Дифракция в совершенный кристалл

Наконец, отметим, что при дифракции на совершенном кристалле падающая плоская волна вызывает одну дифрагированную плоскую волну. Их направления в симметричном случае Брэгга подчиняются закону зеркального отражения, что позволяет применять для рентгенооптических схем с такими кристаллами соотношения геометрической оптики. [c.307]

Интерпретация изображения дефектов обычно включает использование колонкового приближения (см. фиг. 10.7). Если плоскость, в которой находится дефект, пересекает образец из тонкой фольги, то можно рассмотреть дифракцию в совершенной области кристалла над дефектом, трансляцию решетки на вектор смещения 5 в точке, где расположен дефект, который аппроксимируется сдвигом, [c.401]

Проходя через кристалл, тепловые нейтроны подобно рентгеновским лучам претерпевают дифракционное рассеяние. Это рассеяние проявляется в том, что при попадании пучка нейтронов в кристалл возникают новые пучки, идущие в направлениях, отличающихся от первоначального. Возможные направления этих дифрагированных пучков рассчитываются для нейтронов совершенно так же, как и для рентгеновских лучей. Упрощенный, но, как показывает более точное рассмотрение, в общем правильный механизм явления дифракции таков. На кристалл падает плоская нейтронная волна. Ядра, расположенные в определенной кристаллической плоскости, отражают эту волну. Параллельных кристаллических плоскостей очень много. Волны, отраженные в каждой из [c.551]

Расчеты и эксперименты показывают, что в диапазоне длин волн свыше 1 нм совершенные кристаллы обладают лучшими рентгенооптическими параметрами по сравнению с мозаичными. Дифракция Б них описывается динамической теорией в поглощающих кристаллах. Их коэффициент отражения в целом падает, а ширина дифракционного профиля растет с длиной волны, однако не превышает нескольких угловых минут. [c.313]

Большую часть точечных дифракционных картин, получаемых от несовершенных, изогнутых или мозаичных кристаллов, следует рассматривать как сумму динамических дифракционных картин от отдельных почти совершенных кристаллов. В некоторых случаях, когда перекрываются непараллельные кристаллы, будут существовать эффекты двойной дифракции, при которой дифракционный пучок от первого кристалла действует как первичный пучок для второго кристалла положения возникающих при этом дифракционных пятен определяются суммами действующих векторов дифракции для отдельных кристаллов. Когда не существует простого соотношения между ориентациями двух кристаллов, направления дважды дифрагировавших пучков таковы, что никакие когерентные взаимодействия с однократно рассеянными пучками не возникают. Этот случай называют вторичным упругим рассеянием [69], чтобы показать его отличие от когерентного многократного (динамического) рассеяния. [c.358]

В дифракции электронов положение совершенно иное. Размеры кристаллов, которые дают чисто кинематические интенсивности, обычно порядка нескольких сотен ангстрем, по крайней мере в направлении, параллельном падающему пучку. Источники излучения достаточно яркие, так что можно легко наблюдать дифракцию от монокристаллов такого размера, а монохроматизация и коллимирование дают уширение сферы Эвальда с угловым разбросом, не превышающим 10" рад. Таким образом, для отражения с l/dh=0,5A" протяженность функции преобразования формы может составлять 10" или больше, в то время как толщина сферы Эвальда может быть настолько мала, что не превышает 5-10 A . Таким образом, близкие к плоским сечения пика рассеивающей способности наблюдаются часто. Фиг. 6.1 показывает часть дифракционной картины от небольшого игольчатого кристалла ZnO [346]. Ограниченный размер кристалла в направлении, перпендикулярном пучку, приводит к уширению пика рассеивающей способности в плоскости сферы Эвальда. Модуляция интенсивности, соответствующая виду (sin лг)/л функции S(u)l, ясно прослеживается на пятнах от нескольких различных игольчатых кристаллов. (Изменение интенсивности обычно модифицируется динамическими эффектами, но для данных частных случаев это не очевидно.) [c.133]

Дальнейшее отличие геометрии дифракции рентгеновских лучей от геометрии при использовании электронов заключается в числе дифрагированных пучков, получающихся одновременно. Для рентгеновских лучей даже при размытии максимумов рассеивающей способности или сферы Эвальда, которые обсуждались выше вероятность того, что сильное отражение будет появляться для любой частной ориентации падающего пучка, мала для кристаллов с малыми элементарными ячейками. Если же сильное отражение действительно появляется, то маловероятно, что появится второе такое же сильное отражение. С другой стороны, для электронов сфера Эвальда обычно пересекает некоторое число протяженных областей рассеивающей способности и для частных ориентаций число дифрагированных пучков может быть значительным. Это иллюстрируется фиг. 6.2, которая дает приближенное сравнение дифракции рентгеновского СиК -излучения и дифракции электронов с энергией 80 кэВ от кристаллов золота или алюминия, для которых условие Брэгга выполняется для 400-точки обратной решетки в обоих случаях. При рассеянии рентгеновских лучей совершенные кристаллические области имеют предположительно размер 1000 А или больше. В случае дифракции электронов кристалл обычно берут в виде тонкой пленки толщиной 50 А. [c.134]

Как мы видели из обсуждения динамических эффектов рассеяния в гл. 8—11, интенсивность дифрагированного пучка, получаемого от почти совершенного монокристалла, может сильно зависеть от структурной амплитуды рефлекса, толщины кристалла в направлении пучка, ориентации кристалла по отношению к падающему пучку и формы и величины или частоты повторения отклонений от периодичности кристалла. Вместе с тем не так прямо интенсивность будет зависеть от других условий процесса рассеяния, включающих температуру и наличие поглощения или процессов неупругого рассеяния. Отсюда следует, что наблюдения интенсивностей динамической дифракции можно использовать для измерения с высокой точностью любой из этих величин или эффектов при условии, что другие величины достаточно хорошо контролируются. Недавно был разработан ряд методов, при помощи которых динамические эффекты используются для получения данных, ценных для различных областей науки и техники. [c.333]

Самой первой моделью, введенной для объяснения кинематической природы рассеяния на макроскопических кристаллах, была модель мозаичного кристалла Дарвина [108]. Согласно этой модели, кристалл состоит из небольших совершенных кристаллических блоков, настолько малых, что дифракция на каждом из них в отдельности дается кинематическим приближением, а сами блоки произвольно распределены по ориентации в диапазоне углов, который гораздо больше угловой ширины отражения от отдельного кристалла. [c.354]

Общепринято, что первичная экстинкция существует, если отдельные совершенные кристаллические блоки слишком велики, чтобы допустить предположение о кинематическом рассеянии. В предположении двухволновой дифракции это приближение не выполняется для значительных величин F H для рентгеновских лучей или оФ Н для электронов, где Н — толщина кристалла. Таким образом, для данного размера кристалла можно ожидать, что [c.356]

Масштабный множитель известен для каждого эксперимента. Следовательно, если мы уже выполнили простое геометрическое построение ферми-поверхности, то тем самым мы можем надежно предсказать форму и размер всех возможных орбит электронов в кристалле, когда приложено магнитное поле. До сих пор мы предполагали, что псевдопотенциал слабый и его воздействие на электрон проявляется только как простая дифракция. Мы уже видели на примере реальных зонных структур, что псевдопотенциал не бесконечно мал, и, следовательно, должны появиться соответствующие искажения ферми-поверхностей и орбит. Поэтому наши предсказания не могут абсолютно согласовываться с экспериментом, однако они совершенно определенны и их легко точно проверить. [c.136]

При резонансной ядерной дифракции на совершенных кристаллах, содержащих высокую концентрацию резонансно рассеивающих ядер, имеет место подавление неупругих каналов ядерной реакции. При точном выполнении условия Брэгга — Вульфа по мере увеличе-Шия амплитуды дифрагированной волны сечение резонансного поглощения уменьшается и может строго обратиться в 0. При этом полностью прекращаются все неупругие процессы, сопровождающие резонапсное поглощение (напр., процесс внутр. конверсии, неупру-Гое испускание у-квантов), а когерентная суперпозиция из падающей и дифрагированной волн распространяется по кристаллу без поглощения. Особенность эффекта подавления состоит в том, что колебания атомов в кристалле не восстанавливают даже частично резо-iBaE Hoe поглощение. [c.103]

Широкое распространение получили рентгенооптические схемы с изогнутыми фокусирующими кристаллами. Как уже отмечалось в п. 8.1, многослойные молекулярные структуры могут быть изготовлены непосредственно нанесением на подложки необходимой формы [34]. Монокристаллы изгибаются и приклеиваются к соответствующим подложкам. Феноменологическое полуколиче-ственное описание дифракции в изогнутом кристалле [16, 48] проведено давно, однако строгая математическая теория для совершенной структуры сформировалась лишь в последнее время [2, 11]. Точные количественные расчеты дифракционных параметров цилиндрически изогнутых кристаллов возможны численным методом с помощью ЭВМ. [c.308]

Для дифракции рентгеновских лучей в совершенном кристалле, как правило, бывает достаточно двухволновой динамической теории. В случае теплового диффузного рассеяния, например, как падающий, так и дифрагированный пучки пропорционально их интенсивностям можно считать источниками диффузного рассеяния [3211. В общем случае диффузно рассеянное излучение будет проходить через кристалл со средним коэффициентом поглощения. Однако если это излучение встречает на пути плоскость под брэгговским углом, то излучение будет дифрагировать и давать резкие линии Косселя или Кикучи. [c.274]

Если считать, что кристалл разделен на много тонких слоев, почти перпендикулярных падающему пучку, то полное однократное диффузное рассеяние можно рассматривать как сумму диффузного рассеяния от каждого слоя в отдельности. Для рассмотрения диффузного рассеяния от какого-либо слоя кристалл следует мысленно разделить на три части, как показано на фиг. 12.3. Падающий пучок входит в область I и испытывает л-волновую динамическую Дифракцию, как в совершенном кристалле. Область II является слоем, в котором каждый брэгговский пучок приводит к диффуз- [c.275]

Необходимо отметить существенное различие между дифракцией света, падающего на плоскую дифракционную решетку, и дифракцией рентгеновских лучей в трехмерном кристалле. В первом случае угол падения не равен углу, под которым выходит дифрагированный луч. В оптике устанавливается связь между этими двумя углами, длиной световой волны Х и расстоянием между соседними штрихами дифракционной решетки. Закон Вульфа—Брэгга предполагает, что падающие рентгеновские лучи отражаются зеркально (угол падения равен углу отражения). Поэтому условие наилучшего отражения, по Вульфу— Брэггу, связывает угол падения с длиной волны и расстоянием между соседними параллельными отражающими плоскостями, при этом совершенно не учитывается расположение атомов в отражающей плоскости. [c.55]

Дифракция ЖР-иалучения на совершенном кристалле благодаря регулярному расположению атомов крис-таллич. структуры носит динаынч. характер (динамич. дифракция см. Дифракция рентгеновских лг/ней). Это означает, что многократное рассеяние излучения на кристаллич. плоскостях сохраняет свои когерентные свойства, в результате чего амплитуда дифраги-ров. Волн становится сравнимой с амплитудой проходящей волны. Интерференция дифрагированных и проходящей волн приводит к образованию результирующего волнового поля в кристалле, к-рое может быть представлено а виде суперпозиции волн, получивших назв.. блоховских. Эфф. длина блоховской волны в кристалле принимает значение от единиц до десятков мкм, что существенно снижает требования к изготовлению ревтгенооптич. влементов. [c.348]

Б. В фоторефрактивных кристаллах, в особенности для когерентно-оптических систем, очень широко используется явление дифракции света на решетках показателя преломления. В этом случае (в дифракционном эксперименте) необходимо рассматривать вариации показателя преломления в отдельности для обыкновенного или необыкновенного луча, поскольку дифракция света может происходить совершенно независимо для обыкновенного и необыкновенного лучей. При этом важно изменение каждого показателя лреломления По или п е в отдельности, а не их разности. В частности, иногда По и п е одинаковым образом зависят от электрического поля, и изменения двулучепреломления или Дфое не возникает, т. е. поляризационной методикой эффект не регистрируется. В то же время в дифракционном эксперименте возможно независимо обнаружить изменения По и п е. При этом иногда оказывается тоже удобно ввести лонятие полуволнового напряжения, но его смысл и величина оказываются несколько другими. В этом случае полуволновое напряжение означает такое напряжение, при котором происходит изменение фазовой задержки на п для отдельного луча (или обыкновенного, или необыкновенного). Таким образом, здесь полуволновое напряжение оказывается разным для разных лучей (обыкновенного или необыкновенного) и его величина может быть как выше, так и ниже, чем для первоначально приведенного Uxf2- [c.18]

Амплитуда пучка, рассеянного в каком-либо определенном направлении, в значительной степени зависит от упорядочения в расположении атомов. Если, подобно тому как в случае рентгеновских лучей и нейтронов, взаимодействие с атомами настолько слабое, что в кристалле энергия продифрагировавшего излучения может концентрироваться в одном или двух четко определенных направлениях благодаря трехмерной дифракции прежде, чем падающий пучок успеет потерять значительную часть своей энергии, тогда можно рассматривать возможность рассеяния строго определенных пучков. Продифрагировавший пучок будет дифрагировать снова, если он проходит через другую область кристалла, которая ориентирована под правильным углом для брэгговского отражения. Это условие всегда выполняется в большом совершенном монокристалле, но его выполнение становится менее вероятным при наличии кристаллических дефектов, границ зерен и т.д. Для совершенного кристалла и сильного кристаллического отражения многократное рассеяние становится заметным для рентгеновских лучей при длине пути порядка 1 мкм. Для нейтронов необходимая длина Пути в несколько раз больше. Если атомы недостаточно упорядочены, чтобы давать хорошо определенные дифрагированные пучки, то интенсивность дифрагированного излучения в любом направлении будет значительно меньше и эффекты многократного рассеяния будут соответственно менее важными. [c.99]

Вследствие малости углового диапазона, в пределах которого происходит отражение рентгеновских лучей для совершенного кристалла, эффект Боррмана на прохождение дает очень хорошо коллимированные, а также почти совершенно плоскополяризован-ные рентгеновские лучи. Это позволяет значительно расширить возможности экспериментов, включающих точные измерения на почти совершенных кристаллах, и дает способ для более полного изучения дифракции, поглощения и процессов рассеяния рентгеновских лучей. [c.212]

Трактовка Дарвина [108] дифракции рентгеновских лучей при отражении от поверхности большого совершенного кристалла включала в себя установление коэффициентов прохождения и отражения для каждой атомной плоскости и затем суммирование амплитуд прошедших и дифрагированных пучков на каждый плоскости. Хови и Уилан [213 применили этот вариант теории к дифракции электронов на прохождение вначале с целью определения контраста в электронно-микроскопических изображениях дефектов. Амплитуды дифракционных пучков рассматриваются как непрерывные функции расстояния вдоль направления пучка и связаны рядом дифференциальных уравнений. По существу это теория для совершенного кристалла, для каждого его слоя, хотя в нее могут быть включены изменения в ориентации дифракционных плоскостей при переходе от одного слоя к другому. [c.223]

Схема эксперимента, показанная на фиг. 14.3, а, отвечает почти кинематическому случаю дифракции на несовершенном кристалле. Для толстого совершенного кристалла более приемлема схема, показанная на фиг. 14. 3, б. Как мы видели при обсуждении эффекта Боррмана (гл. 9), энергия передается через кристалл преимущественно вдоль сильно отражающих плоскостей. Прошедший и дифрагированный лучи дают одинаково сильные, узкие пики. Таким образом, в обоих направлениях, составляющих углы 6 , с дифракционными плоскостями, будут получены четко определенные яркие линии. Фон на картине будет очень слабым, потому что в тех направлениях, где нет дифракции, коэффициент поглощения гораздо выше. Картина линий Косселя, полученная от источника излучения, значительно удаленного от почти совершенного кристалла германия, показана на фиг. 14.4 . [c.319]

Для описания каналирования с помощью дифракционных явлений были сделаны различные попытки. Наблюдение аномального прохождения в направлениях плоскостей решетки напоминает эффект Боррмана. Но некоторые размышления показывают, что двухволновая динамическая теория, используемая обычно при обсуждении эффекта Боррмана даже для электронов, здесь совершенно непригодна. Для протонов длина волны составляет приблизительно 1/40 длины электронной волны с той же энергией. В то же время сила упругого взаимодействия с веществом, определяемая величиной <т = jt/A , будет приблизительно в 40 раз больше, и степень неупругого рассеяния относительно еще больше. Следовательно, в случае дифракции протонов толщина кристалла, в которой имеет место когерентная дифракция, составит десятки ангстрем, число одновременных отражений будет очень велико и сфера Эвальда будет почт плоской. При этих обстоятельствах приближение фазовой решетк с учетом поглощения должно быть достаточно точным, чтобы его применили к любому возможному наблюдению при дифракции протонов или более тяжелых ионов. [c.329]

Дальнейший ряд экспериментальных методов получения структурных амплитуд зависит от измерения интенсивностей дифракции как функции угла падения падающего пучка. Для дифракции рентгеновских лучей эксперимент, дающий непосредственные и точные данные о структурных амплитудах, заключается, по-видимому, в измерении ширины брэгговского отражения от поверхности большого совершенного кристалла при строгих двухволновых условиях [255, 2561. Теоретическая кривая (гл. 9) имеет ширину, пропорциональную Эта ширина на практике увеличивается за счет угловой ширины падающего пучка, но если последний получают от двухкристального спектрометра, используя асимметричные отражения от совершенных кристаллов [2611, угловую ширину можно довести до 0,10" и на нее можно сделать точные поправки. [c.342]

Для специального случая совершенного кристалла в какой-либо высокосимметричной ориентации Каули и Муди [79 ] предположили, что дифракция электронов на прохождение должна дать информацию о симметрии проекции структуры слоев, перпендикулярных пучку, включая систематические погасания. Это представление уточнено Каули и др. [82] окончательную формулировку в отношении природы информации о симметрии, получаемой при дифракции электронов в присутствии эффектов сильного динамического рассеяния, дали Йённес и Муди [157]. [c.349]

Для применения кинематической теории дифракции необходимо сделать предположение о том, что кристаллы являются или очень мелкими или идеально несовершенными . Напротив, динамическая теория была развита для идеально совершенных кристаллов с приложением ее к рассеянию в несовершенных кристаллах при этом теория становится все более сложной и трудной для использования по мере того, как отклонение от идеальной структуры растет. В интервале между предельными случаями, которые можно приближенно описать этими относительно простыми теориями, лежит большое число встречающихся на практике задач. Структуры материалов, обычно доступных для изучения дифракционными методами, часто далеки от соответствия любому из имеющихся приближений. Они могут иметь сложный набор как протяженных, так и локализованных дефектов, распределение которых не является ни беспорядочным, ни изотропным. Разброс ориентаций кристаллической решетки может быть либо очень малым, либо очень большим, а изменения в ориентациях могут быть дискретными [только на вполне определенных плоскостях (границах зерен)] или непре-рывныд1и (включая нарушения решетки). [c.353]

В 50-х годах благодаря широкому развитию электронной микроскопии стало возможным изучение отдельных дефектов в тонких кристаллических пленках. Двумерные дефекты дают на снимках полосы. Дислокации выявляются как линии с темным или светлотемным контрастом. В основу интерпретации таких картин была положена по существу динамическая теория дифракции электронов быстро накапливался опыт изучения конфигураций дефектов и интерпретации их изображений (см. [195]). Несколькими годами позже появились аналогичные данные по наблюдениям дефектов в почти совершенных кристаллах с помощью дифракции рентгеновских лучей в условиях динамического рассеяния [249, 277, 278], а соответствующая теория дифракции рентгеновских лучей была развита на основе работы Като [250, 251] . Позже был развит более точный метод для дифракции электронов, основанный на п-волновой динамической теории, и была решена трудная задача получения адекватной динамической теории для несовершенных кристаллов для всех видов излучения (см., например, работы Като [253 ] и Куриямы [270 ] Мы будем следовать этим методам лишь в общих чертах. [c.393]

Часто исследуемые препараты имеют у юрядоченность, промежуточную между перечисленными выше основными тинами. Э. от них мепее удобны для структурных исследова шй. При возрастании размеров блоков в мопокрнстальных образцах характер рассеяния изменяется от кинематического к динамическому (см. Дифракция электронов). Значительное увеличение размеров блоков приводит к появлению на Э. т. п. линий Кикучи и полос (см. рис. 3 в ст. Дифракция электронов). Наиболее четко этот эффект наблюдается при С ьемках на отражепие от граней достаточно совершенного кристалла. По таким Э. можно судить о степеии совершенства исследуемого кристалла, но для определении атомной структуры вещества они, как правило, непригодны. [c.507]

Другое свидетельство несовершенства кристаллов — результаты дифракции рентгеновских лучей кристаллами. Если на кристалл направить узкий пучок параллельных рентгеновских лучей, то результирующий отраженный пучок будет слегка расходящимся—в пределах от нескольких секунд до одного-двух градусов угловой дуги. Из этого был сделан вывод о том, что реальный кристалл состоит из ряда небольших областей,, внутри которых атомы расположены в совершенном порядке но сами области одна по отношению к другой слегка разориен-тированы. [c.73]

Физ. основу методов Р. т. составляет дифракц. контраст в изображении разл. областей кристалла в пределах одного дифракционного пятна. Этот контраст формируется вследствие различий интенсивностей или направлений лучей от разных точек кристалла в соответствии с совершенством или ориентацией крист, решётки в этих точках. Эфiфeкт, вызываемый изменением хода лучей, позволяет оценивать размеры и дезориентации элементов субструктуры в кристаллах (фрагментов, блоков), а различие в интенсивностях пучков используется для выявления дефектов упаковки, дислокаций, сегрегаций примесей и напряжений. Р. т. отличается от др. рентг. структурных методов (см. Рентгеновский структурный анализ. Рентгенография материалов) высокой разрешающей способностью и чувствительностью, а также возможностью исследования объёмного расположения дефектов в сравнительно крупных (до десятков см), почти совершенных кристаллах. [c.637]

Эксперим. методы Р. с. а. Для создания условий дифракции и регистрации излучения служат рентгеновские камеры, рентгеновские дифрактометры и рентгеновские гониометры. Рассеянное рентг. излучение в них фиксируется на фотоплёнке или измеряется детекторами ядерных излучений. В зависимости от состояния исследуемого образца и его св-в, а также от характера и объёма информации, к-рую необходимо получить, применяют разл. методы Р. с. а. Монокристаллы, отбираемые для исследования ат. структуры, должны иметь размеры 0,1 мм и по возможности обладать совершенной структурой. Исследованием дефектов в сравнительно крупных почти совершенных кристаллах занимается рентгеновская топография, к-рую иногда относят к Р. с. а. [c.640]

В том случае, когда технология закалки при производстве аморфных лент недостаточно совершенна и концентрация металлоидов выбрана не совсем правильно, в аморфной ленте могут образовываться мелкие кристаллы, что приводит к существенному возрастанию коэрцитивной силы. Можно предположить, что и рост коэрци-тивности в случае, показанном на рис. 5.25, происходит из-за наличия мелких кристаллов, вкрапленных в аморфную структуру. В ряде работ Такахаси [72—76] предложена модель, согласно жоторой присутствие в аморфной структуре мелких кристаллов размеров 10 нм, не выявляемое методами рентгеновской дифракции, сильно влияет на величину коэрцитивной силы и магнитную анизотропию. [c.145]

Эти простые примеры показывают, что экспериментальные дан- ные по поведению маркеров, с одной стороны, и изменению условий контраста в электронном микроскопе или условий электронной (рентгеновской) дифракции — с другой, могут дать совершенно противоречивые результаты. Для отождествления дифракционных измерений с материальными поворотами надо обязательно привлечь ряд дополнительных сведений. Так, наличие черно-белого контраюта па изображениях в электронном микроскопе может означать полное отсутствие каких-либо материальных поворотов, если процесс мас-соперемещений сопровождался сдвигами, как на рис. 17, в. В то Же время полное отсутствие контраста может свидетельствовать кристалл испытал мощный стесненный пластический поворот. [c.58]

Мы видели уже, что при дифракции рентгеновских лучей на совершенных монокристаллах угловая ширина отражения равна 10" рад. Для кристаллов простой структуры угловое расстояние между отражениями порядка рад. Случай более чем одного отражения одновременно является весьма специальным, и в эксперименте его следует искать с особой тш,ательностью. Когда имеют место трехволновые или многоволновые эффекты, они приводят к некоторым поразительным изменениям интенсивностей, как это видно в исследованиях эффекта Боррмана, сделанных в СХОДЯЩ.ИХСЯ пучках с широким углом схождения (см., например, [42]). Теоретическое изучение трехволнового случая провели Эвальд и Хено [128], см. также [192] . [c.214]

Если ориентации кристаллитов совершенно беспорядочны, так что ни одна из осей кристалла не имеет преимущественного направления, дифракционные пучки образуют сплошные конусы лучей с падающим пучком в качестве оси и половиной угла, равной 2 0,,, где0 — угол Брэгга для отражения И. Пересечение конусов лучей с цилиндрическими пленками в случае дифракции рентгеновских лучей или с плоскими пластинками при дифракции электронов дают хорошо известные картины поликристалла с непрерывными линиями или кольцами. [c.359]

Преимущественные ориентации кристаллов могут появиться в результате особых условий приготовления образца. Если кристаллиты тонкие, пластинчатой формы, то они обычно лежат большой гранью на поддерживающей пленке, когда образец получен или путем осаждения из суспензии, или в результате механического распыления, или выращен на плоской подложкеТогда, в идеальном случае, одна кристаллографическая ось, перпендикулярная плоскости пластин, имеет сильную преимущественную ориентацию, но ориентации вокруг этой оси совершенно произвольны. Обычно это характерно для образцов, предназначенных для дифракции электронов, состоящих из очень мелких тонких кристаллов, поддерживаемых тонкой пленкой углерода или другого материала из легкого элемента. [c.359]

Исторически сложилось так, что зоны Бриллюэна практически не используются в дифракционном рентгеноструктурном анализе, однако в теории электронных энергетических зон в кристаллах (гл. 9 и 10) их применение совершенно необходи.мо. Особая важность первой зоны становится очевидной в гл. 10. Построение Бриллюэна показывает волновые векторы к всех падающих лучей, которые могут быть отражены кристаллом посредством брэгговской дифракции. [c.87]

Управление лазерным излучением и акустооптические процессоры. Акустическое воздействие на параметры лазерного излучения, в частности амплитудная или частотная модуляция, обычно осуществляется посредством дифракции света на звуке как в раман-натовском, так и в брэгговском режимах [5—7, 19]. ]Г[ри этом используется пространственное разделение световых лучей, соответствующих различным дифракционным порядкам. Согласно формулам (2.8) и (2.10), в обоих режимах может быть обеспечена 100%-ная амплитудная модуляция как дифрагированного, так и прошедшего света (в последнем случае требуется определенный выбор параметра и). Эффективность модуляции, характеризующая уровень управляющей акустической мощности, зависит от упругооптических коэффициентов используемых материалов. Анализ показывает, что для кристаллов с высоким акустооптическим качеством (ТеОг, АзгЗз и др. )) при прочих равных условиях требуются меньшие управляющие мощности, чем в лучших электро-оптических модуляторах [6]. Совершенно новые возможности открывает модуляция лазерного излучения поверхностными акустическими волнами 21]. Высокая концентрация энергии поверхностной волны вблизи границы делает модуляцию достаточно эффективной даже при использовании материалов с невысоким упругооптическим качеством. [c.364]

Существенные сдвиги в изучении эпитаксиальных пленок произошли после проведения систематических электрофизических измерений. В предварительных данных не содержалось информации, достаточной для понимания механизмов процессов переноса в пленках. Так, эксперименты по дифракции, выполненные для изучения роста кристаллов и контроля качества эпитаксиаль,-ных пленок, не принесли существенной пользы в изучении вакансий и дефектов, в то время как электрические измерения на поликристаллических пленках недостаточны для выяснения механизма рассеяния. Необходимая информация была получена благодаря проведению электрических измерений на относительно совершенных эпитаксиальных пленках. [c.344]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...