Поле свободного излучения

Поле свободного излучения [c.186]

Найдем теперь поле свободного излучения внутри кристалла. [c.186]

В результате четырехмерные фурье-компоненты поля свободного излучения внутри кристалла могут быть записаны следующим образом [c.187]

Для параллельной поляризации амплитуды полей свободного излучения внутри и вне кристалла ( , можно [c.190]

ИЗЛУЧЕНИЕ электромагнитное [—процесс испускания электромагнитных волн, а также само переменное электромагнитное поле этих волн Вавилова — Черенкова возникает в веществе под действием гамма-излучения и проявляется Б свечении, связанном с движением свободных электронов видимое способно непосредственно вызывать зрительное ощущение в человеческом глазе при длине волн излучения от 770 до 380 нм вынужденное образуется в результате взаимодействия атомов вещества с полем при условии отдачи энергии атомов полю гамма-излучение — испускание волн возбужденных атомными ядрами при радиоактивных превращениях и ядерных реакциях, а также при распаде частиц, аннигиляции пар частица — античастица и других процессах (при длине волн в вакууме менее 0,1 нм) инфракрасное испускается нагретыми телами при длине волн в вакууме от 1 мм до 770 нм (1 нм=10 м) оптическое (свет) характеризуется длиной волны в вакууме от 10 нм до 1 мм рентгеновское возникает при взаимодействии заряженных частиц и фотонов с атомами вещества и характеризуется длинами волн в вакууме от 10—100 нм до 0,01—1 пм ультрафиолетовое является оптическим с длиной волны в вакууме от 380 до 10 нм] ИНДУКТИВНОСТЬ [характеризует магнитные свойства электрической цепи с помощью коэффициента пропорциональности между силой электрического тока, текущего в контуре, и полным магнитным потоком, пронизывающим этот контур взаимная является характеристикой магнитной связи электрических цепей, определяемой для двух контуров коэффициентом пропорциональности между силой тока в одном контуре и создаваемым этим током магнитным потоком, пронизывающим другой контур] ИНДУКЦИЯ магнитная—силовая характеристика магнитного поля, определяемая векторной величиной, модуль которой равен отношению модуля силы, действующей со стороны магнитного поля на малый элемент проводника с электрическим током, к произведению силы тока на длину проводника, расположенного перпендикулярно вектору магнитной индукции [c.240]

Исследования различных режимов работы излучателя для определения оптимальных параметров его настройки проводились путем снятия частотных характеристик и диаграмм направленности в свободном поле ось излучения была направлена вертикально вверх при установке свистка в параболическом отражателе на площадке, находящейся на высоте 25 м над землей. [c.76]

Энергетические и угловые распределения электронов, образующихся при надпороговой ионизации атомов, отражают основные черты процесса многофотонного поглощения вплоть до полей субатомной напряженности. Критической является такая напряженность внешнего поля лазерного излучения, когда амплитуда колебаний свободного фотоэлектрона, вырванного из атома, становится порядка размера атома или превышает его. При [c.197]

Влияние электромагнитного поля лазерного излучения на энергии атом ных уровней рассматривалось в гл. IV в рамках теории возмущений. При этом штарковские сдвиги уровней являются квадратичными по напряженности поля. Коэффициент пропорциональности, представляющий собой динамическую поляризуемость, зависит от частоты лазерного излучения. При частоте, малой по сравнению с частотами характерных атомных переходов, динамическая поляризуемость переходит в статическую поляризу емость. При увеличении частоты поля имеет место резонансное увеличение динамической поляризуемости, когда эта частота совпадает с частотой какого-либо перехода в дискретном спектре атома. При частоте поля, превышающей потенциал ионизации атома, штарковские сдвиги перестают зависеть от квантовых чисел исходного состояния и становятся равными средней колебательной энергии свободного электрона в поле электромагнитной волны. [c.253]

Основой для рассмотрения комбинационного рассеяния света является гамильтониан, состоящий из гамильтониана свободного излучения, поля фононов и экситонов, а также членов наинизшего порядка, соответствующих взаимодействию между полями экситонов и фотонов и полями экситонов и фононов. Здесь следует заметить, что при таком выборе гамильтониана мы автоматически включаем в теорию часть важных взаимодействий. Можно было бы, например, возвратиться к началу рассмотрения предыдущего пункта, а именно снова рассмотреть одночастичный гамильтониан (6.84), построенный с помощью блоховских функций [c.89]

I. Найти максимальную скорость вынужденных колебаний свободного электрона в поле солнечного излучения вблизи земной поверхности (см. задачу к 5). Определить также отношение максимальной силы действующей на такой электрон со стороны магнитного поля, к максимальной силе F , действующей со стороны электрического поля. Поле солнечного излучения заменить монохроматическим Е = Ef os iat с длиной волны "к = 550 нм. [c.527]

Здесь рассматриваются индуцированные процессы, которые могут протекать при взаимодействии электронов с. полем электромагнитного излучения. В отличие от ранее разобранных задач в данном случае статические электромагнитные поля на электроны не действуют и их движение полностью определяется взаимодействием с полем излучения. Конкретно мы будем изучать процессы индуцированного рассеяния фотонов на свободных электронах. Мы покажем, что при взаимодействии электронов с немонохроматическим излучением при определенных условиях возникает эффект отрицательного поглощения внешнего излучения, в результате которого становится возможным усиление пучка [c.200]

При эхо-методе характеристика направленности излученного звукового поля (свободного поля) представляет меньший интерес, чем соответствующая характеристика для обнаружения небольшого дефекта по эху за пределами оси (эхо). Нужно знать, при каком значении доли звукового давления а маленький дефект еще будет обнаруживаться при прозвучивании под определенным углом, если известно максимальное показание на заданном расстоянии от оси. Поскольку характеристика направленности излучателя одинакова и при излучении, и при приеме, характеристика чувствительности при эхо-способе равна квадрату характеристики свободного поля. Это нужно учитывать при задании углов раскрытия 70 в обоих случаях одинаково, но, например, 70,7 неодинаково, потому что 0,7 =0,49— 0,5, и следовательно, [c.92]

В этой вводной главе прежде всего необходимо ввести основные определения и охарактеризовать свойства рассматриваемых волн оптического диапазона. Изложение начинается с анализа уравнений Максвелла и вытекающего из них волнового уравнения. При этом отмечается, что система уравнений Максвелла является следствием законов электрического и магнитного полей, обобщенных и дополненных гениальным создателем этой теории. Таким образом, сразу вводится понятие электромагнитной волны, возникающей в качестве решения волнового уравнения, и проводится рассмотрение ее свойств. При этом выявляется кажущееся противоречие между результатами экспериментальных исследований и решением волнового уравнения в виде монохроматических плоских волн. Данная ситуация может быть понята с привлечением принципа суперпозиции и спектрального разложения, базирующегося на теореме Фурье. В рамках этих представлений можно истолковать особенности распространения свободных волн в различных средах и определить понятия энергии и импульса электромагнитной волны, формулируя соответствующие законы сохранения. Рассмотрение излучения гармонического осциллятора, которым заканчивается глава, позволяет принять механизм возникновения излучения, облегчает модельные представления о законах его распространения и открывает возможность рассмотрения более сложных условий эксперимента, которое проводится в последующих главах. [c.15]

В этом случае уравнения, учитывающие длину волны (частоту) излучения, его затухание в веществе, действие окружающих молекул на смещение электрона под воздействием внешнего поля, влияние свободных и связанных электронов, выводятся из теории дисперсии и имеют вид [c.767]

Здесь (1( — кругов-ая частота внешнего электромагнитного поля, определяемая длиной волны падающего потока излучения шо — круговая частота собственных колебаний свободных электронов атомов вещества, зависящая от их природы (Oft — круговая частота собственных колебаний электронов поляризуемости е, т — заряд и масса электрона соответственно /V, Nk — число атомов в единице объема, испытывающих поляризацию среды, соответствующее различным собственным частотам (Ds gn, gk — коэффициенты сопротивления среды для частот, близких к (Оо и (о соответственно. [c.767]

Действие закона сохранения четности можно продемонстрировать на эффекте Зеемана. Рассмотрим сферически симметричный источник света, например, нагретый шар 1 (рис. 2.23). В свободном состоянии излучение этого источника будет, как говорят, изотропным, т. е. одинаковым во все стороны. Если же мы окружим этот источник круговым проводником 2, по которому течет ток, то излучение, скажем, в плоскости тока будет иным, чем излучение в направлении, перпендикулярном этой плоскости, за счет того, что созданное круговым током магнитно поле поляризует атомы н [c.73]

Рассеяние на тепловых колебаниях решетки (на фононах). Подобно тому, как электромагнитное поле излучения можно трактовать как набор световых квантов - фотонов, так поле упругих колебаний, заполняющих кристалл, можно считать совокупностью квантов нормальных колебаний решетки - фононов. Средняя длина свободного пробега электронов должна, очевидно, быть обратно [c.60]

Электропроводность газообразных диэлектриков. В слабых электрических полях удельная проводимость газов весьма мала. Например, удельное объемное сопротивление воздуха при нормальных условиях равно Ом-м. Ток в этих условиях возникает в результате перемещения свободных ионов и электронов, которые образуются под действием ионизирующих излучений земной коры, космических лучей, ультрафиолетового излучения солнца, нагрева. Такие факторы ионизации называют внешними факторами. Наряду с ионизацией в газе происходит рекомбинация, возникающая вследствие объединения положительных ионов и электронов, совершающих хаотическое непрерывное тепловое движение. В результате рекомбинаций образуются молекулы газа, не имеющие заряда. [c.139]

Формулу (1.71) будем применять при расчете поля излучения в твердое тело продольной волны преобразователем, расположенным на его свободной поверхности, при этом также % г os 0ЛВ. Однако следует иметь в виду, что в действительности этот случай имеет ряд отличий. Каждый элементарный источник, колеблющийся нормально к поверхности, кроме продольной излучает поперечную волну, амплитуда которой при углах 0AB яй 38 больше, чем продольной. Краевые точки преобразователя излучают поверхностные волны, которые, распространяясь вдоль свободной поверхности, порождают объемные волны. Между преобразователем и твердым телом от краевых точек пластины [c.73]

Изложенный способ решения задачи, в отличие от ранее рассмотренных, позволил получить решение, с достаточной точностью описывающее поле излучения при критических углах падения. В этом случае первый член ряда обращается в нуль и поле определяется дифракционной волной. При первом критическом угле вдоль поверхности распространяется головная волна, т. е. продольная волна, которая в каждой точке свободной поверхности порождает боковую поперечную волну, идущую под третьим критическим углом а = ar sin ( j/ j). При втором критическом угле падения вдоль поверхности распространяется поперечная поверхностная волна, которая порождает неоднородную (т. е. быстро затухающую с глубиной) продольную волну. [c.87]

Формула (30) является в некоторой степени приближенной она получена в предположении, что взаимодействие системы атомов с электромагнитным полем происходит так же, как и в свободном пространстве. В реальной ситуации поле возникает под действием вынужденного излучения активной среды, в то же время [c.15]

Из формул (14.12) следует, что излучение как в центральном пятне, так и в боковых пятнах является результатом суперпозиции трех волновых полей рассеянного поля заряда и двух полей свободного излучения, выходящего из кристалла. Каждое из этих полей имеет свой фазовый множитель, осцилляционным образом зависящий от толщины кристалла а. При таких толщинах а, когда неравенство (14.18) уже не выполняется, но со а 1т еще намного меньше единицы, т. е. поглощение излучении в кристалле незначительно, интенсивность излучения является результатом интерференции всех трех полей. При больших толщинах, таких, что [со aim А(,2/с < 1 I oa Im Ao,i/ , т.е. нормально проходящая часть излучения полностью поглощается в кристалле, а аномально проходящая часть поглощается еще незначительно, интенсивность излучения определяется интерференцией только двух полей рассеянного поля заряда и аномально проходящего свободного поля. Наконец, при eui,e больших толщинах а (неравенство (14.24,)), когда обе частЦ свободного поля поглощаются, интенсивность излучения выражается формулами (14.26), исследованными выше. [c.197]

Несколько изменим постановку задачи, приблизив ее к изучаемой проблеме. Пусть осциллятор находится в равновесии с электромагнитным полем равновесного излучения, изотропно заполняющим при некоторой температуре замкнутую полость. Тогда осциллятор будет совершать не свободные, а вынужденные колебания, т.е. он не только излучает энергию, но и поглощает ее из окружающего пространства. Для простоты будем рассматривать колебания зарядов под действием монохроматического излучения частоты m. В этом случае вынуждающую силу запишем как реальную часть Re F t) = Re qEox e " == qEox os at. Тогда уравнение движения имеет вид [c.418]

Контай- Ионитов с радиоактивными растворами и полями ионизирующих излучений сопровождается сложными преобразованиями, приводящими к потере обменной емкости, способности к набуханию, механической прочности. Потеря емкости катионитов при облучении обусловлена двумя причинами растворением катионита вследствие деструкции цепей сополимера и процессом дисульфирования, в результате которого в продуктах разрушения смолы появляется свободная серная кислота по реакции RSO3 +Н2О—>RH+ SO4" +Н . [c.586]

Ускорение свободных электронов. Хорошо известно, что изолированный свободный электрон может приобрести энергию при столкновении с фотоном в результате эффекта Комптона [8]. Закон сохранения энергии и импульса но позволяет нри эффекте Комптона электрону поглотить фотон возможна лишь передача части кинетической энергии и пмпульса фотона электрону. Однако в поле светового днапазона передача энергии электрону ДЙ е пренебрежимо мала, так как Д (Й(о/т,с°) Йш, где т,с — энергия покоя электрона 0,5 10 зВ). Поэтому за счет эффекта Комптона не происходит какого-либо заметного увеличения энергии свободного электрона в поле лазерного излучения ). [c.196]

Специфической чертой сверхатомного ионизующего поля является большая величина колебательной энергии свободного электрона кол сх (X Р /ш . Легко оценить, что в поле излучения оптического диапазона частот (ш ос ОДй ) равенство колебательной энергии и энергии покоя электрона Ео = ШеС 0,5 МэВ достигается при напряженности Р 30Еа. Выполнение условия кол сх Ео означает, что необходим учет релятивистских эффектов в конечном состоянии, когда электрон становится свободным. В частности, необходим учет магнитной составляющей электромагнитного поля лазерного излучения. [c.252]

Граничные условия задаются самим светоделителем. Поэтому нам нужна модель для его описания. Самой элементарной моделью является диэлектрическая среда, занимаюш,ая ограниченную область пространства. Ради простоты предположим, что это тонкая пластина, эазделяюш,ая интересуюш,ее нас пространство. Прежде чем обсуждать квантованные световые поля и излучение, падаюш,ее на светоделитель и выходяш,ее из него, сначала надо найти полевые моды для этой задачи. С этой целью мы должны решить уравнение Гельмгольца с со-ответствуюш,ими граничными условиями в присутствии разделяюш,ей диэлектрической среды. В области вне этой среды, то есть в свободном пространстве, решениями уравнений Гельмгольца являются просто плоские волны ехр( гк-г). Вид решений внутри среды зависит от свойств диэлектрика. Граничные условия обеспечивают сшивку решений вне и внутри светоделителя. [c.394]

Фотопроводимость. Внутренний фотоэффект, или фотопроводимость, — это явление возникновения внутри полупроводника избыточных носителей тока под действием освещения. В простейшем случае собственного полупроводника излучение возбуждает валентные электроны в зоне проводимости, где они находятся в свободном состоянии и могут участвовать в процессе переноса заряда. Вклад в прО Зодимость дают также возникаюш,ие в валентной зоне дырки. В примесном полупроводнике -типа кроме собственного фотоэффекта возможно еще возбуждение электронов из связанных состояний на донорных центрах в зону проводимости. Аналогичным образом в полупроводниках р-типа возможно возбуждение электронов из валентной зоны на акцепторные уровни, создавая тем самым подвижные дырки. Характерно, что в обоих случаях" примесной фотопроводимости в кристалле генерируются свободные носители только одного знака. Так же, как и внешний фотоэффект, фотопроводимость проявляется в однородном материале в присутствии внешнего электрического поля. [c.346]

Из приведенного расчета следует, что в результате соударения должны возникнуть свободные электроны, которые часто называют электронами отдачи. Из уравнений (8.64) легко оценить, какую долю энергии рентгеновского кванта унесет этот электрон, и связать изменение относительной интенсивности компонент рассеянного излучения со смещением АЯ. Полученные соотношения находятся в согласии с приведенными опытными данными. Следует заметить, что для не очень жесткого излучения паже при больших углах рассеяния уносимая электроном энергия составляет малую часть энергии фотона, что существенно отличает механизм данного процесса от фотоэффекта, где электрон забирал всю энергию налетающего фотона. Наличие электронов отдачи при рассеянии рентгеновского излучения было Подтверждено опытами Д. В. Скобельцына, наблюдавшего их следы (треки) в камере Вильсона. Остроумное видоизменение методики (помещение камеры во внешнее магнитное поле) позволило измерить энергии электронов. [c.449]

Газы в слабых электрических полях и при не очень высоких температурах обладают весьма малой удельной проводимостью. При этих условиях весьма немногочисленные свободные носители заряда — электроны и ионы — образуются лишь под действием внешних ионизаторов невысокой интенсивности—космических лучей и естественного ионизирующего излучения. Поэтому при указанных условиях газы являются отличными диэлектриками с удельным сопротивлением порядка 10 Ом-м, практически не имеющим диэлектрических потерь (tg б порядка 10 ). Повышение электропроводности газов происходит при высоких температурах, начиная с 10 — Ю К, когда энергия теплового движения частиц газа велика и при столкновении они могут ионизовать друг друга (происходит термическая ионизация). Термоионизация воздуха нарастает, начиная с температуры 8000 К. При 20 ООО К воздух ионизуется практически полностью [c.545]

Как только плазма возникла, в ней начинает поглощаться лазерное излучение (обычно этому соответствуют температуры 5000-4- 12000 К). Поглощение в плазме обусловлено обратным тормозным эффектом, при котором свободный электрон погло щает фотон. Электрон переходит в более высокое энергетическое состояние непрерывного спектра. Для сохранения количества движения этот процесс должен происходить в поле иона,, атома или молекулы. На начальных стадиях пробоя число ионов мало, а температура газа остается низкой. Взаимодействие электрона с излучением происходит в этом случае в поле нейтрального атома или молекулы. Коэффициент поглощения связанный с обратным тормозным эффектом в системе, состоящей из нейтрального атома и свободного электрона, вычислен, например, для нейтрального водорода (в единицах СГС) [29] [c.103]

Гамма-излучение ядер обусловлено взаимодействием отдельных нуклонов ядра с электромагнитным полем. Несмотря на это, в отличие от р-распада, v-излучение — явление не внутринуклонное, а внутриядерное. Изолированный свободный нуклон испустить (или поглотить) v-KBaHT-we может из-за совместного действия законов сохранения энергии и импульса. В то же время внутри ядра нуклон может испустить квант, передав при этом часть импульса другим нуклонам. [c.260]

Установим связь между коэффициентом поглощения и излучатель-ностью газа. Для этого лредставпм себе полое тело, загюлнеиное диатермической средой (или свободное пространство, orтаничснное стенками с равномерно распределенной температурой Излучение, [c.398]

Облучение большинства неорганических керамических материалов сопровождается сильным эффектом фотопроводимости. Большая часть энергии излучения затрачивается на возбуждение электронов и ионизацию. Хотя это возбуждение и не приводит к разрыву старых и образованию новых связей, оно образует квазисвободные электроны, которые могут свободно перемещаться под влиянием электрического поля. Так как подвижность носителей заряда в неорганических соединениях выше, чем в органических полимерах, то и величина фототока, возникшего под действием облучения, соответственно иная. [c.397]

Излучение микрорадиоволн в свободное пространство и их прием осуществляется с помощью антенн. Конетруктивпо антенны могут быть выполнены различно. При дефектоскопии изделий чаще всего используются открытые срезы волноводов и диэлектрические антенны. Для количественной оценки качества контролируемого изделия применяют рупорные антенны, которые обладают более острой диаграммой направленности и создают вблизи раскрыва рупора электромагнитное поле, близкое к плоскому. [c.133]

Для газовой срёды, содержащей влагу, насыщение дости гается при температуре более 800°С (Ga=l,l л/мин), причем зависимость скорости окисления от температуры имеет порого вый характер (рис. 5.11). По-видимому, с повышением температуры до 800° С водяной пар в поле излучения диссоциирует на водород и кислород. Увеличение числа свободных радикалов и атомов ведет к быстрому образованию разветвленных цепных, реакций с автоускорением. Температура реакции зажигания графита во влажной среде, равная 800° С, согласуется с данными работы [28]. Максимальное значение коэффициента К существенно меньше величины коэффициента К для среды гелий — кислород, что, вероятно, объясняется присутствием водорода и его ингибирующими свойствами. [c.217]

Для проведения акустических испытаний в лабораторных условиях строят специальные заглушенные (безэховые) камеры, в которых звук, излучаемый машиной, практически полностью поглощается специальными материалами, которыми облицованы стены. В безэхо-вых камерах, как и в свободном поле, уровень звукового давления обратно пропорционален расстоянию от акустического центра излучения до точки измерения и снижается на 6 дБ при удвоении расстояния от точечного источника звука. Известны два типа камер. В камерах первого типа машину устанавливают на уровне жесткого [c.414]

Особое место занимает испускание вещества, когда электрически заряженные частицы находятся в свободном (не связанном между собой) состоянии и движутся относительно друг друга. К этим случаям относятся, например, ионизированный газ (плазма), наличие свободных электронов в металле. Свободный электрон, пролетая в электрическом поле иона, либо может быть захвачен ионом (фоторекомбинация), либо потерять часть своей кинетической энергии на испускание (тормозное излучение). И в том и в другом случае избыток кинетической энергии электрона превращается в энергию электромагнитного излучения. [c.23]

При экспонировании заряженной электрорентгеногра-фической пластины в потоке ионизационного излучения, прошедшего через исследуемое изделие, формируется скрытое электростатическое изображение. Под действием излучения в полупроводниковом слое образуются свободные носители тока, движущиеся в электрическом поле к поверхностным электростатическим зарядам на слое, нейтрализуя их. Нейтрализация зарядов полупроводникового слоя определяется интенсивностью ионизационного потока, который повторяет картину несплошностей в исследуемом металле. На поверхности пластины возникает электростатический рельеф контролируемого изделия. [c.615]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...