е. непосредственно после осаждения) существенно отличается от структуры осадков, подвергавшихся нагреву при различных температурах и выдержках и с различным содержанием фосфора. Кривые распределения интенсивности интерференционных линий покрытий в исходном состоянии в большей или меньшей степени размыты, ч го характерно либо для весьма мелкодисперсной структуры, либо в случае сильного деформирования кристаллических решеток. В исходном состоянии структура щелочных покрытий (содержащих от 3 до 6 вес. % Р) представляет собой смесь фазы твердого раствора замещения фосфора в гексагональном а-никеле и фазы твердого раствора внедрения фосфора в кубическом -никеле. Структура покрытий из кислых ванн (9—10% Р) представляет собой твердый раствор замещения фосфора в гексагональном а-никеле. Степень искаженности структурной решетки покрытий из щелочного раствора меньше, чем у покрытий из кислого раствора. [c.40]

Структура покрытий из кристаллических полимеров. Закономерности изменения структуры кристаллических полимеров (степень кристалличности, параметры кристаллической решетки, размер и морфология надмолекулярных образований) при пленкообразовании имеют более сложный характер, чем в случае аморфных полимеров. [c.62]

Адсорбция низкомолекулярных веществ из газовой фазы и последующая их полимеризация на поверхности подложки позволяют получать наиболее тонкие покрытия, нередко соизмеримые по толщине с адсорбционными слоями полимеров. Такие покрытия существенно отличаются по структуре и свойствам от обычно получаемых толстых покрытий. Например, в случае кристаллических полимеров в пленках не наблюдается ярко выраженной кристаллической структуры покрытия, как правило, нерастворимы, отличаются хорошей сплошностью, имеют высокую адгезию, что объясняется хемосорбционными процессами. [c.258]

На наш взгляд, успех в этом направлении может быть достигнут лишь при использовании динамических методов деформирования, в частности при использовании взрывного нагружения. Как известно [1], деформирование взрывом вызывает специфическую дислокационную структуру, характеризуемую повышенной плотностью дефектов кристаллической решетки и обилием всевозможных закреплений. Это может привести к качественно новым свойствам защитных покрытий. Более того, применение ударных волн позволит создать диффузионные слои определенных свойств и размеров даже с помощью элементов, имеющих весьма малую взаимную растворимость. [c.121]

Ме кду параметрами кристаллических решеток основных составляющих структуры сплавов — у-твердого раство та п упрочняющей у -фазы — и слоя твердого раствора найдено небольшое положительное несоответствие параметров (рис. 1), которое обеспечивает низкий уровень остаточных напряжений в слое и положительно сказывается на свойствах системы сплав — покрытие. Формирование [c.172]

Интерпретация этих результатов осложняется тем фактом, что на поверхности раздела алюминия 6061 и бора существовала металлургическая связь (рис. 1, б), а между покрытием карбида кремния и матрицей алюминия 6061 (стрелка на рис. 1, в) — механическая связь. Эти композиты были получены методом диффузионной сварки в течение 1 ч приблизительно при 475 и 554 С соответственно. Полагают, что низкая малоцикловая усталостная прочность у композитов, волокна которых имеют покрытия, связана с поведением покрытия Si [23]. Это покрытие обладает предпочтительным направлением кристаллографического роста (111) и вытянутой кристаллической структурой, оба они ориентированы перпендикулярно оси волокна (рис. 1, в). Таким образом, ось волокна, возможно, является направлением относительно низкой прочности покрытия и последнее может служить причиной плохого усталостного поведения в малоцикловой области. [c.401]

Оксидное покрытие является полупроводником. Перенос электронов происходит в кристаллической структуре оксида. Различают два типа полупроводников [c.62]

Выбор покрытий основан на изучении кристаллической структуры, размерного соответствия параметров решетки, природы поверхности кристаллов, формы и размера зерна, влаго-емкости и других факторов, влияющих на кристаллизацию поверхностного слоя литого образца [И, 64—66]. [c.44]

Рис. 32. Зависимость структуры литых образцов от несоответствия параметров кристаллических решеток покрытий и металла отливки

Исходньши компонентами покрытия служили электролитический никель, кристаллический кремний, аморфный бор, активированный уголь. Для введения хрома использовали чистый хром, нихром и карбид хрома. Элементный состав во всех случаях сохраняли постоянным. Покрытие наносили на образцы из нержавеющей стали 1Х18Н9Т. Дисперсионной средой в шликере служил спиртово-водный раствор 1 1. Для обеспечения седиментационной устойчивости суспензии вводили 2 мае. % бентонита. Покрытие формировали в вакууме при температуре 1100 °С. Для исследования структуры покрытия из образцов готовили полированные шлифы. [c.114]

Для исследований материалов с покрытиями широко применя-етср рентгенография. Она позволяет анализировать фазовый состав основного металла и покрытий [260—265] определять упругие деформации решетки, оценивать уровень остаточных напряжений в композиции основной металл — покрытие [266, 267] изучать дислокационную структуру, дефектность кристаллического строения упрочненных материалов [247, 268—270] исследовать фазовый состав поверхностей трения [74, 250]. [c.181]

Другим характерным примером самоорганизации ритмически повторяющихся структур служат слоистые покрытия со строго определенными размерами слоев. Структура покрытия, представленная на рис. 11, обусловлена ритмическим повторением реакции при пиролитическом хромировании изделия путем разложения паров металлорганического соединения и охлаждения их на нагретую стальную подложку. Строгая повторяемость слоев и постоянство их толщин указывает на самоорганизо-ванность структурообразования, которая возможна только в условиях, когда движущей силой процесса является стремление системы к минимуму производства энтропии. Структурообразование носит автоколебательный характер, а параметром порядка является теплопроводность среды. Это определяет чередование структур хромокарбидного соединения от близкого к аморфным (белые слои) к кристаллическим (черные слои) [32]. [c.28]

При малой скорости осаждения металла на монокристалле ориентирующее влияние структуры его поверхности может продолжаться до толщины порядка 40 000 А ( 4 мкм). На ноликри-сталлической поверхности с определенной ориентацией кристаллов воспроизведение структуры наблюдалось лишь в очень тонких (0,1—0,2 мкм) осадках ири условии, когда покрытие и основание имели приблизительно одинаковые размеры кристаллической решетки. По мере увеличения толщины структура покрытия приближалась к той, которая характерна для данных условий электролиза. [c.23]

Большую термостабильность состава и свойств проявляет по сравнению с MoN покрытие rN, полностью сохраняя свои свойства при нагреве до температур 800°С. При этой температуре на дифрактограммах покрытия rN появляется линия d = 0,310HM, что свидетельствует об упорядочении атомов азота в кристаллической решетке rN. При нагреве до температур 900—1000 °С структура покрытия изменяется, отмечается сужение дифракционных максимумов, дифрактограммы становятся более четкими. Последнее свидетельствует о более совершенной структуре покрытия rN при указанных температурах. Однако при температурах выше 1000 °С отмечается снижение твердости покрытия и наблюдается полная диссоциация нитрида хрома. [c.73]

Однородные структуры. Однородная кристаллическая структура, как известно, присуща монокристаллам и твердым растворам. Монокристаллические покрытия (пленки) образуются в процессе ориентированного роста монокристалла одного вещества на кристаллической грани другого (эпитаксиальное наращивание). В слое покрытия при благоприятных условиях полностью воспроизводится кристаллографическая ориентация поверхности покрываемого кристалла. Например, используя пересыщенный раствор германия в жидком свинце, на монокристалле германия получают монокристаллическую пленку германия на арсениде галлия (GaAs) формируется одноименная пленка из пересыщенного раствора GaAs в жидком олове. Более широко применяют способы эпитаксиального наращивания из паровой фазы в вакууме. [c.173]

При длительной службе в условиях высоких температур наблюдается перерождение структуры покрытия. Стеклообразные покрытия кристаллизуются, кристаллические — подвержены полиморфным превращениям, рекристаллизации и коалесценции. Возможны также и твердофазовые химические реакции между компонентами покрытия. Эти процессы носят внутренний характер и потому протекают даже в окружении нейтральных сред. Но активные среды способны стимулировать и изменять ход процессов. [c.250]

I. Условия образования кристаллических зародышей в процессе электроосаждення существенно зависят от состояния поверхности, поэтому выбор режима реверсирования тока (Та/т,(, т , Тд, период т) оказывают большое влияние на структуру покрытия. Применение реверсированного тока позволяет направленно изменять структуру осадков, создавать ровные блестящие мелкокристаллические осадки, прочно сцепленные сосновой, без применения бле-скообразую1цих и выравнивающих органических добавок. [c.352]

На сопротивление выходу дислокаций влияют также [75] отличие параметров решетки основного металла и покрытия, характер кристаллической структуры покрытия, степень поликристалличности покрытия. [c.41]

По сравнению с другими этот способ обладает меньшей трудоемкостью и благодаря 01бразова-нию кристаллической структуры покрытия обеспечивает высокую прочность сцепления с защищаемым металлом. [c.83]

Рентгенографические методы анализа широко используются для изучения структуры, состава и свойств различных материалов. Широкому распространению рентгенофафического анализа способствовали его объективность, универсальность, быстрота многих его методов, точность и возможность решения разнообразных задач, часто недоступных другим методам исследований. Вследствие высокой проникающей способности рентгеновских лучей для осуществления анализа не требуется создание вакуума. С помощью рентгенографического анализа исследуют качественный и количественный состав материалов (рентгенофазовый анализ), тонкую структуру кристаллических веществ - форму, размер и тип элементарной ячейки, симметрию кристалла, координаты атомов в пространстве, степень совершенства кристаллов и наличие в них микронапряжений, наличие и величину остаточных макронапряжений в материале, размер мозаичных блоков, тип твердых растворов, текстуру веп ес1в, плотность, коэффициент термического расширения, толидину покрытий и т.д. [c.158]

Параметры тонкой структуры зависят от содержания азота в покрытии. Параметр кристаллической реиютки, ширина дифракционных максимумов, дисперсия микроискажений, плотность дислокаций и микротвердость изменяются пропорционально содержанию азота в покрытии и имеют экстремумы в области нитрида титана стехиометрического состава (96, 97], Э.М. Лазарев и С.Я. Бецофен [97] установили, что [c.184]

Структура и свойства Со—Впокрытнй Исотедова НИН ИФХ АН СССР показывают что полученные Со — В покрытия представляют собой сочетания кристаллической и аморфной фаз Кристаллическая структура представляет собой твердый раствор вне дрения бора и водорода в гексагональном а Со [c.62]

На рис. 1, а и б, видны частицы окисп железа, отделенные от металла вместе с покрытиями из окиси алюминия и двуокиси циркония. На рис. 2 видна граница между частицами окиси железа и окиси алюминия. Сравнительно резкое очертание этой границы может свидетельствовать об отсутствии химического взаимодействия между материалом покрытия и подложно . Как видно из рис. 2, на поверхности скола частиц из окиси алюминия наблюдаются, так называемые, речные узоры. Каждая из линий, составляющих речной узор, связана с различием уровней отдельных частей поверхности скола, обусловленным тем фактом, что трещина скола, вместо того, чтобы распространяться по одной кристаллографической плоскости, была разбита дефектами кристаллической структуры на отдельные части. [c.243]

Изложенное подтверждает механический характер связи покрытий из исследованных (возможно, и из других) материалов, наносимых газопламенным способом, с металлической подложкой (сталь Ст. 3) и указывает на наличие в них существенных напряжений, вызывающих, по-видимому, дисклокационное разупрочнение их кристаллической структуры. [c.245]

На основе композиции с добавкой оксида алюминия получено жаростойкое покрытие (обмазка) Р-5 д.ля заш,иты графита от окисления в воздушной атмосфере до 1400 °С. На рис. 2 приведена микроструктура этого покрытия. Видно, что покрытие по структуре гетерогенно. В стекломатрице распределены кристаллические частицы и поры. В процессе термообработки от 20 до 1400 °С в покрытии протекают сложные процессы физико-химического взаимодействия, приводя1Цие при повышенных температурах к образованию легкоплавкого стеклорасплава, тугоплавкость которого с повышением температуры самопроизвольно повышается за счет растворения в нем тугоплавких оксидов. В покрытии образуются новые кристаллические [c.109]

По Н. Н. Давиденкову, различают остаточные напряжения трех родов. В основе классификации лежит объем, в котором напряжения уравновешиваются. Напряжения I рода, возникающие в процессе изготовления детали, уравновешиваются в объеме всего тела или в объеме макрочастей. Напряжения II рода формируются вследствие фазовой деформации отдельных кристаллитов, зерен и уравновешиваются в объеме последних. При наличии развитой субзерен-ной структуры напря5кения будут локализоваться в объеме субзе-рен, которые могут иметь различное упругонапряженное состояние. Напряжения III рода уравновешиваются в микрообъемах кристаллической решетки. Причина их появления — упругие смещения атомов кристаллической решетки. Напряжения I рода часто называют тепловыми, напряжения II и III рода — фазовыми или структурными. В покрытиях обычно возникают напряжения всех родов, причем их величина колеблется в зависимости от метода напыления, толщины покрытия, природы напыляемого материала, предварительной подготовки поверхности напыления, технологического режима напыления, условий охлаждения и т. д. При нанесении покрытий возникают остаточные напряжения, которые могут иметь противоположные знаки, достигать весьма значительных величин, неравномерно распределяться в напыленном слое и основном металле. Наличие остаточных напряжений характерно для покрытий, нанесенных любыми способами. [c.185]

При питтинговой коррозии основное коррозионное разрушение локализуется на отдельных небольших участках металла (магний, алюминий, железо, никель, титан и др.) и протекает с большой скоростью, что может приводить к сквозной точечной коррозии металла. Питтинговая коррозия наблюдается, обычно, когда основной металл находится в пассивном состоянии. Ионы-активаторы (СГ, Вг , I") адсорбируются в основном на участках поверхности, где плеяка оксида несовершенна (металлические или неметаллические включения, искажающие или нарушающие кристаллическую структуру оксида) [22]. Анионы частично замещают кислород в оксиде и образуют хорошо растворимые поверхностные комплексные ионы. Пассивная пленка нарушается, и металл начинает непосредственно контактировать с раствором. Потенциал металла на этих участках имеет более отрицательное значение, чем потенциал основного металла, покрытого оксидной пленкой, что приводит к возникновению локальных токов. Если пассивная пленка не обладает большим омическим сопротивлением, то система заполяризовывается и на участках питтингооб-разования в основном протекает интенсивно анодный процесс, а катодный процесс восстановления окислителя идет на пассивной поверхности металла. При этом миграция анионов-активаторов идет в основном к участкам питтингообразования. [c.38]

Развитие микродеформации в поверхностных слоях, судя по степени искажения кристаллической решетки а-фазы и величине блоков мозаики, распространяется на меньшую глубину у образцов, имевших оловянное покрытие, двухслойное покрытие медью и оловом, а также композиционное покрытие медью и дисульфидмолибденом. Данные этого исследования имеют определенную связь с результатами испытания на машине трения и показывают, что накопление необратимых явлений в тонкой структуре поверхностного слоя влияет на интенсивность износа приработанных образцов. [c.166]

Исследованиями отмечено, что изменением литейной формы можно регулировать структурообразование поверхностного слоя металла отливки и получать заданные механические свойства. В зависимости от размерных параметров кристаллических решеток, электронной структуры и химической активности жидкого металла в условиях формирования отливки ее поверхностный слой насыщается кислородом, водородом, углеродом, азотом и другими элементами, содержащимися в облицовках и покрытиях форм. В результате протекания указанных процессов в поверхностном слое н на поверхности образуются новые структурные фазы, pesiio изменяющие природу и свойства отливок. Так, адсорбционные поверхностные плены могут играть роль пассив1[рующего элемента, когда отношение молекулярного [c.11]

Кроме волокон в качестве армирующего элемента используют также нитевидные кристаллы, получаемые осаждением из газовой фазы, выращиванием в электрическом поле, кристаллизацией из растворов. Волокна изготавливают с аморфной (стекловолокно, кремниевые волокна), композиционной (борные) и кристаллической (углеродные) структурой. Борные волокна получают осаждением бора на вольфрамовую проволоку (диаметром 22,5 мкм) в виде покрытия углеродные — карбонизацией и графитизацией полиакрилонитрильных (ПАН-В) или гидроцеллюлозых (вискозных Гц-6) волокон. Керамические волокна (MgO, AI2O3, ZrOj, TiO, Si , В С) получают из расплавов, осаждением из газовой фазы или методами порошковой металлургии. Металлические волокна (проволока) изготавливают механически, электрохимически или формованием из расплава с использованием фильер. [c.125]

Волокна карбида кремния и карбида бора производят в опытных количествах. Эти волокна получают путем химического осаждения паров на нагретую подложку из вольфрама или углерода способом очень близким к методу, который используется для получения волокон бора. Наиболее пригодной газовой смесью для получения волокон карбида кремния является смесь метилди-хлорсилана с водородом, а для получения волокон карбида бора— смесь металла с трихлоридом бора. Эти покрытия имеют кристаллическую структуру и поверхность волокна, чувствительную к истиранию. Кристаллические структуры В4С и Si лучше сопро- [c.40]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...