Пленки диэлектрические

В [3-1, 3-2, 3-33] показано, что пленка диэлектрической жидкости, находящаяся Б электростатическом поле и подвергнутая случайному возмущению, при определенных условиях может оказаться неустойчивой. Учет вязкости и гравитационных сил приводит к некоторому уменьшению инкремента колебаний, но дестабилизирующее влияние электростатического поля сохраняется [3-2]. [c.71]

В заключение перечислим те свойства материала пленки (диэлектрическая проницаемость, удельное сопротивление), которые обусловливают основные процессы, предшествующие и сопутствующие формированию адгезионного взаимодействия плепок в электрическом поле [217]. Такое перечисление дано в табл. VI,1. [c.280]

Разработка пленочных емкостных компонентов предусматривает применение тонких пленок диэлектрических материалов, которые выбираются из следующих соображений. [c.162]

Тонкие пленки диэлектрические 471 [c.554]

Наряду с необходимостью придания поверхностям деталей токопроводящих свойств с различным коэффициентом электропроводности часто возникает потребность решать обратную задачу — обеспечивать более или менее высокими диэлектрическими свойствами поверхности различных проводников первого рода. Последнее достигается нанесением на металлы полимерных или стеклоэмалевых покровных пленок, диэлектрические свойства которых определяются природой пленкообразователя и пигментов. [c.74]

Эмиссия диэлектрических слоев. Обнаружено, что относительный коэффициент вторичной эмиссии Овт с окисленной поверхности алюминия, обработанной парами цезия, т. е. с поверхности металла, покрытой тонкой, плохо проводящей пленкой, иногда достигает огромных значений (оат= 100... 1000). Это же наблюдается при создании положительного заряда на пленке любым другим способом, в том числе осаждением положительных ионов газа, что весьма возможно для условий сварочной дуги в парах металлов. [c.68]

В Ме-дугах при большой напряженности поля ( >10 В/мм) и низкой температуре плавления металла могут преобладать туннельные электроны, причем сильное поле вероятно также при наличии флюсовых диэлектрических пленок на катоде. [c.70]

Остановимся на одном приложении явлений интерференции света в тонких пластинах, значение которого за последние годы сильно возросло. Речь пойдет о нанесении тонких диэлектрических пленок на оптические поверхности с целью изменения коэффициента отражения. При этом могут решаться следующие две противоположные задачи [c.217]

Изменение отражения света от стекла диэлектрической пленкой оптической толщины [c.218]

Интерферометр Фабри—Перо. Интерферометр, или эталон Фабри—Перо, является в настоящее время основным прибором в спектроскопии высокой разрешающей силы. Его действие основано на интерференции большого числа лучей, получаемых при многократном отражении световой волны между двумя параллельно расположенными плоскими зеркалами, обладающими частичным пропусканием (рис. 26). В современных интерферометрах, как правило, используют многослойные диэлектрические зеркальные покрытия, которые наносят на подложки из оптического стекла или кварца в вакууме. Они позволяют получать высокие коэффициенты отражения света при малой величине потерь на поглощение. Худшие характеристики имеют покрытия из тонких пленок серебра и алюминия. [c.76]

Применение таких современных диэлектрических материалов, как оксид и нитрид кремния, монокристаллов сапфира и шпинели в качестве соответственно диэлектрических пленок и подложек, во многом определяет параметры интегральных микросхем. [c.4]

Диэлектрические пленки должны удовлетворять ряду требований быть одинаковыми по толщине и иметь однородные структуру и состав как в каждом элементе микросхемы, так и на всех подложках, обрабатываемых на данном этапе технологического процесса. Параметры пленок должны быть надежно контролируемыми и воспроизводимыми, а методы получения пленок должны обеспечивать возможность максимально полной автоматизации, быть экономичными и безопасными. [c.39]

М. МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК [c.40]

Рис. 20. Реактор для химического осаждения диэлектрических пленок из парогазовой смеси

Рассмотрим методы осаждения диэлектрических пленок из парогазовой смеси термический при атмосферном и пониженном давлении и плазмохимический. Эти методы позволяют широко изменять условия осаждения пленок температуру от 100—1000 °С и давление парогазовой смеси от атмосферного до 7 Па. [c.41]

Таблица 1. Условия термического осаждения диэлектрических пленок

Диэлектрическая пленка Состав реагентов Температура осаждения, [c.42]

Таблица 2. Условия плазмохимического осаждения диэлектрических пленок

Реактор для плазмохимического осаждения диэлектрических пленок [c.43]

Приведем для примера две реакции, используемые при термическом осаждении диэлектрических пленок [c.43]

СВОЙСТВА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК [c.44]

Какие методы получения диэлектрических пленок вы знаете [c.56]

Как осаждают диэлектрические пленки из парогазовой смеси [c.56]

Рис 37. Электрические модели систем металл - полимерная пленка -электролит а - сплошное покрытие 6 - электролит в - пористое покрытие С, - электрическая ёмкость конденсатора г/ - активное сопротивление, эквивалентное диэлектрическим потерям конденсатора - электрохимическая ёмкость электролита внутри пор ti - сопротивление электролита в порах [c.63]

Электрическая прочность, кв мм (для пленок толщиной 1 мм) Диэлектрическая проницаемость (при 10в г4) Тангенс угла диэлектрических потерь (при Ш гц) 45—60 2,2-2,3 0,0003 [c.15]

Пластмассы 65, 66, 210, 211, 215, 219, 223 Пленки диэлектрические 420 масляные 68 окисные 152, 158 полимерные 211 проводящие 420 ферромагнитные 386, 420 Пневмоника 259 Повинол 221 Подшипники качения 66, 167, 215 роликовые 63 скольжения 31, 53, 62, 214 упорные 64, 69, 70 шариковые 64, 167, 168 Поковки 24,112 Полиамид 65, 220 [c.436]

МНОГОСЛОЙНОЙ системе. Простейший фильтр, изобретенный Геффеке-ном в Германии в 1939 г., представляет собой трехслойное покрытие, которое состоит из диэлектрического промежуточного слоя (показатель преломления л р), окруженного двумя полупрозрачными металлическими пленками. Заменяя металлическую пленку диэлектрическим мультислоем, можно (приближенно) получить любые необходимые спектральные характеристики пропускания [35]. [c.204]

СТОЙКОГО целлофана, ацетилцеллюлозы и поливинилхлоридной пленки. Диэлектрическое тепло, возникаюгцее в покрытии пластин конденсатора, передается свариваемому полимеру за счет теплопроводности. Такое видоизменение процесса придает ему [c.134]

Низкая эффективность системы светоизлучающий диод — оптическое волокно может быть улучшена, если удастся уменьшить потери на френелевское отражение. Один из способов осуществления этого показан на рис. 8.12, а. Диод соединен с волокном клеем, имеющим коэффициент преломления Пд, близкий по величине к коэффициенту преломления материала волокна. Кроме того, поверхность диода просветлена пленкой диэлектрического материала, такого как корунд (п = 1,76), окись кремния (п = 1,9) или нитрид кремния (п 2,0). В 2.1.2 ггроведен анализ, который привел к формуле (2.1.13) и найдено, что доля излучения, переданного в волокно и распространяющегося по не- [c.230]

В зависимости от состава, всем высокомолекулярным синтетическим материалам присущи свойства, выгодно отличающие их от металлов и от силикатных материалов. К числу этих свойств относятся простота изготовления деталей и аппаратов сложных конструкций, высокая устойчивость в агрессивных средах, низкая плотность изделий (пе превышаю Щая 1,8 Мг1м , а в большинстве с.яучаев равная 1,0—, 2> Мг/м ) возможность и широких пределах изменять механическую прочность для статических и динамических нагрузок как правило, высокая стойкость к истирающим усилиям хорошие диэлектрические и теплоизоляционные свойства в1лсокие клеящие свойства некоторых полимеров (позволяющие использовать их для изготовления клеев и замазок) уплотнительные и герметизирующие свойства отдельных полимеров способность поглощать и гасить вибрации способность образовывать чрезвычайно тонкие пленки. [c.392]

Высокоотражающие интерференционные покрытия (интерференционные зеркала). Наряду с необходимостью уменьшать коэффициент отражения на практике часто приходится решать противоположную задачу — получать высокоотражающие поверхности. При решении также и этой задачи па помош,ь приходит явление интерференции. Легко убедиться, что если в системе, изображенной на рис. 5.14, показатель преломления диэлектрического слоя взять больше показателя преломления стекла п > п ), то произойдет увеличение коэффициента отражения. Вследспзие того, что потеря полуволны будет происходить теперь только на пиеш-ней поверхности пленки, оптическая разность хода между отраженными когерентными волнами I и 2 будет равна Л/4 + Х/4 + к/2 = = X, что соответствует разности фаз, равной 2я. Таким образом, [c.108]

Слои наносятся следующим образом. На стекло (рис. 5.15) наносят определенное число диэлектрических пленок с разными показателями преломления, но с одинаковой оптн1№ской толщиной, равной i/4, причем их наносят так, чтобы между двумя слоями с большим показателем преломления (например, сульфид цинка, для которого rii 2,3) находилась диэлектрическая пленка с малым показателем преломления Па (например, фторид лития с По 1,3). Легко убедиться, что в этом случае все отраженные волны будут синфазными и потому будут взаимно усиливаться. Характерным свойством такой высокоотражающей системы является тот факт, что она действует в довольно узкой спектральной области, причем чем больше коэффициент отражения, тем уже соответствующая область. Например, значения коэффициента отражения R 0,9, полученного с использованием семи слоев, добиваются в области шириной АХ — 5000 А. [c.108]

При решении данной задачи (а также при рассмотрении интерферометров) будем применять более наглядный метод суммирования амплитуд. Это удобно для диэлектрических пленок, так как можно учитывать лишь одно ограл ение - коэффицргенты отражения невелики и амплитуды волн при последующих отражениях пренебрежимо малье. [c.211]

Как следует из уравнения (12.31), емкость или диэлектрическая проницаемость среды (жидкость-Ьгаз) однозначно характеризует величину б. Схема измерений, построенная на этом принципе,, показана на рис. 12.7, а. Обкладками конденсатора являются орошаемая поверхность 1 и пластина 2. Обычно площадь пластины не превышает 10 мм . Электронная аппаратура, измеряющая емкость, состоит из генератора высокой частоты 3, частотного детектора 4 и электронного потенциометра 5. По измеренной величине С толщина пленки определяется из уравнения [c.253]

Разряд в воздухе вдоль поверхности твердого диэлектрика называют поверхностным разрядом или поверхностным перекрытием. Внесение твердого диэлектрика в воздушный промежуток существенно снижает его разрядное напряжение, даже если цилиндрический образец поместить между параллельными пластинами, создающими в промежутке однородное поле. Хотя в этом случае образующие цилиндра совпадают с направлением силовых линий электрического поля и поэтому поле, казалось бы, должно оставаться однородным, разряд всегда развивается в воздухе вдоль поверхности твердого диэлектрика при более низком напряжении, чем в чисто воздушном промежутке без цилиндра из твердого диэлектрика. На рис. 23.6 приведены зависимости напряжения поверхностного разряда в воздухе вдоль изоляционных цилиндров из различных твердых диэлектриков при частоте 50 Гц от высоты цилиндра (длины разрядного промежутка). Снижение разрядного напряжения обусловлено нарушением однородности электрического поля, так как пленка влаги на поверхности диэлектрического цилиндра имеет неодинаковую толщину в различных участах вдоль длины образца, в результате чего напряжение вдоль цилиндра распределяется неравномерно. Поэтому гидрофобный (несмачивающийся) парафин в меньшей степени снижает разрядное напряжение по сравнению с чисто воздушным промежутком, чем гидрофильный (смачивающийся) фарфор или стекло. При [c.547]

Диэлектрические материалы применяют в микроэлектронике в качестве изоляционных покрытий и масок при диф( )узии и ионной имплантации, герметизирующих покрытий легированных пленок, предотвращающих выход легирующих элементов, герметизирующих слоев, защищающих поверхности приборов от внещних воздействий, для диффузии примесей из слоев легированных оксидов, а также для геттерирования примесей и дефектов. Наиболее перспективны для этих целей оксид и нитрид кремния, а также имеющие более узкое применение оксинитрид кремния и некоторые стекла. [c.39]

В последнее время большое распространение получили процессы осаждения диэлектрических пленок проведением химических реакций на поверхностях нагретых подложек в специально составленных газовых смесях. Энергию для протекания этих химических реакций можно подводить в виде теплоты, облучением квантами света (фотохимически) или тлеющим плазменным разрядом. [c.41]

Горизонтальный реактор с горячими стенками, подогреваемыми внешней трехзонной печью, предназначенный для термического осаждения диэлектрических пленок из парога зовой смеси, показан на рис. 20. Газовая смесь поступает в один конец 6 реакционной камеры и откачивается из другого ее конца 3. Давление в реакционной камере обычно составляет от 30 до 250 Па, температура 300— 900 °С, расход смеси может изменяться от 100 до 1000 см /мин в пересчете на атмосферное давление. Подложки 4 устанавливают на пьедестале 5 вертикально, т. е. перпендикулярно газовому потоку. Иногда для более равномерной подачи газа к подложкам применяют специальные обтекатели. Основные достоинства метода — высокая производительность, возможность обработки подложек больших размеров и достаточная однородность получаемых пленок (око- [c.41]

Диэлектрическая пленка Состав реагентов TiiMnepaiypa осаждения. [c.42]

Для плазмохимического осаждения диэлектрических пленок используют реактор с радиальным распределением газового потока, показанный на рис. 21. Круглая реакционная камера, обычно выполняемая из алюминия или стекла, имеет два плоских алюминиевых электрода, на нижнем 7 из которых (заземленном) помещаются на пьедестале 6 подложки. При подаче высочастотного напряжения на верхний электрод 4 между ним и нижним электродом создается тлеющий разряд, который служит источником энергии для протекания химических реакций. Газовый поток вводят по краям 1 камеры и выводят из ее центральной части 8. Нижний электрод, кроме того, нагревается резистивными или инфракрасными нагревателями до 100—400 °С. [c.43]

В морской и других атмосферах, создающих электропроводящие пленки влаги на поверхностях деталей и конструкций, разр>тиающее действие контактной пары проявляется примерно в зоне 5 см вокруг потощали контакта. Рекомендуется применять в этой зоне диэлектрические разделители. Чтобы избежать вредного воздействия влаги, разделители должны поглощать не более о влаги, быть без трещин и выбоин, отверстий и других дефектов, куда может затекать влага. Не следует прикреплять к пропитанной солями меди древесине или фанере анодные по отношению к меди металлы и заделывать разнородные металлы в пористые материалы на близком расстоянии друг от друга, т.к. это может вызвать контактную коррозию (рис. 13 ), [c.35]

В процессе анодирования при повышении напряжения на поверхности алюминия формируется диэлектрическая окисная пленка аморфного строения, состоящая из внутреннего тонкого барьерного слоя и наружного, пронизанного многочисленными порами. При достижении напря-дения дуги на поверхности анода, покрытого диэлектрической окисной пленкой, в местах микродефектов и пор возникает пробой окисной пленки и появляются микро-ор цуговые разряды. Под действием микродуго-вых разрядов идет процесс окисления, толщина пленки в этих местах растет, и происходит залечивание дефектных точек. В результате анод покрывается плотной окисной пленкой, обладающей высокими изолирующими и [c.123]

Гигроскопичность диэлектриков зависит от их структуры и состава. Неполярные органические диэлектрики, например парафин, полиэтилен, полипропилен, обладают очень малой гигроскопичностью, почти не поглощают влаги из возду а и даже при длительном пребывании во влажной среде сохраняют хорошие диэлектрические свойства. Полярные диэлектрики обладают обычно большей гигроскопичностью, причем закрепление полярных молекул воды около полярных групп молекул диэлектрика замедляет поглощение влаги и равновесное состояние (предельное влагопоглоще-ние) наступает в них за большее время, чем у неполярных. Некоторые вещества, поглощая влагу, образуют с ней твердый коллоидный раствор — набухают. У таких диэлектриков (например, целлюлозные материалы) влагопоглощение может быть очень большим и вызывать сильное ухудшение электрических параметров. Наличие в диэлектриках водорастворимых составных частей и солей повышает их гигроскопичность. Многие неорганические диэлектрики, обладающие плотной структурой, например стекло, непористая керамика, практически не обнаруживают объемного поглощения воды. Проникновение влаги в диэлектрик может происходить через имеющиеся в нем поры. По своему характеру пористость может быть открытой в виде каверн на поверхности закрытой — в виде внутренних воздушных пустот, не сообщающихся с окружающей средой сквозной — в виде каналов, пронизывающих диэлектрик насквозь. Наибольшее влияние на электрические параметры оказывает влага, попадающая в сквозные поры. Конденсируясь на их стенках, вода образует сплошные пленки повышенной проводимости. Имеют значение и размеры пор, которые могут быть разными от макроскопических до суб-микроскопических размером (5—10)-10 см. [c.110]

Из полистирола получают полистирольные пленки толщиной 10—100 мкм, называемые стирофлексом. Пленки отличаются большой прочностью, высокими диэлектрическими показателями и применяются в конденсаторной технике. [c.207]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...