Полосы скольжения в кристалла

На фиг. 32 дана микрофотография стали, аустенитной структуры, где ясно видны полосы скольжения в отдельных зернах. На фиг. 33 схематически показано скольжения кристаллов, сопровождающееся поворотом. [c.48]

Известно, что монокристаллы обладают низким сопротивлением деформации. Это указывает, что основная часть подводимой энергии расходуется на образование линий и полос скольжения в результате выхода дислокаций. Особенно благоприятные условия складываются для беспрепятственного выхода дислокаций в кристаллах при развитии сдвига только по одной системе скольжения. Эго приводит к образованию при деформировании ГЦК- и ГП-металлов стадии так называемого легкого скольжения. На этой стадии почти отсутствует упрочнение, что указывает на очень малую долю генерируемых дислокаций, задерживающихся в кристалле при деформировании. Стадия деформационного упрочнения начинается в тот момент, когда активизируются другие системы скольжения (в результате задержки части дислокаций в пересеченных плоскостях скольжения). Взаимодействие дислокаций в разных системах скольжения обусловливает эффективное деформационное упрочнение. [c.29]

При достаточно больших силах пласти> / кие деформации в образце становятся преобладающими. Необратимые сдвиги происходят в большинстве кристаллов в их наиболее слабых плоскостях, особенно, если последние имеют направление, близкое к плоскостям максимальных касательных напряжений в образце. Это находит свое выражение в образовании полос скольжения. [c.60]

Сбросы на кристаллах железа получаются и при их растяжении в направлении [111], причем в момент появления прослойки сброса резко падает напряжение. Границы полос сброса примерно совпадают с плоскостью (111) угол поворота решетки в полосе сброса относительно основной части кристалла увеличивается с ростом деформации. Внутри полосы сброса появляются следы скольжения в плоскости (112). [c.150]

Множитель п в выражении (143) можно рассматривать как коэффициент концентрации, максимальное значение которого достигается на границе зерна. Величина концентрации напряжений уменьшается в зерне II с ростом г и может вызвать генерацию источника А (см. рис. 136) при напряжении срабатывания дислокационного источника Коэффициент концентрации в местах, где в кристалле заканчивается полоса скольжения, определен из теории упругости для случая, когда полоса скольжения рассматривается как свободно скользящая трещина, по нормали к которой напряжение равно нулю. По данным Б, Чалмерса, [c.240]

Результат скольжения проявляется в изменении размеров кристалла и в появлении полос скольжения на его поверхности. Полосой скольжения называется линия микроскопических размеров, являющаяся следом пересечения плоскостей скольжения со свободной поверхностью металла. [c.77]

На первом участке наблюдается облегченное скольжение, при котором упрочнение металла незначительно. Протяженность этого участка зависит от ориентировки кристалла относительно приложенного напряжения, температуры, скорости деформации и чистоты металла. С ростом степени деформации происходит переход к множественному скольжению, наблюдается движение дислокаций в пересекающихся плоскостях с образованием дополнительных препятствий и барьеров на пути движения дислокаций. Коэффициент упрочнения в начале II стадии (см. рис. 1) резко возрастает и достигает максимума (области линейного упрочнения). По мере повышения плотности дислокаций и роста числа их образований в металле интенсивно развивается ячеистая дислокационная структура в кристаллах наблюдаются короткие полосы скольжения и образования плоских скоплений дислокаций. [c.9]

У сплава MAR-M 200 установившаяся ползучесть при 760 °С начинается только после того, как на стадии первичной ползучести произойдет заметное деформационное упрочнение, сопровождающее пересечение полос деформации 111 <112>, и образуется субструктура. На поверхностях раздела зг - и г-фаз образуются дислокационные сетки, ограничивая среднюю длину свободного пробега скользящих дислокаций величиной порядка размера частицы. Благодаря этим сеткам снижается скорость возврата и, следовательно, скорость ползучести. Было обнаружено, что скольжение в направлениях <112> ответственно за перерезание (сдвиг) частиц. Согласно этому наблюдению для повышения сопротивления ползучести желательно, чтобы ориентировка кристалла [c.118]

В кубических кристаллах процесс деформации идет турбулентно скольжение связано с неоднородным поворотом решетки, изгибом, скольжением в пересекающихся плоскостях и т. д. Создается сильное упрочнение. В гексагональных кристаллах скольжение происходит в плоскости базиса деформация кристалла близка к ламинарному течению и не сопровождается сильным наклепом. Экспериментально показано, что в таких кристаллах число плоскостей скольжения не изменяется с напряжением и что расстояние между полосами больше, чем рас- [c.294]

Наиболее распространенным механизмом пластического деформирования является плавное движение одной плоскости атомов над другой, называемое обычно скольжением. В любой кристаллической решетке некоторые плоскости и направления более других предрасположены к возникновению в них скольжения, что приводит к появлению полос из тонких параллельных линий скольжения на поверхности кристалла при его пластическом деформировании. Плоскостями скольжения обычно являются наиболее плотно упакованные атомами плоскости кристаллической решетки, а направлениями — наиболее плотно упакованные атомами направления в ней >. Совокупность направления и плоскости скольжения называется системой скольжения. Образование линий и полос скольжения схематически показано на рис. 3.7. При значительном увеличении можно видеть, что линии скольжения образуются в результате относительного параллельного смещения плоскостей кристалла, находящихся друг от друга на расстоянии порядка 100 атомных диаметров. Размеры смещений, сопутствующих образованию линий скольжения, обычно имеют порядок 1000 атомных диаметров (см. рис. 3.7). [c.33]

Предполагается, что зародыши усталостных трещин, из которых впоследствии и образуются трещины, распространяющиеся зачастую до разрушения, возникают в результате движения дислокаций, приводящего к появлению тонких полос скольжения на поверхностях кристаллов. Напомним, возвращаясь к рис. 3.7, что приложение статического касательного напряжения приводит к появлению на поверхности кристалла уступов или ступенек скольжения высотой порядка 10 —10 = см. Эти полосы скольжения обычно считаются крупными полосами скольжения. При циклическом нагружении уступы обычно имеют высоту около 10 см, при этом наблюдаются тонкие полосы скольжения. Эти полосы в конечном счете оказываются именно теми местами, где зарождаются усталостные трещины. Усталостные полосы скольжения являются источниками возникновения на поверхностях кристаллов выступов и канавок [45], показанных схематично на рис. 7.3, в результате смены направления скольжения при смене знака нагрузки. [c.170]

В результате трансляции атомных слоев по плоскостям скольжения при пластической деформации на поверхности кристалла появляются ступеньки, которые на шлифах видны как линии скольжения или полосы скольжения обычно при микроскопическом изучении структуры деформированных металлов их называют следами скольжения. [c.21]

Анализ обширной литературы по особенностям дислокационного поведения и упрочнения поверхностей позволил В. П. Алехину сделать вывод, что о большей или меньшей прочности приповерхностного слоя по сравнению с объемом материала следует говорить, лишь учитывая конкретные условия деформации, ее абсолютное значение и скорость, тип среды и предысторию нагружения материала. На начальном этапе деформации поверхности определяющим является облегченное образование и движение дислокаций. Неизбежное следствие первой стадии — барьерный эффект поверхности, когда вблизи поверхности создается слой с повышенной плотностью дислокаций, препятствующий выходу на поверхность полос скольжения и тормозящий развитие объемной деформации. Закрепленная вблизи поверхности дислокация позволяет другим дислокациям более близкое по отношению к себе прохождение, чем в объеме кристалла, и таким образом для упрочнения приповерхностных слоев необходима большая плотность дислокаций. [c.15]

Fragmentation — Фрагментация. Разбиение зерна на маленькие, дискретные кристаллы, выделенные сетью пересекающихся полос скольжения в результате холодной обработки. Эти маленькие кристаллы или фрагменты отличаются по ориентации и имеют тенденцию поворачиваться к устойчивой ориентации, определенной системами скольжения. [c.965]

Такамура и Миура [20] наблюдали полосы скольжения в закаленном алюминии с помощью электронного микроскопа (методика реплик) и нашли, что в каждой грубой полосе наблюдаются скопления очень тонких следов скольжения (но не таких, как в а-лату-ни). Они предположили, что структура полос скольжения в закаленном алюминии подобна структуре, найденной в алюминиевых кристаллах, поверхность которых предварительно подвергалась механической обработке. Обычное поперечное скольжение не наблюдалось, но и развитие деформационных полос было подавлена. Чтобы объяснить этот результат, Такамура и Миура предложили несколько механизмов, учитывающих поверхностные повреждения за счет закалочных напряжений. [c.225]

Одна нз трудностей, возникающих при изучении полос скольжения в закаленных металлах, состоит в том, что при этом необходимы большие кристаллы, а следовательно, нельзя избел ать влияния закалочных напряжений. [c.225]

Межзеревные границы под малыми углами такого типа, который показан на рис. 64, тесно связаны с процессом лолиго-низации. Когда металл подвергается пластической дефо рмации при низких температурах, в каждом. кристалле деформация происходит путем скольжения вдоль одного или большего числа семейств плоскостей скольжения, и на. полированной поверхности появляются полосы скольжения. В соответств1ИИ с условиями деформации исходные кристаллы могут разбиваться на маленькие блоки или же произойдет изгибание решетки. В течение этого процесса дислокации могут скапливаться на границах зерен или каких-либо препятствиях (см. рис. 59, а) и при очень большой деформации металл содержит диффузную сетку дислокаций, подоб-ную изображенной на рис. 65. Каждое зерно кристалла напряжено, деформировано и частично разрушено, и резкие пятна на рентгенограммах, характерные для недеформи-рованных кристаллов, заменяются диффузными пятнами, которые могут быть удлинены в определенных направлениях (астеризм). Когда такой напряженный металл отжигают при вы.со- [c.99]

При традиционном описании процесса пластической деформации исходят из того, что существующие в кристаллах системы скольжения позволяют обеспечить его формирование без разрушения сплошности. В.Е. Паниным и др. [11] было доказано, что пластическое течение происходит одновременно на нескольких уровнях, причем трансляция на одном уровне обязательно сопровождается поворотом на более высоком уровне, и наоборот. Принципиально важным в этом подходе является то, что любое нарушение структуры кристалла при подводе к нему внешней энергии рассматривается с позиции самоорганизации локальных структур, обусловленной энтропийными эффектами. Вторичные структуры, формирующиеся в деформируемом кристалле при достижении необходимого уровня возбуждения, представляют совокупность локальных структур - от дефектов типа точечных или линейных до аморфного состояния, возникающего при высокой плотности дефектов. Таким образом, при анализе пластической деформации кристаллов необходимо учитывать кооперативное взаимодействие трансляции, ответственной за изменение формы (дисторсии), и ротации, ответственной за изменение объема (дилатации). При этом важную роль в распространении скольжения играют границы зерен. Эволюция скольжения включает образование полос скольжения на начальных этапах пластической деформации, которые потом трансформируются в полосы микроскопического сдвига, что приводит к возникновению зоны локализованной макропластической деформации, проходящей через весь объем. Переход от одного масштабного уровня (микрополосы) к другому (макротюлосы) являет собой неустойчивость пластической деформации, предопределяющую шейко-образование. Он характеризуется тем, что шменяются элементарные носители деформации - дислокации сменяются дисклинациями. Дисклинации являются более энергоемкими дефектами, чем дислокации, что позволяет системе про- [c.241]

РОТАЦИОННОЕ СКОЛЬЖЕНИЕ. В отличие от полос сброса, связанных с искривлением действующих плоскостей скольжения, наблюдается незакономерный поворот кристаллической решетки с образованием полос, в которых происходило скольжение по системе плоскостей, отличной от системы, по которой осуществлялось скольжение в остальных частях кристалла. Эти полосы названы Р. Хо-никомбом полосами со вторичными сдвигами или полосами вторичного скольжения. Ось поворота решетки в полосе вторичного скольжения перпендикулярна действующим плоскостям скольжения. Таким образом, возникновение полос со вторичными сдвигами (со вторичным скольжением) связано со скольжением по вторичной системе плоскостей скольжений, сопровождающимся поворотом (ротацией) плоскостей скольжения вокруг нормали к этим плоскостям. X. Вилман назвал этот механизм пластической деформации ротаци- [c.152]

Рис. 111, Электронная микрофотография (реплика) линий скольжения на стадии / деформации кристалла меди (а), полосы сброса в монокристалле алюминия (б) и дислокационные диполи в магннн на стадии легкого скольжения (в)

Подобный способ травления, примененный для сплава, содержащего 12,8% Мп и 0,46% С (термообработка нагрев 1250° С, 12 ч, аргон + закалка + нагрев, 640° С, 150 ч + закалка), позволил выявить серые аустенитные кристаллы с четкими полосами скольжения при этом феррит выглядит светлым, а карбиды темными. При травлении пикратом натрия темнеет только карбид. После одновременного травления реактивом 4 и раствором, в котором вместо пикриновой кислоты применялся паранитрофенол, Глузанов и Петак [9] в белом чугуне с 4% Мп наблюдали в первичных иглах цементита среднюю зону с измененной окраской, в то время как подобный тип цементита в чугуне с 14% Мп выглядит гомогенным. Авторы считают, что сложный железомарганцевый карбид в точке превращения (точка Кюри) цементита распадается на две фазы, так как а-карбид железа может содержать в твердом растворе лишь небольшое количество марганца. Цементит в марганцовистом чугуне с 14% Мп остается гомогенным, поскольку уже при 8% Мп точка превращения расположена при 0° С и с ростом концентрации марганца температура точки превращения снижается. [c.111]

Считают, что по мере нагружения одна часть кристалла целиком сдвигается относительно другой в направлении линии скольжения. Расстояние между полосами скольжения лежит в пределах 10" — 10" см. Направление скольжения практически всегда совпадает с направлением вектора решетки в плотно упакованной плоскости. Оно начинается в каком-то одном месте тогда, когда касательные напряжения в плоскости скольжения достигают определенной величины, и постепенно распространяется на остальную часть плоскости. При этом нормальная к плоскости скольжения составляющая напряжения оказывает незначительное влияние на начало скольжения. Величина критического касательного напряжения зависит от чистоты металла, температуры и скорости деформирования. По мере нагружения кристаллиты разбиваются на фрагменты размером около 10 см, а те в свою очередь образуют блоки на два порядка меньше. В процессе разбиения возникают напряжения второго рода, связанные с искажением в решетке. Они соответствуют прочности материала в микрообъеме и пропорциональны пределу текучести. Около микродефектов вследствие локальных упругих напряжений кристал.таческой решеткч возникают значительные по величине ультрамикронапряжения (искажения третьего рода). Внутренние остаточные напряжения сосредоточивают часть остаточной энергии пластического деформиро- [c.126]

Устойчивые полосы скольжения (УПС) являются характерным признаком циклической деформации большинства металлов и сплавов. Дислокационная структура УПС отличается от структуры окружающей матрицы [1—3]. Пересечение УПС с поверхностью кристалла образует грубый рельеф [4]. Известно, что группы УПС (макрополосы) в монокристаллах с ГЦК решеткой средней ориентации распространяются по целому сечению образца параллельно первичной плоскости скольжения [4—7] (рис. 1) Это значит, что для доли объема УПС и матрицы пластической амплитуды деформации e p или е р можно записать в виде [c.158]

В работах [1, 2 и др.], в которых исследована дислокационная структура монокристаллов ГЦК металлов, подвергнутых усталостному нагружению, локализация деформации и зарождение микротрещин наблюдаются в образованиях, называедгых устойчивыми полосами скольжения (PSB). PSB образуются в приповерхностных слоях и могут распространяться в глубь кристалла. Изучение структуры PSB показало, что она неодинакова в разных сечениях ближе к поверхности преобладает ячеистая структура, имеющая определенную направленность в сечениях, параллельных плоскостям 111 [6]. При увеличении степени пластической деформации PSB становятся местами зарождения усталостных дшкротрещин. [c.163]

В процессе коррозци металлов и сплавов, являющемся процессом гете генш>1М, скорость коррозии существенно зависит также от состояния пове )хности. В большинстве случаев явление коррозии, как и явление адсорбции, локализуется на отдельных, наиболее ак1 внь1х центрах твердой поверхности металла. Наиболее активные центры коррозии - поверхностные грани кристаллов, вышедшие на поверхность деформационные дефекта (линии и полосы скольжения), а также окрестности неметаллических включений в металл. [c.15]

В кристаллах со сложной структурой зарождение трещин связывают с образованием уступов на дислокационных стенках. В данном случае скольжение и скол происходят в одной и той же плоскости (рис. 1.12, в). Полоса скольжения пересекает границу наклона, смещая таким образом ее края возникающее при этом прерывистое смещение в результате изменения направления скольжения вызывает образование трещины на плоскости скольжения. Такие трещины наблюдались на цинке. Теория этого процесса разработана Фриделем [96], Стро [121] и Иденбомом [28]. [c.39]

Местные искажения кристаллической решетки в зонах дислокаций приводят к возникновению локальных самоуравновешенных полей усилий в межатомных связях с накоплением соответствующей потенциальной энергии. При достаточном сближении двух или более дислокаций, скользящих в пересекающихся плоскостях, зоны местных искажений кристаллической решетки и соответствующих местных усилий перекрываются, причем, если в результате этого перекрытия общая потенциальная энергия возрастает, то возникают силы отталкивания, препятствующие сближению дислокаций, что создает сопротивление их скольжению и ведет к упрочнению материала. Если же общая потенциальная энергия в результате объединения дислокаций убывает, то возникают силы притяжения, и такие разнозначные дислокации частично или полностью друг друга нейтрализуют. В реальных кристаллах плоскости скольжения множества дислокаций распределяются неравномерно, группируясь в пачки, которые образуют так называемые полосы скольжения , являющиеся зонами интенсивных макроскопических деформаций сдвига. Между этими полосами остаются слои материала, не испытывающего пластических сдвигов. [c.8]

II. Проявление второй стадии (барьерный эффект поверхности) можно рассматривать как неизбежное следствие первой стадии аномального пластического течения, т. е. следствие того, что все стадии деформационного упрочнения на кривой напряжение — деформация у поверхности как бы сдвинуты по фазе . Они опережают по времени аналогичные стадии объемной деформации и протекают у поверхности быстрее. В результате этого вблизи поверхности образуется слой с повышенной плотностью дислокаций, так называемый барьерный debris-слой [13, 14], который препятствует выходу полос скольжения на поверхность кристалла и тормозит развитие объемной деформации. Таким образом, в данном [c.40]

Рис, 9. Дислокации в кристалле КС1, выявленные методом траи-ления дислокационное скопление в полосе скольжения перс- ejoeT границу блоков (нак.тонпый ряд пмотг травления). [c.638]

Вид кривых деформации для усов различных ориентаций и при различных температурах различен. Ниже 1100—1300° С усы всех ориентаций разрушались хрупко. На рис. 163 показана диаграмма деформации нитевидного кристалла типа С (см. рис. 159) диаметром 5 мкм, испытанного при 1200° С. Диаграм-ма типична для хрупкого разрушения. Выше 1100—1300° С разрушение пластичное. На рис. 164 показана диаграмма деформации пластинки типа А (см. рис. 159) при растяжении при температуре 1600° С. Здесь видны зуб текучести и область легкого скольжения, соответствующая прохождению двух полос сдвига через кристалл. Следует отметить, что пластичное разрушение наблюдается только на усах типа Ау и Ла (см. рис. 159), так как только в них могут работать две системы скольжения сапфира — базисная и призматическая. В кристаллах С базисная плоскость перпендикулярна к оси действия нагрузки, поэто- [c.359]

К основным элементам полосовой субструктуры относятся 1) системы параллельных субграниц 2) оборванные субграницы 3) петлеобразные конфигурации дисклинационного типа 4) непрерывно распределенные дислокации одного знака [155]. Внутри микрополосы между субграницами распределены избыточные дислокации, которые создают изгиб, кручение или более сложную деформацию. Образование полосовой субструктуры происходит вследствие [155] 1) перерастания системы полос скольжения от границ зерен поликристаллов 2) зарождения и развития петлеобразных субграниц дисклинационного типа в монокристаллах 3) вытягивания ячеек в одном направлении и появления разориентировок в ячеистой субструктуре. При наличии в деформируемом кристалле разориентировок скалярное описание дислокационной субструктуры оказывается недостаточным, в связи с чем вводятся такие параметры, как избыточная (тензорная) плотность дислокаций р , плотность субграниц, азимутальная и радиальная разориентировка, кривизна-кручение решетки к. Локальная избыточная плотность дислокаций определяется при чисто пластическом изгибе ф по его градиенту d(p/dl следующим образом [139] [c.96]

На рис. 6.1 показаны микроструктуры чистого алюминия при низкоскоростном однонаправленном растяжении, полученные с помощью оптического микроскопа, а также рентгенограммы соответствующих образцов. При 20 °С в различных кристаллах образуются тонкие полосы скольжения, рентгенограмма имеет вид сплошных колец. В отличие от этого при 200 С полосы скольжения становятся шире, располагаются полосы разбросанно, кольца на рентгенограмме состоят из дискретных точек. При повышении температуры до 350 °С полосы скольжения не наблюдаются. Вместо них в кристаллах образуются ячейки или субзерна, при этом наблюдаются дифракционные кольца, состоящие из отдельных пятен, Следовательно, при высокой температуре деформация связана [c.195]

Общие вопросы усталостного разрушения. Стали и сплавы представляют собой конгломерат кристаллов, кристаллических зерен, имеющих, как правило, случайную ориентацию кристаллографических осей. В зернах, неблагоприятно ориентированных относительно статически приложенной силы, уже при очень малой ее величине происходит пластическое деформирование, структурно обнаруживаемое в виде полос скольжения, и возникают остаточные напряжения 3-го рода. Дальнейшее нагружение и развитие пластического деформирования, сводящегося к сдвиговым процессам (скольжение и двой-никование), дроблению зерен, относительному их перемещению и изменению дислокационной структуры, сопровождается возникновением остаточных напряжений 2-го, а в зависимости от напряженного состояния — и 1-го рода, иногда выпадением карбидов, упрочнением материала, переходящим на некотором уровне деформации в разупрочнение, Плоскости, по которым происходит скольжение, упрочняются, сопротивление деформированию возрастает, и с ростом нагрузки скольжение протекает по новым кристаллографическим направлениям. Разупрочнение начинается с появлением широких полос скольжения, и возникающие при этом субмикроскопические трещины развиваются на стадии, близкой к разрушению, в микро-, а затем в макротрещины. [c.244]

Исследование [191] показало сосредоточение диффузионно внедрившейся меди вдоль дислокаций деформированных кристаллов кремния это объясняется образованием вдоль дислокаций локальных энер-1-етических уровней, которые значительно выше, чем энергетические уровни кристалла с правильной решеткой, в связи с чем для диффузии необходима меньшая энергия активации. Наши исследования 149] по наводороживанию стали в процессе ее деформации также показали увеличение скорости наводороживания в зонах полос скольжения. [c.32]

В [156] образование более прочного поверхностного слоя также объяснялось предпочтительным действием дислокационных источников в поверхностном слое. Однако эта точка зрения не является обпдепринятой. Анализируя геометрические картины и форму полос скольжения на поверхности кристалла, Крамер [138] выдвинул другую модель более раннего поверхностного упрочнения, согласно которой образование приповерхностного слоя с повышенной плотностью дислокаций обеспечивается действием внутренних источников дислокаций. При этом дислокации, выпущенные внут-18 [c.18]

По-видимому, именно ростовые включения подобного типа и служили гетерогенными источниками образования дислокаций, в Si, подвергнутом гидростатическому давлению в 10и20кбар [603]. В связи с этим возникает вопрос, почему в обычных условиях низкотемпературной деформации полупроводниковых кристаллов мы не наблюдаем заметного действия гетерогенных источников дислокаций, проявляющегося в виде полос скольжения. [c.202]

Si , кластеров из точечных дефектов — вакансионных и межузельных), и только лишь в совокупности с приложением очень высоких внешних напряжений порядка 100-200 кгс/мм [603] и даже еще более высоких (а 400-600 кгс/мм [60.5, 606] появляются заметные полосы скольжения от указанного типа гетерогенных источников. Последнее, по-видимому, свидетельствует о том, что само напичие гетерогенных источников дислокаций и реализация вблизи них напряжений, близких к теоретической прочности кристалла, еще Не является достаточным условием для распространения дислокаций на заметные макроскопические расстояния (оно является достаточным условием лишь для зарождения первичной дислокационной петли), поскольку напряжения вблизи таких включений резко убывают по кубическому закону а (1/г У, согласно уравнениям (7.2) [c.202]

Располагая теперь некоторыми сведениями о свойствах монокристаллов, мы можем лучше понять и результаты испытаний поликристаллических образцов обычного типа. Юинг и Розен-хайн ) поставили весьма интересные опыты на растяжение образцов из полированного железа. Микроскопическое исследование поверхности металла обнаружило, что даже при сравнительно низких растягивающих нагрузках на поверхности некоторых зерен появляются полосы скольжения . Эти полосы свидетельствуют о том, что по определенным кристаллографическим плоскостям в этих зернах происходит скольжение. Поскольку упругие свойства в отдельном кристалле могут резко отличаться в разных направлениях и поскольку отдельные кристаллы размещаются в общей массе беспорядочно, постольку напряжения в растягиваемом поликристаллическом образце распределяются неравномерно, и скольжение может произойти в отдельных наиболее неблагоприятно ориентированных кристаллах прежде, чем среднее растягивающее напряжение достигнет значения предела текучести. Если такой образец разгрузить, то кристаллы, подвергшиеся скольжению, не смогут вернуться полностью к своей первоначальной форме, в результате чего в разгруженном образце останутся некоторые остаточные напряжения. Некоторое последействие в образце может быть приписано именно этим остаточным напряжениям. Пластическая деформация отдельных кристаллов содействует также потерям энергии при последовательных загружениях и разгрузках и увеличивает площадь гистерезисной петли, о которой шла речь на стр. 426. Если этот уже испытанный образец подвергнуть растяжению вторично, то зерна, в которых имело место скольжение, не будут пластически деформироваться, пока растягивающая нагрузка не достигнет значения, отмеченного при первом загружении. Лишь когда вторичная загрузка превысит это значение, вновь начнется скольжение. Если образец после предварительного растяжения подвергнуть сжатию, то сжимающие напряжения в сочетании с остаточными напряжениями (возникшими при предварительном растяжении) повлекут за собой текучесть в наиболее неблагоприятно ориентированных кристаллах, прежде чем среднее сжимающее напряжение достигнет того значения, при котором в первоначальном состоянии образца в нем возникают полосы скольжения. Поэтому цикл испытания на растяжение повышает предел упругости при растяжении, но при этом [c.436]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...