Кремний кристаллический

Аморфный кремний Кристаллический кремний [c.355]

Кремний кристаллический марки ГОСТ 2169 — 69 [c.102]

Кремний кристаллический (ГОСТ 2169—43) получают путем восстановительной плавки кварца или кварцита (табл. 46). Кремний [c.100]

Крахмал. ГОСТ 7699-68 ГОСТ 7697-66. Кремний кристаллический [Si]. ГОСТ 2169-69. [c.255]

ХИМИЧЕСКИЙ СОСТАВ КРЕМНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО, [c.388]

Марки и химический состав в кремния кристаллического [c.144]

КРЕМНИЙ КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ — ПО ГОСТ 2169-69 [c.400]

Кремний кристаллический. Технические условия. [c.815]

Шихтовые материалы, флюсы и их подготовка. В качестве исходных материалов применяют чистые металлы, первичные сплавы, отходы собственного производства, предварительные сплавы и лигатуры. Из. чистых первичных металлов применяют магний чушковой, алюминий чушковой, кремний кристаллический илй чушковой, силумины, цинк чушковой. [c.372]

Продукты плавки. Технический кремний, производимый в СССР, должен удовлетворять требованиям ГОСТ 2169— 43 (табл. 13) Кремний кристаллический . [c.82]

Ожидаемый химический состав Данные экспресс-анализа Обрезь алюминиевая. . Кремний кристаллический Лигатура (10% Mg). . Лигатура (8% Мп). . . Алюминий первичный А2 [c.158]

Кремний — кристаллический, ферросилиций. [c.224]

Кварцит (кроме динасового, флюсового для производства карбида кремния, кристаллического кремния и ферросплавов). [c.190]

Рассмотрим вещества, объединенные выражением ХУ. Окислы двухвалентных металлов, карбиды переходных металлов и силициды а-фазы имеют кубическую решетку такую же кристаллическую решетку имеет большинство нитридов. Что касается боридов, то у многих из них решетка кубическая или орторомбическая [39]. Карбид кремния обладает в основе плотной шаровой упаковкой. В зависимости от того, в одну или в раз- [c.74]

Донорные и акцепторные примеси. Свойства полупроводников сильно зависят от содержания примесей. Примеси бывают двух типов — донорные и акцепторные. Если, например, в кристалле кремния имеется примесь атомов мышьяка, то эти атомы замещают в узлах кристаллической решетки атомы кремния. Пятивалентный атом мышьяка вступает в ковалентные связи с четырьмя атомами кремния, а его пятый электрон оказывается незанятым в связях (рис. 155). [c.155]

К ковалентным кристаллам относят твердые тела, кристаллическая структура которых образована за счет ковалентной связи. Типичными представителями кристаллов с чисто ковалентной связью являются алмаз, кремний, германий, серое олово, которые построены по типу структуры алмаза (см. рис. 1.28). [c.75]

Из рис. 7.1 видно, что удельная электропроводность различных ве-ществ колеблется в очень широких пределах. Более того, одно и то же твердое тело в зависимости от содержания примесей или дефектов в нем может иметь различную проводимость. Так, например, удельная электропроводность кристаллического кремния изменяется от 10 до 10 Ом- -см-, а сг полупроводника dS заключена в интервале 10 — [c.209]

Излучение света твердыми телами, находящимися в возбужденном состоянии, обнаружено улсе давно. Так, в 1907 г. Раунд наблюдал испускание света карбидом кремния, обусловленное рекомбинацией электронов и дырок. Свечение в точке контакта металлического острия с кристаллом карбида кремния обнаружил советский физик О. В. Лосев (1923) при исследовании свойств кристаллических детекторов. [c.313]

Рис. 11.1. Кривые радиального распределения для аморфного (пунктирная линия) п кристаллического (сплошная линия) кремния

Аморфные твердые тела с тетраэдрическими связями, такие, как кремний, германий, соединения А В . Эти полупроводники в аморфном состоянии нельзя получить путем охлаждения расплава. Их получают, обычно, в виде тонких пленок с помощью различных методов осаждения (термическое испарение в вакууме, катодное напыление и т. д.). Их свойства в значительной степени подобны свойствам кристаллических аналогов. [c.360]

Влияние примесей на электрические свойства аморфных полупроводников. Долгое время считалось, что аморфные полупроводники в отличие от кристаллических нечувствительны к введению в них примесей. Попытки легирования их атомами, которые в кристаллических полупроводниках являются донорами или акцепторами, не приводили к успеху. Одно из объяснений такого поведения было дано Губановым и несколько позднее Моттом. Оно сводится к тому, что в аморфных веществах может осуществляться такая перестройка связей, что все валентные электроны примесного атома будут участвовать в связях. Так, например, в кристаллическом кремнии атом фосфора образует четыре ковалентные связи. Пятый валентный электрон примесного атома в образовании связей не участвует. Предполагается, что в аморфном кремнии (или германии) атом фосфора окружен пятью атомами кремния (рис. 11.10). Если это так, то в аморфных полупроводниках не должны образовываться примесные уровни. [c.364]

Рис. 11.10. Предполагаемое положение атома фосфора в кристаллическом (а) и аморфном (б) кремнии

Силитовые стержни изготовляются на основе карбида кремния, кристаллического кремния и углерода. Плотность силита составляет 3,2 Мг/м , температурный коэффициент линейного расширения силитовых стержней очень мал, удельное электрическое сопротивление может колебаться в значительных пределах, но для наиболее часто применяющихся нагревателей оно составляет 0,001—0,1 ОМ М. Силитовые нагреватели применяются в электрических печах различной мощности, рассчитанных на максимальные температуры до 1500°С. Кривая относительного изменения электрического сопротивления силитового стержня от температуры показана на рис. 8-25. Срок службы нагревателей в электрической печи может колебаться в пределах от сотен до тысяч часов. [c.260]

Кремний. Чистый кремний — крупнокристаллический порошок серого металлического цвета, хрупкий, твердый. Сверхчистый кремний (монокристалли-ческий) — полупроводниковый материал. Основное назначение кремния в машиностроении — легирование стали и сплавов цветных металлов. Для этой цепи применяется кремний кристаллический (ГОСТ 2169—69), получаемый путем восстановительной плавки кварца или кварцита (табл. 55). Кремний поставляется в кусках нерегламентиро-ванной формы размером не менее 20 мм. [c.181]

Физнко-химическиг свойства 3 — 304 Кремний кристаллический чушковый 6 — 8 Кремний окись—Упругость диссоциации [c.123]

Кремний. Несмотря на исключительное расдространение на земле, в свободном состоянии не встречается. Выделение его в чистом виде представляет сложную техническую задачу. Чистый Кремний — крупнокристаллический порошок серого металлического цвета, хрупкий, твердый. Сверхчистый кремний (монокристаллический) является полупроводниковым материалом. Основное назначение кремния в машиностроении — является легирование стали и сплавов цветных металлов. Для этой цели применяется кремний кристаллический ГОСТ 2169-43, получаемый путем восстановительной плавки кварца или кварцита (табл. 37). Кремний кристаллический марки Кр-0 предназначается для изготовления высококачественных специальных сплавов марки Кр-1 — силуминов и других сплавов марки Кр-2 — для подшихтовки при выплавке алюминиевых и других сплавов, не требующих особой чистоты кремния марки Кр-3 — для химикотермических процессов восстановления, для получения водорода, для пиротехнических и других целей. В кремнии, предназначенном для алюминиевокремниевых сплавов, допускается повышенное содержание алюминия против приведенных форм. Кремний поставляется в кусках разнообразной формы размером не менее 20 мм. Содержание мелочи не должно пре-вшпать 10% партии по весу. [c.143]

Полупроводниковые нагреватели. Некоторые полупроводниковые материалы, вследствие повышенного значения удельного электрического сопротивления и высокой нагревостойкости, используют в качестве нагревательных элементов высокотемпературных электрических печей. К таким материалам относятся, например, полупроводники типа силит , изготовляемые из карбида кремния, кристаллического кремния и углерода. На фиг. 165 показан монтаж силитового нагревателя в высокотемпературной печи. Плотность силита порядка 3,2 г/см , температурный коэффициент линейного расширения силитовых стержней очень мал, удельное электрическое сопротивление может колебаться в значительных пределах, но для наиболее часто применяющихся нагревателей оно лежит в диапазоне от 0,1 до 10 ом-см. Силитовые нагреватели могут применяться в электрических печах различных мощностей, рассчи- [c.313]

Силитовые стержни. Они изготовляются на основе карбида кремния, кристаллического кремния и углерода и обладают повышенным удельным сопротивлением и высокой нагревостойкостью их используют в качестве нагревательных элементов в высокотемпературных электрических печах. К таким материалам относятся, например, полупроводники типа силит. Плотность силита — порядка 3,2 г/сл температурный коэффициент линейного расширения силитовых стержней очень мал удельное электрическое сопротивление-может колебаться в значительных пределах, но для наиболее часто применяющихся нагревателей оно лежит в диапазоне от 0,1 до 10 ом -см. [c.357]

Большое распространение получили стержневые излучатели из силита — керамического материала на основе карбида кремния, кристаллического кремния и углерода, обладающего повышенным электросопротивлением в сочетании с термостойкостью. Варьированием процентного содержания составляющих можно изменять электросопротивление силита в значительных пределах (от 0,1 до 10 ож-сж). [c.192]

Кремний кристаллический вводят в литейные сплаЕ чистом виде или в виде промежуточного сплава — лигат Алюминиевокремниевые лигатуры изготавливают с соде нием кремния 20—25 или 50%- Иногда для введения крел используют силумин в чушках (см. табл. 7). [c.148]

Обрезь алюминиевая. . Кремний кристаллический Лнгзтура (10% М ). . Лигатура (8% Мп). . . Алюминий первичный А2 [c.158]

Песчанник (кроме битуминозного, динасового и для стекольной промьппленности, для производства карбида кремния, кристаллического кремния, ферросплавов и флюсов). [c.190]

В зависимости от примесей кремний приобретает электронную проводимость п или, наоборот, пропускает заряды с недостатком электронов, где места отсутствующих электронов условно называют дырками, то есть приобретает дырочную проводимость р. С целью получения локальных областей для элементов микросхемы формируют разделительные области р" -типа - области дырочной проводимости с повышенной концентрацией носителей. Создание элементов в полупроводниковом материале требует наличия р-и-переходов - границы между областями с электронной (и-типа) и дырочной (р-типа) проводимостью. На рис. 25.2 показана последовательность основных технологических операций изготовления ПИМС на биполярных транзисторах, получаемых по планарно-эпитаксиальной технологии (эпитаксия - процесс ориентированного наращивания атомов одного кристаллического вещества на другом). Изготовление ПИМС на биполярных транзисторах включает [c.539]

НОМ И кристаллическом кремнии практически одинаковы. Вторая координационная сфера в аморфном кремнии определена менее четко значение здесь существенно больше, чем в кристаллическом материале. Наиболее ярким отличием структуры аморфного кремния от кристаллическоглэ является полное исчезновение третьего координационного максимума кривой радиального распределения, присутствующего на соответствующей зависимости р(г) для кристалла. Другими словами, структура аморфного кремния характеризуется таким же ближним порядком, что и структура кристалла, однако область, где строгий ближний порядок сохраняется, ограничена лишь первой координационной сферой. Аналогичная ситуация имеет место и в других аморфных веществах. [c.354]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...