Контакт туннельный

Коммутатор операторов 149 Контакт туннельный 374 Контакты 346 [c.436]

Туннелирование электронов через диэлектрический слой. Если два обычных проводника или сверхпроводника разделены тонким слоем диэлектрика толщиной 1- 2 нм (рис. 141), то через такой слой под влиянием сторонней ЭДС протекает электрический ток, вольт-амперная характеристика которого совершенно различна для нормальных проводников (сплошная линия) и сверхпроводников (штриховая линия) (рис. 142). По причинам, которые сейчас станут ясными, тонкий слой диэлектрика, разделяющий два проводника, называется туннельным контактом. [c.375]

Рассмотрим туннельный контакт между двумя нормальными металлами. Схема энергетических уровней металлов при нулевой разности потенциалов на контакте изображена на рис. 143, а. Ток через контакт отсутствует. Схема энергетических уровней электронов в мета.пле при возникновении на переходе разности потенциалов ell показана на рис. 143,6. Видно, что на контакте возник потенциальный барьер и против уровней электронов на левой стороне контакта (рис. 143,6) расположены незаполненные энергетические электронные уровни-зоны проводимости металла на правой стороне контакта. Заметим, что на рис. 143,6 elJ означает рост потенциальных энергий электронов на левой стороне контакта, а не рост электрического потенциала на этой стороне. Потенциал выше на правой стороне контакта. Через потенциальный барьер посредством туннельного эффекта с левой стороны контакта на правую проходят электроны и образуется электрический ток, текущий че- [c.375]

Схема расположения энергетических уровней туннельного контакта между нормальными проводниками при нулевой разности потенциалов на контакте (а) и при разности потенциалов [c.375]

Величина и механизм прохождения электронов через прослойку зависят от типа прослойки. Одним из типичных примеров ДК является туннельный контакт, состоящий из двух одинаковых или разл. сверхпроводников (обычно в виде тонких плёнок), разделённых очень тонким слоем диэлектрика, напр, слоем окисла материала одного из сверхпроводящих электродов. Протекание тока через прослойку в этом случае обусловлено квантовым туннелированием электронов (см. Туннельный эффект.) че- /,мА,. [c.602]

В сверхпроводниках возможно протекание тока без падения напряжения через туннельный контакт, образованный двумя сверхпроводниками, которые разделены тонким слоем (масштаба нанометров) диэлектрика (стационарный эффект Джозефсона), либо протекание тока, сопровож-заемое при превышении некоторой критической его величины генерацией электромагнитного излучения с частотой, которая определяется разностью потенциалов на контакте (нестационарный эффект Джозефсона). [c.587]

Электрический ток проходит через контакт двух металлов свинца и алюминия, отделенных друг от друга очень тонким изолирующим слоем. На рис. 16.8.1, а схематически изображена зависимость туннельного тока от приложенного напряжения при температуре 0,5 °К, причем максимуму тока соответствует напряжение = 11,8 -10" в, минимуму — напряжение = 15,2 10" в. [c.93]

Вольт-амперную характеристику можно понять, обращаясь к диаграммам энергии, представленным на рис. 16.8.2, а, б. Возможно, что легче сначала разобраться в ситуации, когда сверхпроводник находится в контакте с нормальным металлом контакт осуществляется через непроводящий слой, как это показано на рис. 16.8.2, б. При абсолютном нуле туннельный ток будет отсутствовать до тех пор, пока напряжение не достигнет примерно величины Тогда заполненные состояния на одной [c.411]

Рис. 16.8.2. Энергетические диаграммы для туннельных контактов.

Стекание зарядов может происходить по поверхности адгезива и субстрата в том случае, когда осуществляется последовательный отрыв пленки (рис. П1,6). Заряды, которые образуются на адгезиве и субстрате после отрыва пленки, могут стекать через оставшуюся часть зоны контакта. В результате происходит нейтрализация избыточных зарядов на адгезиве и субстрате. Кроме того, стекание зарядов происходит за счет туннельного эффекта, действие которого будет рассмотрено ниже (см. с. 135). Газовый разряд и эмиссия электронов характеризуют взаимодействие поверхностей, имеющих избыточные заряды и разделенных газовым промежутком. Вид взаимодействия зависит от расстояния между пленкой и поверхностью и скоростью отрыва пленок. [c.126]

Стекание заряда за счет туннельного эффекта. Помимо поверхностной проводимости стекание заряда может происходить за счет туннельного эффекта. Туннельный эффект заключается в просачивании электронов и других частиц сквозь потенциальный барьер. Он проявляется при первоначальном нарушении контакта двух тел, но только в том случае, когда зазор между ними незначителен и не превышает 2 нм. Туннельный эффект характерен для адгезии металлов и полупроводников. Следствием его может быть автоэлектронная эмиссия — выход электронов с поверхности металла или полупроводника под действием сильного электрического поля, которое создается у поверхности (адгезива или субстрата). [c.135]

Найдено, что при тесном контакте металла с диэлектриком барьер у поверхности металла снижается и суживается, вследствие чего возникает туннельный эффект и часть электронов получает возможность переходить из металла в диэлектрик. Перешедшие электроны образуют в диэлектрике отрицательный заряд, металл же заряжается у поверхности положительно. Возникает контактный двойной электрический слой. [c.83]

При отсутствии металлического контакта квазиметаллическая проводимость тонких пленок определяется туннельным просачиванием и термоэлектронной эмиссией [c.531]

Ясно, что эти явления отличаются от тех, которые наблюдали Л. Эсаки и А. Джайевер, хотя они также осуществляются посредством прохождения электронов через туннельный контакт. Различие заключается в том, что [c.377]

Вольт-амперпая характеристика (ВАХ) туннельного контакта Sn— Sn при температуре 1,4 К (прослойка — плёнка оксида олова)., [c.602]

Кроме туннельных структур джоаефсоновские контакты могут представлять собой т. н. слабосвязанные сверхпроводники, т. е. два сверхпроводника, соединённых узким и коротким сверхпроводящим илн нормальным мостиком , тонкой прослойкой нормального металла либо с помои ью точечного контакта. Аналог нестационарного Д. э. наблюдается также в очень узких однородных сверхпроводящих проволочках, где джозефсоновская генерация возникает при пропускании достаточно большого тока. Совокупность явлений, связанных с Д. э. в разл. системах, посит назв. слабой сверхпроводимости [5,6,7]. [c.603]

В гетеродинных приёмниках излучения нелинейность ВАХ ДП используется для смещения поступающего сигнала с частотой f с сигналом внеш. гетеродина /г и с дальнейшим усилением по промежуточной частоте /д = I/ — /г - Общая схема приёмника аналогична обычным гетеродинным приёмникам с нелинейным смесительным элементом (сш. Радиоприёмные устройства). Наилучшая эффективность преобразования частот получается при задании смещения на ДП в точке максимума (обычно между 0 и — первой ступенькой). Чувствительность приёмника со смесителем зависит от величины шума, добавляемого при преобразовании частоты сигнала к /д, и обычно характеризуется соответствующей шумовой температурой Сильная нелинейность ВАХ и наличие в ДП собств. генерации создают условия для преобразования вниз по частоте не только полезного сигнала, но и >ш. ВЧ-компонентов шума. В результате, как показывают теория и эксперимент, смесителя на основе ДП в десятки раз превышает его физ. темп-ру. Частотная область использования смесителей с ДП составляет 30—500 ГГц. Для частот 100 ГГц наименьшее достигнутое значёВие 7 у равняется 100К. Как квадратичные детекторы, так II гетеродинные приёмники на основе ДП широко не применялись. Причина этого в недостаточной стабильности свойств обычно используемых в них сверхпроводящих точечных контактов и в повыш. уровне шума. Вместе с тем по своим возможностям они в ВЧ-облаоти (100—1000 ГГц) превосходят, по-видимому, приёмники, основанные аа Шоттки эффекте и одночастичных туннельных переходах (см. Туннельный эффект). [c.444]

Рис. 2. Вольт-амперная характеристика туннельного контакта в случае одяочастичного тока.

В структурах с нелосредств, сверхпроводимостью (рис. 1, б — г), в отличие от обычного туннельного контакта, малость джозефсоновского тока определяется не слабой проницаемостью диэлектрич. барьера (для купе-ровских пар), а возрастанием плотности тока в области слабой связи (рис. 1, б — г) либо нарушением корреляции электронов в вормалмом металле (рис. 1, д, е), В таких структурах наблюдается неравновесная С. с., обусловленная изменением ф-ции распределения электронов по энергиям. Это приводит к возрастанию критич. тока слабосвязанных систем в СВЧ-поле и к избыточному току при больших напряжениях (ВАХ системы отличается от закона Ома, / = /р У/Н, где 7 — избыточный ток, Н — сопротивление контакта в нормальном состоянии). В контактах с полупроводниковой прослойкой возможно изменение критич. параметров, связанных с изменением туннельной прозрачности [c.552]

Рассмотрим работу этих стабилизаторов более подробно, поскольку по принципу действия они близки к стабилизаторам туннельного типа. Различие заключается лишь в том, что в туннельных горелках рециркулирующие продукты горения зажигают газо-воздушную струю по периферии ее корневой части, а в случае осесимметричных стабилизаторов продукты горения циркулируют внутри газо-воздушной струи. Важно отметить, что во втором случае потери тепла конвекцией от циркулирующих продуктов горения в окружающее простраи-ство отсутствуют. Это обстоятельство облегчает составление упомянутого ранее теплового баланса, в расходную часть которого входит тепло, отдаваемое из зоны горения в струю на границе раздела, а в приходную часть — тепло, которое генерируется реакцией горения в результате контакта смеси с рециркулирующими газами. [c.64]

Квазиметаллический контакт обеспечивают контактные пятна, покрытые тонкими адгезионными и хемосорбированными пленками, легко пропускающими электрический ток благодаря туннельному эффекту. Электроизолирующий контакт образуют пятна, покрытые изолирующими пленками оксидов и сульфидов, не пропускающих электрический ток. [c.630]

Профилограмма позволяет оценить характеристики профиля поверхности по определенному сечению, однако свойства контакта зависят от формы и высоты микронеровностей, т.е. от их топографии. Трехмерное строение поверхности можно изучать, снимая множество профилограмм, расположенных параллельно, и обрабатывая их по специальной методике. Для изучения топографии поверхности можно использовать также другие сканирующие приборы, в частности растровый и туннельный электронные микроскопы. На рис. 2.1 показано топофафическое изображение поверхности, полученное с помощью растрового микроскопа. [c.30]

Наличие щели в энергетич. спектре нрпводпт в области низких темп-р к экспоненциальной темн-рной зависимости ехр [— Д (0)/ "]) величин, нроиор-циональных числу электронных возбуждений (нанр., электронной теплоемкости и теплопроводности, коэфф. иоглощения низкочастотного электромагнитного излучения и звука и др.). Это дает возможность определять Д из соответствующих опытных данных. Для этой цели используются такячо туннельный контакт и порог поглощения радиоволн при Т = О (см. пиже). [c.476]

Второе явление возникает, когда ток через контакт превосходит критич. значение и между двумя сверхпроводниками имеется раз1шсть потенциалов. В этом случае появляется переменная составляющая тока с частотой U) eVjh. Этот эффект можно нояишть, если представить себе, что 2 сверхпроводника, образующие туннельный контакт, замыкаются нек-рым [c.480]

Для измерения температур поверхностей применяют термопары с обнаженным плоским спаем — термощупы. Температуру в туннельных печах иногда измеряют с помощью термопар, закрепленных на вагонетках, продвигающихся по туннелю. По мере продвижения горячего спая термопара сматывается с барабана. Измерение температур стекломассы производят погруженными в нее термопарами, которые часто снабжаются водяньш охлаждением. Температуру стекломассы в стадии формования определяют путем впаивания в нее термопары. Во вращающихся печах используют скользящие контакты. [c.329]

Формула (51) показывает, что при полном отсутствии микродефектов удельное сопротивление полупроводника величина постоянная. Для случая поверхностных слоев контакта это не так. Дело в том, что сама микрогеометрия поверхности уже обусловливает совершенно особые явления в тех контактных мостиках, которые оказываются на данный момент проводящими. Здесь имеют место и туннельный эффект, и явление фриттинга. Туннельный эффект — это свойство электронов проходить через потенциальный барьер, превышающий их среднюю энергию. Туннельный эффект наиболее вероятен при толщине оксидных ( изолирующих ) пленок не более 5-10" см. [c.42]

Смотреть страницы где упоминается термин Контакт туннельный : [c.375] [c.375] [c.66] [c.299] [c.602] [c.441] [c.538] [c.540] [c.541] [c.551] [c.551] [c.551] [c.552] [c.552] [c.552] [c.680] [c.173] [c.173] [c.131] [c.127] [c.529] [c.566] [c.481] [c.434]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...