Полуволновое напряжение

Тип Рабочий диапазон длин волн, мкм Полоса частот модуляции, МГц Полуволновое напряжение (длина волны, мкм), В Апертура, мм Материал [c.73]

Из примерно 100 типов М. с., выпускаемых в настоящее время, большинство являются поляризационными. Их полуволновые напряжения лежат в пределах от ЭО В до 4 кВ, полосы частот модуляции от неск.МГц до 1 ГГц. [c.180]

На рис. 7.3 изображен эллипс поляризации выходящего пучка при различных значениях фазовой задержки Г. Напряжение, которое соответствует фазовой задержке Г = х, называется полуволновым напряжением и в данном случае определяется следующим образом [c.258]

Полуволновое напряжение в случае амплитудной модуляции определяется как напряжение, необходимое для получения фазового сдвига на ж, и дается выражением [c.302]

Величина полуволнового напряжения для света, распространяющегося в направлении [010], и электрического поля, приложенного вдоль [001], определяется выражением (3.14), которое можно переписать в виде [c.93]

Кк 1п г — т. н. полуволновое напряжение, т. е. то напряжение, к-рое нужно приложить к фазовому М. с. для получения сдвига фаз на угол я. При исполь-мвании продольного эффекта [К = I) зависит только от А, и свойств кристаллич. элемента и составляет величину неск. кВ а при поперечном эффекте зависит и от геометрии элемента (кИ). [c.179]

Полуволновое напряжение /я/, используется как. ирактеристика М. с. на низких частотах модуляции, где неиосредственно измеряемой величиной является ваяряжение. На высоких частотах сдвиг фазы ф удобряв определять как ф-цию мощности Р управляющего Угнала Ф = фо -Ь Здесь ц — величина, характе- [c.179]

Кроме материалов, применяемых при создании фазовых модуляторов, в поляризац. ячейках используют Ва ЗЮ о, а в ИК-диапазоне — арсенид галлия (ОаАз) и теллурид кадмия (СйТе). В нек-рых случаях используются поляризац. ячейки с центросимметричными средами, напр. с жидкостями типа нитробензола. В таких веществах изменение показателя преломления пропори. квадрату электрич, поля Г — 2пВ1Е , где В — постоянная Керра. Полуволновые напряжения в таких ячейках составляют 12 -ь 45 кВ. [c.180]

В обычно применяемых кристаллах типа KDP полуволновое напряжение можно значительно снизить, охлаждая кристалл до тсмп-ры, близкой к точке Кюри Тц. Электрооптич. коэф. этих кристаллов г изменяется с понижением темп-ры по закону Кюри — Вейса г=а Т- Т ). Поэтому uxi, пропорционально (Г—Гк). Дополнит, преимуществом охлаждённого устройства является то, что при работе вблизи точки Кюри увеличивается до неск. часов время, в течение К рого сохраняется записанный на поверхности потенциальный рельеф. Охлаждение применяется н в пространств. М. с. с оптич. записью. [c.183]

Действие электрооптического затвора основано на использовании линейного (Поккельса вффекта) или квадратичного (Керра аффекта) эл.-оптич. эффекта — зависимости двулучепреломления среды от напряжённости приложенного к ней электрич. поля. Такой О. з. состоит из эл.-оптич. ячейки, помещённой между двумя параллельными (или скрещенными) поляризаторами. Управлепие затвором осуществляется обычно подачей на эл.-оптич. ячейку т. и. полуволнового напряжения — напряжения, при к-ром возникающее в среде двойное лучепреломление приводит к сдвигу фаз между обыкновенной и необыкновенной волнами на величину л. В технике измерений сверхкоротких лазерных импульсов для управления эл.-оптич. затвором вместо алектрич. нмиульсов используются мощные поляри-аов. световые импульсы (затвор Дюге и Хансена), к-рые, распространяясь в ячейке Керра, приводят вследствие нелинейности среды к возникновению оптически наведённого двулучепреломления. Скорость переключения таких О. 3. очень высока (до с). [c.453]

Приведенные выше два примера показывают, что величина индекса (или глубины) модуляции пропорциональна приложенному напряжению. Полуволновые напряжения прямо пропорциональны длине волны света и обратно пропорциональны электрооптическо-му коэффициенту. Для света в видимом диапазоне длин волн эти напряжения имеют величину порядка нескольких киловатт. Увеличение толщины пластинки приводит к увеличению длины взаимодействия, но и к уменьшению напряженности электрического поля. Следовательно, полное увеличение модуляции за счет увеличения толщины пластинки при продольной модуляции отсутствует. Для излучения ИК-диапазона из-за большой длины волны света (скажем, 10,6 мкм) возникает необходимость в приложении высоких напряжений. Продольные модуляторы используются только тогда, когда требуются большие площади устройства и большое поле зрения. Можно показать, что угол поля зрения продольного модулятора из Z-среза кристалла с группой симметрии 43т составляет почти 2тг (см. задачу 8.1). [c.303]

В амплитудном модуляторе на кристалле LiTaOj из-за наличия естественного двулучепреломления приходится применять фазовый компенсатор, который сдвигает фазу до тех пор, пока полная фазовая задержка при отсутствии внешнего напряжения не будет составлять нечетное число тг/2. Кроме того, входная и выходная грани кристалла должны быть параллельными друг другу, чтобы пучок претерпевал одинаковую фазовую задержку по всему поперечному сечению модулятора. В этом случае полуволновое напряжение запишется в виде [c.305]

Из (8.1.21) видно, что полуволновое напряжение можно уменьшить, выбирая более длинные кристаллические образцы, что позволяет увеличить область взаимодействия. Были созданы модуляторы интенсивности света на основе кристаллов LiTaOj и LiNbOj рассмотренной нами геометрии, обеспечивающие частоту модуляции вплоть до 4 ГГц [1]. [c.305]

В табл. 8.1 приведены фазотые задержки и электрооптические свойства кристаллов группы 43т в случае, когда электрическое поле приложено вдоль направлений <001>, <110> и <111>. Очевидно, что максимальная достижимая фазовая задержка определяется выражением (8.1.30). Полуволновое напряжение при этом равно [c.310]

Согласно (8.2.1) и (8.2.2), для осуществления больщой глубины модуляции полуволновые напряжения должны быть малы при данном напряжении модуляции, а для этого в случае поперечной схемы модулятора требуются кристаллы большой длины. [c.310]

Для света с Я, = 0,547 мкм в кристалле KDP это значение составляет 7,5 кВ, а для кристалла оно равно 3,9 кВ. При его приложении имеет место максимальная модуляция поляризации и амплитуды, поэтому полуволновое напряжение является одной из основных характеристик электрооптических кристаллов. При выключении напряжения пропускание света кристаллом быстро восстанавливается по тому же закону. Частоты модуляции зависят от конкретной реализации прибора п обычно лежат в мегагерцевом диапазоне, [c.18]

С учетом того, что напряженность электрического поля определяется размером кристалла d в наиравлепци поля, для данной геометрии электрооптического эффекта, именуемого поэтому поперечным, полуволновое напряжение, определяемое изменением сдвига фаз на л. равно [c.19]

Соответственно чувс1вительчо."1ь "руктурм, т. с. энергия света, необходимая Для изменения напряжения на слое ЖК иа величину, равную, например, полуволновому напряжению ЖК, составляет [c.169]

В кристаллической пластине ПВМС используется продольный электрооптический эффект. Из материалов для этих целей наибольшее распространение получил нйобат лития г-среза с осью г, ориентируемой вдоль нормали к плоскости пластины. В этом случае полуволновое напряжение V, ,— (noV 3)- =3lOO В, а необходимая для него плотность заряда ц X = [c.198]

Операция сложения п титусе с неравновесной записью информации реализуется следующим образом 42]. В течение длительного времени самозаряда кристалла DKDP в охлажденном состоянии на него в отсутствие стирания подаются последовательно потенциальные рельефы суммируемых изображений, причем увеличение числа кадров должно сопровождаться пропорциональным уменьшением тока записывающего электронного луча. Предельное число изображений определяется, с одной стороны, максимально возможным суммарным потенциалом — полуволновым напряжением кристалла, а с другой стороны, различными присущими данному ПВМС шумами, к которым можно отнести флуктуации ин- [c.241]

Первым молекулярным кристаллом, в котором был обнаружен значительный электроптический эффект, связанный с электрохромизмом полосы поглощения, сопровождающейся ПЗ, был кристалл л<ега-нитроанилина [129, 135]. Электрооптический эффект в кристалле л<е71 -нитроанилина наблюдался и раньше. Так, в работе [211] бьшо показано, что "полуволновое напряжение для этого кристалла равно 10 кВ при толщине I -1 мм. В работах [129, 135] линейный электрооптический эффект в этом кристалле был полностью отнесен за счет вклада полосы переноса заряда, наблюдающейся в электронном спектре. [c.142]

За последние несколько лет были синтезированы и достаточно подробно исследованы сегнетоэлектрические монокристаллы ниобатов и танталатов щелочноземельных металлов, обладающие высокими электрооптическими, пьезоэлектрическими, пироэлектрическими и нелинейными свойствами. Физические свойства этих кристаллов обусловливают возможности их широкого применения в приборах для модуляции, отклонения и преобразования частоты лазерного излучения, а также в параметрических генераторах света. Кристаллы этого класса соединений имеют нелинейные и эпектроонтические коэффициенты, намного превышающие коэффициенты других кристаллов. Достаточно сказать, что на кристаллах ниобата бария-натрия достигнуто 100%-ное преобразование излучения с длиной волны Я = 1,06 мкм в излучение с Я = 0,53 мкм, а кристаллы твердого раствора ниобата бария-стронция имеют величину полуволнового напряжения 80 В, что в 40 раз меньше, чем у ниобата лития и танталата лития, и в 100 раз меньше, чем у широко применяемых кристаллов гидрофосфата калия. [c.8]

Выше шла речь об измерении общего электрооптиче-ского эффекта в кристаллах КТН. В работе [6] были измерены полуволновое напряжение и электрооптический коэффициент Г44 этих кристаллов. При комнатной температуре сегнетоэлектрик КТН принадлежит к тетрагональному классу симметрии imm. Следовательно, в нем имеется только три различных не равных нулю электрооп-тических коэффициента Гц = Пз, Гзз и Г42 = Гы. Здесь использована стандартная система обозначений и уста- [c.52]

Смотреть страницы где упоминается термин Полуволновое напряжение : [c.861] [c.179] [c.180] [c.182] [c.462] [c.462] [c.463] [c.260] [c.260] [c.300] [c.301] [c.20] [c.20] [c.62] [c.66] [c.137] [c.138] [c.151] [c.172] [c.173] [c.149] [c.118] [c.119] [c.53] [c.54] [c.54] [c.83] [c.94]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...