Химические связи и энергия решетки

Химические связи и энергия решетки ) [c.14]

Конкретную геометрию металлической решетки, выражаемую координационными числами, межатомными расстояниями в первой и второй координационных сферах, определенными кристаллографическими направлениями и плоскостями, естественнее всего связать с симметрией атомных орбиталей, образуемых валентными и внешними остовными электронами, ответственными за межатомные связи. Металлическая связь представляет один из видов межатомной или химической связи и должна характеризоваться энергией связи, ее длиной, кратностью связи, числом связей, образуемых данным атомом, и валентными углами. [c.36]

Элементы ША и УА подгрупп встраиваются в решетку германия и кремния, преимущественно замещая атомы основного вещества, и при этом ведут себя в соответствии с своей валентностью. Атом элемента УА подгруппы отдает четыре валентных электрона на образование химической связи, а один его электрон может быть переведен в зону проводимости. Атом элемента ША подгруппы отдает три валентных электрона на образование химической связи и может присоединить один электрон, что приведет к образованию дырки в валентной зоне. Таким образом, элементы УА подгруппы ведут себя как простые доноры, а элементы ША подгруппы как простые акцепторы, образуя мелкие энергетические уровни в запрещенной зоне. Термически определенные значения энергии ионизации примесей элементов УА и ША подгрупп, а также лития в слаболегированных 51 и Ое приведены в табл. 3.2. [c.121]

С другой стороны, адсорбционная теория опирается на тот факт, что большинство металлов, подчиняющихся определению 1, являются переходными металлами в периодической системе (т. е. они имеют электронные вакансии или неспаренные электроны в d-оболочках атома). Наличие неспаренных электронов объясняет образование сильных связей с компонентами среды, особенно с Оа, который также содержит неспаренные электроны (что приводит к появлению парамагнетизма) и образует ковалентные связи в дополнение к ионным. Кроме того, переходные металлы имеют высокую температуру возгонки по сравнению с непереходными, что благоприятствует адсорбции компонентов окружающей среды, так как атомы металла стремятся остаться в кристаллической решетке, а образование оксида требует выхода из нее. Образование химических связей при адсорбции кислорода переходными металлами требует большой энергии, поэтому такие пленки называются хемосорбционными, в отличие от низкоэнергетических пленок, называемых физически адсорбированными. На поверхности непереходных металлов (например, меди и цинка) оксиды образуются очень быстро и любые промежуточные хемосорбционные пленки являются короткоживущими. На переходных металлах хемосорбированный кислород термодинамически более стабилен, чем оксид металла [22]. Многослойная адсорбция кислорода, характеризующаяся ослаблением связей с металлом, приводит с течением времени к образованию оксидов. Но подобные оксиды менее существенны при объяснении пассивности, чем хемосорбционные пленки, которые продолжают образовываться в порах оксида. [c.81]

Действие ядерных излучений на вещество в общих чертах состоит из следующих процессов. Во-первых, налетающие частицы, сталкиваясь с электронами, выбивают их, производя в веществе ионизацию (иногда возбуждение) атомов. Во-вторых, налетающие частицы достаточно высоких энергий при неупругом ядерном столкновении с ядрами могут частично разрушать ядра, например, выбивая из них протоны и нейтроны, ведет к появлению в веществе новых изотопов, в том числе новых элементов. Эти новые изотопы часто оказываются радиоактивными. В результате в веществе возникает наведенная активность. В-третьих, при выбивании электронов во многих веществах, особенно органических, могут разрушаться или, наоборот, возникать различные химические связи, что приводит к изменению химической структуры вещества. В-четвертых, при упругих столкновениях налетающих частиц с ядрами атомы вещества выбиваются из своих положений в кристаллической решетке в другие узлы или в междоузлия. В результате в решетке образуются разного рода дефекты, влияющие на различные физические свойства кристаллов. [c.456]

По современным научным воззрениям не только органические, но и неорганические неметаллические материалы имеют полимерное строение. Ковалентные, ионные и дисперсионные химические связи в полимерных материалах исключают наличие в объеме тела подвижного электронного газа, образующего металлическую связь и легко переносящего тепловую и электрическую энергию. Поэтому одним из основных отличий неметаллических материалов от металлов, сплавов и графита имеющего также металлическую связь между плоскостями кристаллической решетки) являются их тепло- и электроизоляционные свойства. [c.7]

Это соответствует энергии сублимации металлов и ковалентных кристаллов (табл. 1), а также энергии решетки ионных кристаллов, т. е. энергии химической связи, возникающей между атомами, имеющими валентные электроны. [c.18]

Поведение тепловых нейтронов в решетке урана с замедлителем не так просто. Очевидно, что для установления действительного теплового равновесия между нейтронами и замедлителем необходимо бесконечно большое число столкновений, а в хорошо сконструированной решетке нейтроны поглощаются ураном после относительно небольшого числа соударений. В результате этого энергетический спектр нейтронов останется сложным, и их средняя энергия будет оставаться значительно выше ЛТ. Эта средняя энергия будет различной даже в разных точках решетки. Действительное распределение по энергиям будет зависеть как от поглощающих свойств материалов, так и от их замедляющих свойств. Последние, в свою очередь, зависят от атомного веса замедлителя, от величины химической связи (эффект Ферми) и от кри- [c.92]

Химическая связь. Рассчитаем для определенной группы веществ, которые имеют преимущественно гетерополярные связи, энергию решетки с кулоновской составляющей по формуле (5.7) и проследить в пределах гомологического ряда за систематическими отклонениями от экспериментально найденных значений. Эти данные могут служить указанием на изменение сил связи. У галогенидов меди, [c.84]

Образование поверхностных соединений обусловлено тем, что энергия возникающей химической связи недостаточна для отрыва поверхностных атомов твердого тела от кристаллической решетки, с которой они связаны. Иначе говоря, поверхностные соединения могут существовать в определенных условиях (внутренних и внешних). [c.60]

Отрицательные уклонения от правила аддитивности можно объяснить, сравнивая процессы нагрева кристаллов химического соединения и механической смеси кристаллов компонентов того яге стехиометрического состава.,Так как при нагреве какого-либо кристалла основная часть энергии тратится на увеличение амплитуды колебаний атомов или ионов в узлах кристаллической решетки, то кристалл химического соединения, где эти атомы или ионы связаны более прочно, может запасти энергии мень- [c.160]

Зависимость теплоемкости от состава обусловлена, по-видимому, природой связей Ме—Ме в решетке карбидов [И]. В карбидах переходных металлов IV группы периодической системы элементов основная часть валентных электронов атомов металла (в рамках модели химической связи, принятой в [И]) осуществляет направленные связи с валентными электронами углерода. В результате этого доля электронов, отвлекаемых на связи Ме—Ме, в решетке этих карбидов незначительна.Следовательно, связи Ме—Ме в них слабы. Предполагая независимость энергии единичной связи Ме—С от числа и взаимного расположения вакансий, легко видеть, что уменьшение количества углерода в карбиде в пределах области гомогенности приведет к линейному уменьшению суммарной прочности связи Ме—С за счет уменьшения числа единичных связей Ме—С. Ме—Ме взаимодействие при этом будет усиливаться нелинейно вследствие увеличения числа электронов Ме—Ме-связей, не скомпенсированных атомами углерода [14]. Но так как связи Ме—Ме в решетках этих карбидов слабы, то процесс их усиления не будет заметно сказываться на характере изменения суммарной прочности химической связи в карбиде с составом. По этой причине изотермы теплоемкости карбидов титана и циркония носят почти линейный характер [13]. [c.150]

Упрочнение металлов и сплавов связано либо с усилением всех связей между атомами, либо с усилением наиболее слабых связей, лимитирующих прочность кристаллических тел. Происходящее при этом изменение энергии ( г), длины ( /) и характера химической связи сопровождается малыми изменениями атомных радиусов Ri), межплоскостных расстояний ( г) и параметров (а,) кристаллической решетки или же ее базиса (а,). [c.51]

Рассмотрим твердое тело, состоящее из атомов, образующих правильную кристаллическую решетку. Обозначим через Uq энергию статической решетки при О К и будем полагать колебания атомов гармоническими (кстати, в этом случае объем тела не меняется при нагреве), в связи с чем можно перейти от химического потенциала к приходящейся на атом свободной энергии/ . Тогда свободная энергия такого твердого тела может быть запи- [c.252]

При небольших смещениях атомов из положения равновесия в узлах кристаллической решетки можно в первом приближении потенциальной энергии пренебречь ангармонизмом (энергия, связанная с ангармонизмом, мала). Покажем, что при этом условии в случае всестороннего сжатия и расширения (ниже макроскопического предела текучести) химический потенциал атомов металла, возбужденных деформацией, будет одинаково возрастать независимо от знака деформации (т. е. знака, приложенного извне гидростатического давления) в отличие от кинетической модели системы свободных молекул (идеального газа), где знак прира-щ,ения давления определяет направление изменения химического потенциала. Напротив, термоупругие эффекты в твердых телах связаны с ангармоническими членами в выражении потенциальной энергии взаимодействия атомов, но здесь они не рассматриваются. В литературе этому вопросу не уделено должного внимания, так как все опыты по изучению поведения твердых тел под высоким давлением относятся к деформации тела сжатием. [c.15]

Действительно, концентрация насыщения раствора при неизменной дисперсности минерала (влияние упругой деформации на поверхностную энергию пренебрежимо мало) зависит только от температуры, и кратковременное пересыщение в прилегающем тонком слое раствора, вызванное приложенным напряжением вследствие увеличения химического потенциала кристалла, приводит к немедленному обратному осаждению всей растворившейся твердой фазы в виде осадка с ненапряженной решеткой (эпитаксия скажется только на первых моноатомных слоях, что имеет значение для равновесного потенциала металла и скорости растворения минерала в ненасыщенном растворе, но несущественно для минерала в пересыщенном растворе в связи с быстрым образованием толстого слоя осадка). В результате на поверхности кристалла, покрытого этим осадком, восстановится прежнее фазовое равновесие, и влияние напряжений не удастся зафиксировать. Поэтому механохимическое растворение минералов следует изучать в растворах, далеких от насыщения, используя нестационарные кинетические методы. [c.35]

Действие облучения на материалы, как правило, приводит к значительным изменениям свойств этих материалов, к изменениям физических и химических процессов, происходящих в веществе, а также к новым качественным состояниям вещества. Изменения эти связаны не только с дозой облучения, но и с целым рядом ускоряющих или замедляющих факторов. Следовательно, чтобы характеризовать условия облучения, необходимо кратко рассмотреть общие вопросы, связанные с воздействием излучения на твердые тела. Взаимодействие излучения с твердыми телами приводит к структурным нарушениям кристаллической решетки, в результате физико-механические свойства вещества изменяются. В зависимости от энергии и типа излучения в материалах наблюдаются следующие явления иони- [c.86]

При повышении энергии молекул среды и их активности происходит внедрение атомов среды в кристаллическую решетку металла и образовании на поверхности металла химических пленок (оксидов, сульфидов, хлоридов, фосфатов и др.) - возникает смазка высокого давления. Внутренние связи продукта химической реакции превосходят связи металла, поэтому реакция образования пленок смазки высокого давления необратима. Десорбция может происходить только как десорбция продуктов реакции. [c.445]

Растворение двуокиси кремния (SIO2) в NaOH и КОН носит диффузионный характер [529]. Ири этом разрушается кристаллическая решетка SIO2 и перераспределяются химические связи. Величина энергии активации процесса растворения кремнезема в расплавленных [c.208]

Адсорбционная же теория получила поддержку на том основании, что большинство металлов, относящихся к пассивным по первому определению, — переходные металлы периодической системы, т. е. они содержат электронные вакансии или непарные электроны в d оболочках атома. Наличие непарных электронов объясняет образование сильной связи с компонентами окружающей среды, особенно с О2, который также содержит непарные электроны. Вследствие этого, кроме ионной связи, имеется парная электронная или ковалентная связь. Переходные металлы к тому же имеют высокую теплоту сублимации по сравнению с непереходными металлами. Это свойство благоприятствует адсорбции окружающей среды, так как атомы металла стремятся остаться в своей решетке, тогда как образование окисла требует, чтобы атомы металла покинули свою решетку. Высокие энергии адсорбции О2 на переходных металлах соответствуют образованию химической связи и поэтому такие пленки называются хемосорбиро-ванными в противоположность пленкам с более низкой энергией, которые называются физически адсорбированными. На непереходных металлах, например Си и Zn, окислы образуются немедленно, и хемосорбированные пленки, имевшиеся на поверхности металла, не могут долго существовать. На переходных металлах существование хемосорбированных частиц значительно продолжительнее. Однако все хемосорбированные пассивные пленки реагируют во времени с металлом, который покрывается такими соединениями, как, например, окислы, и соединения менее ответственны за пассивность, чем метастабильные хемосорбированные пленки, которые образовались вначале и продолжают образовываться на испытываемом металле в порах окисла. [c.70]

Металлические связи образуют структуры путем взаимодействия положительных ионов решетки (атомных остатков) и делока-лизированных, обобществленных электронов. Эти связи являются гомеополярными. Они по существу не относятся к химическим, и понятие металлические связи можно считать качественным, так как металлы не имеют молекулярного строения, а их атомы соединяются в кристаллические образования. Этот вид связи и обусловливает высокую прочность, пластичность и электропроводность металлов. Энергия связи — около Ю Дж/моль. Прочная металлическая связь наблюдается при образовании интер-металлидов и некоторых твердых растворов. Одна из ее особенностей — отсутствие насыщения, определяемого валентностью соответствующих атомов. [c.10]

При затвердевании расплавленного материала слабые адге знойные связи заменяются прочными химическими связями, соответствующими природе соединяемых материалов и типу их кристаллической решетки. При сварке плавлением вводимая энергия (обычно тепловая) должна обеспечивать расплавление основного и присадочного материалов, оплавление стыка, нагрев кромки и т. д. При этом происходит усиленная диффузия компонентов в расплавленном и твердом материалах, их взаимное растворение. Эти процессы, а также кристаллизация расплавленного металла сварочной ванны (или припоя) обеспечивают объемное строение зоны сварки, что обычно повышает прочность сварного соединения. [c.13]

Число факторов, определяющих конкретный тип текстуры деформации, весьма велико. Оно включает в себя прежде всего условия деформации (схема, скорость, температура, смазка и др.), а также природу основного материала (тип решетки и природа химических связей, энергия дефектов упаковки, исходная текстура и величина зерна и др.), характер легированР1я (природа легирующей примеси, концентрация, фазовое состояние) и др. [c.281]

В первом случае атомы легирующей примеси имеют большее число валентных электронов, чем атомы полупроводника. Такую примесь называют донорной. Вследствие введения донорной примеси после образования химических связей примесного атома с окружающими его атомами полупроводника один валентный электрон оказывается лишним , т. е. не участвует в химических связях. Поэтому достаточно лишь небольшой энергии Ео (рис. 3, б), чтобы оторвать от примесного атома и сделать свободным этот валентный электрон, т. е. перевести его в зону проводимости. При этом образуется неском-пенсированный положительный заряд, который отличается от положительно заряженной дырки, способной перемещаться по кристаллу, тем, что остается неподвижным в кристаллической решетке. Легирование полупроводника донорной примесью увеличивает концентрацию электронов в зоне проводимости при неизменной концентрации дырок в валентной зоне. При этом электропроводность осуществляется в основном электронами, находящимися в зоне проводимости. Такие полупроводники называют электронными, или полупроводниками п-типа электропроводности. [c.8]

На основании изложенных данных можно высказать соображения о причине повышения твердости и износоустойчивости сплавов при различных способах термической или механической их обработки. Упрочнение металлов и сплавов связано либо с усилением всех связей между атомами, либо с усилением наиболее слабых связей, лимитирующих прочность кристаллических тел. Происходящее ири этом изменение энергии Ei, длины L,- и характера химической связи сопровождается малыми изменениями атомных радиусов межплоско-стных расстояний и параметров кристаллической решетки или же ее базиса а... [c.12]

Химический состав чугуна. Элементы кремний, никель, алюминий, медь и др., — образующие с железом твердые растворы, увеличи-ваюш,ие в его решетке число вакансий и смеш,ений, облегчаюш,их диффузию, уменьшаюш,ие энергию активации и ослабляющие связи между атомами углерода и железа, способствуют графитизации. [c.150]

Как уже говорилось, под влиянием деформации появляется дополнительная энергия активации, способствующая течению всех физико-химических процессов, в том числе и коррозионных в последнем случае, как указывает Г. В. Акимов [1], деформация помогает иону металла разорвать металлическую связь и создает ему возможность удалиться из решетки, т. е. обусловливает более низкую работу выхода иона. Вследствие этого можно было бы ожидать значительного снижения электродного потенциала металла под влиянием его деформации. Однако эксперименты не дают возможности однозначно установить значительное снижение электродного потенциала. А. В. Рябченков [132] тщательно проведенными опытами показал понижение электродного потенциала железа на 130 мв в 3%-ном растворе Na l -(- 0,1% Н2О2 при увеличении напряжения растяжения от О до предела пропорциональности. В других же случаях [166] не удавалось установить значительного разблагораживания электродного потенциала под влиянием деформации. [c.31]

До сих пор в расчетах нигде не учитывались колебания атомов и ионов решетки вблизи положения равновесия. Это объясняется тем, что при обычных температурах энергия колебаний решетки, приходящаяся на пару частиц, равна примерно 10 —10 эв, в то бремя как энергия химической связи, определяющая прочность ре-.] шетки, для твердых тел обычно со- ставляет 1—10 эв. [c.42]

На протяжении почти всей истории развития науки о трении твердых тел основной тенденцией являлось увеличение твердости материа.тюв триботехнического назначения или их поверхностных слоев. Эта тенденция соответствовала законам трения и эмпирическим закономерностям [83 ]. Увеличение твердости контактирующих поверхностей приводит к уменьшению площади фактического контакта трущихся материалов и снижению макроскопических [шпряжений сопротивления относительному перемещению. Вместе с тем напряжения и энергия, рассеиваемая на отдельных микронеровностях, могут возрастать. Для материалов, близких по типу структурного упорядочения и характеру межатолмных взаи.модействий, возрастание твердости является косвенным, но надежным признаком уменьшения химической и адгезионной активности. Усиление связей между атомами твердого тела затрудняет подстройку его кристаллической решетки, необходимую для установления когерентной границы и образования новых межатомных связей при адгезионном взаимодействии. [c.4]

Обосновать эту картину исследованием водородоподобного атома, погруженного в однородную изотропную диэлектрическую среду. Атом донора считать пятивалентным, полагая, что внутри решетки четыре валентных электрона осуществляют химическую связь, а свободный пятый валентный электрон находится в куло-новском поле положительного ионного остова (примесного центра) диэлектрическую проницаемость среды считать равной диэлектрической проницаемости полупроводникового кристалла е = 16 для Ge, е = 12 для Si). В частности, рассчитать размер электронных орбит и энергию ионизации основного состояния. Можно использовать боровскую теорию водородного атома с круговыми электронными орбитами. [c.78]

Тем не менее кристалл нельзя считать электродом, если заряды, появляющиеся на его поверхности в результате ухода растворившихся ионов, жестко связаны с остающимися ионами противоположного знака и неспособны перераспределяться по поверхности. Каждый такой элементарный заряд локализуется на соответствующем уступе растворяющейся кристаллической решетки, полностью удаляется вместе (и только вместе) с несущ им его ионом и (возобновляется при удалении очередного противоиона. Он не может быть передан другим частицам решетки, и во все время его существования его энергия сохраняется в своей исходной локализованной форме, как часть. энергии индивидуальной разорванной, химической связи. Процеос не имеет никаких признаков окислительно-восстановительной реакции и по природе своей представляет просто по<следовательную электролитическую диссоциацию связей решетки. Считать такую диссоциацию электрохимическим процессом только на том ооновании, что она происходит на твердой поверхности, значило бы отнести к тому же разряду и огромное количество каталитических, пол1имеризационных и других гетерогенных процессов, которые по целому ряду прочих признаков с влектр Охимическими не смешиваются. [c.6]

Другой причиной, которая затрудняет получение идеальных поверхностных структур, является их взаимодействие с окружающей средой. Вследствие нарушения трехмерного периодического расположения атомы на поверхности имеют свободные валентности, которые насыщаются при взаимодействии со средой и стимулируют сорбцию. При низких энергиях взаимодействия имеет место физическая адсорбция. Структурно чуждые атомы, атомные группировки или ионы также могут образовывать более прочные связи и вызывать хемосорбцию. Химическую сорбцию нельзя представлять как простое покрытие неподвижно расположенных поверхностных атомов или ионов основной решетки. Более вероятно, что при химической сорбции газа на поверхности монокрис- [c.344]

Другие материалы, такие, например, как политетрафторэтилен (фторпласт-4), обладают исключительной химической стойкостью благодаря высокой энергии связи углерод — фтор, но относительно дороги и не могут быть использованы для таких сооружений, как подземные трубопроводы, затворы и сороудерживающие решетки гидроэлектростанций. [c.117]

Когда давления нет или оно мало, изменение энтальпии активации наиболее велико и приближается к изменению внутренней энергии системы при активации Эксперименты, выполненные на модельном материале (серебре), показали, что значение Е Ец, в этом случае и близко к половине энергии связи в решетке серебра ( 34 ккал1моль) [19]. (Здесь а —экспериментальная энергия активации). Если пользоваться квазихимической теорией твердого тела, учитывающей взаимодействие только между ближайшими соседними атомами, то такая энергия требуется для разделения металлических структур по наиболее плотноупакованной плоскости. Этот путь требует наименьшей энергии для освобождения химических связей, т. е. активации поверх-31 [c.34]

Этим методом были определены энергии активации а серебра, железа, иттрия, алюминия, вольфрама, меди и молибдена. Данные таблицы показывают, что значение близко половине энергии связи атомов в решетке материала подложки или половине энергии сублимации Es (для металлов эти энергии принято считать примерно равными). Причем наиболее точные результаты дают расчеты химическох-о взаимодействия одноименных пар (Ag Ag Си — Си и т. п.). Из принятой модели процесса следует, что Яа характеризует энергию, необходимую для освобождения химических связей на поверхности подложки. В наших экспери.-ментах Еа совпадает с энергией, которая затрачивается при разделении плотноупакованных металлических структур на две части. Причем для соединения реакция будет требовать большей затраты -знергии, чем для разделения, что обусловливает появление в уравнении (1) члена, учитывающего энтропию. [c.150]

На горячих участках твердого и жидкого металлического тела электроны обладают большей средней энергией, чем на холодных. Легко переходя в области с низкой температурой, электроны вносят добавочную энергию и повышают температуру. Большой подвижностью общих электронов объясняют высокую электро- и теплопроводность металлов. Следовательно, с увеличением валентности теплопроводность металлов должна расти и для металлов с однотипной кристаллической решеткой должна быть периодической функцией порядкового номера со-01ветствующих химических элементов. На опыте это и наблюдается. Например, для натрия, магния и алюминия с числом валентных электронов 1, 2 и 3 коэффициент теплопроводности при 325" К составляет соответственно 100,8 135,4 и 178 ккал м-ч-град). В отличие от металлов в телах с ионной к ковалентной связью главную роль играет теплопроводность основной решетки, вызванная колебаниями ее узлов. Такие тела относительно мало теплопроводны. [c.6]

Детальный анализ локальных зарядовых распределений показал [104], что при гетеровалентном замещении А1 -э 81 происходит уменьшение электронной плотности вблизи замещаемого узла решетки матрицы, рис. 7.7, и образование оборванных связей . Таким образом, расчеты [104] фиксируют начальные условия последующей структурной релаксации, необходимой для оптимизации химического взаимодействия примеси с локальным кислородным окружением и минимизации энергии примесной системы. Более подробно релаксационные явления на примере примесных систем на основе неметаллических нитридов обсуждаются в гл. 4. [c.161]

Согласно правилу фаз система, состоящая из газа и конденсированной фазы фиксированного состава, независимо от действительного числа компонентов имеет одну степень свободы. Это означает, что для сохранения этого фиксированного состава (он может соответствовать любой степени дефектности) из двух переменных (температура и давление) лишь одна является независимой, тогда как вторая — ее функция, например ро, —ЦТ). Следовательно, при синтезе феррита любому изменению температуры в процессе спекания и термической обработки должно соответствовать изменение давления кислорода в атмосфере так, чтобы это давление было равно равновесному для феррита данного состава. Разумеется, что в зависимости от природы феррита и степени его дефектности функция ро, =/( ) должна иметь различный вид. Вместе с тем для феррита со структурой шпинели удалось найти некоторые общие закономерности [2], облегчающие выбор контролируемой атмосферы спекания. В первую очередь следует отметить, что для различных ферритов со структурой шпинели Ме Ме Рез-д -4,04 i Y, характеризующихся одинаковым значением Y, парциальная мольная энтальпия кислорода почти одинакова. Например, когда у 0 (состояние, которое у многих ферритов достигается на низкокислородной границе шпинельного поля) АЯо = —144 4 ккал1г-моль. Постоянство относительной парциальной мольной энтальпии кислорода в ферритах различного химического состава в известной мере свидетельствует о том, что энергия связи кислородных ионов в решетке мало зависит от природы двухвалентных катионов. Это явление довольно просто объяснить в рамках чисто ионной модели строения ферритов. Ионы Со +, Fe +, Ni +, Zn +, Mg2+, Mn +, имеющие одинаковый заряд и довольно близкие значения радиусов, сравнимы друг с другом по величине электростатического взаимодействия и одинаковым образом стабилизируют кубическую упаковку ионов кислорода в шпинели. Так как, по определению, [c.132]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...