Слой плотноупакованный

На рис. 31 кружками показан один слой плотноупакованных шаров, обозначенных буквой А. Второй плотноупакованный слой может располагаться над ним таким образом, что центры его атомов занимают положения В. Если затем попытаться разместить третий слой, то при этом появляются две возможности. [c.57]

Если в плотноупакованной кристаллической решетке с чередующимися слоями атомов порядок укладки этих слоев нарушается не на всем сечении кристалла, а лишь на его части, то по границе этого нарушения возникает частичная дислокация. [c.20]

Рисунок 1.15 - Плоскости из плотноупакованных шаров уложены так, что атомы в слоях А лежат непосредственно друг над другом (слои раздвинуты в вертикальном направлении) [30]

В главе 8 было показано, что совершенную кристаллическую структуру многих материалов можно представить в виде последовательных одинаковых атомных слоев (плоскостей), расположенных вполне определенным образом. При этом нередко возникают плотноупакованные двухслойные, трехслойные, многослойные структуры. Для металлов и ряда сплавов типичны двухслойная плотная упаковка, соответствующая ГПУ структуре, и трехслойная, соответствующая ГЦК структуре. [c.235]

Также экспериментально установлено, что пластическая деформация состоит (в простых случаях) в соскальзывании одних атомных слоев по другим, причем в монокристаллических образцах скольжение достаточно часто происходит по наиболее густо усеянным атомами плоскостям в наиболее плотноупакованных направ- [c.236]

ЧАСТИЧНЫЕ ДИСЛОКАЦИИ. ДЕФЕКТЫ УПАКОВКИ. В плотноупакованной г. ц. к. решетке (рис. 35, а, б) наименьшее межатомное расстояние составляет половину диагонали элементарной ячейки а1У 2, а рас стояние между плотноупакованными плоскостями И1) a/VS (см. рис. 6,6, расстояния ВВ и СС ). На рис 35,а чередование плотноупакованных слоев такое же [c.68]

Дефект упаковки может быть получен также удалением части плотноупакованного слоя с последующей ликвидацией образовавшегося промежутка сближением по нормали плотноупакованных слоев (рис. 37,а). Возникает дефект упаковки вычитания. При внедрении между слоями 111 неполного плотноупакованного слоя атомов возникает дефект упаковки внедрения. Вектор Бюргерса таких частичных дислокаций, называемых дислокациями Франка, ориентирован нормально к плоскости 111 и перпендикулярен линии дислокации, т. е. [c.72]

В плоскости (112) (см. рис. 41,6) атомные слои А и В (рис. 42, а) в своем расположении атомов отличаются, тем, что, допустим, плотноупакованный ряд атомов В2 (Bj, 2 2) смещен относительно плотноупакован- [c.79]

У бериллия, магния, цинка и кадмия решетка гексагональная плотноупакованная. У каждого атома в ней шесть ближайших соседей в рассматриваемой плоскости и по три — в плоскостях, расположенных ниже и выше. У графита атомы углерода расположены слоями. В слоях они очень прочно удерживаются межатомными связями, в то время как межатомные связи между слоями непрочны. Поэтому графит служит смазкой тогда, когда невозможно применять смазочное масло — при очень низкой и очень высокой температурах. [c.26]

Атомы в плотноупакованных плоскостях трех типов (см. рис. 1.9) или шести других типов (см. рис. 1.10) расположены в виде шестиугольника, причем положение первого и второго слоя по отношению к пло- [c.22]

Фазы т.п.у. В некоторых сплавах при недостаточно тщательной доводке химического состава в процессе термической обработки или, что более обычно, эксплуатации могут образовываться нежелательные т.п.у. фазы (см. риС. 4.2 и гл. 8) [45]. Они состоят из плотноупакованных атомных слоев, образующих "корзиночные сетки" вдоль плоскостей октаэдра в г.ц.к. решетке матрицы. Будучи, как правило, неблагоприятными, т.п.у. фазы могут иметь вид ровных пластин и часто образуются по границам карбидных выделений. В никелевых суперсплавах к их числу относят фазы [c.154]

Строение кристаллических решеток всех этих фаз сложное, в них отсутствуют системы множественного скольжения, следовательно, фазы недеформируемы. У сГ-фазы, например, на элементарную ячейку ее о.ц.т. решетки приходится 30 атомов, ячейка характеризуется соотношением ее размерных параметров с/а 0,52 на элементарную ячейку ромбоэдрической структуры fi-фазы приходится 13 атомов. Фаза Лавеса обладает структурой типа Zr Mg. Структура элементарных ячеек фаз О, ji и Лавеса складывается из плотноупакованных слоев, отделенных друг от друга относительно большими межатомными расстояниями. Рассматривая модель сГ-фазы мож- [c.278]

К подобным дефектам относят такие искажения в кристаллической решетке, которые имеют большую протяженность в двух измерениях и незначительную протяженность (несколько межатомных расстояний) в третьем измерении. Характерным примером таких дефектов являются дефекты упаковки, представляющие нарушение закономерного расположения плотноупакованных слоев атомов. Плотноупакованный слой атомов можно представить в виде жестких шаров, плотно прилегающих друг к другу и образующих одну атомную плоскость. В этом случае вокруг каждого атома должно располагаться шесть таких же [c.20]

Зо многих динамических процессах, оказывающих существенное влияние на окру жающую pe/i,y, участвуют взвешенные твердые частицы. Окружающая среда, грубо говоря, состоит из земли, воды и воздуха. Земля в основном состоит из грунта, образованного отложениями минералов вроде песка и глины. Грунт обладает многими свойствами плотноупакованного слоя частиц, однако отличается большей сложностью ввиду непостоянства размера и формы частиц, а также анизотропии распределения в пластах. [c.32]

На первый слой шаров, обозначенных А, в лунки 1 накладывается второй слой шаров, обозначенных В. Для следующего слоя шаров возможны два варианта если шары укладываются над первым слоем, то решетка получается гексагональная плотноупакованная (ГП) (внизу) если третий слой шаров С укладывается на второй над лунками 2 и только четвертый слой повторяет первый слой шаров Л, то получается ГЦК решетка (вверху). [c.12]

В высокотемпературных водных средах на железе и его сплавах образуется характерная двухслойная оксидная пленка, состоящая в обескислороженных растворах, из магнетита Рез04 [38, 39]. Внешний слой состоит из неплотно упакованных кристаллов диаметром I мкм, внутренний защитный слой — из плотноупакованных кристаллитов диаметром 0,05— ,2 мкм, которые прочно связаны с металлической подложкой. Однако в растворах с очень высокими или очень низкими значениями pH защитный магнетитовый слой растворяется или разрыхляется, в результате чего скорость коррозии увеличивается. Влияние растворенного кислорода более сложно. [c.288]

В случае гексагональной упаковки на исходный слой А накладываем второй слой так, чтобы проекции узлов сетки этого слоя занимали позиции В (слой В), следующий, третий слой располагаем так, что проекции узлов сетки этого третьего слоя занимали снова позиции А (слой А). Продолжая и дальше укладывать таким образом слои, придем к упаковке, в которой слои чередуются либо в последовательности ЛВЛБЛВЛВ и т.д., либо АСАСАСАС и т. д., в соответствии с двумя эквивалентными возможностями укладки следующего слоя либо каждый раз после слоя А в треугольные пустоты В, либо в треугольные пустоты С. На рис. 1.22 показано относительное расположение шаров в гексагональной плотнейшей упаковке. Плотноупакованные слои располагаются перпендикулярно направлению [0001] (перпендикулярно оси с ячейки). [c.29]

В кубической упаковке плотноупакованные слои чередуются в последовательности АВСАВСАВС и т. д. и располагаются перпендикулярно направлению [111] в гранецентрированных кубических структурах (рис. 1.23). [c.29]

В ГЦК-решетке дефекты упаковки можно образовать не только путем скольжения. Можно, например, удалить плотно упакованный слой за счет диффузии вакансий на этот слой, а затем сомкнуть соседние слои. Так, после удаления слоя В последовательность будет. .. АВСАСАВС. .. Такой дефект получил название дефекта упаковки вычитаная. Его мох<но считать слоем САСА гексагональной плотноупакованной структуры. [c.113]

Двойникование наблюдается в ряде кристаллов, особенно имеющих плотноупакованную гексагональную или объемно-центрированную кубическую решетку. При двойниковании происходит сдвиг определенных областей кристалла в положение, отвечающее зеркальному отображению несдвинутых областей. Такой симметричный сдвиг происходит относительно какой-то благоприятным образом ориентированной по отношению к приложенному напряжению т кристаллографической плоскости, называемой плоскостью двойникования (рис. 4.12), которая до деформации не обязательно была плоскостью симметрии. Областью сдвига является вся сдвинутая часть кристалла. При двойниковании, как видно из рис. 4.12, в области сдвига перемещение большинства атомов происходит на расстояния, меньшие межатомных, при этом в каждом атомном слое атомы сдвигаются на одно и то же расстояние по отношению к атомам нижележащего слоя. [c.129]

Если слои атомов касаются друг друга, т.е. три атома, изображенные внутри решетки (см. рис. 3, в), касаются атомов, расположенных на верхней и нижней плоскостях, то мы имеем так называемую гексагональную плотноупакованную решетку. Размеры гексагональной плотноупакованной решетки характеризуются постоянным значением с/а = 1,633. При иных соотношениях получается неплотноупакованная гексагональная решетка. [c.18]

Скольжение вдоль вектора Ьг смещает слой В в положение Сив результате последовательность расположения плотноупакованных слоев Рис. 10.7. Схема скольжения в АВСАВС... станет последователь- кристаллах [c.243]

Рис. 42. Плоскости (112) в о. ц. к. решетке, в которых выделены слои атоьшв А, В я С (а) расположение слоев AB DEF в проекции на плоскость (110) (б) порядок расположения плотноупакованных рядов атомов слоя А и слоя В в плоскости (112) (в) и смещение одного слоя атомов выше слоя Е на величину (с/6) [Ш] (г)

Возможно расщепление единичной винтовой дислокации с модулем 0,5а [ИТ] на две частичные. В этом случае часть кристалла начиная, допустим, с ряда Е и выше смещается относительно части кристалла от ряда F и ниже (см. рис. 42, б) не на величину вектора тождественной трансляции 0,5а [111], как это было рассмотрено выше, а на одну треть его, т. е. (а/6) [111] (вектор тр). Пусть слои начиная с Е я выше сместились на (а/6) [Ш] (вектор рт). Слой F займет в плоскости (110) положение, аналогичное слою А и D в исходной решетке (см. рис. 42, г). Однако в плоскости (112) с новым положением совпадают плотноупакованные ряды слоя А, поэтому после смещения на (а/6) [ГГ1] слой Е будет уже н осителем признаков слоя А, а при смещении на (а/6) [111] слой С будет носителем признаков слоя Е (см. рис. 42). Дальнейших нарушений кристаллической решетки начиная со слоя Е и выше нет, поэтому чередование слоев в дефекте упаковки (см. рис. 42) будет DEFA FAB ... Таким образом, винтовая дислокация мощностью fei=(a/6) [iTl] (вектор рт) представляет собой одну границу дефекта упаковки. Другой гра- [c.82]

Если в г. ц. к. решетке вакансионный дпск, лежащий в плоскости 111 , захлопывается при сближении по нормали двух соседних слоев, разделенных слоем вакансий, то возникает дефект упаковки. На рис. 37, а показано чередование плотноупакованных слоев 111 после захлопывания диска вакансий. До захлопывания вакансионный диск находился в слое атомов В (середина этого слоя отсутствовала). При захлопывании диска сближение соседних слоев А и С по нормали одного к другому привело к образованию дефекта упаковки САСА в г. ц. к. решетке АВСАВС..., который чаще имеет не круглую или овальную форму, а ограничен плотноупакованными рядами атомов. Соответственно линия образующейся дислокации Франка имеет форму шестиугольника. Такие шестиугольники наблюдались в фольгах закаленного алюминия. [c.104]

Скольжение. В кристалле скольженне происходит только вдоль некоторых кристаллографических плоскостей и в определенных кристаллографических направлениях, лежащих в этих плоскостях. В кристалле имеется одна или несколько систем плоскостей, вдоль которых плотность упаковки атомов больше, чем вдоль других. В плотноупакованных плоскостях имеются направления, вдоль которых расстояние между атомами минимальное, и, следовательно, силы притяжения наибольшие. Скольжение преимущественно происходит параллельно указанным плоскостям и направлениям, поскольку оно реализуется в этом, случае наиболее легко. Области сдвига ограничиваются слоями толщиной в один атом, называемыми плоскостями скольжения, которые параллельны определенной кристаллографической плоскости. Для металлов с объемно-центрированной кубической решеткой семейство плоскостей 1Ю отвечает наибольшей проч- [c.76]

ОСН2СНз)з на нержавеющей стали и стекле из разбавленных растворов в 1-хлорнафталине. Результаты [54] определения смачиваемости этих поверхностей показали, что адсорбированная пленка представляет собой ориентированный монослой с хорошо воспроизводимыми свойствами поверхности. Полученная величина 14 дин/см служит доказательством того, что наружный слой адсорбированной пленки обогащен плотноупакованными СРз(Ср2)е-группами. Тем не менее, согласно эллипсометрическим измерениям, осажденная пленка является полимерной и ее толщина приблизительно равна 400 А. Даже после промывания этих пленок очищенным фреоном TF (I I2FG I2F2) оставшаяся адсорбированная пленка имеет толщину приблизительно 230 А. [c.23]

Если площадь, занимаемую адсорбированной молекулой воды, принять равной 0,1 нм , то как видно на рис. 19 и 20, условная толщина физически адсорбированного на поверхности металлов слоя воды (выражается отношением n=VIVm, где V — общее количество адсорбированных молекул воды, Vm — количество молекул НгО в плотноупакованном монослое) изменяется от 1—1,5 монослоя при Р/Ро=0,3 до 12—18 молекулярных слоев при влажности, близкой к 100%. [c.47]

Рис. 4.2. Слои атомной решетки а) кубическая объемноцентрированная решетка б) ку бнческая грапецентрированная решетка в) гексагональная плотноупакованная решетка

М. с., как правило, является адсорбционным. Ад-сорбц. слой можно считать М. с. тем более строго, чем однороднее по составу и структуре адсорбат и адсорбент. Толщина разл. М. с. колеблется от межатомных расстояний (адсорбция одноатомных молекул на совершенных плотноупакованных гранях монокристаллов) до размеров адсорбиров. макромолекул (до -.103—10 А). [c.209]

В свободно.м виде—серебристо-ссрый металл, обладает гексагональной плотноупакованной кристаллич. решёткой с параметрами = 273,5 пм. с = 439,1 пм (в тонких слоях Т. известна модификадая с кубич. гранецентрированной кристаллич. решеткой). Плотн, 11,5 кг/дм , / л = 2172 "С, .ип=4877 " С, теплоёмкость Ср = 24 Дж/(молъ К), теплота плавления 24 кДж/моль, теплота сублимации 650 кДж/моль. Парамагнитен, магн. восприимчивость +2,7 10 (при 298 К). Ж электрич. сопротивление 0,169 мкОм м (при О °С), теплопроводность 49,8 Вт/(м К) (при 300 К). Коэф. линейного теплового расширения (7,2—8,9)- 10 К . [c.112]

К ТЖП по формальному признаку относят тонкие граничные слои жидкости на смачиваемых твёрдых поверхностях (см, С.иачивание). жидкие прослойки между твёрдыми поверхностями, полимолекулярные адсорбц, слои п1)нерхп0ст)н)-активных веществ (ПАВ) на границе двух взаимно нерастворимых текучих фаз, К ТЖП относят также симметричные и несимметричные бислойные мембраны (в частности, бислойные липидные мембраны, образующие основу оболочек живых клеток см. Клеточные структуры), состоящие из двух плотноупакованных слоев амфифильных молекул, гидрофобные (углеводородные) радикалы к-рых ориентированы внутрь мембраны, а гидрофильные— в сторону граничащих водных фаз. [c.126]

Озединения типа фаз Лавеса состава ABj с плотноупакованной кубической структурой типа Mg uj ( l5) и гексагональной структурой типа MgZrij (СИ) различаются разной последовательностью чередования одинаковых слоев атомов А- и В-компонентов. Плотнейшая упаковка реализуется при отношении радиусов = Т/З/Т/З [c.523]

Следует отметить далее, что радиусы атомов двух элементов, образующих упорядоченную решетку, в общем различаются, поэтому плот-ноупакованные плоскости в длиннопериодических слоистых структурах незначительно смещены от положения строго плотноупакованных структур. Следовательно, расположение атомов в плотноупакованных плоскостях не точно соответствует шестиугольнику. В связи с этим первый и второй слой, как показано на рис, [c.23]

Дефектами упаковки в кобальтовых сплавах являются атомные слои, уложенные в плотноупакованный ряд в пределах аусте-нитной г.ц.к. матрицы, но последовательность укладки в этом ряду неидентична последовательности укладки в матрице. Степень дефектности явно зависит от химического состава сплава, температуры, приложенного напряжения или степени деформации. Влияние легирующих элементов на энергию дефектов упаковки проиллюстрировано данными рис. 5.2. [c.183]

Для металлов характерны кристаллические решетки трех видов кубическая объемно-центрированная (ОЦК), в которой атомы расположены по вершинам элементарной ячейки и один в ее центре (W, Мо, V, Nb, Fe-a, r, К, Na, Mn-a и др., рис. I.I, а) кубическая гранецентриро-ванная (ГЦК), в которой атомы расположены по вершинам элементарной ячейки и в центрах ее граней (Си, Ni, Fe-y, Ag, Al, Pt, a и др., рис. 1.1, б) гексагональная плотноупакованная (ГПУ), представляющая собой шестигранную призму, в которой атомы расположены в три слоя (Mg, La, Ti, d, Os, Ru и др.). [c.7]

Системы, в которых наблюдается движение совокупности небольших частиц относительно жидкости, в которой они находятся, встречаются в широком круге явлений, представляющих интерес как для ученых, так и для инженеров. Эти явления, вообще говоря, можно разбить на несколько классов. Частицы могут перехмещаться сквозь жидкость совместно, в общей массе, как это происходит при осаждении. Напротив, частицы могут оставаться более или менее неподвижными, как в плотноупакованном слое. Относительные движения частиц и жидкости могут быть более сложными, как в псевдоожиженных системах. Наконец, явление вязкости суспензии, или сопротивления сдвигу, обнаруживается при движении твердых частиц относительно друг друга, когда течение несущей жидкости является сдвиговым. В природе и технике встречается много процессов, связанных с такими типами движения. Основная цель данной книги и состоит в том, чтобы добиться понимания поведения систем, содержащих частицы, причем исходным пунктом будет динамика одиночных частиц. [c.15]

Дефект упаковки представляет собой часть атомной плоскости, ограниченную дислокациями, в пределах которой нарушен нормальный порядок чередования атомных слоев. Например, в сплавах с ГЦК решеткой чередуются плотноупакованные слои АВСАВСАВ..., а при прохождении через дефект упаковки слои чередуются в последовательности АВСВСАВС... Чередование слоев ВСВС... типично для кристаллов с ГН решеткой, и, таким образом, дефект упаковки представляет собой как бы тонкую пластинку с ГП решеткой в ГЦК решетке. [c.35]

Однако использование критерия Xmin Дает лишь качественную информацию о степени нарушения поверхностного слоя. Поэтому нами на основе использования метода протонографии был в дальнейшем предложен количественный метод неразрушающего контроля глубины и степеш повреждения поверхностного слоя структурными дефектами [261-263]. Сущность разработанного способа заключается в том, что исследуемый образец облучают коллимированным пучком положительно заряженных частиц, их регистрируют при рассеянии в направлении одной из плотноупакованных кристаллографических осей, после чего по форме полученного энергети- [c.46]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...