Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Сульфид кадмия

Обертывание серебра тканью, пропитанной ацетатом кадмия, защищает металл от потускнения кадмий реагирует с HjS с образованием нерастворимого сульфида кадмия ( d + + HjS -> dS + 2Н+). — Примеч. авт.  [c.176]

Сульфид кадмия, гекс., о тт 100 90 [15П  [c.160]

Рис. 7.49. Неэлектронное затухание L- и S-волн в сульфиде кадмия при 300 К. Волны распространяются под разным углом к оси с О, —40° С —0° А 90° [330] Рис. 7.49. Неэлектронное затухание L- и S-волн в сульфиде кадмия при 300 К. Волны распространяются под разным углом к оси с О, —40° С —0° А 90° [330]

Селенид кадмия Сульфид кадмия Сульфид свинца Теллур Теллурид висмута кадмия свинца рубидия цезия Титанат бария Фторид лития Фосфид индия Хлорид серебра  [c.576]

Выявление кадмия вследствие того, что его светло-желтый сульфид ( dS) трудно различить на белом фоне отпечатка, следует проводить только при более высоком его содержании (выше 1%). При одновременном с кадмием присутствием свинца и висмута светло-желтый цвет сульфида кадмия перекрывается темными их сульфидами.  [c.268]

Медь — сульфид кадмия 155  [c.267]

Необходимые для создания пьезопреобразователей низкоомные монокристаллы сульфида кадмия могут быть получены двумя путями.  [c.327]

Для проведения исследований пьезоэлектрических преобразователей на монокристаллах сульфида кадмия нами были получены монокристаллы сульфида кадмия п-типа диаметром 20 мм из расплава под давлением инертного газа в компрессионной печи методом направленной кристаллизации с перемещающимся контейнером.  [c.327]

ВОЛН ЛЭМБА В СУЛЬФИДЕ КАДМИЯ  [c.75]

Сульфид кадмия Селенид кадмия Сульфид свинца  [c.99]

Сульфид кадмия (Gd8) Вдоль оси С Продольная 4500  [c.548]

Сульфид кадмия является полупроводником и-типа и остается им, несмотря иа значительные загрязнения, введенные случайно или преднамеренно. Проводимость р-типа никогда не наблюдалась. Кристаллы со.хра-няют проводимость я-тнпа или превращаются в изоляторы 19, стр. 585].  [c.656]

При воздействии давления жидкости или газа на пьезоэлемент возникает его равномерное сжатие Oj = = Од, а = Og = ав = 0. В этом случае для кварца и сульфида кадмия поляризация отсутствует  [c.190]

При сварке, например, гердшнпя [w = 0,72 э(5) с сульфидом кадмия w 2,4 эВ) луч лазера направляется сквозь последний и фокусируется па границе раздела полупроводникоп. Если сварку проводить рубиновым лазером с длиной волны 0,694 мкм (li j, =  [c.169]

Развитие коррозии под напряжением в зоне очага разрушения обусловливает наличие там специфических продуктов коррозии. Так, выполненный на установке УРС-60 в излучении железного анода рентгенофазовый анализ отложений на стенках трещин разрушений в ряде случаев выявил магнетит и сульфиды железа, являющиеся результатом коррозионного взаимодействия механически активированной трубной стали 17ГС с высокосернистой арлаи-ской нефтью. Наличие магнетита указывает на образование коррозионных трещин без доступа кислорода воздуха. Сульфиды железа на поверхности излома были выявлены при воздействии концентрированного раствора азотнокислого кадмия, подкисленного соляной кислотой. О их присутствии свидетельствует желтая окраска, обусловленная наличием сульфида кадмия.  [c.228]


ПЬЕЗОПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МОНОКРИСТАЛЛЫ СУЛЬФИДА] КАДМИЯ для ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ УЛЬТРАЗВУКА  [c.325]

В настоящее время наиболее интенсивные работы проводятся на монокристаллах СбЗ. Вызвано это, с одной стороны, высокими пьезоэлектрическими свойствами данного кристалла по сравнению со всеми прочими кристаллами группы А В ( 33 = 10,32 X X 10" ( 55 = 5,18 10" ) [74], а с другой стороны, возможностью использовать кристаллы С(35 для усиления ультразвуковых волн [75] и построения как активных линий задержки, так и усилителей радиочастотного сигнала с двойным преобразованием. Поэтому использование в этих системах и преобразователей, и звукопро-вода из сульфида кадмия упрощает задачу их акустического согласования, что позволяет построить систему более широкополосную с меньшим отношением сигнала к шуму, который вызывается нежелательными отражениями ультразвуковых волн от торцевых граней звукопровода. Кроме того, использование преобразователей такого типа в интегральных схемах позволяет значительно упростить конструкцию указанных устройств.  [c.326]

Получение монокристаллов сульфида кадмия двух типов (высокоомных и низкоомных) — это два самостоятельных процесса, каждый из которых обладает определенными технологическими особенностями. В настоящее время сульфид кадмия получается двумя путями выращиванием из паровой фазы и из расплава под давлением инертного газа. В первом случае получаются нефото-чувствительные высокоомные кристаллы (они непригодны для целей усиления ультразвука). Во втором случае в зависимости от технологии процесса получаются либо низкоомные, либо высокоомные кристаллы.  [c.327]

Сульфид цинка ZnS и сульфид кадмия С<18 — типичные люминофоры. HjSOj — сильная кислота. Гексафторид серы SF — га.зообразный диэлектрик, используемый в качестве активной среды в хим. лазерах. С. применяется также в сельском хозяйстве, реэнновой пром-сти, произ-ве искусств, волокна, взрывчатых веществ, пром-сти органич. синтеза, медицине и др. В качестве радиоакт. индикатора используют р-радпо-акт. радионуклид 8 (Т>/, = 87,44 сут).  [c.487]

Рис. 3.4. Зависимость температуры плав- j200 ления Г,,, от радиуса г наночастиц сульфида кадмия dS [228] Рис. 3.4. <a href="/info/59874">Зависимость температуры</a> плав- j200 ления Г,,, от радиуса г наночастиц сульфида кадмия dS [228]
При качественном определении кадмий вместе с другими металлами П гру шы осаждается в виде сульфида ярко-желтого цвета. Если присутствуют другие металлы И группы, то осадок сульфидов повторно растворяют, добавляют избыток во.аного раствора аммиака (появляющийся осадок отфильтровывают), затем приливают раствор циашша калия для уничтожения окраски, обусловленной присутствием ионов меди, и сульфид кадмия вновь осаждают сероводородом 67].  [c.269]

Для количественного определения кадмия анализируемый образец растворяют, удаляют мешающие ионы и осаждают кадмий в виде сульфида. Сульфид кадмия взаимодействием с серной кислотой превращают в сульфат, раствор выпаривают и попученннй dSOi взвешивают 13]. По другому способу сульфид растворяют в соляной кислоте, раствор нейтрализуют  [c.269]

Кристаллический сульфид кадмия высокой степени чистоты применяется в фотогальваннческих элементах, приборах для обнаружения излучения, при изготовлении окон, пропускающих инфракрасное излучение, и в фотоэлементах. Описано [44] получение этих кристаллов высокой степени чистоты. Представляет интерес также его применение в солнечных батареях для преобразования солнечной радиации в электрическую энергию. Изготовлены экспериментальные устройства, которые более эффективны, чем другие устройства.  [c.276]

Выпрямляющее действие сухого селенового выпрямителя, как известно, осуществляется иа границе раздела между селеном с проводимостыо р-типа и барьерным слоем сульфида кадмия с проводимостью п-типа (361.  [c.656]

Для этого класса материалов характерно как получение наночастиц (типа СёЗ, С(15е, 1пР и др.), так и гетероструктур (сверхрешеток) на основе соединений (типа АЮаАз—СаАз, 1пА5-СаАз и др.), а также пористого кремния. Полупроводниковые наночастицы синтезируются коллоидными методами, гидролизной обработкой, газофазными методами (включая лазерное испарение) и др. Например, наночастицы сульфида кадмия осаждаются из растворов сульфида натрия и хлората кадмия  [c.135]


Последний эффект обусловлен наличием линий поглощения, соответствующих переходам с образованием экситоцов. В некоторых полупроводниках линии чрезвычайно интенсивны н узки, а в электрическом nojie уширяются и исчезают при значении поля Е, которое зависит от параметров экситонов—эффективной массы, энергии связи. Коэффициент поглощения света в центре экситонной линии при =10 В/см уменьшается для сульфида кадмия в 2,3 раза, а в монокристаллах теллурида кадмия может достичь перепада в 100 и более раз. Линии поглощения лежат в видимом диапазоне длин волн, и в принципе имеется возможность, варьируя составы материалов, подгонять экситоцные линии  [c.32]

В качестве пьезоэлектрических преобразователей наиболее часто используются пластинки из ЦТС-керамики (полоса возбуждаемых частот до 30 МГц), пиобата лития (10 800 МГи) и тонкие пленки сульфида кадмия, цинка или окиси цинка (полоса 0,5. .. .. 3,5 ГГц), хорошо работающие в области частот полуволнового резонанса. Со светозвукопроводом они соединяются с помощью дополнительных элементов акустической и электрической связи, в качестве которых служат слои золота, серебра, меди, индия или других металлов и сплавов с подслоями из хрома или титана Именно эти элементы являются основным источником диссипатив ных потерь мощности из-за поглощения звука, омических и ди электрических потерь (до 2. .. 30 дБ в диапазоне частот 0,1. .. .. 3,0 ГГц). Это накладывает серьезные требования на технологию их изготовления.  [c.116]

Слой фотопроводника толщиной в несколько микрон формируется с одной или с двух сторон керамической пластины. Чаще всего в качестве фотопроводника служит органический полупроводник—поливинилкарбозол, в котором хорошая фоточувстви-тельность сочетается с высокими оптико-механическими свойствами. Последнее весьма вал<ио при совместной работе с пьезоэлектриками, каковыми являются все сегнетоэлектрические материалы Из неорганических фотополупроводннков, для которых характерны более высокая чувствительность и быстродействие. Применяются сульфиды кадмия и цинка и их твердые растворы,  [c.129]

Фазовая модуляция света в аналогичной структуре с dS осуществлялась также на основе отиентационного 5-эффекта [79]. Использование в структурах ФП —ЖК 5-эффекта и поли-кристаллических ФП-слоев в виде твердого раствора сульфидов кадмия и цинка состава Znoj do.aS (максимум спектральной чувствительности на длине волны 442 им), полученных термическим испарением в вакууме, позволило достичь нувствигельности около 10 Дж,см2 При глубине модуляции фазы считывающего света п (на длине волны 633 им) и контрасте в скрещенных поляроидах не менее 2о 1,  [c.143]

I, 4, 5 —частота переменного. напряжения IS Гц, 2 —Частота 25 Гц, 3 —иастота 50 Гп. Толщина ФП (сульфид кадмия цинка) l,J мкм  [c.158]


Смотреть страницы где упоминается термин Сульфид кадмия : [c.169]    [c.169]    [c.154]    [c.589]    [c.241]    [c.288]    [c.201]    [c.38]    [c.65]    [c.12]    [c.191]    [c.524]    [c.32]    [c.190]    [c.121]    [c.143]    [c.147]    [c.147]    [c.158]    [c.164]   
Физика дифракции (1979) -- [ c.228 , c.229 , c.338 , c.339 , c.345 , c.350 ]

Материаловедение Технология конструкционных материалов Изд2 (2006) -- [ c.647 , c.660 , c.661 , c.675 ]

Пьезоэлектрические резонаторы на объемных и поверхностных акустических волнах (1990) -- [ c.278 , c.289 ]



ПОИСК



Влияние магнитного и электрического полей в кристалле сульфида кадмия

Кадмий

Медь — сульфид кадмия

Пьезополупроводниковые монокристаллы сульфида кадмия для высокочастотных преобразователей ультразвука (О. Л. Крейнин, Бондаренко, Э. К Раискин, С. В. Гирман, Л. С. Сысоев)

Сульфиды

Фоторезисторы основе сульфида кадмия



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте