Тонкие пленки поглощение

Другим весьма важным свойством масел является маслянистость, т. е. способность в результате адсорбции (поглощения) образовывать на сопряженных поверхностях тонкие пленки — граничные слои, предотвращающие непосредственный контакт поверхностей. [c.144]

Интерферометр Фабри—Перо. Интерферометр, или эталон Фабри—Перо, является в настоящее время основным прибором в спектроскопии высокой разрешающей силы. Его действие основано на интерференции большого числа лучей, получаемых при многократном отражении световой волны между двумя параллельно расположенными плоскими зеркалами, обладающими частичным пропусканием (рис. 26). В современных интерферометрах, как правило, используют многослойные диэлектрические зеркальные покрытия, которые наносят на подложки из оптического стекла или кварца в вакууме. Они позволяют получать высокие коэффициенты отражения света при малой величине потерь на поглощение. Худшие характеристики имеют покрытия из тонких пленок серебра и алюминия. [c.76]

Виниловые смолы также хорошо пропускают вплоть до 2 мкм и обнаруживают первую полосу сильного поглощения только после 3 мкм. Отметим, однако, что спектры, приведенные на рис. 86 и 87, не следует сравнивать с предыдущими кривыми, так как они получены на тонких пленках толщиною от 0,01 и 0,02 мм. Сильное поглощение отмечается в этих случаях между 7 и 11 мкм. [c.136]

Каучук и натуральные резины. Каучук в виде сырого очищенного латекса гевеи отличается хорошим пропусканием в тонких пленках и дает полосы сильного поглощения у 3,43 6,95 и 12 мкм. При старении каучука наблюдается окисление, которое значительно [c.137]

Интересно отметить, что тангенциальная компонента отлична от нуля только для поглощающей пластинки. Это обстоятельство можно использовать [22] для определения коэффициента отражения и поглощения (в сильно поглощающих материалах) тонких пленок по измерению нормальной и тангенциальной компонент радиационной силы. [c.199]

Во многих случаях стремятся повысить или понизить пропускание или поглощение определенных длин воли, например инфракрасных или ультрафиолетовых. Для этого вводят в состав стекла различные добавки, изменяющие поглощение или пропускание стеклом световых волн с определенной длиной. На поверхность стекла могут быть нанесены также тонкие пленки некоторых металлов или окислов, избирательно отражающие лучи с определенной длиной волны. [c.461]

В литературе описана также прозрачная пленка из 510 [47, 66—68], коэффициент поглощения которой измерялся в работах [47] и [68]. Коэффициенты пропускания пленок из МдО, АЬОз и ВеО изучались в работе [69], ш 5102 — в [69, 70]. На рис. 2.10—2.24 даны кривые, характеризующие пропускание различных тонких пленок. Для каждого металла имеется критическая частота, при которой металл становится прозрачным. Критическая частота зависит от концентрации электронов [71]. Так, например, критическая длина волны для алюминия Я=780 А. [c.84]

Этот вид коррозии относится к электрохимическому, причем электролитом является тонкая пленка влаги, находяш аяся на поверхности металла. Пленка состоит из воды, газов и паров, поглощенных водой из окружающей атмосферы, частиц, механически загрязняющих атмосферу, и продуктов коррозии металла. [c.62]

Поверхностная окраска некоторых металлов обусловлена зависимостью их оптических характеристик от длины волны. Так как металл представляет собой среду с сильным поглощением, тонкие пленки металла при наблюдении на просвет будут иметь дополнительную окраску. Например, очень тонкие пленки золота, имеющего желтый цвет, в проходящем свете кажутся зелеными. [c.165]

В соответствии с выражением (3.13.4) чем больше число двойных слоев, тем больше величина V. Однако практически V не превышает 10 —10 вне зависимости от того, как много слоев используется. Дело в том, что в тонких пленках потери за счет поглощения и рассеяния увеличиваются с ростом т, что и ограничивает максимально достижимую отражательную способность. Аналогичное рассмотрение можно провести и для поля внутри мультислоя (см. задачу 13). [c.196]

Из всех известных веществ наибольшим поглощением света отличаются металлы. Для того чтобы наблюдать прохождение света через слой металла, приходится готовить из него очень тонкие пленки — толщиной в миллионные доли миллиметра. В принципе свет, проходящий через металл, поглощается по общему закону Бугера. Отличие состоит лишь в абсолютном значении показателя поглощения к, который в этих случаях становится очень большим. Так, например, при длине волны 0,589 мкм серебро имеет показатель поглощения к ь 8-10 платина — [c.92]

В предыдущих главах было показано, что для расчетов процесса излучения необходимо знание оптических характеристик материалов — коэффициентов поглощения, отражения, преломления и т. д. Эти характеристики вряд ли могут быть достаточно полно определены теоретически— уровень развития теории еще недостаточен для описания требуемых процессов, протекающих при излучении реальных поверхностей, в газах и жидкостях, в системе тел и т. д. Поэтому интенсивное развитие получили экспериментальные методы, а также методы, основанные на использовании быстродействующих вычислительных машин, позволяющие производить требуемые расчеты. Имеется определенный прогресс и в традиционной методике перехода от черных тел к реальным, не серым, особенно для зеркальных поверхностей, число которых, в связи с развитием техники обработки поверхности и переходу к напыленным и тонким пленкам, непрерывно растет [78]. Имеются достижения и в области расчетов излучения газов с учетом их структуры. Однако, в общем следует констатировать, что между теорией излучения, экспериментом и требованиями современных методов расчета все еще существует большой разрыв. Объясняется это чрезвычайной сложностью процесса переноса энергии фотонов. Укажем основные. трудности. Во-первых, в расчетных методах должны использоваться спектральные свойства материалов. Связано это с тем, что коротковолновые фотоны взаимодействуют с материалами иначе, нежели длинноволновые фотоны. Вместе с тем, большинство экспериментальных данных относятся именно к интегральным величинам, которые в этом смысле практически могут быть использованы лишь для серых тел. [c.175]

При нанесении вакуумных покрытий в непрерывных линиях проявляются некоторые недостатки, которые не так существенны в случае декоративной металлизации и при нанесении тонких пленок в микроэлектронике. К ним относятся, прежде всего, потери испаряемого металла, неравномерность толщины покрытия и неизбежный дополнительный разогрев подложки за счет выделения теплоты конденсации и поглощения теплоизлучения от испарителя. [c.214]

Поместите в Р тонкую пленку (будем считать, что толщина, поглощение и дисперсия пренебрежимо малы, а фазовый сдвиг постоянен). Опишите новый вид светового поля в плоскости Р. Покажите, что при помощи фотометрического измерения можно определить сдвиг фаз ф, вносимый пленкой В качестве определения контрастности примем [c.29]

Теперь объектив используется с полной апертурой (экраны удалены), и перед ним помещается стеклянная пластинка Ь с параллельными гранями (фиг. 36.3). На одной стороне пластинки L нанесена тонкая пленка с неравномерным поглощением, которая не вызывает фазового сдвига. Поглощающая [c.173]

Однако измерения обычно проводятся лишь в ограниченной, а не в бесконечной области спектра, что приводит к необходимости введения экстраполяций. Для того чтобы получить значение е(со), необходимо проводить два независимых измерения оптических характеристик, например отражения и поглощения или отражения под двумя разными углами. Для определения структуры мнимой части диэлектрической постоянной обычно используют измерения поглощения в ВУФ-области спектра, так как в этой области и(и) 1, а г2 ы)=2пк 2к, т. е. пропорциональна коэффициенту поглощения. Поскольку коэффициент поглощения в области фундаментального поглощения весьма велик (10 —10 см ), для измерения поглощения необходимо получение тонких пленок вещества (толщиной менее 1 мкм). [c.250]

Взаимодействие с электронами. Мак-Лепиан, Мак-Леод и Вильгельм [135] измеряли поглощение электронов с энергией порядка нескольких миллионов электроп-вольт тонкими пленками свинца. Переход в сверхпроводящее состояние никак не ска. швался на величине поглощения. [c.672]

Адгезия к окислам металлов и металлических пленок, осажденных на окисную подложку, во многом определяется образованием химических соединений [3], в частности окислов [5, 10, 12L При исследовании тонких пленок молибдена и ванадия, напыленных на подложки SiOj и AlaOg, необходимо обратить внимание на возможность обнаружения на межфазной границе пленка — подложка окислов молибдена и ванадия соответственно. Однако в то время как металл обладает максимально возможным коэффициентом поглощения К Ю —10 смг ) в очень широкой области спектра от жесткого ультрафиолета и до радиоволн включительно, окислы в широких спектральных участках обладают значительно меньшим коэффициентом поглощения [14]. Поэтому сравнительно небольшие по интенсивности полосы поглощения окислов практически невозможно обнаружить на фоне мощного поглощения чистого металла. Лишь в определенных участках спектра, в которых начинаются собственные поглощения, обусловленные междузонными переходами, величина поглощения окисла может в какой-то мере приближаться к коэффициенту поглощения металла. Для обнаружения окислов молибдена и ванадия по оптическому пропусканию тонких пленок, напыленных на окисные подложки, необходимо было выбрать такой спектральный интервал, в котором происходит резкое изменение величины коэффициента поглощения окисла молибдена или ванадия) от сравнительно небольших значений до значений, близких к их металлическому поглощению. Только в этом случае можно обнаружить характерные спектральные изменения пропускания, которые будут указывать на наличие того или иного окисла. Так как при высоких температурах, начиная с 800° С и выше, стабильны только [c.19]

В начале 1970-х годов в связи с нуждами программ внеатмосферной астрономии были рассмотрены оптические свойства тонких пленок и многослойных покрытий в области длин волн X л 5-ь150 нм [35, 85]. Были отмечены технологические трудности, а также роль поглощения как принципиального фактора, ограничивающего оптические свойства покрытий в этой области спектра. Авторами работы [581 с помощью современной технологии впервые была успешно синтезирована и испытана МИС, содержащая 5 пар слоев углерода и золота и имеющая период 10,6 нм. Коэффициент отражения в брэгговском максимуме на длине волны 9,6 нм и при угле падения 60° составил 4,5 %. Экспериментально полученные в настоящее время коэффициенты отражения от МИС, предназначенных для различных областей МР-диа-пазона, показаны на рис. 3.16. Проблемы и развитие технологии синтеза МИС подробно освещены в статье Т. Барби (см. приложение III). Приведем лишь краткий обзор работ, иллюстрирующий основные области их применения. [c.117]

В последние годы значительное число исследований было направлено на разработку оптических методов возбуждения и регистрации все более коротких когерентных импульсов деформации [72—801. Во многом это связано с широкими перспективами практического применения этого бесконтактного, дистанционного метода для экспресс-диагностики различных веществ. Возбуждаемые с помощью лазеров акустические импульсы наносекундной длительности эффективно использовались для определения анизотропии модулей упругости [81] и распределения пространственного заряда в диэлектриках [82]. Создание оптических генераторов пикосекундных акустических импульсов открывает возможность измерения поглощения акустических волн гига- и терагерцевого диапазона частот [76—791, изучения упругих свойств [76, 78, 80], распределений дефектов и остаточных напряжений в пленках, измерения толщин тонких пленок [74, 77, 781. Однако у проводимых исследований, несомненно, есть и более фундаментальные цели. С одной стороны, это создание импульсных акустических спектрометров быстрых нестационарных процессов. С другой — исследования распространения когерентных акустических волн в условиях, когда существенно проявляется дискретная структура кристаллов. [c.160]

В качестве пьезоэлектрических преобразователей наиболее часто используются пластинки из ЦТС-керамики (полоса возбуждаемых частот до 30 МГц), пиобата лития (10 800 МГи) и тонкие пленки сульфида кадмия, цинка или окиси цинка (полоса 0,5. .. .. 3,5 ГГц), хорошо работающие в области частот полуволнового резонанса. Со светозвукопроводом они соединяются с помощью дополнительных элементов акустической и электрической связи, в качестве которых служат слои золота, серебра, меди, индия или других металлов и сплавов с подслоями из хрома или титана Именно эти элементы являются основным источником диссипатив ных потерь мощности из-за поглощения звука, омических и ди электрических потерь (до 2. .. 30 дБ в диапазоне частот 0,1. .. .. 3,0 ГГц). Это накладывает серьезные требования на технологию их изготовления. [c.116]

Схема такого устройства показана на рис. 62. Оно состоит из генератора, делителя мощности, объекта излучения испытуемой излучающей антенны, излучателя опорного сигнала и индикатора радиоголограммы. В качестве радиочувствительных материалов используют пленки жидких кристаллов, тонкие пленки жидкостей, специально обработанные фотоматериалы, фотохромные пленки, люминофоры и др. Оптические свойства этих веществ, такие, как цвет, показатель преломления, плотность почернения (или интенсивность свечения), зависят от температуры и меняются при поглощении радиоизлучения. Оптическая голограмма, необходимая для восстановления изображения в видимом свете, получается при фотографировании поверхности материала в соответствующем масштабе. А ряд материалов позволяет получить изображение и без промежуточной стадии фоторегистрации голограммы. [c.124]

Чистые кристаллы щелочно-галоидных соединений прозрачны в широком спектральном интервале, включающем всю видимую и близкую инфракрасную область, а также значительную часть ультрафиолетовой области спектра. Поглощение света щелочногалоидными соединениями начинается в сравнительно далекой ультрафиолетовой области, и их спектры поглощения, расположенные в основном ниже 2000А°, состоят из резких и сильных полос, в которых коэффициенты поглощения очень велики и достигают в максимумах величину порядка 10 —10 см .Поль и его сотрудники [1—2] с большой тщательностью измерили в ультрафиолетовой области вплоть до 1600А° поглощение щелочногалоидных соединений, полученных в виде тонких пленок сублимацией в вакууме. В более коротковолновой области спектры поглощения щелочно-галоидных соединений были исследованы Шнейдером и О Брайаном [3]. На рис. 1 приведены спектральные кривые поглощения для шести различных щелочно-галоидных соединений. Пунктирные участки кривых этого рисунка построены по данным Шнейдера и О Брайана. В таблице 1 приведены данные о положении максимумов отдельных полос поглощения. [c.8]

Нёдавно Гартман и др. [4] исследовали при помощи вакуумного спектрографа структуру спектров поглощения тонких пленок Na l и КС1 в зависимости от температуры, а также спектры [c.8]

Совсем иной точки зрения относительно природы атомарных центров придерживаются Л. М. Шамовс-кий и его сотрудники [285, 287, 288]. Они полагают, что полоса 288 /п л в спектре КС1 — Ag обязана поглощению света образующимися на поверхности блоков субструктуры тонкими пленками металлического серебра. Основная часть активатора внедряется в решетку, по мнению Р. М. Шамовского путем изоморфного замещения, образуя твердый раствор, но некоторая часть активатора образует тонкие пленки, адсорбированные на внутренних межкристаллических поверхностях мозаической структуры реального кристалла. [c.172]

Люминесцентная термометрия тонких пленок на отражающих подложках, основанная на измерении интенсивности ФЛ, видимо, неперспективна. Существенную проблему представляет здесь интерференция возбуждающего излучения в пленке при изменении толщины hf происходит периодическое изменение поглощения в пленке (период составляет Ahf = l2nf при нормальном падении света, но имеется еще угловая зависимость). Кроме того, происходит интерференция излучения, испускаемого пленкой [7.39, 7.40]. Оба вида интерференции влияют на интенсивность и спектр люминесценции, регистрируемой фотоприемником. Как правило, во времени происходит изменение толщины пленки (в процессах осаждения и травления), что усложняет интерпретацию сигнала. Более помехоустойчивый сигнал может быть получен при регистрации не интенсивности, а времени затухания ФЛ. Вместе с тем, для достаточно толстых пленок (например, полимерных подложек) и стекол при возбуждении люминесценции импульсами света, для которого коэффициент поглощения велик, способ термометрии по интенсивности ФЛ представляется перспективным для термометрии как неподвижных, так и движущихся подложек. [c.192]

Второй метод,, оказавшийся весьма полезным для расширения наших представлений р. микроструктуре стекол,—электронная микроскопия. Этот метод применим лишь для образцов, сквозь которые пучки электронов с высокими энергиями могут проходить без заметного поглощения и не вызывая зарядкл образца. В некоторых случаях удается приготовить объемные образцы для микроскопических исследований, используя различные методы утончениЯ пластинок, но эти способы в случае стекол обладают сомнительными достоинствами из-за хрупкости исследуемых материалов. Вместр этого можно получать тонкие - пленки путем напыления в вакууме, но при этом мы можем столкнуться с различиями в свойствах получаемых структур,, связанными с различиями, в их тепловой истории,. В -частности, молекулярные ха рактеристики тонких пленок часто отражают, особен-иности процесса напыления. Сохранение эффектов,, связащых с историей приготовления образца в объ- емных стеклах, полученных охлаждением, из расплава, представляет собой меньшую проблему. Но некоторые из химических и механических эффектов, о которых говорилось выше, могут оказаться общими для жидкости и пара. К примеру,. сплавы определенных составов могут как конгруэнтно плавиться, так и конгруэнтно сублимироваться. [c.172]

Измерение ИК-снектров кристаллических образцов (прессовки с КВг диаметром 14 мм и толщиной 1 мм) и жидких веществ (тонкие пленки между дисками из КВг) проводились на спектрометре UR-10 с призмой из Na l в области 700—1600 см" . Концентрации веществ для прессовок или толщины жидких пленок подбирались таким образом, чтобы значения оптических плотностей в областях наиболее интенсивных полос поглощения не превышали 1.5. [c.259]

При температуре 120° каучук, разрушаясь, образует дегтеподобную темную массу. Окислительную деструкцию каучука используют в процессах его переработки. Вытягивая на вальцах каучук в тонкую пленку, создают на короткий промежуток времени благоприятные условия для поглощения кислорода, который вызывает частичное [c.18]

Прп помощи инфракрасных спектров можно исследовать чистые жидкости и растворы твердых, жидких и газообразных веществ. Жидкости обычно не исследуют в виде растзорон и, таким образом, с накладывающимся спектром поглощения растворителя в этом случае редко имеют дело. Однако при изучении спектра раствора могут быть исключены некоторые меж-молекулярные взаимодействия, которые имеют место в чистой жидкости. Использование растворов жидкостей может оказаться также необходимым, когда поглощение чистой жидкости очень велико и нельзя получить достаточно тонкую пленку для проведения точных измерений. [c.41]

Селениды бериллия, магния, и елочноземельных металлов имеют еще более высокие температуры плавления, чем моноселениды щелочных металлов (1000— 1800°С). Они также обладают высоким удельным электросопротивлением, так, например, для ВаЗе оно составляет l- 3 10 ° ОМ-СМ-, это соединение с ионным характером химической связи. Ширина запрещенной зоны для ВаЗе равна 4,0 эв. Эти соединения не обладают полупроводниковыми свойствами. Для селенидов щелочноземельных металлов характерны оптические свойства тонких пленок—коэффицент поглощения для MgSe и ЗгЗе равен 10 см . [c.33]

Были исследованы тонкие пленки SrSe, нанесенные так же, как и пленки MgSe (см. селенид магния). Установлено, что структура полос поглощения не зависит от чистоты и способов приготовления материалов [226]. В области максимального поглощения коэффициент поглощения равен 10 см- [46]. [c.115]

Рис. 18.8. Спектры оптического поглощения тонких пленок щелочно-галоидных кристаллов Na l, NaBr, K l и KBr при 80 °К. (Из работы Эби и др. [26].) По вертикальным осям отложены значения поглощения в относительных единицах. Стрелки на графиках для NaBr и КВг указывают дублеты в спектре поглощения, характерные для бромидов в области низких энергий. Такой характер пиков обусловливается дублетной структурой самого низшего экситонного состояния ионов галогена основным состоянием иона Вг является состояние So при электронной конфигурации 4/5 самые низшие экситонные состояния связаны с электронной конфигурацией Ap bs. Остов может

Изменение интенсивности 1х при прохождении сквозь тонкую пленку толщиной dx обусловлено излучением Udx и поглощением —Uilxdx по закону Бера. Отсюда [c.108]

Роль пространственной дисперсии в благоприятных слу-Ч31Х возрастает вблизи линий поглощения (резонансов), так К.1К при этом возрастает показатель преломления ге, а значит и параметр a k—anl. Именно такой случай хорошо известен для магнитоактивной плазмы (см. [6], 12). При этом возникают не только количественные изменения дисперсионных кривых, но и появляются гговые нормальные волны (при отсутствии пространственной дисперсии в анизотропной среде в данном направлении распространяются лишь две нормальные волны с данной частотой кроме того, в отдельных случаях может появляться продольная волна с определенной частотой и с равной нулю групповой скоростью). Появление новых волн возможно и в конденсированной среде. К их числу относятся уже упоминавшиеся продольные волны (для частот, на которых они отсутствуют, при пренебрежении пространственной дисперсией) и третья волна в гиротропной среде [5]. В негиротропной среде в принципе также могут появиться новые волны (помимо продольной), как это, по сути дела, следовало еще из теории нормальных электромагнитных волн в кристаллах, развитой Борном в 1915 г. (см. [14], стр. 108—122). В конкретной форме это заключение было сделано в работе [15] в применении к области экситонных линий. Однако в этой работе не учитывалось поглощение. Между тем вблизи дипольных линий, о которых только и шла речь в [15], поглощение в известных случаях столь сильно, что практически смазывает влияние пространственной дисперсии [5, 16, 17]. В этой связи попытки объяснить опыты с тонкими пленками антрацена [18, 19] влиянием новой волны, по всей вероятности, ошибочны [16, 17, 20]. Возможно, что наблюдавшиеся осцилляции интенсивности света, прошедшего через пленку, с изменением ее толщины объясняются зависимостью показателя [c.18]

При возбуждении электромагнитной волной соответствующей длины Го-моды возникает сильное взаимодействие с решеткой. В случае отсутствия свободных носителей при этой длине волны наблюдается значительное отражение. Прохождение излучения через образец является более сложным процессом. При отражении волны от поверхности твердого тела происходит изменение фазы на л, при внутреннем же отражении фаза остается постоянной. Если оптический путь волны и поглощение достаточно малы, в отраженной волне будут наблюдаться сильные интерференционные явления. При сильном же поглощении луч, отраженный от внутренней границы, будет слабым, и интерференция будет слабой. В результате этого интенсивность отраженной волны будет значительной, а пропускание уменьшится. ГО-мода с нулевым волновым числом обычно обладает малым коэффициентом затухания и линия поглощения бывает довольно острой. Таким образом, можно ожидать узких минимумов на кривой пропуск -ния при исследовании тонких пленок с помощью ГО-моды. Этим и объясняются наблюдения Барнса и Черни [132] в щелочно-га-лоидных кристаллах. Они обнаружили сильные искажения формы минимума на кривой пропускания для толстых кристаллов. Когда же были использованы пленки толщиной около микрона, наблюдался четкий минимум. В Na l оптический путь был мал ( 2 мкм) по сравнению с длиной волны поперечных оптических колебаний в Na l ( 65 мкм). [c.390]

Природа селективного фотоэффекта, т. е. причина, вызывающая резкое увеличение эмиссии в определенной части спектра, еще не вполне выяснена. Наиболее естественным является предпололсение, что селективный фотоэффект связан с избирательным поглощением света и что, так же как и в случае внутреннего фотоэффекта, мы имели бы исчезновение максимума или бы стали относить силу фототока к единице поглощенной энергии. Для проверки этого предполонсения необходимо 1) промерить кривую истинного поглощения 2) удостовериться в том, что фотоэлектрич. поверхность обладает дихроизмом (см.), т. о. что спектр ее зависит от направления электрич. вектора. Это обстоятельство действительно было обнаружено для тонких пленок слой ка.лия на платине поглощает свет только в том случае, когда электрич. вектор колеблется в плоскости падения, т. е. когда имеет место фотоэффект. Что касается поглощения, то здесь затруднения заключаются в том, что до сих пор но удавалось узнать ту долю поглощенной энергии, к-рая идет действительно на срывание электронов ряд косвенных наблюдений однако все более и более подтверждает мысль о чисто онтич. природе селективного фотоэффекта. [c.145]

Для тонких пленок при слабом поглощении желательны измерения при многократном отражении [85]. Ряд приближенных формул для вычисления п, %, I в случае тонких пленок дан в работах Абеле [40, 86],Зоммерфельда (в удобной форме формулы последнего даны и продискутированы в работах [87—89] см. также [021] и гл. 5 [17, 19, 22]). Для сильно поглощающих пленок расчеты Абеле должны быть несколько уточнены [90]. [c.266]

Источником искажений при этих измерениях служит возникающий перед кварцем акустический ветер (см. гл. П1, 1), действие которого на крутильные весы накладывается на давление излучения. Кроме того, в сильно поглощающих жидкостях даже на значительном расстоянии от источника звука наблюдаются потоки жидкости обусловленные большим градиентом давления излучения, вызываемым поглощением. Бикар [282] указывает два способа устранения этих затруднений. Во-первых, непосредственно перед крутильными весами и позади них можно расположить тонкие пленки из коллодия, целлулоида или другого подобного материала, которые задерживают акустический ветер, но пропускают звуковые волны. О наилучшем расположении этого ветрового экрана см. у Фокса и Рока [633]. Во-вторых, измерение давления [c.275]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...