Кристаллы гексагональные

V 2. Определить закон дисперсии упругих волн в кристалле гексагональной системы. [c.133]

Найти матрицы коэффициентов Ср и Spq для кристаллов гексагональной и тетрагональной систем, для класса 4/т, 422, 622. [c.207]

ДЕФОРМАЦИЯ КРИСТАЛЛОВ ГЕКСАГОНАЛЬНЫХ МЕТАЛЛОВ [c.201]

Рассмотрим неограниченное полупространство z О из пьезоэлектрического материала. Прямолинейный разрез расположен в плоскости изотропии 2 = 0 поперечно-изотропной среды (текстуры класса кристаллы гексагональной сингонии клас- [c.388]

Трансверсально-изотропный материал в отношении упругих свойств идентичен (см. гл. 1) кристаллам гексагональной сингонии. Сопоставление же предпоследней матрицы в (1.13) с третьей, которая отвечает ортотропно-му материалу, показывает с учетом (1.12), что трансверсально-изотропный материал можно рассматривать как частный случай ортотропнОго при [c.51]

Система кристаллов Гексагональная Кубическая (стабилизированная) Кубическая [c.669]

Для кристаллов гексагональной сингонии (рис. 16.1) [c.261]

Общая характеристика. Кристаллы гексагональные или ромбоэдрические с вертикальной штриховкой двойники прорастания по 0001 или 1011. Ясная призматическая спайность отдельность по 0001. Тв.=4.5. Уд. в.=2.04—2,17. 11л.=3 со вспучиванием. Разлагается НС1. [c.557]

Для кристаллов гексагональной системы используются четыре оси. Три оси а, Ь, и составляют между собой угол 120° (60°) и перпендикулярны шестерным ( тройным ) осям. Четвертая ось с совпадает с шестерной ( тройной ) осью. Такая система координат называется установкой Браве . Кроме того, для кристаллов ромбоэдрической системы иногда используется установка Миллера тройка ребер ромбоэдра (между которыми заключена тройная ось) определяет оси а, Ь, с. [c.16]

На рис. 145 показано изменение свободной энергии в зависимости от радиуса кристаллов хрома для кубической и гексагональной решеток. Если радиус кристалла очень мал, то кристалл с гексагональной решеткой имеет меньшую свободную энергию, и следовательно, более устойчив, чем кристалл кубической решетки. С увеличением размеров кристалла картина меняется, и более устойчивым становится кристалл с кубической решеткой. Таким образом, по мере роста кристаллов гексагональная форма переходит в кубическую, что сопровождается изменением объема осадка, вызывающим возникновение внутренних напряжений. [c.308]

Небольшое количество примесей окислов железа, алюминия, щелочных земель, графита и др., содержащихся в кристаллическом карборунде (кристаллы гексагональной системы), удаляют промывной водой и разбавленной серной кислотой. Аморфный карборунд, состоящий из смеси тончайших кристалликов карбида кремния и аморфной фазы, вновь загружают в печь, заменяя часть шихты. [c.361]

Далее, рассмотрим случай одноосной магнитной анизотропии кристалла гексагональной системы типа кобальта. В этом случае имеем (рис. 3-5-3) [c.190]

Рис. 64. Схемы рентгенограмм кристаллов гексагональной системы

При индицировании рентгенограмм кристаллов гексагональной системы можно также применять метод разностей. Зависимость между sin fl и индексами для случая гексагональной структуры имеет вид [c.274]

Рис- 71. График Шварца и Сумма для индицирования рентгенограмм кристаллов гексагональной системы. [c.280]

Исландский шпат представляет собой разновидность углекислого кальция (СаСОо), кристаллизующуюся в виде кристаллов гексагональной системы. Он обладает чрезвычайно ярко выраженным двойным лучепреломлением. Так как кристаллы исландского шпата встречаются в природе в виде довольно больших и оптически чистых образцов, то неудивительно, что именно на этом объекте было впервые наблюдено явление двойного лучепреломления и открыта свя- [c.380]

Наиболее изученные полупроводники кристаллизуются в рещетках типа сфалерита или вюрцита и имеют прямую зонную структуру (экстремумы зоны проводимости и валентной расположены в точке к = 0). Кристаллы кубической структуры (сфалерит) изотропны одна из подзон их валентной зоны отщеплена за счет спин-орбитального взаимодействия As (см. рис. 22.97). Кристаллы гексагональной структуры (вюрцит) слабо анизотропны (этой анизотропией часто пренебрегают) наличие дополнительного взаимодействия Асг (кристаллическое поле некубического кристалла) приводит к расщеплению валентной зоны на три подзоны (см. рис. 22.98). Экспериментально определяемые оптическими методами расщепления i и связаны с Aso и Асг соотнощениями [138] [c.480]

Рассмотрим статическую задачу электроупругости для бесконечно длинного цилиндра радиуса а (рис. 64) с электродным покрытием на участке г = а, —0о 0 0о [41]. Материалом цилиндра является трансверсально изотропная среда типа кристалла гексагональной системы или поляризованная пьезокера- [c.532]

Для кристаллов гексагональных металлов отношение ja отличается от с/а= 1,633 для идеальной плотноупа-кованной решетки это отношение влияет на относительную плотность упаковки различных плоскостей и, следовательно, на характеристики скольжения при пластической деформации (табл. 10). [c.201]

Деформац. двойникование часто встречается у кристаллов средней и низшей категорий симметрии, имеющих сложные многоатомные элементарные ячейки, выраженную ковалентную составляющую межатомной связи. Наблюдается оно и у металлов, В металлах с гексагональной плотноупакованяой решёткой (Геке. ПУ) деформац. двойникование связано с ограниченностью набора действующих систем скольжения. Во мн. кристаллах гексагональной сингонии при низких темп-рах векторы Бюргерса дислокаций лежат в плоскости базиса, Такие дислокации не в состоянии осуществить сдвиг материала в направлении, перпендикулярном плоскости базиса. Если же он геометрически необходим, то произвести его может лишь независимая мода деформации, к-рой и является двойникование. Даже в пластичных металлах с Геке. ПУ решёткой, таких, как а — Т(, двойникование наблюдается на самых ранних этапах пластич. деформации (рис. 5). [c.633]

Описанная процедура нахождения ориентировки кристалла универсальна она пригодна и для работы с кристаллами гексагональной синтонии, если для обозначения направлений и плоскостей использовать системы с тремя индексами. [c.55]

В кристаллах гексагональной сингопии (Гл) узлы располагаются в вершинах правильных шестигранных призм и центрах их оснований. [c.26]

После образования жидких зародышей на подложке при температуре несколько ниже точки кристаллизации жидкая пленка может находиться некоторое время в переохлажденном состоянии. Возникновение зародышей кристаллизации в переохлажденной пленке обусловлено временем ожидания появления первого центра. Вероятность его зарождения связана с величиной переохлаждения жидкой пленки и со степенью эпитаксиальности кристаллической подложки с исследуемым веществом. Механизм образования кристаллических зародышей на подложке можно установить по форме кристаллов в пленке. При кристаллизации цинка из газовой фазы в пленках возникают кристаллы гексагональной формы, что свидетельствует об осуществлении механизма пар-жристалл. В пленках серы частицы имеют округлую форму. Это означает, что образование зародышей происходило по механизму пар->-жидкость- кристалл. Методом напыления обнаружены в одном образце зародыши, образованные по обоим механизмам пар->крис- [c.130]

Из соотношений (17.4), (17.6) и матрицы гексагональной син-гонии усматривается, что в последней уцелели лишь модули, инвариантные относительно произвольного поворота вокруг 3-й оси. Поэтому текстура с осью поворота бесконечного порядка (оо) в отношении упругих свойств ведет себя как кристаллы гексагональной сингонии. [c.294]

Кристаллические решетки из атомов одного типа. Пьезоэлектрические свойства обнаружены в гексагональных кристаллах селена и теллура [19]. Эти кристаллы обладают также сильной оптической нелинейностью в ИК-диапазоие, которая сочетается с высокими оптической активностью и акустооптической эффективностью. Ограничивающими характеристиками являются плохие теплофизические свойства и интенсивное поглощение на несобственных носителях. Ожидается проявление пьезо-, пироэлектрических свойств в кристаллах гексагональной модификации алмаза-лонсдэйлита [22], [c.38]

Наиболее изученные полупроводники кристаллизу ются в решетках типа сфалерита (TJ) илн вюрцита ( gj,) и имеют прямую зонную структуру (экстремумы зоны проводимости и валентной зоны расположены в точке k = 0). Кристаллы кубической структуры (сфалерит) изотропны одна из подзон их валентной зоны отщеплена за счет спни-орбитального взаимодействия Дко (рис. 21.40). Кристаллы гексагональной структуры (вюрцит) [c.369]

Гексагональная и тригональная системы. Для кристаллов гексагональной и тригональной симметрии обычно выбираются четыре кристаллографические оси ось с Z, совмещаемая с осью наибольшей симметрии С , С или С ", и осп o (а , и йз) в трех симметричных направлениях, лежащих в плоскости, перпендикулярной главной оси (рис. 70, б). Этиьн направлениями могут быть либо осп второго порядка, либо нормали к трем плоскостям симметрии, либо прямые, параллельные возможным ребрам кристалла. Ось X прямоугольной системы координат совмещается с осью ui, а ось У выбирается таким образом, чтобы она была перпендикулярна X и Z и образовывала правостороннюю систему. [c.252]

Общая характеристика. Полностью образованные кристаллы редки. Часто в скелетных кристаллах гексагональной симметрии ( . Обычно базальные таблички или зериистые массы. Плоскости скольжения по базису, образующиеся в результате давления. Тв=1,5. Уд. в. =0,918. При О С плавится в воду, светопреломление которой N=1,333. [Вариации светопрепомл ения в зависимости от температуры и длины волны см. у Перса ]. [c.61]

С. Фосфатная пленка с последующим промасливанием при ускоренных испытаниях оказалась более устойчивой, чем сталь, покрытая смазкой. Пленка не ухудшает свариваемости стали и снижает коэффициент трения в 2—4 раза, по сравнению со сталью незащищенной или имеющей цинкфосфатную пленку [6]. Свинцовофосфатная пленка состоит из кристаллов, гексагональной системы размером 10 мкм, а цинкфосфатные содержат кристаллы величиной 25 мкм [7]. [c.241]

Способность поликристаллических металлов к значительным пластическ1ш деформациям выражена обычно тем слабее, чем большей пластичностью обладают отдельные зерна. Это объясняется тем, что максимальная пластичность свойственна такш металлическим монокристаллам, которые имеют единственную плоскость скольжения, как например монокристаллы гексагональной системы (цинк, кадмий). Увеличение числа возможных плоскостей скольжения ведет к снижению пластичности и возрастанию прочности (монокристаллы кубической системы). Но наличие одной единственной системы скольжения, как в кристаллах гексагональной структуры, приводит к повышению хрупкости поликристаллических металлов в [c.57]

Исландский шпат СаО СО g (водянопрозрачная разновидность углекислого кальция, или кальцит) — одноосный отрицательный кристалл гексагональной кристаллографической системы. В природе встречается в кусках длиной до нескольких сантиметров. При раскалывании разделяется по плоскостям спайности на кристаллы правильной, ограненной формы, достаточно прочен, гигроскопичность незначительна. Широко используется в поляризационных приборах. [c.184]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...