Тонкие пленки диэлектрические

Разработка пленочных емкостных компонентов предусматривает применение тонких пленок диэлектрических материалов, которые выбираются из следующих соображений. [c.162]

Тонкие пленки диэлектрические 471 [c.554]

Интерферометр Фабри—Перо. Интерферометр, или эталон Фабри—Перо, является в настоящее время основным прибором в спектроскопии высокой разрешающей силы. Его действие основано на интерференции большого числа лучей, получаемых при многократном отражении световой волны между двумя параллельно расположенными плоскими зеркалами, обладающими частичным пропусканием (рис. 26). В современных интерферометрах, как правило, используют многослойные диэлектрические зеркальные покрытия, которые наносят на подложки из оптического стекла или кварца в вакууме. Они позволяют получать высокие коэффициенты отражения света при малой величине потерь на поглощение. Худшие характеристики имеют покрытия из тонких пленок серебра и алюминия. [c.76]

Диэлектрическая проницаемость воды при 20° С составляет величину порядка 80,5 и несколько уменьшается с повышением температуры. Диэлектрическая проницаемость же сухого насыщенного пара равна около 1 вследствие весьма низкой плотности при низких давлениях. Если на поверхностном емкостном датчике существует тонкая пленка, то образуется некоторое распределение плотностей линий электрического поля между пленкой и паровой фазой. При этом большая плотность соответствует среде с большей диэлектрической проницае- I Н-/ [c.400]

Получили распространение и другие методы отверждения индукционный, диэлектрический, токами сверхвысокой частоты, под действием ксеноновой вспышки, ультрафиолетового света, пучка электронов и гамма-излучения. Из методов отверждения под действием света наибольшее промышленное применение имеют ультрафиолетовое и ксеноновое излучение. Эти способы отверждения достаточно успешно используются для тонких несимметрично уложенных неокрашенных стеклопластиков, которые сильно деформируются при отверждении нагреванием. Технология отверждения диэлектрическим методом и токами сверхвысокой частоты в настоящее время продолжает развиваться. Отверждение пучком электронов, как было установлено, эффективно только для тонких пленок. Отверждение ускоренными частицами пока еще находится на стадии лабораторных разработок. [c.82]

В данной главе мы рассмотрим вопросы, связанные с распространением оптических волн в диэлектрических структурах (т. е. в тонких пленках и волокнах), размеры которых соизмеримы с длиной волны. Известно, что лазерный пучок с ограниченным поперечным размером расходится при распространении в однородной среде (см. гл. 2). В волноводных диэлектрических структурах при определенных условиях это расхождение отсутствует. Оптические моды в этих диэлектрических волноводах соответствуют локализованному в пространстве распространению электромагнитного излучения с поперечными размерами, определяемыми волноводом. [c.438]

Многолучевой интерференционный метод получил большое распространение при исследовании тонких пленок. Этому способствовало то обстоятельство, что в последнее время в различных областях науки и техники получило значительное развитие изготовление тонких пленок и их применения для целого ряда задач — покрытие деталей защитными лаками, многослойные диэлектрические покрытия, использование светоделительных слоев для расщепления электромагнитных волн, просветление оптики, применение пленок в качестве приемников излучения (в болометрах, фотосопротивлениях и т. д.). Особенность этих пленок состоит в том, что интерференционные явления, возникающие в пленках часто оказывают значительное влияние на свойства рабочих поверхностей узлов или деталей, на которые они нанесены. Многолучевые интерференционные методы являются удобными и одними из самых Эффективных средств для исследования толщины, сдвига фазы, коэффициента отражения и преломления пленок [87, 1571. [c.7]

Высокопроизводительная специализированная установка для контактной микросварки ЭМ-440, приведенная на рис. 5.16, предназначена для автоматического присоединения проволочных выводов из золота и серебра (диаметром 30...40 мкм) к тонким пленкам из золота, никеля и серебра, напыленных на диэлектрические подложки (при производительности до 2500 сварок/ч). Процесс односторонней контактной микросварки на этой установке осуществляется сдвоенным (расщепленным) электродом при усилиях сжатия 0,1...1,2 Н. [c.253]

Получение тонких пленок распылением материалов ионной бомбардировкой. Этот метод позволяет наносить пленки металлов (включая тугоплавкие), сплавов (в том числе многокомпонентного состава), полупроводников, а при использовании ВЧ-распыления—диэлектрические пленки. Характерно, что скорости распыления у большинства материалов различаются не более чем на порядок, в то время как скорости их испарения различаются резко (на несколько порядков). [c.112]

Рассматривается применение общих методов многолучевой интерференции к исследованию интерференции в тонких пленках. Описываются матричный метод исследования и его применение к многослойным пленкам — интерференционным фильтрам и диэлектрическим зеркалам. [c.180]

Из других методов индикации следует отметить радиоэлектронные методы [38], основанные на изменении диэлектрических свойств воды. Предварительные данные подтверждают их эффективность. Ю. А. Качаловым предложен метод, основанный на измерении продолжительности существования тонких пленок, образованных исследуемой жидкостью. По данным исследователя метод прост, надежен и может найти практическое применение. [c.71]

Фторопласт-4 — материал с исключительно высокими диэлектрическими свойствами, совершенно не смачивается водой и не набухает, обладает высокой термической и химической стойкостью, по стойкости к агрессивным средам превосходит золото и платину. Твердость фторопласта-4 невысокая. Он текуч на холоде, и поэтому его используют для изготовления деталей методом холодной прессовки с последуюш,им спеканием. Фторопласт-4 используют как изоляционный материал в технике сверхвысоких частот и для изготовления химически стойких деталей. Тонкие пленки (0,02—0,04 мм) используют для пазовой изоляции электрических машин и для изготовления пленочных конденсаторов. [c.41]

В гл. 3 изучаются слоистые среды (например, многослойные тонкие пленки, металлические и диэлектрические отражатели, интерференционные фильтры), которые играют весьма важную роль в инте- [c.8]

В оптических приборах для улучшения их характеристик, а именно для увеличения прозрачности и ослабления паразитных изображений, используют покрытия стеклянных поверхностей тонкими диэлектрическими пленками [1]. Преимущества такого метода борьбы с отражением становятся еще более явными при увеличении числа покрытий. Полупрозрачные тонкие пленки используются и для увеличения отражения света от стеклянной поверхности [2]. Такие диэлектрические зеркала особенно важны в лазерных резонаторах и интерферометрах. В частности, с их помощью создаются оптические фильтры, ограничивающие полосу пропускания узким частотным интервалом. [c.153]

Рабочие элементы схемы (за исключением полупроводниковых приборов) выполняются на поверхности подложки в виде пленок различных материалов (резистивных, проводящих или диэлектрических). В гибридных схемах используются как тонкие, так и толстые пленки. Термин тонкие пленки относится к пленкам толщиной до нескольких микрометров. Производство тонких пленок требует больших капитальных затрат,поэтому они используются в сложных аналоговых системах с жесткими допусками на элементы, где требуется крайне высокая стабильность параметров резисторов. [c.686]

Получение очень тонких беспористых диэлектрических пленок оказывается перспективным для изготовления конденсаторов, особенно многослойных. [c.108]

Интегральные пленочные микросхемы предусматривают изготовление всех схемных элементов в виде чередующихся в определенной последовательности тонких пленок различных материалов, осажденных на диэлектрическую подложку. Технология изготовления таких пленок может быть самой различной, однако в большинстве случаев это конденсация пленок при испарении в вакууме. [c.149]

Универсальность метода испарения и конденсации в вакууме позволяет наносить покрытия на различные диэлектрические подложки пластмассы, бумагу, стекло, керамику, ткани. Много работ посвящено электрическим, магнитным и оптическим свойствам тонких пленок на диэлектриках, в то время как вопросам нанесения защитно-декоративных покрытий, а также металлизации рулонных и листовых полимерных материалов уделяется недостаточно внимания. [c.301]

Электроискровой метод дефектоскопии основан на электроизоляционных свойствах полимеров (рис. 194). На выходе индуктора 1 создается напряжение 15—20 кв. К индуктору подсоединяют проводники, имеющие на концах щупы-щетки 3 из тонкой мягкой медной проволоки. На одной из щеток устанавливают индикаторную неоновую лампу 2. Укрепленными на рукоятках из диэлектрического материала щетками проводят по обеим сторонам сварного шва 4. При прохождении щеток через дефектные места проскакивает искра и зажигается неоновая лампа 2. Метод применим для обнаружения дефектов в сварных швах из сравнительно тонких пленок. Контроль электрическим [c.239]

Примечание. Электрическая прочность тонких пленок полистирола и фторопласта-4 составляет 100 -120 МВ/м, фторопласта-3 - 80-5-100 МВ/м с - плотность, а, - временное сопротивление. Ос - предел прочности на сжатие, о зг -предел прочности на изгиб, а - ударная вязкость, р - удельное электросопротивление, е - диэлектрическая проницаемость, tg 5 - тангенс угла диэлектрических потерь, р - электрическая прочность. [c.704]

Высокомолекулярным синтетическим материалам присущи свойства, выгодно отличающие их от металлов и от силикатных материалов. К числу этих свойств относятся простота изготовления деталей и аппаратов сложных конструкций, высокая устойчивость в агрессивных средах, низкая плотность изделий (не превышающая 1,8 г/см , а в большинстве случаев равная 1,0—1,3 г/см ) возможность в широких пределах изменять механическую прочность при статических и динамических нагрузках как правило, высокая стойкость к истирающим воздействиям хорошие диэлектрические и теплоизоляционные свойства высокие клеящие характеристики некоторых полимеров, позволяющие использовать их для изготовления клеев и замазок уплотнительные и герметизирующие свойства отдельных полимеров способность поглощать и гасить вибрации способность образовывать чрезвычайно тонкие пленки. [c.81]

В различных областях электротехники используются тонкие нагревостойкие диэлектрические пленки, которые наносятся на поверхность металла, или полупроводника, или на иные подложки. Такие пленки из заранее подготовленного вещества могут наноснться способами испарепия в вакууме, шоопированием и другими способами возможно также осаждение исходных веществ, которые в результате химической реакции между собой дают диэлектрическую пленку. Рассмотрим представляющие большой интерес пленки, получаемые оксидированием — термическим, электрохимическим или плазменным — металла-подложки таким образом, диэлектрическая пленка получается на поверхности металла в виде химического соединения этого металла с кислородом. Это так называемая оксидная изоляция. Для суждения о том, может ли на данном металле образовываться оксидная изоляция в виде сплошного слоя, вводится объемный коэффициент оксидирования, т. е. отношение объема оксида к объему металла, вошедшего в этот оксид [c.183]

При определении диэлектрических свойств возможны погрешности, так как толщина пленки обычно определяется по весу. В случае тонких пленок из титаната бария напряженность электрического поля очень легко повышается и этим фактором не следует пренебрегать. Если это явление будет иметь место при очень низком напряжении, то возникнут серьезные затруднения при эксплуатации пленок титаната бария. Твердые растворы ВаТЮз—В12 (5пОз)з мало меняют свои характеристики от напряженности поля, е имеет величину около 4000, температурные характеристики также удовлетворительны, что позволяет использовать эти свойства в конденсаторах. [c.297]

Э. В. Бурсиан и Н. П. Смирнова[40] отмечают, что с уменьшением толщины образца е уменьшается и зависимость е = / (Е) сглаживается. Существенно, однако, что возрастание е в больших полях имеет место даже для очень тонких пленок, по крайней мере до 1 мк. Однако независимо от величины используемого поля, максимум диэлектрической проницаемости для пленок толщиной менее 10 мк сильно размыт. Обычно на пленочных материалах даже напряжение 0,5 в образует поле до 300 в см, что приводит к поляризации образцов. Пробой наступает в интервале от 4 до 10 в, причем пробойность тем ниже, чем выше дефектность по кислороду. Диэлектрическая проницаемость возрастает с ростом величины зерна, т. е. со временем термообработки. Диэлектрические потери растут с температурой. Лезгинцева [39] утверждает, что присутствие а доменов замедляет процесс поляризации и снижает величину 33. При каждом последующем цикле измерений некоторая часть а доменов совершает необратимые 90-градусные повороты и концентрация их таким образом уменьшается. Об этом можно судить по увеличению пьезомодуля и снижению поля, при котором наблюдается наибольший рост 33. Таким образом, изучение зависимости 33 = / [Е] позволяет установить качественно связь между пьезомодулем и доменной структурой кристалла. Необратимое изменение доменной структуры кристалла в процессе измерений может быть причиной нестабильности электрических и механических свойств. Поэтому использование таких пластинчатых монокристаллов на практике требует их монодоме-низации и исключения всех этих нежелательных явлений. [c.304]

В этом параграфе указан новый механизм, который может быть ответствен за появление концентрационных структур в тонких пленках с большим электростатическим контрастом (Kornev, 1999). Идея этого механизма заключается в следующем. Если диэлектрическая проницаемость пленки е много больше диэлектрической проницаемости среды ех, то границы пленки фактически являются зеркальными для любого заряда. Помещая тестовый заряд в пленку, мы немедленно порождаем цепочку зарядов-изображений, причем расстояние между соседними зарядами в цепочке по порядку величины сравнимо с толщиной пленки, умноженной на ее диэлектрическую проницаемость (Ландау и Лифшиц, 1988). На расстояниях, много больших толщины пленки h, такой тестовый заряд выглядит как заряженная нитка, поэтому потенциал взаимодействия зарядов на этих расстояниях становится логарифмическим. По закону Больцмана среднее расстояние между двумя зарядами в плоскости пленки есть [c.59]

Точное решение задачи (3.2)-(3.4) было проанализировано Келдышем (1979), впервые указавшим на специфику взаимодействий зарядов в тонких пленках с большим диэлектрическим контрастом. Поскольку в дальнейшем потребуется анализ более сложной ситуации, когда вместо -образного заряда может стоять люЙое его распределение, мы разовьем асимптотическую теорию, не пользуясь результатами точного решения. [c.60]

Следует также отметить, что поверхность имеет свои специфические особенности не только на уровне атомарной, но и электронной подсистемы [385-391]. Последнее особенно ярко проявляется на полупроводниках и диэлектриках и выражается в наличии дебаевского радиуса экранирования, обусловленного энергетическими уровнями Тамма или Шокли [385-387], а также уровнями, связанными с примесями, дефектами и адсорбционными процессами на поверхности кристалла [388—391]. В полупроводниках с концентрацией носителей п = 10 см глубина дебаевского радиуса Lp — 10 см, при этом = (е kTjlne n) , где е — диэлектрическая постоянная кристалла, е — заряд электрона. М.А. Кривоглаз [427] показал, что изменение потенциала и концентрации дефектов (примесей, вэ, . кий и пр.) в приповерхностном слое толщиной порядка дебаевского радиуса оказывает весьма существенное влияние на некоторые термодинамические и кинетические свойства кристаллов и тонких пленок (изменение термодинамического потенциала, растворимость примесей, скорость диффузии, температурный сдвиг кривых фазового равновесия и др.). [c.133]

В последние годы тонкие пленки находят все большее применение в различных областях иауки и техники. Их широко используют для просветления оптики, изготовления диэлектрических многослойных зеркал, интерференционных светофильтре, различных покрытий в технике СВЧ, радиоэлектронике и т. Д. Перечисленный выше далеко неполный перечень применений тонких пленок объясняет тот интерес, который к ним проявляется. В настоящее время существует ряд методов, позволяющих определять характеристики пленок, среди которых наиболее распространены оптические, механические и электрические методы. [c.230]

Важную проблему представляет светоделитель. Вместо привычных для видимой области спектра тонких металлических пленок или многослойных диэлектрических покрытий в ближней. ИК-области спектра в качестве светоделителя используются тонкие пленки германия, кремния, окиси железа, нанесенные на подложку из кварца, фтО ристого бария или кальция, бромистого калия или иодистого цезия. В далекой ИК-области применяется обычно пленка из майлара. Достаточно большие длины золн электромагнитного излучения позволяют также применить в этой области спектра и совсем необычные светоделители — металлическую сетку или проволочную решетку. [c.110]

В различных областях электротехники, в частности в радиотехнике, используют тонкие нагревостойкие диэлектрические пленки, которые наносят на поверхность металла или полупроводника илп на иные юдложки. Такие пленки д ожно наносить сиособаднт испарения в вакууме, шоопированием и т. п. возможно также осаждение исходных веществ, которые в результате взаимной химической реакции дают диэлектрическую пленку. Представляют большой интерес пленки, получаемые путем оксидирования (термического, электрохимического или плазменного) металла-подложки, т. е. получение диэлектрической иленки на поверхности металла за счет химического ссединения этого металла с кислородом — так называемая оксидная изоляция. [c.206]

Пластикат ЛВХ получают смешением ПВХ с пластификаторами, которые снижают температуру стеклования и вязкого течения материала, значительно облегчая его переработку. С увеличением содержания пластификатора повышается морозостойкость материала, возрастает относительное удлинение при растяжении, но понижается механическая прочность, ухудшаются его диэлектрические свойства. Из-за миграции пластификатора при эксплуатации материал теряет эластичность. Пластикаты легко перерабатываются методом экструзии, имеют хорошую морозостойкость, высокое относительное удлинение, из них можно получить мягкие тонкие пленки, прозрачные трубки, искусственную кожу, а также листы для вакуумформования деталей интерьера автомобиля. Материал отличается высокой стойкостью к бензину, антифризу, воде. На изготовление автомобиля идет более 15—20 кг ПВХ, главным образом пластифицированного. [c.136]

Фторопласт-4 — белый или сероватый полупрозрачный материал, имеющий плотность около 2,3 г/сл . Он сравнительно мягок и обладает склонностью к холодной текучести его предел прочности при растяжении 140—250 кПсм -, удлинение при разрыве 250—500% предел прочности при статическом изгибе ПО—140 кГ/см ] удельная ударная вязкость более 100 кГ-см1см твердость по Бринеллю 3—4 кПмм . По своим электроизолирующим свойствам фторопласт-4 принадлежит к лучшим из известных нам диэлектриков, в особенности при условиях работы в полях высоких и сверхвысоких частот его диэлектрическая проницаемость в интервале частот от 50 до Ю - гц составляет 1,9—2,2 tg 8 = 0,0001 -ь 0,0003 удельное объемное сопротивление выше 10 ом-см.. Морозостойкость материала характеризуется сохранением гибкости при температурах ниже —80° С, а для тонких пленок—даже ниже —100° С. [c.220]

В пленочных и металлопленочмых конденсаторах диэлектриком служит тонкая пленка из полистирола, стирофлекса, фторопласта. Электродами в пленочных конденсаторах является металлическая фольга, а в металлопленочных — металлический слой, нанесенный на диэлектрическую пленку. [c.263]

Получение тонких пленок испарением металлических и неметаллических материалов в высоком вакууме является перспективным методом, особенно важным для современной технологии йнтегральных пленочных микросхем. Метод вакуумного испарения позволяет наносить любые пленки — проводящие, резистивные, диэлектрические, полупроводниковые, магнитные, защитные — почти на любые подложки при однотипном, единообразном технологическом цикле. Последнее обстоятельство создает главную предпосылку для автоматизации процесса, без чего повторяемость требуемых результатов и рентабельность производства мало реальны. [c.38]

Пленка диэлектрика должна быть прежде всего плотной, однородной, без пор, во избежание короткого замыкания при осаждении второй обкладки. Желательны материалы с большим значением диэлектрической проницаемости с тем, чтобы при изготовлении больших номиналов емкостей не было необходимости осаждать очень тонкие пленки, так как чем тоньше пленка диэлектрика, тем труднее получить ее беспористой. Однако это требование трудно выполнить, в связи с чем в настоящее время не получены однослойные емкости номиналом выше 5 нф1мм (1 нф=1(Г ф). [c.162]

Полимерные пленки менее гигроскопичны, чем бумага, и превосходят ее по термостойкости, но диэлектрическая проницаемость пленок меньше, так что получение высокой удельной емкости возможно только на очень тонких пленках (в так называемых лакопленочных конденсаторах). В последние годы разработаны полимерные пленки толщиной 2—3 мкм, способные обеспечить удельную емкость порядка 1—2 мкФ/см . Удельная емкость металлобумажных конденсаторов составляет 0,25—0,3 мкФ/см при толщине бумаги 6—7 мкм. Технология металлизации бумаги и пленок одинакова, но пленки предварительно не лакируют. По мере снижения стоимости полимерных пленок и усовершенствования технологии их производства происходит постепенное вытеснение металлобумажных конденсаторов пленочными. [c.322]

В приведенных в книге статьях советских физиков и физико-хи-миков, работающих в области исследоваиия физических и физикохимических свойств ферритов и физических основ их применения, освещаются термодинамические, электрические, диэлектрические, магнитные и магнитооптические свойства ферритов со структурой шпинели, граната, перовскита, магнитоплюмбита, а также влияние различных факторов иа свойства, структуру и распределение ионов по подрешеткам. Рассматриваются вопросы технологии и кинетики образования ферритов, тонкие пленки ферритов, свойства ферритов при сверхвысоких частотах. [c.2]

Толщину тонких пленок целесообразно контролировать эллипсометрическим радиоволновым методом, при этом толщина тонких металлических пленок на диэлектрических подложках определяется по величине азимута, а толщина диэлектрических покрытий на металле - по величине эллиптичности отраженной СВЧ-волны. При отражении от указанных систем измеряется только один поляризационный параметр, а другой остается постоянным в пределах точности измерений. [c.438]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...