Прохождение через тонкие слои

Прохождение через тонкие слои [c.234]

Как известно из физики, при движении твердого тела в воздушной среде со сверхзвуковой скоростью происходит образование фронта уплотненной воздушной среды перед движущимся телом. Такое уплотнение поддерживается все время, пока скорость полета тела у > а. Отношение скорости полета к скорости звука а носит название числа Маха М). Образование фронта уплотнения воздушной среды при М > 1 носит название скачка уплотнения. Название скачок отражает резкое изменение параметров воздуха (скорости и давления) в момент прохождения через тонкий слой уплотненной среды. [c.264]

Рис. 2.10. Прохождение частиц через тонкий слой газа а — вид сбоку 6 — вид в плане

Вопросы, связанные с разработкой и технологией изготовления диэлектрических зеркальных покрытий с заданным коэффициентом отражения, составляют специальную дисциплину, выходящую за рамки настоящей книги. В качестве полупрозрачного элемента может быть использован также тонкий алюминиевый слой, нанесенный на стеклянную подложку. Линейно поляризованный свет при прохождении через такой слой и отражении от него становится эллиптически поляризованным, но для многих экспериментов этот недостаток несуществен. [c.106]

В экспериментах обычно определяют не просто коэффициент поглощения, а коэффициент объемного поглощения среды —а ,. Понятие коэ ициента объемного поглощения особенно просто выяснить на следующем примере выделим в однородном теле бесконечно тонкий слой кх. Излучение при прохождении через этот слой за счет погло [c.44]

Рис. 2.11. Прохождение частицы через тонкий слой газа

Исследования чувствительности искателей на ступенчатых цилиндрических эталонах диаметром 54, 32 и 12 мм с набором толщин 0,2—6 мм проводили прибором УДМ-1М, снабженным аттенюатором. На рис. 79 изображены экспериментальные и теоретические кривые зависимости чувствительности искателя от толщины. Теоретические кривые рассчитаны по методу мнимого излучателя и приемника с учетом резонансных эффектов прохождения УЗК через тонкий слой металла. Из анализа кривой чувствительности выбраны две области толщин паяных соединений 0,5—2 мм — область резонансного прохождения импульсов УЗК через паяное соединение более 2 мм —нерезонансная. [c.161]

Анализ выражения (11.11) показывает, что с увеличением толщины изделия (мелкозернистой стали) от 10 до 1000 мм /opt уменьшается от 5 до 0,5 МГц. Более строгий расчет /opt [28] связан с учетом частотных зависимостей затухания ультразвука в призме наклонного преобразователя, коэффициента прохождения призма — изделие через тонкий слой масла и возможности повышения амплитуды зондирующего импульса обратно пропорционально частоте, согласно формуле (11.6). [c.165]

Рис. 2,16, Прохождение продольно в поперечной волн под углом через тонкий слой жидкости

Фильтрующее действие тонкого слоя на обменные отраженные волны. При прохождении волны через тонкие слои в среде, покрывающей отражающую границу, происходит изменение спектрального состава волн [7, 151. Фильтрующее действие тонкого слоя или системы стоев может быть охарактеризовано спектральными характеристиками двукратного прохождения волны через слой - на пути от источника к границе и на пути от границы к приемнику. [c.79]

При прохождении сферических волн через тонкий слой, когда его толщина намного меньше длины волны в слое многократные отражения от границ хотя и существуют, но не могут привести к резонансным явлениям, так как в прошедшей волне между интерферирующими многократными отражениями не достигается необходимого для этого сдвига по фазе, равного 2я. Когда же толщина слоя й становится сравнимой с Яс/2 и в прошедшей волне между интерферирующими многократными отражениями в слое достигается сдвиг по фазе 2п, в слое происходит накопление энергии (резонанс слоя). [c.114]

Как видно из сейсмограмм рис. 29, полученных для трех материалов латуни, органического стекла и алюминия, прохождение волн через тонкие слои в воде сильно зависит от углов падения i импульсных сферических волн. Воспользуемся сейсмограммами для определения коэффициента прохождения (прозрачности) D для углов падения волны от О до 90°. [c.115]

Рассмотрим теперь прохождение тока через тонкую диэлектрическую пленку Д, заключенную между двумя одинаковыми металлическими контактами М (рис. 10.3, а). Если толщина d этой пленки меньш толщины слоя обогащения или обеднения L, то концентрация носителей заряда во всей пленке приблизительно постоянна и равна ,(. Если, кроме того, d много больше длины свободного [c.273]

Величина и механизм прохождения электронов через прослойку зависят от типа прослойки. Одним из типичных примеров ДК является туннельный контакт, состоящий из двух одинаковых или разл. сверхпроводников (обычно в виде тонких плёнок), разделённых очень тонким слоем диэлектрика, напр, слоем окисла материала одного из сверхпроводящих электродов. Протекание тока через прослойку в этом случае обусловлено квантовым туннелированием электронов (см. Туннельный эффект.) че- /,мА,. [c.602]

Пусть эта волна при z = О падает на тонкий слой среды, в которой распространяется звуковая волна. В режиме дифракции Рамана — Ната (Q < 1) длина взаимодействия L достаточно мала, так что такой периодически возмущенный слой (О < z < L) действует как фазовая решетка. Иными словами, при прохождении света через возмущенную область О < z < L происходит лишь модуляция фазы плоской волны. Таким образом, прошедшую волну можно записать в виде [c.382]

Установки для нагрева в электролите. Пайка в электролитах основана на явлении нагрева катода, погруженного в электролит, при прохождении через него электрического тока. При этом происходит электролиз водного раствора с выделением водорода на катоде. При достижении оптимального напряжения и те.м-пературы катода между ним и окружающим тонким слоем водорода и газов устанавливается стационарный электрический режим. Слой газов начинает светиться. Ионы водорода бомбардируют катод (паяемое изделие), их кинетическая энергия вызывает сильный его нагрев. Режим нагрева в электролитах зависит от их состава и температуры, напряжения и плотности тока и времени нагрева. [c.447]

Это соотношение совпадает с равенством (3,5) для случая прохождения через границу двух сред. Таким образом, для очень тонких слоев или очень низких частот, а также при [c.55]

Вопрос о влиянии тонких искажающих слоев на распространение электромагнитных волн рассматривался в литературе неоднократно [8.1, 8.2]. Вопросу же о влиянии таких искажений на качество изображения уделялось значительно меньше внимания (хотя и имеются отдельные работы [8.3]). Теоретические исследования этого вопроса важны не только потому, что вносят ясность в задачу о формировании изображения при прохождении света через тонкие структуры, но и потому, что позволяют лучше понять суть намного более сложной задачи о формировании изображения при прохождении света через земную атмосферу. [c.343]

С другой стороны, для электронов сильное рассеяние может произойти при прохождении луча уже через первый слой толщиной в несколько атомов, т. е. через достаточно тонкий слой кристалла, который можно рассматривать как двумерную фазовую решетку, дающую несколько десятков или сотен дифрагированных пучков [c.173]

Включение потенциалов Бете в двухволновое приближение, как в случае дифракции электронов на прохождение (см. [339]), очевидно. Однако, например, в случае прохождения через очень тонкие кристаллы, когда в дифракционный процесс включается только несколько слоев атомов, как при дифракции электронов на отражение, справедливость потенциалов Бете уже может оказаться под вопросом. [c.192]

Рассмотрим осесимметричное затупленное тело, помещенное в равномерный сверхзвуковой поток горючей смеси газов. Примем, что смесь воспламеняется при прохождении через головную ударную волну и сгорает в прилегающем к ней тонком слое. Предположим, что возникающая детонационная волна бесконечно тонкая и тепловыделение при сгорании смеси одинаково во всех ее точках. Исходную смесь и продукты сгорания будем считать совершенными газами с показателями адиабаты 71 и 72. В сформулированной постановке рассматриваемая задача подобна хорошо изученной задаче о сверхзвуковом обтекании тела адиабатическим потоком, и для ее решения можно использовать методы, разработанные для таких потоков. Для примера рассмотрим обтекание горючей смесью сферы и цилиндра со сферической головной частью. Численное решение этой задачи производится в два этапа. [c.55]

Важно, чтобы слой 12 был достаточно тонким, тогда лишь небольшая часть фотонов флуоресценции 13 сможет поглотиться при вертикальном прохождении через слой 12. Распространяющиеся вниз фото- [c.53]

Глазурь, нанесенная на изделие, реагирует с материалом в процессе обжига, образуя в месте соприкосновения промежуточный слой. Коэффициент расширения промежуточного слоя является переходным от коэффициента расширения материала к коэффициенту расширения глазури, что имеет большое значение в отношении закрепления глазури на керамическом материале. Образованию промежуточного слоя благоприятствуют тонкость измельчения глазури (для нефритовых глазурей), более продолжительный обжиг при повышенной температуре. Чем тоньше помол, тем больше ее реакционная способность и тем однороднее получается глазурный слой. Тонкий помол способствует также снижению температуры обжига. Обычно тонкость измельчения шихты глазури характеризуется прохождением через сито с 10 000 отв/см без остатка. [c.513]

Принцип получения слоистых (полосчатых) покрытий основан на избирательной электрохимической обработке металлопокрытий при дискретном прохождении деталей через относительно тонкий слой водного раствора электролита, находящийся на поверхности [c.468]

В 1.3 показано, что прохождение через тонкий слой очень сильно зависит от соотношения толш ины слоя Лс и длины волны в слое. В результате интерференции волн в слое коэффициент прозрачности изменяется в десятки раз. Однако этот вывод был сделан для непрерывного излучения и отмечено, что импульсный характер излучения сглаживает осцилляции зависимости В от / с/Хс. [c.134]

Сэр Дж. Дж. Томсон ) недавно выдвинул теорию, объясняющую рассеяние частиц, проходящих через тонкие слои вещества. Предполагается, что атом состоит из N отрицательно заряженных частиц с таким же количеством положительного электричества, равномерно распределенным внутри некоторой сферы. Отклонение отрицательно заряженной частицы в процессе прохождения сквозь атом объясняется двумя причинами 1) отталкиванием от частиц, распределенных в атоме, и 2) притяжением к положительному заряду атома. Предполагается, что отклонение частицы при пронизывании атома мало, тогда как среднее отклонение после большого числа встреч т принимается равным V 9. где 0 — среднее отклонение, вызванное одним атомом. Было показано, что число N электронов в атоме может быть вычислено из измерений по рассеянию заряженных частиц. Точность этой теории многократного отклонения была экспериментально проверена Краузером ) в более поздней работе. Его результаты, по-видимому, подтверждали основные заключения теории Томсона, и, принимая непрерывность распределения положительного электричества, Краузер сделал вывод, что число электронов в атоме превышает атомную массу приблизительно втрое. [c.442]

НОЙ структуры кристалла в поверхностных слоях [62 ]. Однако при прохождении через тонкие совершенные кристаллы корреляция экспериментальных наблюдений с теоретическими вычислениями может быть сделана с гораздо большей уверенностью. Крейтле и Мейер-Эмзен [264 ] получили кривые качаний для кристаллов кремния толщиной 1200 и 2700 А с использованием электронов при ускоряющем напряжении 71 кВ. Сравнивая их с теоретическими кривыми, полученными с учетом взаимодействий 6 или 18 систематических отражений, они вычислили значения структурных амплитуд для отражений (III) и (222) (5,16 и 0,1 В) в разумном согласии с результатами других методов. [c.343]

Дифракционные явления обнаруживаются при пропускании пучка электронов через тонкие слои металлов (толщиной порядка 10 м), имеющих поликристалличе-скую структуру (11.1.6.4°). Опыты подтвердили, что наблюдается дифракция электронов на поликристаллах, аналогичная дифракции рентгеновских лучей на поликристал-лических порошках ( .3.6.6°). На рис. 1.1.3 приведены фотографии дифракционных картин, которые наблюдаются при прохождении сквозь тонкие пленки одного и того же поликристалла рентгеновского излучения (рис. 1.1.3, а) и пучка электронов (рис. 1.1.3, б). По радиусам дифракционных колец определялась длина волны де Бройля и проверялась справедливость формулы де Бройля. Волновые свойства электронов наблюдаются лишь при условии, что длина дебройлевской волны имеег такой же порядок [c.421]

При расчете определяют напряжение на нижней грани пьезопластины, а затем учитывают прохождение ультразвука через тонкие слои, примыкающие к этой границе. Эту задачу решают подобно задаче о прохождении звука через тонкий слой (см п 3 3) Множитель, учитывающий прохождение ультразвука через слой от второго до п-то (номер 1 присвоен пьезопластине), имеет вид- [c.44]

В связи с изложенным вЪздушный контакт эффективен лишь при прохождении низкочастотных ультразвуковых волн через тонкие слои твердого материала, толщина которых Н меньше четверти длины волны (как показано в п. 3.3, при к = к/4 в симметричном случае имеет место минимум прохождения). В работе [39] экспериментально показано, что при рассмотренных выше условиях можно зарегистрировать прохождение ультразвука через стальную пластину толщиной 30 мм (1Д = 37,5 мм), а деревянную — толщиной 100 мм. [c.63]

Граница твердое—твердое. Значения, представленные в табл. П.7 и П.8, рассчитали на ЭВМ Кюн и Луч [869]. Для случая акустического контакта через тонкий слой жидкости при лрежних обозначениях можно вывести следующие формулы для коэффициентов отражения и прохождения. [c.665]

В современном представлении детонационная волна, распространяющаяся в горючей газовой среде, является двухслойной. Первый слой представляет собой адиабатическую ударную волну, при прохождении через которую газ сильно разогревается. В химически активном газе разогрев этот, если он достаточно интенсивен, может вызвать воспламенение. В связи с тем что толщцна ударной волны ничтожно мала (порядка длины свободного пробега молекулы), в пределах ее процесс горения, по-видимому, развиться не в состоянии. Поэтому область, в которой протекает горение, образует второй, более протяженный, но практически также весьма тонкий слой, примыкающий непосредственно к ударной волне (рис. 5.18). [c.218]

Наряду с термоэмиссионным механизмом прохождения тока через тонкие диэлектрические пленки возможно и туннелирование электронов сквозь потенциальный барьер, образованный диэлектриком (рис. 10. 6, й). Как следует из выражения (3.40), вероятность туннелирования резко возрастает с уменьшением высоты барьера Ф = [У — и его толщины d. Поэтому в очень тонких слоях (единицы нанометров) tyннeльнын ток может достигать величины, сравнимой с током надбарьерной инжекции и даже существенно превышать его. [c.277]

ОПТИКА [ асферическая содержит элементы, поверхности которых, не имеют сферической формы просветленная обладает уменьшенными коэффициентами отражения света у отдельных ее элементов путем нанесения на них специальных покрытий) как оптическая система (волновая изучает явления, в которых проявляется волновая природа света волоконная рассматривает передачу света и изображений по световодам и пучкам гибких оптических волокон геометрическая изучает законы распространения света в прозрачных средах на основе представлений о световых лучах интегральная изучает методы создания и объединения оптических и оптоэлектронных элементов, предназначенных для управления световыми потоками квантовая изучает явления, в которых при взаимодействии света и вещества существенны квантовые свойства света и атомов вещества когерентная изучает методы создания узконаправленных когерентных пучков света и управления ими нелинейная изучает распространение мощных световых пучков в оптически нелинейных средах (твердые тела, жидкости, газы) и их взаимодействие с веществом силовая изучает воздействие на твердые тела интенсивного светового излучения, в результате которого может нарушаться механическая цельность этих тел статистическая изучает статистические свойства световых полей и особенности их взаимодействия с веществом тонких слоев изучает прохождение света через прозрачные слои вещества, толщина которых соизмерима с длиной световой волны физическая изучает природу света и световых явлений) как раздел оптики электронная занимается вопросами формирования, фокусировки и отклонения пучков электронов и получения с их помощью изображений под воздействием электрических и магнитных полей корпускулярная изучает законы движения заряженных частиц в электрическом и магнитном полях нейтронная изучае взаимодейс вие медленных нейтронов со средой) как раздел физики] [c.255]

ОПТИКА ТОНКИХ СЛОЕВ — раздел физ. оптики, в к-ром изучается прохождение света через один или последовательно через несколько непоглощающих слоёв вещества, толщина к-рых соизмерима с длиной световой волны. Специфика О. т. с. заключается в том, что в ней определяющую роль играет интерференция света между частично отражаемыми на верхних и нижних аницах слоёв световыми волнами. В результате интерференции происходит усиление или ослабление проходящего или отражаемого света, причём аффект зависит от вносимой оптической толщиной слоёв разности хода лучей, длины волны (или набора длин волн) света, угла его падения и т. д. Тонкие слои могут быть образованы на массивной подложке из стекла, кварца или др. оптич, среды с помощью термич. испарения вещества и его осаждения на поверхность подложки, хим. осаждения, катодного распыления или хим. реакций материала подложки с выбранным веществом. Для получения таких слоёв используют разл. окислы AljOg (1,59), Si02(l,46), 423 [c.425]

Дефект упаковки представляет собой часть атомной плоскости, ограниченную дислокациями, в пределах которой нарушен нормальный порядок чередования атомных слоев. Например, в сплавах с ГЦК решеткой чередуются плотноупакованные слои АВСАВСАВ..., а при прохождении через дефект упаковки слои чередуются в последовательности АВСВСАВС... Чередование слоев ВСВС... типично для кристаллов с ГН решеткой, и, таким образом, дефект упаковки представляет собой как бы тонкую пластинку с ГП решеткой в ГЦК решетке. [c.35]

Механизм взаимодействия пограничного слоя с внешним невязким потоком значительно усложняется в случае тонких, но имеющих затупленную переднюю кромку тел. Как мы уже знаем (гл. VI и VII), в этих случаях при очень больших значениях числа Маха образуются головные ударные волны сложной криволинейной конфигурации. При прохождении через такую волну набегающий на тело однородный изэнтропический поток становится вихревым и неизэнтропическим, причем в условиях, соответствующих представлению о сильном взаимодействии, индуцированные ударной волной завихренность и градиент энтропии в области между головной волной и внешней границей пограничного слоя могут оказаться очень интенсивными. [c.705]

Минимальный напор лакокрасочного материала в различных головках со щелью определяется необходимостью иметь над щелью некоторый слой материала, что позволяет обеспечивать равномерность подачи. Практически этот слой составляет несколько десятков миллиметров, а расход лакокрасочных материалов (особенно низковязких) через щелевое отверстие оказывается настолько большим, что для нанесения тонкого слоя материала требуются большие скорости подачи изделия (от 40 до 120 м/мин). Такие скорости подачи в большинстве случаев значительно превышают скорости, необходимые для выполнения других технологических операций, и создают определенные неудобства при включении лаконаливных машин в поточные линии, так как изделия должны получать значительный разгон и затормаживаться после прохождения через завесу. Это особенно неудобно при нанесении лакокрасочных материалов на тяжелые и громоздкие изделия. Для таких случаев более удобны лаконаливные машины, имею- [c.176]

Стерки [365], применяя это представление к вычислению динамических интенсивностей, вычислял матрицу рассеяния сначала для тонкого слоя кристалла толщиной О. Прохождение волны через последовательные идентичные слои кристалла описывается повторным применением матрицы рассеяния, поэтому для п слоев мы можем написать [c.222]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...