Получение тонких пленок

Специальные методы получения биметаллов (сварка взрывом, трением, напы лением или испарением в вакууме с получением тонких пленок и пр.) пока не получили широкого распространения в промышленности [c.285]

В табл. 27 и 28 приведены свойства различных материалов, применяемых в микроэлектронике, с точки зрения условий вакуумного распыления. Химические методы получения тонких пленок основаны на реакциях между поверхностью подложки и средой, дающих тонкий слой вещества на поверхности подложки. [c.432]

Вследствие высокой тугоплавкости предпочтительным методом получения танталовых пленок является катодное распыление, а не напыление в вакууме, хотя последний метод является наиболее предпочтительным для получения особо чистых пленок, в частности сверхпроводящих. Если не применять специальных мер предосторожности, пленки тантала содержат различные примеси. Попытки улучшить однородность и проконтролировать чистоту Танталовых пленок привели к улучшению процесса катодного распыления как общего метода получения тонких пленок. Фактически все модификации катодного и ионно-плазменного распыления разрабатывались первоначально для танталовой технологии. [c.437]

В настоящее время известно несколько методов получения тонких пленок из керамических сегнетоэлектрических материалов, однако ни один из них не может быть рекомендован как универсальный, так как каждый может использоваться для получения пленок определенных толщин. По существу каждый метод [c.292]

Существует еще один метод получения тонких пленок, пригодных для прямых исследований в электронном микроскопе просвечивающего типа, заключающийся в том, что на полированную металлическую плиту сбрасывается капля расплавленного металла или сплава, подлежащего исследованию [56]. Однако при этом методе пленки получаются заметно окисленными, поэтому в большинстве случаев эту операцию необходимо производить в защитной атмосфере, что весьма усложняет эксперимент. [c.40]

Получение тонких пленок распылением материалов ионной бомбардировкой. Этот метод позволяет наносить пленки металлов (включая тугоплавкие), сплавов (в том числе многокомпонентного состава), полупроводников, а при использовании ВЧ-распыления—диэлектрические пленки. Характерно, что скорости распыления у большинства материалов различаются не более чем на порядок, в то время как скорости их испарения различаются резко (на несколько порядков). [c.112]

Метод получения тонких пленок ионным распылением материалов имеет следующие преимущества [c.113]

СЛОЯ. Подобный метод получения тонких пленок используют для создания твердых смазочных материалов. Образовавшийся прилипший слой порошка, находясь между трущимися частями, еще в большей степени уплотняется и превращается в монолит. Такие смазочные слои противодействуют высокой температуре, вакууму, избыточному давлению и агрессивной среде и находят широкое применение в промышленности. [c.223]

Существуют различные методы получения тонких пленок металла. Одним из таких методов является вакуумное напыление тонких покрытий, толщина которых колеблется от 0,01 до 0,5 мкм при нанесении благородных металлов (золото, серебро, платина) и до 75 мкм при нанесении покрытий из цинка, кадмия, меди. [c.147]

Область применения конденсируемых в вакууме тонких пленок весьма обширна. Особенно широкое применение они нашли в микроэлектронике, поэтому задача получения тонких пленок с заданными геометрией и свойствами приобретает особую важность. [c.124]

В ряде случаев путем выбора соответствующего электролита, формы и расположения катода и образца добиваются образования нескольких дыр, промежутки (полоски) между которыми по толщине пригодны для исследования на просвет . Для получения тонких пленок из медных сплавов применяют, например, электролит, состоящий из 33% азотной кислоты и 67% метилового спирта (плотность тока 0,5—0,6 а/сж ), а для получения пленок из сплавов железа применяют электролит 20 частей ледяной уксусной кислоты и 1 часть хлорной кислоты (плотность тока 0,7 а/см ). [c.104]

Изменение состава ванны при работе сказывается на качестве получаемых пленок. Увеличение концентрации щелоча свыше 50 г л увеличивает скорость растворения металла и приводит к образованию более толстых, но рыхлых пленок. Одновременно повышается расход персульфата за счет его химического разложения. Снижение концентрации щелочи ниже 45 г/л сопровождается образованием тонких пленок, имеющих бурый или зеленоватый оттенок. Повышение концентрации персульфата калия более 15 г л приводит к получению тонких пленок бурого оттенка, а уменьшение ниже 5 г л — к образованию толстых и рыхлых пленок. Обычно корректирование ванны производят через каждые 8—10 час. ра-боты. [c.57]

Корректирование фосфатирующих растворов прежде всего преследует цель поддержания требуемой кислотности — общей Ко и свободной Кс- Общую кислотность проверяют титрованием пробы раствора с индикатором фенолфталеином, свободную — с метиловым оранжевым. Количество миллилитров 0,1 н. раствора гидроксида натрия, пошедшего на титрование, условно выражают в точках . Оптимальное значение /(0 = 28- 30 точек, /(с = 3- 4 точки, соотношение Ко Кс = 7 0. Чрезмерное повышение Кс увеличивает продолжительность формирования фосфатной пленки, а понижение Кс, так же как и температуры раствора, сопровождается получением тонких пленок. [c.275]

Впоследствии, для получения тонких пленок из материала, находящегося в парообразном состоянии, использовались различные источники энергии газовый разряд, бомбардировка электронами, альфа-лучами и т. д. [c.107]

В первом случае в качестве основы, образующей блок, используется пластина изоляционного материала, на который наносят проводящие, резистивные, полупроводниковые, изоляционные и магнитные пленки, выполняющие роль радиодеталей. Основу технологии составляют методы получения тонких пленок вакуумное осаждение, химическое осаждение и т. д. [c.148]

Пленки можно получать каландрованием. Размягченный термопластичный материал пропускают между валками, в результате чего образуется бесконечная лента. Для получения тонких пленок с точными размерами по толщине применяют многовалковые каландры. Каландрованием изготовляют пленки толщиной 0,05—1 мм со скоростью до 180 м/мин. Качество поверхности готовой пленки зависит от качества поверхности последней пары валков. [c.328]

Предприняты попытки прямого испарения пластмасс в вакууме с целью получения тонких пленок [65]. Исследование электронно-324 [c.324]

Для изготовления электротехнических материалов, в том числе полупроводников и диэлектриков, в настоящее время используются разнообразные, зачастую весьма сложные приемы химического синтеза, различные виды обработки, включая искусственное выращивание монокристаллов, получение тонких пленок из различных материалов и нанесение пленок на различные подложки, различные виды особо глубокой очистки (зонная плавка, плавка и распыление в высоком вакууме и др.) воздействие на материалы электромагнитного поля и ионизирующих излучений и т. д. Представляет интерес влияние на свойства материалов формы и геометрических размеров изделий так, тонкие пленки, нити, мелкие частицы порошков могут обладать свойствами, существенно отличными от свойств того же вещества в массивном образце (примеры использования стеклянные нити и ткани, оксидные и другие тонкопленочные конденсаторы, магнитные пленки, порошковые постоянные магниты, различные тонкопленочные устройства микроэлектроники). Изготовление и обработка материалов в ряде случаев производятся в процессе получения готовых изделий, в частности деталей и узлов радиоэлектроники. [c.8]

Наливочная головка со сливной плотиной в боковой стенке (рис. 5.8, в) более проста по конструкции и в обслуживании по сравнению с головкой с донной щелью. Расход лакокрасочного материала регулируется изменением его подачи в головку. Недостатком этой головки является трудность получения тонких пленок (до 25—30 мкм), необходимых при нанесении ряда лакокрасочных материалов, например нитратцеллюлозных. [c.100]

Испарение материалов широко используется для получения тонких пленок, применяемых в самых различных областях техники. Преимущества электронно-лучевого испарения перед другими методами испарения состоят в следующем. Во-первых, при обычном тигельном нагреве испаряемого вещества температура поверхности и объема одинакова. При электронно-лучевом нагреве высокую температуру имеет только поверхность. Такой метод позволяет получать материалы высокой чистоты, так как почти полностью исключается реакция испаряемого вещества с материалом тигля. При электронно-лучевом испарении возможен и бестигельный процесс. Во-вторых, имеется возможность управлять электронным пучком во времени и в пространстве, что позволяет регулировать поток энергии и скорость испарения. [c.536]

Оксидные и фосфатные покрытия стальных деталей получают термическим, химическим и электрохимическим способами. Термический способ заключается в нагреве детали на воздухе, в среде водяного пара или в расплавленной селитре. При этом на поверхности детали образуется пленка толщиной около 1 мкм, которая в зависимости от температуры оксидирования имеет раз личную окраску. Воздушно-термический способ используют для получения тонких пленок на деталях электротехнической аппаратуры. [c.209]

Весьма перспективны также лазерные методы получения тонких пленок из самых тугоплавких материалов (толщиной 1—10 мм). Лазерное излучение используется в этом случае для испарения в вакууме исходного материала (вольфрам, молибден), [c.51]

Однако измерения обычно проводятся лишь в ограниченной, а не в бесконечной области спектра, что приводит к необходимости введения экстраполяций. Для того чтобы получить значение е(со), необходимо проводить два независимых измерения оптических характеристик, например отражения и поглощения или отражения под двумя разными углами. Для определения структуры мнимой части диэлектрической постоянной обычно используют измерения поглощения в ВУФ-области спектра, так как в этой области и(и) 1, а г2 ы)=2пк 2к, т. е. пропорциональна коэффициенту поглощения. Поскольку коэффициент поглощения в области фундаментального поглощения весьма велик (10 —10 см ), для измерения поглощения необходимо получение тонких пленок вещества (толщиной менее 1 мкм). [c.250]

Никелирование фарфора. С целью получения тонких пленок рассматривается [59] в следующем технологическом плане. [c.133]

К ал и M а H 0 в Л. П. и др. Получение тонких пленок никеля на фарфоре методом химического никелирования. — Приборостроение , 1964, № И, 16—18. [c.199]

В присутствии наполнителя в клеях и герметиках снижаются усадкп при отверждении, а следовательно, предупреждается растрескивание или ослабление пленки, клеевой или герметизирующий состав получается желаемой консистенции или формы (паста, пленка, жгут), повышается прочность соединения, улучшаются условия теплопередачи. В качестве наполнителей применяют порошки металлов, коллоидальную окись кремния, древесную муку, стеклоткань, стекловолокно, ткань из химических волокон. Применение тканей в качестве наполнителя удобно и тем, что облегчает получение тонких пленок из отверждающихся и в большинстве случаев хрупких полимеров. [c.141]

Недостатком головок этого типа является трудность получения тонких пленок (до 25—35 мкм), необходимых при нанесении ни-троцеллюлозных лаков. [c.173]

Основными способами получения тонких пленок являются термическое испарение в вакууме, катодное распыление и химическое осаждение. Толстые пленки наносятся на подложку методом шелкографии. Выбор метода получения пленок зависит от многих факторов состава наносимого вещества, состояния поверхности и температуры подложки, заданной толщины, режима технологического процесса, методов контроля и т. п. [c.687]

Получение тонких пленок испарением металлических и неметаллических материалов в высоком вакууме является перспективным методом, особенно важным для современной технологии йнтегральных пленочных микросхем. Метод вакуумного испарения позволяет наносить любые пленки — проводящие, резистивные, диэлектрические, полупроводниковые, магнитные, защитные — почти на любые подложки при однотипном, единообразном технологическом цикле. Последнее обстоятельство создает главную предпосылку для автоматизации процесса, без чего повторяемость требуемых результатов и рентабельность производства мало реальны. [c.38]

Б-5. Получение тонких пленок шоопированием. Нанесение тонких пленок титаната бария с помощью керамической технологии или вакуумного испарения — дорогой и малопроизводительный процесс. Значительно экономичнее и производительнее нанесение пленки шоопированием. При шоопировании не требуются вакуумная камера и дорогие подогреватели. Пленка толщиной 30 мкм с е > 6 ООО может быть получена на стальной ленте шириной 30 мм и толщиной 0,1 мм с большой скоростью. Шоопирование можно осуществить распылением стержня или порошка титаната бария. В первом случае получаются пленки более высокого качества, но повышенной толщины с 8 400. Во втором случае образуются более тонкие пленки (е > 800) с высокой производительностью, причем обеспечивается возможность автоматизации процесса. Чтобы увеличить е до 6 ООО и выше, применяется дополнительная термическая обработка во время или после шоопирования. [c.381]

Таким образом, показана принципиальная возможность получения тонких пленок Ni r2S4 методом дискретного напыления. [c.181]

Кроме того, из фторопласта-3 можно приготовить суспензии, применяемые для получения тонких пленок и пок1)ытий на других материалах. [c.166]

Масс-спектром етры Молекулярно-струйные аппара Ионные источники Ускорители частиц Электронные микроскопы Вакуумные спектрографы Исслед. низк.темпер атур Получение тонких пленок Поверхостные явления Исследование плазмь Исследование синтеза ядра Высотные камеры Имитаторы космоса -Исследование материалов [c.61]

Чэмберс [134] сделал подробный обзор экспериментов, посвященных измерению сопротивления тонких пленок и тонких проволок, и пришел к заключению, что, хотя известно большое количество работ по этолгу вопросу (в частности, работа Ловелла [135] по исследованию тонких осажденных пленок щелочных металлов), опыты Эндрю ]136] с тонкими оловянными пленками, полученными путем проката, и тонкими ртутными проволоками были, вероятно, первыми, которые удается сопоставить с теорией (см. также работы Эйкена и Форстера [137, 138]). В целом если предположить диффузный характер рассеяния ( > = 0), то результаты Эндрю могут быть удовлетворительно интерпретированы, а найденные mi значения I находятся в довольно хорошем согласии со значениями, oirpe- [c.206]

Фотоэлектрический способ получения электрической энергии применительно к промышленным масштабам весьма громоздок и характеризуется малым к. п. д. солнечных батарей. Можно предположить, однако (будущее покажет, насколько основательны эти надежды), что нспользование термоэлектрических свойств тонких пленок, а также применение пластических материалов для оптических систем и т. п. сделают этот метод более практичным [c.515]

В установках подготовки нефти при получении товарной нефти из сырой нефти выделяется несколько фаз нефтяной газ, газовый конденсат, сточная вода. Коррозионное воздействие этих фаз различается по характеру и степени интенсивности. Интенсивность коррозионного разрушения оборудования растет в результате ввода в нефть в процессе ее обезвоживания и обессолнвання деэмульгаторов— дисолвана 4411, Серво, ОП-7, ОП-10 и др. Усиление коррозии под влиянием деэмульгаторов связано с их сильным гидрофилнзирующим и моющим действием, в рез льтате чего на поверхности металла образуется тонкая пленка воды. Коррозионная агрессивность фаз, выделяющихся в процессе подготовки нефти, зависит от их состава н других факторов. [c.166]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...