Зона отталкивания

Из (3.7) следует, что имеет тензорный характер кроме сил, действующих вдоль линии, соединяющей центры частиц, имеется поперечная сила, которая разворачивает частицы друг относительно Друга. Имеются зоны притяжения и зоны отталкивания при определенных конусах взаимодействия. Если линия, соединяющая центры шаров, направлена вдоль распространения звуковой волны, они отталкиваются друг от друга, если же перпендикулярно,— имеет место притяжение. [c.133]

Силовые поля дислокаций взаимодействуют между собой. Если дислокации разных знаков находятся в одной плоскости скольжения, то при достаточном сближении они взаимно притягиваются и уничтожаются. Дислокации одного знака отталкиваются друг от друга. По мере сближения сила их взаимного отталкивания возрастает, в зоне сближения таких дислокаций возникает высокая концентрация напряжений, причем тем больше, чем больше дислокаций находится в зоне скопления. [c.16]

Исходя из этого общего принципа, легко установить следующее. Линейные дислокации, с параллельными линиями и одной общей плоскостью скольжения, разного знака ) притягиваются друг к другу, а одного знака — отталкиваются друг от друга. Из рис. 4.18 ясно, что сближение линейных дислокаций разного (одного) знака уменьшает (увеличивает) искаженность решетки. Аналогично дело обстоит и с винтовыми дислокациями разного (одного) знака (рис. 4.19). Если линейные дислокации одного знака с параллельными линиями дислокации, относящимися к общей плоскости скольжения, находятся на таком расстоянии, что зоны вызываемых ими возмущений не перекрываются, то они практически не испытывают взаимного отталкивания. [c.247]

Др. трактовка М. д. основана на использовании дискретной модели, описывающей электроны, перемещающиеся с узла на узел i кристалла (с матричным элементом перехода i) при отталкивании двух электронов на одном узле (модель Хаббарда). Мерой кинетич. энергии электронов при этом также является ширина электронной зоны W = 2zt, где г — число ближайших электронов—соседей. Если в системе имеется один электрон на узел (центр) (концентрация электронов п и W > U, то вещество [c.214]

Краевые дислокации взаимодействуют между собой подобно электрическим диполям. Если одну из дислокаций поместить в начало декартовых координат, то в случае упруго изотропных кристаллов возникают зоны притяжения и отталкивания с границами на биссектрисах координатных углов (рис. 2.15, а) [471. Для параллельных краевых дислокаций одинаковых знаков точки устойчивого равновесия располагаются в плоскости лишнего атомного слоя, а для дислокаций разных знаков —на биссектрисах координатных углов. В связи с этим под действием теплового возбуждения при нагреве кристалла краевые дислокации собираются в устойчивые конфигурации — дислокационные стенки (рис. 2.15, б ив), которые являются границами блоков и объясняют мозаичную структуру кристаллических зерен в поликристаллах. [c.87]

Силы адгезии микроскопических частиц в жидкой среде складываются из молекулярного -притяжения соприкасающихся тел и сил отталкивания тонкого слоя жидкости в зоне контакта (см. гл. IV). [c.10]

Используя приведенные данные, можно рассчитать величины силы притяжения или отталкивания. Так, если принять, что для частиц диаметром 10 мк сила зеркального отображения (см. 12) действует в проекции частиц, то с учетом полученных зарядов для преодоления веса частиц сила отталкивания (или притяжения, в зависимости от знака заряда частиц) должна быть не менее 1,3-Ю" дин и проявляться на расстоянии 2,3-10 см от зоны контакта. [c.168]

Влияние деформации контактирующих тел на их молекулярное взаимодействие. При контакте гладких частиц с гладкой поверхностью происходит деформация зоны контакта. В результате деформации контактирующих поверхностей возникают силы отталкивания. Поэтому адгезионное взаимодействие будет складываться (если другие компоненты не участвуют в формировании адгезии) из молекулярных сил контактирующих поверхностей за вычетом силы, которая возникает в результате упругого отталкивания подвергшихся деформации тел. Деформация способствует росту площади контакта частицы с поверхностью, что обусловливает увеличение адгезии. [c.56]

Адгезия в зависимости от концентрации ПАВ. Существенное влияние на адгезию частиц оказывает концентрация ПАВ. Обобщенные данные о зависимости адгезии от концентрации ПАВ представлены на рис. VI, 11. При небольших концентрациях катионоактивных ПАВ (рис. VI, 11,а, зона А), когда еще не закончилось формирование адсорбционного монослоя, адгезия частиц увеличивается по мере роста концентрации ПАВ. Максимальная адгезия имеет место в условиях, когда полностью сформируется монослой адсорбированных молекул ПАВ (рис. VI, 1,а, зона Б). Б последующем (зона В) происходит образование второго слоя, внешняя граница которого состоит из полярных групп молекул. Эти группы молекул обусловливают гидрофобизацию поверхности и отталкивание от аналогичных групп, адсорбированных на частицах. В результате этого адгезия частиц уменьшается [186]. [c.199]

Посмотрим, как обстоит дело в том случае, если й- или /-зоны близки к зоне проводимости. На й- или /-электрон в атоме действует потенциал, состоящий из кулоновского притяжения иона и центробежного отталкивания 1)/г. В результате получается потенциальная яма, имеющая форму сферического слоя вокруг ядра, где и локализуется такой электрон. В металле благодаря перекрытию валентных оболочек потенциал вдалеке от иона не [c.264]

Интересно посмотреть, каково физическое происхождение члена в псевдопотенциале, который описывает отталкивание и благодаря которому становится применимой теория возмущений. Когда мы будем говорить о фазовых сдвигах, мы увидим, что все дело в уменьшении фаз, которые определяют рассеяние, на целое число п. Ясно, что при этом волновые функции в пространстве вне рассматриваемого иона остаются неизменными, а осцилляции в области иона исчезают. Поскольку отталкивание, о котором мы говорим, возникает из-за ортогональности волновых функций электронов зоны проводимости и сердцевины , часто считают ответственным за этот э4х )ект принцип Паули. Однако нетрудно видеть, что в рамках одночастичного подхода, который мы используем, принцип Паули совершенно не имеет отношения к делу. На самом деле этот эффект отталкивания чисто классический. Пролетая мимо иона, электрон с положительной энергией ускоряется следовательно, в этой области он движется с большей скоростью и проводит меньше времени. Конечно, если бы мы рассматривали распределение классических частиц при тепловом равновесии в области, где действует потенциал притяжения, мы бы обнаружили, что некоторые из них оказываются связанными и полная плотность частиц вблизи центра притяжения выше. По отношению же к частицам высокой энергии (в нашем [c.117]

Попытка расчета энергии упорядоченных фаз оказалась успешной лишь для Ag — Мд. В этом случае для сплавов, находящихся в области существования р -фазы Ag — упорядоченной по типу 3 2о, расчет энергии показал, что упорядочение должно возникать за счет превышения отрицательного вклада энергии отталкивания и электростатической энергии над положительным вкладом зонной энергии. [c.270]

Пусть ш(х) и а(х) — -предельное и а-предельное множества траектории точки х (их определение дословно такое же, как в статье I, гл. 1, п. 5.5). Зоной притяжения, соответственно отталкивания, множества В назовем [c.206]

Члены первого типа в отсутствие вторых способствовали бы существованию локальных магнитных моментов, поскольку они подавляли бы возможность нахождения второго электрона (с противоположно направленным спином) на однократно занятых узлах. Можно показать, что члены второго типа в отсутствие первых привели бы к обычному зонному спектру и одноэлектронным блоховским уровням, где каждый электрон размазан по всему кристаллу. Когда имеются оба типа членов, даже такая простая модель оказывается чрезвычайно сложной для точного рассмотрения, хотя при исследовании частных случаев было получено много ценной информации. Если, например, полное число электронов равно полному числу узлов, то в пределе пренебрежимо малого внутриатомного отталкивания (i > и) мы будем иметь типичную для металла наполовину заполненную зону. Однако в противоположном предельном случае и I) можно получить антиферромагнитный спиновый гамильтониан Гейзенберга (с обменной константой / = 4 /С/), описывающий низколежащие возбужденные состояния. Тем не менее до сих пор никто еще не получил строгого решения вопроса о том, как происходит в рамках этой модели переход от немагнитного металла к антиферромагнитному диэлектрику при изменении величины / 7. [c.300]

Наличие отраженных частиц, помимо отталкивания отошедшей ударной волны, приводит к дополнительному торможению раза н падающих частиц, к увеличению поперечной составляющей скорости раза v, что уменьшает подъем давления и плотности раза на теле (см. рис. 4.8.4), к увеличению плотности падающих частиц, и сильному увеличению содержания дпсперсно11 фазы в пристенной зоне между сепаратрисой п телом. [c.394]

Дислокация, приближающаяся к неоднородностям, отличным от матрицы по упругим свойствам, испытывает отталкивание или притяжение к границе раздела. Флейшер [153] рассчитал увеличение предела текучести, обусловленное различием упругих свойств матрицы и выделения для тонких зон, в предположении, что деформация зоны происходит так же, как в матрице [c.72]

Внешнее трение твердых тел, согласно современным представлениям, имеет двойственную (молекулярно-ме-хаиическую или адгезионно-деформационную) природу. Считается, что контактирование твердых тел вследствие волнистости и шероховатости их поверхности происходит в отдельных зонах фактического касания. Суммарную площадь этих зон называют фактической, или реальной, площадью касания А г твердых тел. Под фактической площадью касания понимают зоны, в пределах которых межатомные и межмолекулярные силы притяжения и отталкивания равны. Фактическая площадь касания в пределах нагрузок, широко используемых в инженерной практике, невелика около 0,001 — 0,0001 номинальной кажущейся площади касания Лд. Вследствие этого Б зонах контакта возникают значительные напряжения, нередко приводящие к появлению в них пластических деформаций. Сила, сжимающая контактирующие тела, через фактическую площадь касания передается неровностям, вызывая их деформацию. Деформируясь, отдельные неровности образуют контурную площадь касания Ас. Деформация неровностей, как правило, упругая. Таким образом, при контактировании твердых тел следует различать номинальную 1 и образованные вследствие приложения нагрузки контурную 2 и фактическую 3 площади касания. Соответственно отношения нормальной нагрузки к этим [c.190]

Местные искажения кристаллической решетки в зонах дислокаций приводят к возникновению локальных самоуравновешенных полей усилий в межатомных связях с накоплением соответствующей потенциальной энергии. При достаточном сближении двух или более дислокаций, скользящих в пересекающихся плоскостях, зоны местных искажений кристаллической решетки и соответствующих местных усилий перекрываются, причем, если в результате этого перекрытия общая потенциальная энергия возрастает, то возникают силы отталкивания, препятствующие сближению дислокаций, что создает сопротивление их скольжению и ведет к упрочнению материала. Если же общая потенциальная энергия в результате объединения дислокаций убывает, то возникают силы притяжения, и такие разнозначные дислокации частично или полностью друг друга нейтрализуют. В реальных кристаллах плоскости скольжения множества дислокаций распределяются неравномерно, группируясь в пачки, которые образуют так называемые полосы скольжения , являющиеся зонами интенсивных макроскопических деформаций сдвига. Между этими полосами остаются слои материала, не испытывающего пластических сдвигов. [c.8]

Условие б) хорошо выполняется в полупроводниках и диэлектриках с малым числом свободных электронов, когда взаимодействие между ними мало и может быть учтено как электрон-электронное рассеяппе. В металлах, где число свободных электронов велико, взаимодействие с осн. массой электронов учитывается самосогласованным одноэлектронным потенциалом. Взаимодействие с электронами, находящимися в тонком слое вблизи поверхности Ферми, может быть учтено в рамках теории ферми-жидкости, в к-рой в качестве элементарных возбуждений рассматриваются заряж. квазичастнцы — фермионы, описывающие самосогласованное движение всей системы электронов. Электрон-электронное взаимодействие приводит, как правило, лишь к перенормировке спектра. ИсклЮ Чение составляют кристаллы с узкими зонами, где энергия отталкивания двух электронов на одном узле превышает ширину зоны. Если в таких кристаллах число электронов равно числу атомов, они являются диэлектриками, даже если число мест в зоне (с учётом спина) больше числа атомов. При изменении ширины разрешённой зоны в результате сближения атомов происходит переход к металлич. проводимости (переход Мотта). [c.92]

Распределение зарядовой плотностн в ферромагн. металлах (Fe, Ni, Со) близко к атомному [3]. Двойств, характер поведения d-электропов обусловлен тем, что перекрытие d-орбиталей соседних атомов в переходных металлах оказывается значительным, и электроны имеют возможность перемещаться по всему образцу. Б результате атомный d-уровень у1лнряется и образуется d-зона. В то же время между d-электронами существует кулоновское взаимодействие. Иаиб. значит, вклад в энергию взаимодействия вносит кулоновское отталкивание электронов с противоположными направлениями проекции спина, находящихся вблизи одного п того >ко узла кристаллит, решётки. Энергия взаимодействия двух таких электронов [c.93]

УПРАВЛЯЕМЫЙ ТЕРМОЯДЕРНЫЙ СИНТЕЗ (УТС) — процесс слияния лёгких атомных ядер, проходящий с выделением энергии при высоких темп-рах в регулируемых управляемых условиях. УТС пока ещё не реализован. Для осуществления реакций синтеза реагирующие ядра должны быть сближены на расстояние порядка 10 см, после чего процесс их слияния происходит с заметной вероятностью за счёт туннельного эффекта. Для преодоления потенц. барьера сталкивающимся лёгким ядрам должна быть сообщена энергия 10кэВ, что соответствует темп-ре 10 К. С увеличением заряда ядер (порядкового номера Z) их кулоновское отталкивание усиливается и величина необходимой для реакции энергии возрастает. Эфф. сечения (р, р)-реакций, обусловленных слабыми взаимодействиями, очень малы. Реакции между тяжёлыми изотопами водорода (дейтерием и тритием) обусловлены сильным взаимодействие.м и имеют сечение на 22—23 порядка выше (см. Термо.ндерные реакции). Различия в величинах энерговыделения в реакциях синтеза не превышают одного порядка. При слиянии ядер дейтерия и трития оно составляет 17,6 МэВ. Большая скорость этих реакций и относительно высокое энерговыделение делают равнокомпонентную смесь дейтерия и трития наиб, перспективной для решения проблемы УТС. Тритий радиоактивен (период no.tyраспада 12,5 лет), не встречается в природе. Следовательно, для обеспечения работы термоядерного реактора, используютцего в качестве ядерного горючего тритий, должна быть предусмотрена возможность его воспроизводства. С этой целью рабочая зона реактора может быть окружена слоем лёгкого изотопа лития, в к-ром будет идти реакция [c.230]

Т. о., при наличии кулоновского отталкивания на узле вместо одной исходной зоны (2) возникают две т. н. хаб-бардовские подзоны, зависящие от числа электронов rif, со спином — ст, причём расстояние между этими подзонами порядка и. Результат (4) носит Интерполяц. характер между двумя пределами свободных электронов (f/=0) и атомным пределом (f=0). В последнем случае возникают два атомных уровня и Eo2 = U, соответствующих [c.392]

Однако квазилокалнзованные состояния не являются устойчивыми. При воздействии на кристалл внешних полей или при небольшом изменении параметра кристаллической решетки, вызванном давлением или други.ми причинами, может оказаться, что переход электронов в нелокализованное состояние выгоден энергетически-. кинетическая энергия движения по зоне освободившихся электронов может сравняться с энергией кулоновского отталкивания, препятствующей этому движению. Неустойчивость приводит к возможности перехода, при котором ширина зоны локализованны.х состояний скачком возрастает и энергетическая щель захлопывается . [c.116]

Вместе с тем атомистические аспекты "конкуренции" атомов Р и С на границах зерен например, природа общих центров адсорбции для фосфора — примеси замещения в л-Ре и углерода — примеси внедренин, возможность химического и упругого взаимодействия (отталкивания) Р и С в зоне адсорбции, которое может приводить к эффектам, аналогичным конкуренции на общих центрах [34] остаются пока неизвестными. [c.72]

В основу этого метода положено явление отталкивания частиц аэрозоля нагретым телом, в результате чего вокруг него образуется зона, свободная от частиц аэрозоля. Это явление, вызванное термофоретическими [c.123]

Представление поля в виде контурного интеграла основывается на наших интуитивных знаниях о том, какое влияние оказывают границы апертуры. Из эксперимента известно, что при наблюдении из области тени границы освещаемой апертуры кажутся светящимися. Это наблюдение обсуждалось уже Ньютоном, который объяснил его отталкиванием корпускул света границами [И. Ньютон, Оптика , кн. 3, наблюдение I, рис. 1 и 2]..Позднее Юнг сформулировал волновую теорию, согласно которой дифрагированная волна образуется при отражении падающей волны на элементах границы, вызывающей дифракцию. Френель же объяснял дифракционные эффекты на основе принципа Гюйгенса если поле определяется в столь далекой области от геометрической тени, что открыты фактически все зоны Френеля (см. разд. 4.2.2), то освещенность остается той же самой, что и в отсутствие препятствий. И наоборот, если поле определяется в точке, лежащей глубоко в области геометрической тени, то вклад от колец низкого порядка отсутствует. Как следствие, сумма вкладов от частично освещенных колец равна приблизительно нулю, поскольку поле каждого из них компенсируется входящими с другим знаком полями от половинок ближайших соседей. В промежуточной области между светом и тенью из-за суперпозиции полей от разных колец можно ожидать осциллирующего поведения интенсивности. [c.314]

Соответствующая магнитная система позволяет накапливать в ориентированном положении от десятков до сотен заготовок при вертикальном и горизонтальном размещении их в поле магнитного накопителя (МН). Большим преимуществом МН является отсутствие контактов (и, следовательно, натиров) размещаемых заготовок между собой благодаря их взаимному отталкиванию в магнитном поле вследствие одинаковой намагниченности концов. Например, МН с горизонтальным роторным захватом 2 для поштучной выдачи стержневых заготовок 1 (рис. 31) содержит открытый сверху прямоугольный бункер 7, вдоль боковых стенок которого расположены катушки 3 электромагнита с С-образным магнитопроводом. Вертикальные пластины 4 магнитопровода выполнены подвижными у противоположного захвату 2 конца. Вращающийся кулачок 5 периодически раздвигает концы пластин 4, создавая градиент напряженности поля, направленный в сторону захвата. Благодаря этому заготовки, взвешенные в магнитном поле, перемещаются в зону захвата в моменты, когда пластины 4 непараллельны, а поле неоднородно в горизонтальной плоскости. Для увеличения коэффициента заполнения гнезда роторного захвата снабжены вставками из постоянных магнитов. Пульсирующее магнитное поле, противодействующее слипанию заготовок в зоне загрузки в МН, создается магнитом 6. Магнитномеханическое устройство для накопления и поштучной выдачи плоских сцепляющихся заготовок 5 (рис. 32) [c.356]

Переходя к вопросу о причинах наблюдающегося перемещения ячеек по катоду, мы должны с самого начала допустить существование разнородных причин, о чем говорит сложный характер движения. Тенденция ячеек распространяться на большую поверхность катода при увеличении разрядного тока, о чем ясно говорят снимки следующего параграфа, безусловно указывает на существование между ними взаимодействия типа отталкивания. Его источником может быть лишь магнитное поле дуги. В рассматриваемых здесь условиях фиксации катодного пятна на тонкой пленке ртути у границы смачивания последней металла это взаимодействие, однако, проявляется заметным образом лишь как некоторый коллективный эффект взаимного отталкивания ячеек при возрастающем токе. Такого рода отталкивание не обнаруживается явственным образом в поведении каких-либо двух соседних ячеек. Пути их в ряде случаев многократно сходятся и вновь расходятся. Подобное поведение вообще не может быть результатом взаимодействия ячеек. Его причиной могут служить различного рода гидродинамические эффекты. Как уже отмечалось в 34 в связи с анализом снимков рис. 54, имеются основания считать, что равномерное движение отдельных гру1пп ячеек вдоль мениска ртути связано с распространением поверхностных ртутных волн капиллярного типа. Последние как бы перегоняют с места на место группы ячеек, непрерывно увлекая их за собой. В процессе этого изменения местоположения ячеек на катоде неизбежно должно изменяться и их взаимное расположение. Перемещение ячеек на катоде может вызываться и таким тривиальным явлением, как истощение ртути непосредственно под ними в результате ее испарения. Этот же эффект может вызывать вращательное движение двух или большего числа связанных ячеек вокруг их общего центра. В самом деле, при наличии связи между ячейками, обусловленной облегчением условий их существования в тесном контакте друг с другом, смещение одной из них из обезртученной зоны катода должно вызвать согласованное смещение второй ячейки или остальных ячеек. Но при таких обстоятельствах свобода перемещения ячеек оказывается ограниченной преимущественно одним вращательным движением. Раз начавшись, это вращение уже не может прекратиться до тех пор, пока не нарушится связь между ячейками. Это обусловлено не какой-либо инерцией ячеек, а просто тем, что позади них остается обезртученная зона катода. Причиной распада группы ячеек может служить дальнейшее истощение ртути в области вращения ячеек. [c.169]

Под фактической площадью касания далее будем считать площадь контактных зон, в преде.чах которых межатомные и межмолекулярные силы притяжения и отталкивания взаимно уравновешиваются. Плотность расположения отдельных контактных зон зависит от шероховатоеги кон тактирующих поверхностей твердых гел, их механических свойств, волнистости поверхности и величины приложения сил, под действием которых в зонах фактического касания могут иметь место упругие, упруго пластические или пластические деформации смятия микроиеровиосгей. или их взаимного внедрения. Смяти микроиеровностей имеет место, когл. поверхность более мягкого из он тактирующих тел соприкасается с [c.16]

При затвердевании первых слоев металла возникает кристаллизационная прослойка, которая образуется из расплавленных объемов свариваемых частей, перемешанных турбулентными потоками в ванне. Кристаллизация имеет направленный характер и начинается на оплавленных зернах перлитной и аустенитной сталей, играющих роль теплоотводов и плоских зародышей. Их рост осуществляется по принципу ориентационного и размерного соответствия путем единичного или группового оседания атомов жидкости во впадинах кристаллической решетки зародышей, что обеспечивает связь шва с основным металлом. При этом различна роль легирующих элементов, входящих в состав ванны. Элементы-феррити-заторы (хром, титан, молибден), атомный объем которых больше, чем железа, способствуют росту кристаллитов с ОЦК-решеткой, а аустенитизаторы (углерод, никель, азот, марганец) -с ГЦК-решеткой. Последняя имеет более плотную упаковку и большие размеры, отличается от ОЦК-решетки скоростью и направлением роста. Это приводит к преимущественному оседанию одних атомов и отталкиванию других. В результате избирательного роста перед передними гранями растущих кристаллитов концентрируются в жидком слое инородные атомы, что приводит к останову роста, переохлаждению жидкого слоя, примыкающего к межфазной поверхности, и зарождению кристаллитов с решеткой другого типа. На рис. 13.3 представлена микроструктура зоны сплавления [c.177]

Представление о структуре М. как о ионном остове, погруженном в электронный газ, компенсирующий силы отталкивания между ионами и связывающий их в твердое тело, достаточно точно отражает истинное положение вещей в М. свободные электроны определяют не только электрич. свойства, но и кристаллич. структуру, упругость и другие механич. свойства. Наличие свободных электронов обусловливает ненаправленный характер металлич. связи, к-рая сильнее всего проявляется в М. I и II групп цериодич. системы. В М., расположенных в правой части периодич. системы, сказывается влияние направленных валентных связей. Тип связей существенно влияет на кристаллич. структуру. Большое значение для кристаллич. структуры М. имеет также распределение элек тронов проводимости по зонам (см. Зонная теори.ч.) как правило, осуществляется тот тип решетки, в к-ром энергия электронного газа минимальна. Прп анализе возможных крпсталлич. структур М. (особенно прп наличии примесей) необходимо учитывать электронную концентрацию, т. е. число валентных электронов, приходящихся на 1 атом. [c.196]

До сих пор дискуссионным является механизм воздействия флуктуационных полей заряженных ловушек диэлектрической пленки и ионов на спектр БС. Высказывается крайняя точка зрения, что кластеры зарядов в неупорядоченном диэлектрике могут создавать достаточно глубокие потенциальные ямы в полупроводнике, которые и выполняют функции БС (Сурис, Гергель). Все исследователи сходятся на том, что такая модель реальна для мелких уровней у краев разрешенных зон, но высказывают сомнения о возможности образования достаточно глубоких потенциальных ям в середине запрещенной зоны. Для этого необходимы большие амплитуды флуктуаций и, следовательно, наличие кластеров зарядов, образование которых считается маловероятным из-за отталкивания одноименных зарядов. Однако при этом забывают о корреляционных эффектах и предыстории образования структуры. [c.204]

При Д = О выражения (2.79) и (2.80) совпадают с соответствующими выражениями для случая простого металла, при этом -состояния надо рассматривать как состояния сердцевины . Как и в упомянутом случае, эти результаты являются точными, если не говорить о несущественных предположениях, указанных ранее. Из-за поправки Д в псевдопотенцнал (2.80) входят два дополнительных члена, соответствующих отталкиванию. Кроме того, возникает формально новый член в уравнении с псевдопотенциалом, а именно член, квадратичный по Д. Этот член мы будем называть членом гибридизации, причина такого определения станет ясной, когда мы будем рассматривать энергетические зоны. [c.229]

В [55] отмечено, что сохранение упорядоченной фазы вплоть до температуры плавления нельзя объяснить без учета энергии отталкивания. Однако подобные расчеты для Ап — Мд не привели к согласию с экспериментом. Энергия упорядочения оказалась положительной из-за превалирования положительного вклада зонной энергии, что указывает на невозможность возникновения упорядоченной фазы в Ап — Мд. В то же время эксперпмеп-тальпо установлено, что упорядоченная фаза наблюдается до температуры плавления. [c.271]

Когда мы обсуждали образование энергетической зонной структуры в рамках модели сильно связанных электронов (угпиренпе уровней при сближении атомов), мы совсем не учитывали в нагппх рассуждениях короткодействующее кулоновское взаимодействие. Учет кулоновского взаимодействия приводит к возможности перехода металл - диэлектрик. Действительно, пусть для помещения второго электрона на атом требуется преодолеть энергию кулоновского отталкивания /. Если эта энергия отталкивания где 1 [c.39]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...