Амплитуда структурная

При обнаружении дефектов типа оксидных пленок, матовых пятен необходимо учитывать помехи, обусловленные эхо-сигналами от структуры сварного шва, так как амплитуды структурных шумов соизмеримы с сигналами от дефектов, и время прихода эхо-сигналов от дефекта и структуры шва совпадает. [c.66]

Применение традиционного метода контроля наклонными совмещенными преобразователями далеко не всегда обеспечивает необходимые отношения полезный сигнал/помеха, равного 6 дБ. Это приводит к тому, что на фоне сигналов структурных помех на экране дефектоскопа практически невозможно различить эхо-сигналы от дефектов. Изменение параметров контроля, основанное на полученных в работах [20, 28] аналитических зависимостях между амплитудой полезных сигналов и амплитудой структурных помех, не обеспечило существенного повышения отношения полезный сигнал/помеха. Связано это с тем, что расчет уровня структурных помех проводился для условий объемной реверберации (рассеяние ультразвука на равноосных зернах) с учетом первичного рассеяния [c.276]

Ф и г. 67. Квадрат амплитуды структурного фактора, умноженный на число атомов для алюминия. [c.241]

Мы будем ограничиваться лишь учетом влияния двухчастичных интегралов перекрытия. Их распределение зависит только от парной функции распределения. Эту величину снова можно непосредственно получить из дифракционных экспериментов на жидкости. Хорошо известно, что вероятность найти два атома на расстоянии г (т. е. просто парная функция распределения) есть фурье-образ квадрата амплитуды структурного фактора. Э о можно увидеть, если написать [c.242]

Фазы сигналов, создающих структурные помехи, распределяются случайным образом, поэтому амплитуда структурных помех на преобразователе в некоторый определенный момент времени равновероятно имеет положительное или отрицательное значение, а среднее значение амплитуды равно нулю. Дефектоскоп регистрирует не знак, а абсолютную величину амплитуды, поэто му средний уровень помех определяется среднеквадратичным значением амплитуды, пропорциональным средней интенсивности сигнала помех 7п. [c.153]

Распределение электронной плотности для кристалла [см. (1.21)] можно построить, если кроме индексов интерференции известны знаки и значения структурных амплитуд Рин- Структурные амплитуды связаны с интенсивностью дифракционных рефлексов, которая определяется экспериментально из рентгенограммы. [c.41]

Учет этого отличия производится с помощью введения в фор мулу для интенсивности отраженных от кристалла лучей так называемого структурного фактора равного квадрату структурной амплитуды Рш- Структурная амплитуда — величина, характеризующая рассеяние элементарной ячейкой, выраженное в электронных единицах, т. е. отнесенное к рассеянию электрона в тех же условиях (те же 0 и ). Если, например, говорят, что рассеяние элементарной ячейки в направлении, определяемом индексами hkl, равно 20, то это значит, что таким же под углом рассеяния 20 было бы рассеяние 20 электронов, действующих в фазе. Таким образом, амплитуда волны, рассеянной одной элементарной ячейкой кристалла, равна АРны, где А — амплитуда волны, рассеянной электроном. [c.44]

Так как излучение, рассеянное всей элементарной ячейкой, является суперпозицией всех отдельных лучей, полученных при рассеянии на атомах, входящих в ячейку, то выражение для структурной амплитуды имеет вид [c.44]

На структурном факторе (амплитуде) чрезвычайно сильно сказываются кристаллографические особенности кристаллической структуры ее элементы симметрии, тип решетки, пространственная группа симметрии. Рассмотрим примеры. Если решетка объемно-центрированная, то каждому атому в точке с координатами Xj, У], Zj соответствует атом с координатами V2, У3+Ч2, 2j+V2- В выражении для структурной амплитуды ( После преобразования (1.31) по формуле Эйлера) возникнут две пары членов [c.45]

Метод рентгеновского гониометра. Рентгенограмма вращения не всегда позволяет получить полную информацию об интерференционной картине. Дело в том, что в некоторых случаях при исследовании методом вращения вследствие симметрии кристалла в одно и то же место фотопленки попадает несколько интерференционных лучей. Этого недостатка лишен метод рентгеновского гониометра. В этом методе используют монохроматическое излучение, кристалл вращают вокруг выбранной оси, кассета с цилиндрической пленкой движется возвратно-поступательно вдоль оси вращающегося кристалла, поэтому отражения разделяются по их третьей координате. Снимают не всю дифракционную картину, а с помощью определенного приспособления вырезают одну какую-нибудь слоевую линию, чаще всего нулевую (рис. 1,48). При таком методе съемки каждый интерференционный рефлекс попадает в определенное место на пленке и наложения рефлексов не происходит. С помощью такой развертки, используя сферы отражения, определяют индексы интерференции и по ним устанавливают законы погасания (см. выше). Затем по таблицам определяют федоровскую пространственную группу симметрии, т. е. полный набор элементов симметрии, присущий данной пространственной решетке, знание которого в дальнейшем облегчает расчеты проекций электронной плотности. Далее определяют интенсивности каждого рефлекса, по ним — значения структурных амплитуд и строят проекции электронной плотности. [c.52]

Функция -X (S) характеризует повторяющуюся область кристалла, т. е. элементарную ячейку, и ее называют структурной амплитудой, а A(S) соответствует рассеянию на решетке. Таким образом, фурье-представление неограниченного кристалла имеет вид функции, отличающейся от нуля только при значениях ее аргумента S, равных векторам обратной решетки Н. Эта решеточная функция умножается в каждом узле обратной решетки на структурную амплитуду. Х (Н). [c.16]

Величину f (H) называют структурной амплитудой, и она представляет собой фурье-образ электронной плотности, распределенной в элементарной ячейке кристалла. [c.183]

Обратим внимание, что совокупность не обращающихся в нуль структурных амплитуд распределена в обратной решетке по узлам обратной решетки, расположенным в углах и центрах гра-ней элементарной ячейки обратной решетки. Таким образом, ОЦК прямая решетка в обратном пространстве изображается ГЦК решеткой. Первые несколько сохраняющихся узлов обратной решетки имеют координаты (110), (200), (211), (220). Наконец, структурная амплитуда ГЦК решетки может быть записана в виде [c.185]

Очевидно, что не обращающиеся в нуль структурные амплитуды ГЦК решетки образуют в обратном пространстве ОЦК узор. Первые несколько узлов обратной решетки в этом случае будут следующими (111), (200), (220), (311), (222). Таким образом, ГЦК и ОЦК решетки при переходе в обратное пространство меняются местами. [c.185]

Итак, учет симметрии кристаллической решетки приводит к обращению в нуль значительной части структурных амплитуд. Очевидно, что анализ погасаний может позволить выявить ряд элементов симметрии кристалла. [c.185]

Интересный физический смысл в этом подходе приобретают структурные амплитуды f(H). Их аргументы — вектора, характеризующие нормали к определенным отражающим плоскостям, и поэтому структурные амплитуды i (H) могут рассматриваться как амплитуды волн, отраженных от плоскостей с индексами (Ни Яг, Яз). Поэтому при прочих равных обстоятельствах f(H) тем больше, чем плотнее усеяны атомами соответствующие отражающие плоскости. [c.186]

Найти структурную амплитуду и погасания для кристаллов со структурами алмаза и сфалерита. [c.187]

Структурная схема приборов, в которых информация выделяется частотным и амплитудно-частотным способами, приведена на рис. 69. Напряжение автогенератора /, в колебательном контуре которого включен ВТП 4, поступает на детектор 2 (амплитудный или частотный). Постоянное напряжение с выхода детектора, пропорциональное амплитуде или отклонению частоты и амплитуды напряжения генератора от некоторого значе шя, поступает на индикатор 3. [c.134]

Низкочастотные структуроскопы позволяют визуально (по экрану ЭЛТ) или автоматически анализировать форму кривой напряжения измерительной обмотки проходного ВТП, возбуждаемого -током регулируемой амплитуды. Чаще используется промышленная частота 50 Гц, мощность источника при этом достаточно велика и позволяет получить сильное магнитное иоле. В ряде приборов применяют специальные генераторы с набором частот от одного до тысячи герц. Измерение производят но кривой напряжения, полученного при встречном включении обмоток двух ВТП, в одном нз которых находится контролируемый объект, а в другом — стандартный образец. Структурная схема приборов такого типа приведена на рис. 67, б. Для сортировки изделий с помощью таких приборов необходимо провести ряд предварительных экспериментов непосредственно на объектах с последующим их сравнением с данными химического, спектроскопического или металлографического анализа или с результатами других видов разрушающего контроля. По результатам статистической обработки результатов экспериментов выбирают силу намагничивающего тока и режим настройки блока автоматики. [c.152]

Прибор ВС-17П представляет собой дальнейшее развитие структуроскопов серии ВС. Он автоматизирован на основе встроенного микропроцессора, управляющего режимом работы прибора и обработкой информации ВТП. Микропроцессор управляет установкой частоты тока возбуждения, позволяет выделить амплитуду и фазу основной, третьей и пятой гармоники сигнала ВТП и провести совместную обработку по заданным алгоритмам, проверить работоспособность прибора, скомпенсировать начальное напряжение ВТП. Возможна сортировка деталей не по двум ( годные и брак ), а по нескольким группам качества. В основе аналоговой части прибора лежат структурные схемы, приведенные на рис. 67, в, г, но без подключения ЭЛТ к выходам фазовых детекторов, как в схеме на рис. 67, г. Выходами в этом случае служат блоки автоматики и сигнализации. [c.155]

В процессе циклического нагружения в зависимости от величины амплитуды напряжений или деформаций и степени асимметрии цикла происходят структурные и дислокационные изменения в поверхностных слоях образца и во внутренних объемах металла. С ростом количества циклов нагружения происходит не только взаимодействие дислокаций с примесями, концентрация дислокаций на границах и других структурных барьерах, возникновение ступеней сдвига на поверхности, но и резкое возрастание плотности дислокаций, достигающей в конце концов критической величины. [c.186]

С т а т и с т и ч е с к я е закономерности формирован я я с т р у к т у р к ы X п о м е X. Фазы импульсов, создающих структурные помехи, распределяются случайным образом, поэтому амплитуда структурных помех на преобразователе в определенный момент времени равновероятно имеет положительное или отрицательное значение, а среднее значение амплитуды разно нулю. Так как дефектоскоп регистрирует не знак, а абсолютное значение амплитуды, средний уровень помех определяется квадратным корнем из среднего кв ад рати чес кого значения амплитуды, которое пропорционально средней интенсивности сигнала помех /д. В дальнейшем помехи будем определять именно их интенсивностью н лишь при сравнении с полезными сигналами переходить к амп. гктуде. [c.288]

Тепловыделение в микрообъемах тем больше, чем больше амплитуда напряжений и меньше коэффициент асимметрии цикла. С другой стороны величина местного повышения температуры зависит от свойств материала и его структурных составляющих. Повышение температуры в микрообъемах тем больше, чем меньше теплопроводность и теплоемкость материала и выше его циклическая вязкость, определяюндая (на стадии упругих деформаций) долю необратимого превращения энергии колебаний в тепловую энергию. [c.288]

Каждому отражению hkl соответствует своя структурная амплитуда Fhhi- [c.44]

F —сила, свободная энергия Fhki — структурная амплитуда g —фактор спинового вырождения G — модуль сдвига 0(ш)—спектральная функция распределения частот А=2л ft—постоянная Планка [c.377]

Ультразвуковые дефектоскопы предназначены для излучения ультразвуковых колебаний, приема эхо-сигналов, установления положения и размеров дефектов. Простейшая структурная схема эходефектоскопа изображена на рис. 6.22, о. Здесьгенератор I возбуждает короткие электрические импульсы и подает их на излучатель 2, который работает как пьезопреобразователь и преобразует данные импульсы в ультразвуковые колебания (УЗК). УЗК распространяются в объект контроля (ОК) 3, отражаются от дефекта и противоположной стороны ОК, принимаются приемником 4 (излучатель и приемник может быть одним и тем же элементом при совмещегшой схеме пьезопреобразователя). Приемник 4 превращает УЗК в электрические сигналы и подает их на усилитель 5, а затем на вертикально отклоняющие пластины электронно-лучевой трубки, на которой формируются пики импульсов I, II, III (верхняя часть рисунка), характеризующие амплитуду эхо-сигналов. Одновременно с запуском генератора импульсов 1 (или с некоторой заданной задержкой во времени) начинает работать генератор развертки 7. Правильную временную последовательность их включения и работы (а также правильную последовательность работы других узлов дефектоскопа, не показанных на рисунке) обеспечивает синхронизатор 6. Синхронизатор приводит в действие генератор развертки 7. Сигнал, поступающий на генератор развертки 7, направляется на гори-зонтально-отклоняющие пластины электронно-лучевой трубки. При этом на электронно-лучевой трубке появляется горизонтальная линия (линия развертки дефектоскопа), расстояние между пиками пропорционально пути импульса от излучателя до отражателя и обратно. Таким образом, развертка позволяет различать по времени прихода сигналы от различных отражателей ультразвука (от дефекта II, донный III) и их отклонение от зондирующего I. [c.178]

Визуализация движения потока позволяет раскрыть некоторые структурные особенности этого движения. При числах Рейнольдса, близких к критическим (Ке Ке,,р), наблюдаются волнообразные (колебательные) перемещения частиц среды поперек потока. С увеличением числа Рейнольдса амплитуды волн растут, при этом волны взаимодействуют, создавая хаотическое движение вязкой среды во всех направлениях. Возникшие в ламинарном потоке турбулентные центры сравнительно быстро увеличиваются в поперечном направлении, образуя так называемые турбулентные пробки . Э. Р. Лингрен, наблюдая продвижение турбулентной пробки через два сечения трубы, а также измеряя давление в этих сечениях, определил местную скорость турбулентной пробки /322 - 364/. Измерения показали, что местная скорость на переднем конце турбулентной пробки больше местной скорости на заднем конце пробки. Турбулентные пробки по мере своего продвижения по трубе растут, сливаются друг с другом и образуют ра ши-тое турбулентное движение /128, 238, 328/. [c.11]

Структурная амплитуда определяется распределением электронов в элементарной ячейке и поэтому содержит информацию о пространственной группе кристалла. Проиллюстрируем это положение, рассмотрев влияние на структурную амплитуду центрированности граней или объема ячейки, т. е. влияние типа решетки Бравэ. Будем для простоты считать, что элементарная ячейка состоит из одинаковых атомов, центры которых расположены в узлах кристаллической решетки — точках с координатами г . Тогда из координат г i-ro электрона следует выделить г [c.184]

Теперь выделим структурную амплитуду для кубической простой (ПК), объемно-центрированной (ОЦК) и гранецентриро-ванной (ГЦК) решеток. Примем, что в одном узле содержится один атом. Тогда в ПК элементарной ячейке имеется только один атом в точке с координатами [[ООО]]. В этом случае [c.184]

Для непрерывного измерения вязкости могут применяться варианты ротационных вискозиметров с электрической системой отсчета, а также ультразвуковые (вибрационные) вискозиметры, которые позволяют определять вязкость при весьма малом объеме испытуемой жидкости (около 5 см ). Структурная схема прибора показана на рис. 10-4, б. Импульсы тока длительностью около 50мкс, проходя через возбуждающую обмотку зонда, погруженного в испытуемую жидкость (рис. 10-4, а), вызывают продольные маг-нитострикционные ультразвуковые колебания полоски (частота колебаний около 28 кГц). Повышение чувствительности зонда достигается дополнительной подачей в его обмотку постоянного тока подмагничивания. Вследствие поглощения энергии колебаний вязкой средой амплитуда колебаний полоски и наводимая в обмотке э. д. с. убывают с течением времени по экспоненциальному закону. При уменьшении напряжения в обмотке до определенного значения срабатывает пусковое устройство, после чего в обмотку зонда дается следующий импульс тока и т. д. Измеряемая счетчиком частота повторения импульсов при прочих равных условиях, очевидно, будет тем выше, чем больше вязкость испытуемой [c.191]

Информация о внутренней струк-type содержится в амплитуде, фазе и характере поляризации отраженной или прошедшей волны. В зависимости от свойств изделия и характера имеющихся в них структурных элементов применяются амплитудный, фазовый или поляризационный методы. [c.237]

Структурные схемы специализированных приборов. Сигналы ВТП (изменение напряжения или сопротивления) имеют комплексный характер, учитываемый с помощью диаграмм в комплексных плоскостях напряжений и или сопротивлений Z. Таким образом, при контроле объектов из линейных материалов на одной частоте сигнал имеет два параметра (амплитуду и фазу I/, действительную и мнимую составляющие О или Z модуль и аргумент Z). Это позволяет реализовать двухпараметровый контроль, если влияние параметров объекта на параметры сигнала различно. [c.129]

На рис. 72 приведена обобщенная структурная схема универсального вихретокового прибора, автоматизированного на основе микроЭВМ. Блок генераторов 1 содержит программно управляемый по частоте и амплитуде генератор синусоидального (или импульсного) тока, возбуждающего электромагнитное поле в объекте с помощью блока ВТП 2. Программно управляемый компенсатор 3 служит для установки точки компенсации на комплексной плоскости сигналов. Усили- [c.137]

В разработанных в СССР струк-туромерах используется относительный метод контроля структуры, основанный на прозвучивании металла на различных частотах. При этом одну из частот (опорную) выбирают низкой, так что затухание УЗК в небольшой степени зависит от структурных составляющих. Другие частоты (рабочие) соответствуют рэлеевской области рассеяния. Отношения амплитуд дониых сигналов, соответствующих рабочим и опорной частотам, называемые структурными коэффициентами, определяют на исследуемом изделии для различных рабочих частот и сравнивают со структурными коэффициентами, полученными на образцах. [c.282]

Характер изменения амплитуды напряжений во II периоде зависит не только от уровня прочности сплава, но и от его структурного состояния. У сплава ВТ5-1, ВТ6С в мелко- и крупнозернистом состоянии во II периоде наблюдается стабильное уменьшение амплитуды напряжений. Для сплава ПТ-ЗВ в мелкозернистом состоянии во II периоде характерно небольшое упрочнение, сменяющееся стабилизацией амплитуды напряжений. В крупнозернистом состоянии у сплава ПТ-ЗВ II период отличается практической неизменностью амплитуды напряжений (циклически стабильный материал). У сплава ОТ-4У во II периоде наблюдается резко выраженное увеличение амплитуды напряжений (циклически упрочняющийся материал). Аналогичный характер изменения амплитуды напряжений во II периоде наблюдается и у других низкопрочных титановых сплавов (ВТ1, ПТ-7М и др.). Период III, как указано выше, связан с развитием магистральной трещины, и продолжительность его составляет около 0,1 —0,15 от общей долговечности до разрушения. Для оценки несущей способности образца наибольший интерес представляет суммарная долговечность в I и II периодах, т.е. долговечность до появления магистральной трещины. [c.91]

Снижение амплитуды переменных нагрузок, сопровождающееся снижением СРТ ниже 5-10 м/цикл, может проявлять структурную чувствительность материала, что, очевидно, связано с малыми размерами зоны пластической деформации в вершине усталостной трещины. Выражается структурная чувствительность в зарождении и росте трещины по границам раздела щ- и (3 ,-фаз [87, 83]. Очаг разрушения при этом представляет фасетку излома с выраженной двухфазовой пластинчатой структурой материала, наблюдаемой обычно при исследовании материала в плоскости шлифа. [c.362]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...