Тонкая структура расщепление

Для дифракционной решетки обычно наблюдают спектры второго или третьего порядков, т. е. т = 2 или 3. В соответствии с этим дисперсионная область ДА, = Х/2 или А./3 очень велика. В этом — огромное преимущество дифракционной решетки, которая позволяет анализировать даже белый свет, т. е. очень обширный спектральный интервал (в тысячи ангстремов), тогда как пластинка Люммера—Герке, например, не дает уже отчетливых максимумов, если падающий на нее свет представляет спектральный интервал, превышающий один ангстрем. Поэтому интерференционные спектроскопы пригодны только для анализа очень однородного света, например для спектральных линий, испускаемых разреженными газами. Они оказывают неоценимые услуги при анализе таких линий, позволяя устанавливать наличие нескольких компонент в этой линии (тонкая структура), оценивать ширину линии, наличие изменений (расщеплений) под действием внешних причин (например, эффект Зеемана) и т. д. [c.218]

И объясняет возникновение отдельных серий. Поправочные члены указывают на расщепление каждого энергетического уровня на ряд тесно расположенных подуровней и объясняют тонкую структуру линий. [c.126]

Постоянная тонкой структуры. Исследование спектральных линий водорода с помощью приборов высокой разрешающей способности показало, что эти линии обладают тонкой структурой, т.е. состоят из нескольких линий, весьма близко расположенных друг к другу. Тонкая структура объясняется при учете теории относительности и собственного магнитного момента электрона. Добавочная энергия, создающая расщепление линий, определяется выражением, в которое входит безразмерный множитель, называемый постоянной тонкой структуры. Его выражение [c.348]

Ш. р. обнаруживаются экспериментально по характерным максимумам в энергетич. спектрах атм. шумов. Обычно наблюдается ок. 5 резонансных пиков на частотах / .тах 8, 14, 20, 26, 32,. .. Гц. Влияние магн. поля Земли приводит к расщеплению резонансных частот /, на 2п + ) компонентов, однако из-за низкой добротности резонатора тонкая структура спектра непосредственно не обнаруживается. Осн. источниками возбуждения Ш. р. являются вертикальные молниевые разряды. Кроме того, определ. вклад могут вносить и эл.-магн. колебания, генерируемые в магнитосфере. [c.480]

Тонкая структура спектра. Спектр поглощения может состоять как из одиночной (нерасщепленной) линии, так и из нескольких линий, максимумы которых находятся при различных скоростях. Тонкая структура спектра является следствием расщепления уровней энергии ядер источника и поглотителя или [c.461]

Момент начала движения разреза совпадает с моментом начала движения и развития дислокаций вблизи его конца, т. е. с моментом образования и роста пластической области вблизи конца разреза (см. рис. 89). Поэтому при Ki > he происходит расщепление структуры конца трещины на тонкую структуру, которая реализуется на расстояниях, больших по сравнению с размером пластической зоны вблизи конца трещины, на сверхтонкую структуру, имеющую место непосредственно вблизи края трещины (на расстояниях, малых сравнительно с размером пластической области), и на переходную зону, занимающую [c.257]

Тонкая структура линий объясняется при учете теории относительности и собственного магнитного момента электрона. Добавочная энергия, создающая расщепление линий, определяется выражением, в которое входит безразмерный множитель а, называемый постоянной тонкой структуры и численно равный [c.281]

В ГЦК решетке дислокационные диполи малой ширины I ориентированы так, что линия дислокаций, входящих в пару, преимущественно параллельная направлениям типа (111), причем остальная доля дислокаций остается параллельной направлению типа (112). Векторы Бюргерса дислокаций, составляющих диполь, расположены вдоль направлений типа (ПО), причем каждая дислокация может иметь тонкую структуру и расщепляться на две частичные дислокации с векторами Бюргерса вдоль направлений (112). Наличие расщепления дислокаций на величину S для расстояний г S (и при S > /) практически не изменяет упругое поле, создаваемое ими, и поэтому в дальнейшем считаем, что дислокации, образующие диполь, не расщеплены, так что их вектор Бюргерса может иметь одно из равновероятных направлений типа (110). Охарактеризуем дислокационный диполь, т. е. заданное направление вектора касательной к линии дислокаций т , а направление вектора Бюргерса Ь — индексом а (а = 1, 2, т, где т — число различных возможных расположений дислокационного диполя), обозначим через Са концентрацию дислокационных диполей типа а (отношение числа диполей с заданными значениями Та и к общему числу атомов в сечении, перпендикулярном направлению вектора T ). [c.256]

Учет релятивистского изменения в массе электрона при изменении его скорости в поле кулоновского потенциала ведет к небольшим расщеплениям уровней по 1 ). Полный разброс подуровней в этом случае, образующих тонкую структуру уровня энергии, составляет [c.91]

При 77 °К во всех образцах появлялась тонкая структура линии резонансного поглощения, количество компонент в которой, а также расстояния между ними зависят от оптической однородности образца и его геометрии. На рис. , в показано расщепление спектра резонансного поглощения образца, дающего при 290 °К спектр, показанный на рис. 1,6. Ширина компонент линии составляла 2 э, расстояние между ними — 5 э. Такое расщепление линии может объяснить отмеченное в работе [3] уширение линии ферромагнитного резонанса вблизи температуры 77 °К- Механизм расщепления, вероятно, связан [c.158]

На рис. 1 изображена картина расщепления энергетических уровней пары первого порядка под влиянием диполь-зарядового, обменного и спин-орбитального взаимодействий. Тонкая структура в возбужденном состоянии представляет собой систему эквидистантных уровней с расстоянием между компонентами б, равным расстоянию между компонентами / -дублета в разбавленном рубине, деленному на четыре б 7,2 см . Однако такая простая картина будет только в случае, если / (обменный интеграл в возбужденном состоянии) много больше б (/ >> б). В противном случае (/ б) необходимо учесть взаимодействие уровней, происходящих из разных мультиплетов (это существенно уже для пары второго порядка). На рис. 2 приведена картина расщепления возбужденного состояния пары в зависимости от величины I (для простоты на рис. 2 ие изображено диполь-зарядовое смещение). [c.48]

Перейдем к более подробному рассмотрению узких (слабых) полос К, Я и В. Экспериментальное исследование узких линий обнаружило тонкую структуру этих линий, в частности, Я является дублетом Я (14 418 сл 1), (14 447 см -) с расщеплением 29 см [13], Л -линия является триплетом Я1 (15 190 см ), Я (15 168 слГ ) и Яз (14 957 смГ ) [146, 147], 5-линия — триплет 5 (20 993 см ), В (21 068 смГ ) [13] и (21 352 см- ) [146, 147]. [c.62]

Тонкая структура Л-линий объясняется расщеплением основного уровня Аг на 0,38 см . Более подробно теорию спектра рубина см. в [88, 89]. [c.172]

М. определяет. кратность вырождения уровней энергии атома или молекулы. 25+1 квант, состояний, соответствующих уровню энергии с заданным 5, отличаются значениями проекции полного спина и характеризуются квант, числом ms=S, S—I,.. ., —S, определяющим величину этой проекции. Вследствие спин-орбитального взаимодействия уровень энергии может расщепляться на х подуровней [мультиплетное (тонкое) расщепление, приводящее к расщеплению спектр, линий, см. Тонкая структура]. [c.440]

Для объяснения тонкой структуры Гоудсмит и Юленбек в 1925 г. высказали гипотезу, согласно которой электрон надо представлять себе в некотором смысле похожим на заряженный волчок, вращающийся вокруг собственной оси. Благодаря этому вращению электрон будет обладать собственным моментом количества движения (спином) и магнитным моментом. Если предположить, что проекция спина может принимать только два значения, то тонкую структуру оптических линий можно объяснить как результат взаимодействия магнитного поля, создаваемого орбитальным движением электронов, с магнитным моментом, обусловленным наличием спина. Это взаимодействие несколько различно при разных направлениях спина, благодаря чему происходит расщепление терма на два близких подтерма. При этом количественное согласие с опытом получается в том случае, если [c.59]

Принципиальное отличие формулы (72.14) для атома водорода от нерелятивистской формулы состоит в том, что в релятивистском случае энергия зависит от орбитального квантового числа, т. е. снимается вырождение по /. Благодаря этому каждый энергетический уровень с главным квантовым числом п расщепляется на п подуровней, соответствующих значениям / от О до й - 1. Расщепление энергетических уровней пропорционально а , т.е. мало. Оно приводит к расщеплению соответствующих линий излучения и порождает тонкую структуру линий излучения. С помощью формулы (72.14) нетрудно подсчитать расщепление линий излучения. В частности, для дублетного расщепления серии Баль-мера (и = 2) получается формула [c.394]

Тонкая структура линий бальмеровской серии водорода подвергалась многократным исследованиям. Экспериментальные трудности обусловлены тем, что благодаря малому атомному весу водорода линии обнаруживают сильное доплеровское расширение ( 84). Линии Н , и т. д. удается разрешить лишь на две расширенные составляющие, что соответствует расш.еплению нижнего двухкваитового уровня на два подуровня. Более тонкие детали структуры линии, происходяш,ие от расщепления верхних уррвней, остаются [c.129]

Исторически особую роль сыграло изучение эффекта Пашена — Бака на водородных линиях. Как мы указывали в 5, первоначальная теория Зом-мерфельда объясняла тонкую структуру линий водорода исключительно зависимостью массы электрона от скорости. В таком случае не должен был бы обнаруживаться эффект Пашена — Бака каждая из компонент тонкой структуры должна была бы расщепляться самостоятельно. После появления гипотезы об электронном спине тонкая структура линий водорода объяснялась, как возникающая в резулцгате дублетного расщепления отдельных уровней водорода. Тогда на тонких компонентах линий водорода (и сходных с ним [c.357]

Спектральные линии атома водорода имеют дублетную тонкую структуру, обусловленную взаимодействием спина электронов с его орбитальным моментом (см. Спин-орбитальное взаимодействие) величина расщепления линий — порядка десятых долой м . Это расщепление для водородсподобных ионов возрастает пропорционально Z, т. е. для Hell в 16 раз по сравнению с HI. [c.153]

Электрон-электронное С.-с. в. в свободных атомах и ионах приводит лишь к малому сдвигу эвергетич. уровней, не вызывая их расщепления. В молекулах, где центр, симметрия нарушена, такие расщепления возникают и дают вклад в мультиплетную тонкую структуру спектров (т. н. 2)-урОвни см. Молекула). Аналогичный эффект возникает и при понижении симметрии во вкутрикристаллическом поле твёрдого тела. [c.646]

ТОНКАЯ СТРУКТУР (мультиплетнос расщепление) уровней энергии — раси)спление уровней энергии (термов) атома, молекулы или кристалла, обусловленное гл. обр. спин-орбишильным взаимодействием. Тонкое расщепление уровней — причина возникновения Т. с. спектральных линий, Мультинлетное расщепление электронных уровней энергии молекул связано с т, н. взаимодействием спин—ось. [c.126]

ТОНКОЙ СТРУКТУРЫ ПОСТОЯННАЯ —безразмерная величина a = e /li , где е — заряд электрона. Определяет тонкое расщепление уровней энергии атома (и. следовательно, спектральных линий см. Тонкая структура), величина к-рого пропорциональна (константа получила назв. по этому явлению), В квантовой -злектродинамике а—естеств. параметр, характеризующий величину эл.-магн, взаимодействия. а = 137,0359895(61), ос 1/137. См. также Фундаментальные физические константы. [c.131]

В соответствии с этой схемой можно положить, что коротковолновая группа максимумов в спектрах поглощения соответствует переходу >-5s5p Pi. Тонкая структура этой полосы может возникнуть вследствие расщепления уровня 5 s 5р Pi, вызванного внутри-кристаллическим штарк-эф([ ектом. Такое расщепление уровней под [c.201]

Эта формула для изменения частоты, полученная Л. И. Мандельштамом, определяет две спектральные линии (так называемый дублет Мандельштама — Брнллюэна). Эти спектральные линии находятся слева и справа от несмещенной центральной спектральной линии ), отличаясь по частоте от нее на А частота несмещенной линии равна частоте падающего света. Все три линии носят название триплета — они образуют так называемую тонкую структуру линий рэлеевского рассеяния ). То, что рэлеевская линия рассеяния должна расщепляться, образуя дублет при рассеянии света на дебаевских волнах, было предсказано Л. И. Мандельштамом. Эффект расщепления был затем обнаружен в опытах Г. С. Ландсберга и Л. И. Мандельштама и в опытах ленинградского физика Е. Ф. Гросса, которые были проведены с кристаллами кварца. Далее Е. Ф. Гроссом была также обнаружена тонкая структура линий рэлеевского рассеяния и в жидкостях. В действительности тонкая структура линий Рэлея оказывается более сложной. Сами линии триплета несколько размыты благодаря наличию затухания дебаевских волн кроме того, имеется световой фон, заполняющий промежутки между линиями, возникающий в ряде случаев благодаря рассеянию, вызываемому [c.302]

Тонкая и сверхтонкая структура. Значит, часть спектральных линий обладает тонкой и сверхтонкой структурой, к-рую можно обнаружить с помощью приборов высокой разрешающей силы. Тонкая структура — это очень узкая мультиплетпая структура (см. Мультиплетность) и структура, вызванная сдвиго.и уровней (см. также Л.шба — Ри-зерфорда опыт). Тонкой структурой обладают линии водорода и сходных с ним ионов (ile II, Li III п т. д.). Для водорода величина тонкого расщепления [c.24]

ТОНКАЯ СТРУКТУРА (мультиплетное расщепление) — расщепление энергетич. уровней электронов в атоме, молекуле или кристалле на неск. подуровней, обусловленное спин-ор-битальным взаимодействием и приводящее к расщеплению спектральных линий. [c.190]

Из фиг. 120 сразу же видно, что для молекул, принадлежащих к точечной группе Сз ,, в случае, когда нельзя пренебречь инверсионным удвоением, каждая линия каждой подполосы удвоена, за исключением линий подполосы с АГ= О, при спине одинаковых ядер, равном О или /2> которые обнаруживают попеременное смещение в сторону длинных и в сторону коротких волн. Дублетное расщеплен 1е линий равно сумме дублетного расщепления верхнего и нижнего уровней. Подобные параллельные полосы были наблюдены для молекул NHз и КОд, На фиг. 126 показана тонкая структура основной полосы V, молекулы NHз согласно наблюдениям Деннисона и Гарди [281]. В верхней части фиг. 126 показана теоретическая структура и распределение интенсивности. Они находятся в полном согласии с результатами наблюдения. Аналогично случаю вращательного спектра неравные интенсивности обусловлены тем, что приЛ =0 попеременно выпадает верхний и нижний уровни (см. фиг. 120). При больщих значениях J, когда линии ряда подполос сливаются в одну линию , такое выпадбние уровней играет весьма малую роль, однако оно имеет весьма существенное значение при малых У. В частности, в первой линии ветви Р и / одна из составляющих вовсе отсутствует, так как играет роль только составляющая с 0. [c.451]

На фиг. 127 показана также тонкая структура основной полосы молекулы КНз, наблюденная Шенгом, Баркером и Деннисоном [785]. В данном случае инверсионное удвоение верхнего состояния довольно велико и поэтому расщепление линий больше расстояния между последовательными линиями, равного 2В. Мы получаем две составляющие полосы, показанные в верхней части фиг. 127, которые можно обозначить, как 7. (1 —-0 ) и 7.2(1 —0 ). Вместе с тем, отдельные линии частично разрешены на свои составляющие. Соответствие этой тонкой структуры к каждой линии с ожидаемой структурой весьма разительное. Из разности расщеплений для двух составляющих Цйенг, Баркер и Деннисон получили отдельные значения постоянных В%, Ву, АХ, и. 4 для составляющих инверсионного дублета. [c.451]

Тонкая структура невырожденных электронно-колебательных состояний. Во вращательных уровнях данного электронно-колебательного уровня, имеюпщх одно и то же /, но различные типы, по-разному проявляется влияние кориолисова взаимодействия с вращательными уровнями других электронно-колебательных уровней, влияние центробежного растяжения или других взаимодействий более высоких порядков. Поэтому в достаточно высоком приближении существует расщепление на столько уровней, сколько показано числом горизонтальных линий на фиг. 38. Иными словами, когда молекула деформирована центробежными силами или неполносимметричными колебаниями, она перестает быть строго симметричным волчком и исчезает причина для (21 - - 1)-кратного вырождения. Вырождение снимается в той мере, в какой нарушена симметрия. Получающиеся расщепления подробно рассмотрены Яном [617], а затем Хехтом [485]. К сожалению, эти расщепления нельзя описать простыми формулами. Они зависят от матричных элементов различных возмущающих членов. [c.103]

Запрещенные переходы. Можно предполагать, что в случае триплет-синглетных переходов (или вообще при интеркомбинационных переходах) спиновая тонкая структура изогнуто-линейного или линейно-изогнутого перехода должна быть аналогичной соответствующим линейно-линейным переходам. Также и зеемановское расщепление в магнитном поле должно быть того же порядка, что и нормальное зеемановское расщепление, в отличие от синглет-синглетных переходов. Однако недавно было установлено (Герцберг [523], Хоуген [574 ), что правило отбора для квантового числа К, которое в этом случае соответствует компоненте вектора Ж (а не J) вдоль оси волчка, должно теперь записываться в виде [c.219]

Тонкая структура подполос перпендикулярной компоненты перехода Е — Е состоит, как и в случае параллельной компоненты, из одиночных ветвей Р, Q ж В, за исключением подполос с, К = i или К" = 1, т. е. подполос 1 — 2 и 2 — 1. Вследствие удвоения I- или /-типа линии в этих подполосах удвоены. Чтобы установить, какие подуровни комбинируют между собой, следует пользоваться приведенными выше правилами отбора (см. стр. 222 и след.). И на этот раз в каждой подветви происходит чередование интенсивности (или отсутствуют чередующиеся линии). Поскольку удвоение Z-типа в уровнях с К = 2 общем случае пренебрежимо мало, удвоение линий в подполосах 1 — 2 и 2 — 1 дает непосредственно расщепление -типа уровней с, К = i соответственно в верхнем и нижнем состояниях. [c.240]

Простая тонкая структура основной полосы при 1415 А (фиг. 185) показывает, что молекула линейна (или почти линейна) в обоих состояниях (верхнем и нижнем). В красной (сипглетной) системе полос (фиг. 93) наблюдается чередование интенсивности такого же типа, как и в сиектре ВНг это свидетельствует о том, что молекула сильно изогнута в нижнем состоянии и линейна или почти линейна в верхнем состоянии. Энергетическая разность ме/кду нижними синглетиым [a Ai) и триплетным (X 2g) состояниями пеиз-вестна, одиако имеются определенные доказательства того, что энергия синглетного С0СТ0Я1ШЯ превышает энергию триплетного состояния менее чем на 1 эв (Герцберг [521]). Следует отметить, что, хотя триплетное расщепление в системе до настоя- [c.503]

Во-вторых, если S 1/2, то, так как в состояния (1) с разными значениями М снин-орбитальная связь вносит различные поправки, возникают начальные расщепления спиновых уровней энергии, пе зависящие от постоянного магнитного поля. Магнитные подуровни иерсстают быть эквидистантными, правило отбора AM == J- 1 становится, вообще говоря, несправедливым и вместо одной линии поглощения появляется несколько линий — возникает, как говорят, тонкая структура спектра ЭПР. [c.72]

В случае свободных радикалов -фактор обычно не сильно отличается от соответствуюшей величины для свободного электрона ge = 2,0023. Отклонение от этого значения, имеющего чисто спиновое происхождение, указывает на вклад спин-орбитальных взаимодействий. В случае примесных ионов переходных элементов -фактор становится анизотропным и определяется симметрией кристаллического поля, внутри которого находится ион. Последнее является результатом дополнительного штарковского расщепления энергетических уровней неспаренных электронов во внутрикристаллических электрических полях — в спектре ЭПР появляется тонкая структура. Благодаря этому -фактор является тензором, характеризующим симметрию этих полей. Неоднородные электрические поля в первой координационной сфере, окружающей примесный парамагнитный атом, могут достигать 10 В см . В сильных кристаллических полях взаимодействие неспаренных электронов атомов (ионов) с полем больше спин-орбитального и обменного взаимодействий. Штарков-ское расщепление Д в этом случае в результате снятия орбитального вырождения может достигать 5 эВ. При этом нарушается правило Хундта и образуются низкоспиновые состояния атома (например, многие ионы с незаполненными 4с1 и оболочками). В средних полях (Д = 1 эВ) энергия взаимодействия атома с полем по-прежнему выше энергии спин-орбитальных взаимодействий, но ниже энергии обменных взаимодействий внутри атома. Этот случай типичен для атомов с недостроенной Ъё оболочкой. И, наконец, слабые поля типичны для редкоземельных элементов с недостроенной / оболочкой Д = 10 2 эВ. В таких полях сохраняется мультиплетная структура изолированного атома. Величина Д определяется не только напряженностью поля, но и его симметрией, зависящей в свою очередь от структуры и химической природы атомов первой координационной сферы. [c.143]

Основное состояние позитрония, т. е. системы, состоящей из связанных электрона и позитрона, имеет тонкую структуру Д — расщепление между нижним синглетным состоянием и высшим триплетным состоянием Каждое состояние имеет ограниченное время жизни по отношению к аннигиляции электрона и позитрона с образованием -излу-чения. Все эксперименты, имеющие целью измерить А, основаны на том, что позитроний в синглетном состоянии распадается на два фотона с обратным временем жизни 1/т — 8-10 сек , тогда как, согласно правилу отбора, позитроний в триплетпом состоянии распадается на три фотона со скоростью 1/т — 7-10 сек , т. е. в 1000 раз медленнее. [c.17]

Систематика спектров атомов с двумя и более внеш. эл-нами основана на приближённой хар-ке отд. эл-нов при помощи квант, чисел п и г с учётом вз-ствия этих эл-нов друг с другом. При этом приходится учитывать как их электростатич. вз-ствие, так и вз-ствия их спиновых и орбитальных магн. могментов (см. Спин-орби-тальные взаимодействия), что приводит к тонкому расщеплению уровней энергии (см. Тонкая структура). В результате этого вз-ствия у большинства атомов спектр, линии группируются в мультиплеты, причём расстояния между линиями в мульти-плетах увеличиваются с увеличением ат. номера элемента. У всех щелочных металлов линии двойные (дублеты), у щёлочноземельных элементов наблюдаются одиночные линии (синглеты) и тройные (триплеты). Спектры атомов следующих групп в периодич. системе элементов образуют ещё более сложные мультиплеты, [c.41]

ПАШЕНА — БАКА ЭФФЕКТ, состоит в том, что в сильных магн. полях сложное зеемановское расщепление спектр, линий переходит в простое (см. Зеемана эффект). Сильными следует считать магн. поля, вызывающие расщепление уровней энергии, сравнимое с мультиплетным (см. Тонкая структура) и превосходящее его. В таких полях происходит упрощение картины расщепления — наблюдается расщепление линии на три компоненты (зеемановский триплет). Обнаружено Ф. Пашеном и нем. физиком Э. Баком (Е. Ba k) в 1912. [c.523]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...