Колонковое приближение

Фиг. 10.7. Схема, иллюстрирующая предположения колонкового приближения.

Использование таких уравнений, как (10.35), для расчета электронно-микроскопического изображения или дифракционных картин дефектов в кристаллах основано на колонковом приближении. Его можно представить схематически, как на фиг. 10.7. Амплитуды волн, направленных внутрь кристалла вдоль линии распространения энергии и выходящих из кристалла в точке Р, как предполагается, зависят только от структуры колонки диаметром О с центром в точке Р. Тогда, если содержимое колонки можно аппроксимировать функцией, зависящей только от координаты г, интенсивность в точке Р будет такой же, как и для кристалла, бесконечного в поперечном измерении, со структурой, имеющей такую же зависимость от 2, для которого интенсивность можно вычислить с помощью уравнений типа (10.35). При этом должно выполняться требование, что структура кристалла не должна существенно меняться в поперечном направлении (относительно колонки). В результате распределение интенсивности на выходной поверхности, которое наблюдается в электронном микроскопе, даст изображе- [c.231]

Далее, колонковое приближение применяется к интенсивностям рассеяния от кристаллов, для которых поперечное изменение есть скорее изменение толщины, а не нарушение структуры. Это приближение является основой для нашего упрощенного обсуждения происхождения полос равной толщины на электронных микрофотографиях в гл. 9. [c.232]

Pn h, k) для отдельных слоев или для любого числа слоев. Таким образом, влияние различных нарушений структуры кристалла могут быть учтены без существенного изменения программы вычислений. Вместе с колонковым приближением программу можно применять к вычислению действий на дифракционные картины или электронно-микроскопические изображения локализованных дефектов кристаллической решетки (например, изображений дислокаций). [c.248]

Поперечные смещения атомов в пределах каждой колонки предполагают постоянными и учитывают, умножая Q (/i, k) иа фазовый множитель. Смещения вдоль направления пучка могут быть учтены варьированием значений Р (h, k). Нарушения кристаллической решетки, для которой колонковое приближение неприемлемо, можно учесть с помощью специальных методов мы их опишем ниже. [c.248]

Вычисления динамического рассеяния непериодическими объектами, такими, как дефекты в кристаллах или небольшие частицы или молекулы, проведены почти исключительно с использованием колонкового приближения, описанного в гл. 10. Для каждой колонки образца расчеты проводятся одним из методов, описанных в последней главе, или слоевым методом, который позволяет рассматривать изменения структуры или смещения элементарной ячейки. [c.252]

Используя описанную в предыдущих главах п-волновую теорию дифракции, можно подробно рассчитать изменение интенсивности изображения, соответствующее любому из этих возмущений или их комбинации. В подходящих случаях можно использовать колонковое приближение. Для непериодических объектов можно использовать и более общие методы, рассмотренные выше (разд. 11.5). Однако для большинства случаев даже очень грубого [c.309]

Контраст, получающийся от кристаллических дефектов, находят с помощью колонкового приближения, как было описано в гл. 10. Чтобы проследить влияние полей деформации или локальных нарушений на интенсивности, мы подставляем в уравнения (10.32), [c.310]

Интерпретация изображения дефектов обычно включает использование колонкового приближения (см. фиг. 10.7). Если плоскость, в которой находится дефект, пересекает образец из тонкой фольги, то можно рассмотреть дифракцию в совершенной области кристалла над дефектом, трансляцию решетки на вектор смещения 5 в точке, где расположен дефект, который аппроксимируется сдвигом, [c.401]

Если колонковое приближение недостаточно, как в случае расчетов изображений с высоким разрешением (2—3 А) искаженных кристаллических структур, то можно использовать метод, упомянутый в конце гл. 11 тем самым предполагают, что дислокация или какой-либо другой дефект встречается с каким-то периодом, а расчеты проводят как в случае структуры с большой элементарной ячейкой с учетом большого числа дифрагированных пучков. [c.409]

Некоторые указания на характер контраста электронно-микроскопических изображений дислокаций можно получить с помощью колонкового приближения. Для колонок, проходящих через ядро дислокаций, плоскости атомов смещены, как в случае дефектов упаковки, с той разницей, что смещение происходит на расстоянии десятков или сотен ангстрем. Следовательно, можно ожидать, что проектируемые линии дислокаций будут давать осциллирукщий контраст, подобный контрасту полос от дефектов упаковки. [c.406]

Если считать справедливым колонковое приближение, расчеты дифракционных амплитуд или интенсивностей изображений можно провести, модифицируя программы для ЭВМ для совершенных монокристаллов. Многие исследователи использовали уравнения Хови и Уилана, данные в гл. 10. Так же хорошо можно применять и методы, рассмотренные в гл. 11, если заменить постоянные значения фурье-коэффициентов распределений потенциала различных слоев на значения, которые являются функциями их глубины в кристалле. Значения этих коэффициентов Фурье для различных слоев получают с помощью вспомогательных программ, исходя из предполагаемой формы возмущения в структуре. [c.409]

Колонковое приближение 231, 309, 312, 409 Корню спирали 34 Корреляционные функции 106 Косой текстуры снимки 360, 361 Косселя картины 213, 274, 313, 317, 384 Коэффициент отражения 333 [c.423]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...