Электронной дифракции метод

Он иллюстрирует развитие процесса разрушения поверхности раздела. Во многих случаях очевидно присутствие пленки в том месте, где первоначально установилась связь. При более длительном нагреве реакция идет повсеместно и связь перестает быть смешанной, хотя окисная пленка продолжает существовать. Недавно методом электронной дифракции на тонких фольгах было обнаружено, что окисная пленка имеет структуру а-АЬОз [13]. [c.89]

Сочетание методов тепловой микроскопии с методами рентгеноструктурного анализа и просвечивающей электронной микроскопии дает более широкие представления о механизме и кинетике протекания дисперсионного твердения аустенитных нержавеющих сталей. Возросший за последнее время интерес к электронной микроскопии связан главным образом с появлением нового метода исследования на просвет тонких (до 1000 А) пленок, полученных из массивных образцов. Это стало возможным при применении в современных электронных микроскопах электронного пучка, обладающего большой проникающей способностью и высокой интенсивностью, что обеспечивается системой двойных конденсорных линз. Метод тонких пленок позволяет полностью использовать разрешающую способность современного электронного микроскопа и имеет по сравнению с методом реплик ряд преимуществ, основные из которых заключаются в получении трехмерной картины микроструктуры и возможности легко наблюдать такие дефекты матрицы, как линии дислокаций, и изучать их взаимодействие с выделениями. Можно также изучать картину электронной дифракции с небольших участков поверхности (около 0,25 мкм). [c.223]

Для уменьшения трения наносят плёнку смазывающего вещества. Рентгеновские исследования и метод электронной дифракции позволили установить картину взаимодействия молекул смазываемого и смазывающего вещества. На фиг. 17 схематически изображено взаимодействие молекул твёрдого тела и смазочного слоя. Цепи жирных кислот своими активными концами присоединяются к кристаллической решётке, образуя на поверхности как бы ворс [53]. Это распространяется только на два-три слоя молекул. [c.128]

Одним из методов определения параметров решетки наночастиц является электронная дифракция. Анализ систематических ошибок этого метода показал, что для точного определения периода решетки наночастиц пригодны лишь некоторые дифракционные линии например, для кубических нанокристаллов рекомендуется использовать линию (220) [242]. Учет уширения этого дифракционного отражения показал, что в частицах Ag диаметром 3,1 нм и частицах Pt диаметром 3,8 нм параметр решетки сокращается на 0,7 и 0,5 % соответственно по сравнению с массивными серебром и платиной [242]. В [194, 243, 244] методом электронографии с использованием картин муара показано, что изменение диаметра частиц AI от 20 до 6 нм приводит к снижению периода решетки на 1,5 % (рис. 3.6), хотя ранее [245] для частиц AI диаметром >3 нм этого не отмечено. Уменьшение периода решетки от 0,405 нм для массивного образца AI до 0,402 нм для наночастицы А1 диаметром 40 нм обнаружено методом нейтронографии [8]. [c.73]

Структура и параметры решеток окислов, образующихся на сплавах, определенные методом электронной дифракции [c.641]

Испытание качества покрытий также включает в себя и определение их антикоррозионных свойств. Основные методы коррозионных испытаний были рассмотрены в гл. III. Другие методы (механические испытания, снятие электрических и оптических характеристик, электрохимические измерения, испытания с применением радиоактивных изотопов, определение состава коррозионных слоев при помощи электронной дифракции или электронного микрозонда) применяются в особых случаях. Оценка качества покрытий в значительной мере зависит от правильности метода исследования, а также от продолжительности испытаний. [c.233]

Структура исследуется методом электронной дифракции на отражение для пленок непосредственно на поверхности нержавеющих сталей или на просвет для пленок, отделенных с поверхности. [c.150]

Приготовление образцов из предельно упрочненных, характеризующихся высокой неоднородностью структуры поверхностей материалов трения, является основной проблемой при использовании методов электронной микроскопии и электронной дифракции. В просвечивающей микроскопии толщина исследуемых образцов не должна превышать 50—300 нм. Дислокационные ансамбли в образцах такой толщины испытывают значительное влияние сил изображения , происхождение которых связано с обрывом периодичности решетки на поверхности, и значительная часть дислокаций может уходить из образца в процессе его приготовления. Особенно велик эффект в случае пластичных материалов с малой поверхностной энергией, когда перемещение дислокаций и их выход на поверхность не требуют больших энергетических затрат. По имеющимся оценкам теряться может до 90% дислокаций. В какой-то мере стабилизировать дислокационную структуру удается ее замораживанием , например, за счет создания точечных радиационных дефектов при нейтронном облучении поверхности. [c.163]

В связи с тем что при газовой коррозии существенное значение имеют свойства образующихся продуктов коррозии, а практике лабораторного исследования большое внимание уделяется изучению структуры и свойств этих (продуктов, которыми часто являются разнообразные окислы, В последнем случае используют методы электронной дифракции, рентгенографический, металлографический, оптический, отделение окисных пленок и их последующий химический анализ и другие методы, которые описаны в специальной литературе. [c.82]

Одним из методов определения параметров решетки наночастиц является электронная дифракция. Анализ систематических ошибок этого метода показал, что для точного определения периода решетки наночастиц пригодны лишь некоторые дифракционные линии например, для кубических нанокристаллов [c.89]

В [64] методом электронной дифракции обнаружили небольшое ( примерно 0,3 %) уменьшение параметра решетки наночастиц Аи диаметром 2,5-14 нм. Сжатие параметра решетки на примерно 0,1 % было установлено [65,66] при изучении наночастиц Ag и Аи диаметром от 40 до 10 нм (рис. 3.7). [c.90]

Здесь следует отметить, что в настоящее время атомное строение обычных границ зерен до конца не выяснено. Для них представление о структурных ЗГД может быть использовано пока только в виде гипотезы. Полученные в последние годы данные электронной дифракции прямого атомного разрешения подтвердили выводы более ранних исследований (см. [97]) о периодичности структуры этих границ. Вместе с тем структурные ЗГД в них не удается обнаружить современными экспериментальными методами, что неудивительно, поскольку в соответствии с геометрическим анализом ЗГД здесь должны иметь очень малые, близкие к нулю векторы Бюргерса. В связи с этим недавно было предложено описание структуры произвольных границ, где граница представляется как набор периодически расположенных групп атомов по типу полиэдров [155, 156]. Однако это описание пока не удается использовать для анализа перестроек зернограничной структуры с целью выявления поведения границ в деформационных процессах. В настоящее время более полезным здесь представляется использование дислокационных представлений, введение которых, даже формальное, позволяет понять многие свойства границ зерен [53, 54, 63, 150]. Поэтому представления о периодической структуре обычных границ зерен и ЗГД как нарушениях этой периодичности, мы будем использовать ниже при анализе конкретных зернограничных процессов. [c.78]

Метод электронной дифракции представляет интерес для расшифровки структур, особенно при наличии высокодисперсных фаз (формирующихся карбидов, различных новообразований), линии которых невозможно измерить, а иногда и обнаружить при рентгенографическом анализе. Электронографию широко используют для изучения поверхностных слоев толщиной несколько нанометров, а также специально приготовленных тонких пленок. Так, изучение оксидных пленок, возникающих на металле в начальной стадии окисления, дало богатый материал для теории процесса окисления, явления пассивирования металлов. В вопросах исследования аморфных слоев металла при полировании, трении, тонкопленочных объектов методы электронной дифракции незаменимы. [c.65]

Хемосорбционные пленки могут быть исследованы различными методами. Важнейшими из них являются инфракрасная спектроскопия, измерение контактных потенциалов и работы выхода электронов, электронная микроскопия, метод ионного проектора, а также дифракция медленных электронов. Если первые три метода дают только интегральные сведения о виде и толщине адсорбционных пленок, то два других обеспечивают прямое определение позиций атомов и тем самым дают сведения о структуре адсорбционных слоев. [c.361]

Усиление защитных свойств поверхностной пленки на титане обязано не только наличию достаточной концентрации ионов Т1 + в растворе, но и участию в этом процессе кислорода. Доказательством этому служит исследование (проведенное методом электронной дифракции) структуры окисной пленки, полученной в 40%-ном растворе серной кислоты, содержащем 0,3 М ионов Т1 + при 100° С, которое показало четкую картину наличия двуокиси титана в форме анатаза. Пленка, полученная на титане, в этом растворе обладала высокой химической стойкостью и защищала титан от растворения в сильно агрессивном растворе 75 %-ной серной кислоты при 20° С в течение 275 час., в то время как образец титана с естественной окисной пленкой на поверхности растворялся в этих же условиях в течение 20 мин. Пленка, образующаяся на титане в растворе серной кислоты, содержащем ионы четырехвалентного титана, имеет синюю окраску. Это указывает на то, что в двуокиси титана имеются вакансии кислорода 0 и электроны проводимости е, которые, ассоциируясь в Р-центры, по Полю и Шоттки [6 ], могут сделаться носителями синей окраски [c.132]

Воздействие на покрытие катодной поверхности блескообразующих присадок или продуктов их распада зависит от многих факторов состава электролита, концентрации присадок, природы осаждаемого металла. При этом условия, необходимые для получения оптимального блеска, не могут быть рассчитаны заранее и выясняются опытным путем. Следует ожидать, что такие новые методы исследования, как электронная дифракция и применение радиоактивных меченых атомов, дадут точные показания механизма воздействия присадок на катодную поверхность и свойств адсорбционных слоев. [c.68]

При анализе текстуры по полюсным фигурам, по> строенным по данным рентгеновского анализа, необходимо учитывать их ограниченность, связанную с недостаточно высокой чувствительностью метода. Интенсивность дифрагированных лучей от тех текстурных компонент, вес которых невелик, будет также малой и может оказаться незамеченной регистрирующим устройством на общем фоне рассеянного рентгеновского излучения. В результате эти слабые текстурные компоненты будут отсутствовать на полюсной фигуре. Вместе с тем роль таких слабых компонент, особенно в процессах тексту-рообразования при рекристаллизации, часто оказывается решающей. Поэтому в случаях, когда слабые компоненты могут играть важную роль, для их выявления нужно применять специальные локальные методы (например, дифракцию электронов или метод фигур травления). [c.271]

В последние годы благодаря развитию экспериментальной техники, в первую очередь электронной микроскопии высокого разрешения и высокоразрешающих методов рентгеновской и электронной дифракции, стали возможными экспериментальные исследования структуры границ на атомном уровне. С помощью этих методов, а также ионной микроскопии получены убедительные доказательства справедливости кристаллогеометрических теорий для описания структуры границ. Эти выводы относятся как к межзе-ренным, так и к межфазным границам. [c.90]

При исследовании методом электронной дифракции на специальной установке поверхностного слоя после шлифования, притирки и сверхдоводки обнаружено, что в каждом из них имеется три зоны. Первая зона характеризует пленку адсорбированных газов из атмосферы. Такая пленка прочно удерживается на металле даже при очистке и обезжиривании. Толщина этого [c.388]

ДИФРАКЦИЯ медленных электронов — дифракция электронов с эпергиями от десятков до сотен эВ один из осн. методов изучения структуры приповерхностных слоев монокристаллов толщиной нм. Толщина исследуемого слоя определяется глубиной проникновения электрона в кристалл без потери энергии. Электроны, используемые в методе Д. м. э., теряют энергию в осн. на образование плазмонов (ср. путь, проходимый медлеппы.м электроно.м между нос-ледоват. актами возбуждения плазмонов, составляет [c.668]

СТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ—определение строения вещества атомного или молекулярного состава, пространств, расположения атомов, распределения электронной плотности и т. д. с. а. осуществляют дифракц. методами (т. е. с помощью рентгеновского структурного анализа, нейтронографии, мектронографии), резонансными методами (ЯМР и ЭПР), раэл. спектральными методами. Чаще всего полный С. а. невозможно осуществить одним из перечисленных методов для полного исследования структуры используют не только сочетание неск. экспернм. методов, но и теоретические, расчётные (напр., квантовохимические) методы. [c.9]

Наиб, распространение в Э.с. получили энергоанализаторы электростатического типа с тормозящим или отклоняющим полем. Квазисферич. сеточные анализаторы с тормозящим полем позволяют, кроме анализа электронов по энергиям, визуализировать угл. распределения эмитируемых электронов на коллекторе, для этого его покрывают люминофором (напр., в дифракц. методах исследования). В случае отклоняющего поля преим. используют анализаторы типа цилиндрич. зеркала и секторные со сфе-рич. полем. С их помощью исследуют и пространств, распределения электронов во всём диапазоне их энергий. Специфика регистрирующей аппаратуры обусловлена тем, что структура энергетич. спектров наблюдается на непрерывном фоне, часто превосходящем её по величине, и задача состоит в вьщелении этой структуры и её измерении. В разработанной аппаратуре используется как аналоговая, так и цифровая техника в сочетании с ЭВМ (в частности, для увеличения отношения сигнал/фон широко применяется аналоговое дифференцирование спектра с помощью синхронного детектирования). Предложены способы полного Удаления фона. В случае цифровой техники часто применяют способ, основанный на использовании многоканального анализатора, работающего в режиме многоканального счётчика. [c.554]

Отсутствие размерной зависимости параметра решетки отмечено для частиц РЬ и Bi диаметром >5 и >8 нм соответственно [246], для частиц Аи диаметром —23 нм [247, 248], для кластеров Си диаметром >5 нм [249]. Однако уменьшение размера кластеров меди до 0,7 нм привело к сокраш ению параметра решетки на 2 % по сравнению с массивным металлом [249]. Что касается золота, то в [250] методом электронной дифракции обнаружили небольшое (около 0,3 %) уменьшение параметра решеткв наночастиц Аи диаметром 2,5—14 нм. Сжатие параметра решетки примерно на 0,1 % установлено при изучении наночастиц Ag и Аи диаметром от 40 до 10 нм (рис. 3.7) [251, 252]. [c.74]

Информация о взаимодействии Со с Pd приведена в работах [X, Э]. Диаграмма состояния представлена на рис. 27 [X, Э, 1]. Область ликвидус—солидус в этой системе изучена довольно давно [X]. Упорядочение в твердых растворах обнаружено и изучено методом электронной дифракции в работе [1] на образцах, приготовленных прокаткой сплавов, полученных в плазменной печи, и совместным осаждением паров компонентов на поверхность Na l при температуре 320-350 С. [c.61]

При окислении 13%-ной хромистой стали превращение шпинели в а-РбаОз происходит не при 225, а при 400—450° С. При исследовании тонких пленок методом электронной дифракции до температуры 700° С вюстита (FeO) в окалине не обнаружено. Очевидно, что температуры превращения FeO -> FegOj значительно повышаются. [c.651]

На данных измерений периода решетки практически не сказывается зонная стадия распада, и образование зон Г.—П. можно заметить лишь по эффектам диффузного рассеяния в ближайших окрестностях узлов обратной решетки матричного твердого раствора. Если неоднородности структуры, обусловленные образованием зон, носят регулярный характер (модуляции рассеивающей способности или модуляции межплоскостных расстояний), то диффузное рассеяние концентрируется, образуя сателлиты возле основных рефлексов, и легко выявляется даже при съемке рентгеновской картины поликристаллов [47, 48]. В остальных случаях выявление зон Г.—П. возможно либо при рентгеновском анализе монокристаллов или крупнокристаллических поликристаллов (из-за малости размера ОКР в поликристаллах н наложений эффектов диффузного рассеяния), либо методом электронной дифракции в просвечивающем электронном микроскопе, где область дифракции всегда ограничена малой частью монокристалла (метод микродифракции, см. раздел 2). В некоторых сплавах зоны Г.—ГГ. имеют координацию атомов, отличную от координации атомов в матричном твердом растворе (например, зоны Гинье—Престона— Багаряцкого в сплавах А1—Mg—Si), или упорядоченную структуру (например, зоны Г.—П.П или фаза в" в сплавах А1—Си). При этом эффекты рассеяния должны наблюдаться в точках ОР, соответствующих этой структуре. По характеру распределения диффузного рассеяния можно судить о форме зон и в простейших случаях (при действии только форм-фактора) оценивать их размеры. К-состояние связывается с процессами упорядочения и выде- [c.129]

Многие современные физические методы исследования металлов основаны на изучении взаимодействия объекта с каким-либо видом электромагнитных волн. Помимо классических (оптических, рентгеновских и электронно-микроскопических) методов, используются ядерный магнитный и электронный парамагнитный резонанс [1] методы исследования поверхности (Оже-электронная спектроскопия и дифракция медленных электронов) электронная спектроскопия для химического анализа ионный микрозонд [2] и др. Во всех случаях изучается поглощение. рассеяние падающих или испускание вторичных электромагнитных волн (или пучка электронов, ионов) частицами исследуемой системы. При некоторых энергиях падающего излучения, совпадающих с энергиями соответствующих переходов в системе, интенсивность эффекта возрастает — такие методы являются резонансными. В частности, резонанс укван-тов на атомных ядрах заключается в резком возрастании вероятности поглощения (или рассеяния) у-квантов с энергией, соответствующей возбуждению ядерных переходов. [c.161]

Форма поперечного сечения и типичная структура углеродных волокон, получаемых из различных видов исходного сырья, показаны на рис. 1. В работе [20] приведены результаты исследований углеродных волокон различными методами рентгеновским, оптической и электронной микроскопии, электронной дифракции и т. п. Учитывая, что глубина проникновения электронов в углеродное волокно — 2000 А и методом электронной дифракции могут быть получены только усредненные по объему значения раз-ориентации углеродных слоев, следует признать, что сочетание этих методов позволяет изучить совокупность поверхностных и объемных характеристик структуры волокна. Вьшолненные эксперименты показали, что ориентация углеродных слоев (вдоль оси волокна) на периферии волокна является более совершенной, чем в центральной зоне. Ориентацию пачек углеродных слоев по отношению к поверхности образца исследовали оптическим методом в поляризованном свете. Установлено, что в волокнах на основе полиакрилнитрильного сырья, имеюш,их круглую форму поперечного сечения, пачхш углеродных слоев сориентированы С-осями в среднем перпендикулярно поверхности волокна, в то время как в волокнах на основе вискозного сырья расположение пачек углеродных слоев в поперечном сечении можно считать [c.342]

Большинство современных физических методов исследования металлов основано на изучении взаимодействия объекта с электромагнитными волнами какого-либо вида. Помимо классических оптических, рентгеновских и электронно-микроскопических методов, это — ядерный магнитный и электронный парамагнитный ре-аонанс [П.1 ], методы исследования поверхности — Оже-электрон-ная спектроскопия и дифракция медленных электронов, электронная спектроскопия для химического анализа [П.2], ионный микрозонд [11.3 j и др. Во всех случаях изучают поглощение, рассеяние падающих или испускание вторичных электромагнитных волн (или пучка электронов, ионов) частицами исследуемой системы. При некоторых энергиях падаюпхего излучения, совпадающих [c.133]

А при исследовании порошков методами ЭПР, электронной дифракции [548] и рамановской спектроскопии [125]. Частицы получали испарением в струе аргона (р = 10 Тор) монокристалла Sr lj, содержащего неконтролируемое количество примеси ионов кото- [c.193]

Различные ранее описанные методы позволяют получить на углеродной пленке образования такой цлотности, которая бла-голриятна для их анализа путем дифракции электронов, дифракции рентгеновых лучей или рентгеноспектральным анализом с помощью микроанализатора с электронным зондом [c.274]

Исследование пленок лучами Рентгена, а также методом электронной дифракции и при помощи электронного микроокопа позволило получить некоторые сведения о структуре окислов, образующих пленку. Обнаружено, что кристаллическая структура и свойства окислов в пленках и окислов, существующих отдельно от металла, часто различаются. [c.14]

Метод электронной дифракции годится не только для определения структуры и состава тонких окисных пленок, но и. может давать полезные сведения об ориентации в них кристаллов. Например, с помощью метода прохождения электронов, при котором пленка располагается нормально электронному лучу, от ориентированных кристаллов с осью зоны, перпендикулярной плоскости пленки (наиболее распространенный случай), будут получены дифракционные кольца только от плоскостей, пересекающихся по оси зоны, а кольца от других плоскостей будут от-сутств01вать. Если ориентация кристаллов вокруг оси зоны беспорядочна, то кольца будут иметь равномерную интенсивность. Если происходит частичная ориентация -кристаллов, то получаг-ся кольца от всех атомных плоскостей, но интенсивность их не будет соответствовать -интенсивностям колец от плоскостей неориентированных кристаллов. Для того чтобы обнаружить ориентацию кристаллов В образце, нужно его поворачивать так, [c.223]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...