Токи надбарьерной инжекции

ТОКИ НАДБАРЬЕРНОЙ ИНЖЕКЦИИ [c.274]

Наряду с термоэмиссионным механизмом прохождения тока через тонкие диэлектрические пленки возможно и туннелирование электронов сквозь потенциальный барьер, образованный диэлектриком (рис. 10. 6, й). Как следует из выражения (3.40), вероятность туннелирования резко возрастает с уменьшением высоты барьера Ф = [У — и его толщины d. Поэтому в очень тонких слоях (единицы нанометров) tyннeльнын ток может достигать величины, сравнимой с током надбарьерной инжекции и даже существенно превышать его. [c.277]

Как уже указывалось, тонкопленочные структуры позволяют создавать приборы с разнообразными нелинейными ВАХ. В качестве примера рассмотрим пятислойную МДМДМ-структуру, показанную на рис. 10.10, а. В этой структуре первая диэлектрическая пленка между электродами Mi и Mi делается достаточно тонкой для обеспечения туннелирования сквозь нее фермневских электронов, инжектируемых из первого металла. Она играет роль эмиттерного перехода транзистора. Вторая диэлектрическая пленка берется значительно толще с тем, чтобы электроны могли проходить через нее только вследствие надбарьерной инжекции. При приложении к ней смещения и в отсутствие смещения на эмиттерной пленке ток между электродами М а Мз может быть поэтому весьма малым. Эта пленка играет роль коллекторного перехода. Ток через пленку можно увеличить, подав соответствующее смещение на эмиттерную пленку (рис. 10.10, б). Если толщина базы (металлической пленки М ) мала по сравнению с длиной свободного пробега электронов, инжектируемых в нее через эмиттерную пленку, то ток коллектора (пленки Дг) можно сделать почти равным току эмиттера, т. е. сделать коэффициент усиления по току в схеме с общей базой близким к 1. [c.284]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...