Электронные соединения, См. соединения

Электронные соединения. См. соединения [c.523]

Медь с цинком кроме а-твердого раствора образуют ряд фаз р, у и е- твердые растворы на основе электронных соединений (см. рис. 2.43, а). [c.211]

Сварные соединения, выполненные плазменной сваркой без присадочного металла, имеют такую же структуру, как и соединения, выполненные электронным лучом (см. раздел 4.1,7). Поэтому в настоящем разделе они не рассматриваются. [c.46]

Как ожидалось (см. раздел 2.1), у всех систем, содержащих соединения, отрицательные энтальпии смешения в жидком состоянии, и они, как и в твердом состоянии, проявляют в основном тенденцию к образованию связей типа А—В. Энтальпии, наименьшие для систем, содержащих электронные соединения, возрастают с увеличением тенденции к образованию максимума на линии лик- [c.57]

Низкие отрицательные значения (- —1,5 ккал) и малые изменения в после плавления (большинство которых объясняется изменением в стандартном состоянии) для простых систем, содержащих электронное соединение, позволяют допустить, что изменение энергии Ферми после сплавления дает главный вклад в Н . Во всех этих системах фактор электроотрицательности мал и не может дать значительного вклада в энтальпии смешения или в сильной степени привести к образованию отрицательных группировок в жидкости (возможно, за исключением системы Си—-Sn, где имеет резкий минимум). Хаотичность структуры жидкости отражается в относительно малых отрицательных избыточных энтропиях растворов. Влияния критической электронной концентрации в жидкости не наблюдается, так как плавление уничтожает всякое влияние, вызванное взаимодействием зоны Бриллюэна и сферы Ферми, вследствие разрушения зоны Бриллюэна. Однако влияние зон в жидких сплавах все же возможно (см. разделы 5.1 и 5.2), но не при этом же составе, как в твердом состоянии. [c.58]

Электронные соединения (фазы) см. [c.328]

Как мы увидим дальше (гл. VHI), эти фазы — электронные соединения на диаграммах состояний — выявляются несколько иначе, чем прочие обычные химические соединения, отвечающие на диаграмме максимуму. Подробнее о металлических соединениях см. литературу (35, r.i. П1). [c.84]

Возможность подразделения процесса растворения металлов в электролитах на два сопряженных процесса — анодный и катодный — облегчает в большинстве случаев его протекание по сравнению с химическим взаимодействием. При электрохимическом взаимодействии окислитель играет лишь роль деполяризатора, отнимающего валентные электроны металла и обеспечивающего переход металла в ионное состояние, но не вступает с ним при этом в химическое соединение [вторичные процессы и продукты коррозии при электрохимическом механизме коррозии металлов могут иметь место (см. с. 212), но они не обязательны]. [c.181]

Площадь нагрева электронным лучом может быть по сравнению с газовым пламенем и дугой в 1000 раз меньше (см. табл. 1), при плотности энергии в 1000 раз большей. При использовании фотонного луча эта разница еще значительнее. Высокая плотность энергии в малом пятне нагрева определяет основные преимущества при сварке электронным лучом и лазером — выгодную форму проплавления (ножевая, кинжальная) и возможность получения прецизионных соединений. Вместе с тем при сварке глубоко внедренным лучом возникают дополнительные трудности большая опасность пор и горячих трещин, колебания глубины проплавления и подрезы. [c.15]

Расчет значений есв для разных методов сварки плавлением коррозионно-стойкой стали типа 18—10 (рис. 1.8) показал,что с увеличением толщины изделия удельная сварочная энергия резко растет при использовании многопроходной сварки. Например, аргонно-дуговая сварка вольфрамовым электродом обеспечивает получение стыкового сварного соединения для листов толщиной 15 мм при общих затратах энергии на все проходы до 1000 Дж/мм . Электронно-лучевая сварка благодаря кинжальному проплавлению за один проход позволяет соединить встык листы толщиной от 10 до 50 мм практически при одной и той же удельной энергии (см. рисунок). [c.28]

Рис. 1.29. Электронный микроскоп Сименса, работающий при напряжении 50-100 кВ и дающий разрешение до 10 см. В соединенных друг с другом цилиндрах находятся магнитные линзы. Источник электронов расположен сверху, а увеличенное окончательное изображение объекта можно видеть на флуоресцирующем экране в нижней части прибора. Для получения фотоснимков надо помещать фотопластинки в этой плоскости. Фокусировка производится посредством из.менения силы тока в магнитных линзах.

Важнейшей эмиссионной характеристикой твердых тел является работа выхода еср (е — заряд электрона, Ф — потенциал), равная минимальной энергии, которая необходима для перемещения электрона с поверхности Ферми в теле в вакуум, в точку пространства, где напряженность электрического поля практически равна нулю [1]. Если отсчитывать потенциал от уровня, соответствующего покоящемуся электрону в вакууме, то ф— потенциал внутри кристалла, отвечающий уровню Ферми. Согласно современным представлениям в поверхностный потенциальный барьер, при преодолении которого и совершается работа выхода, основной вклад вносят обменные и корреляционные эффекты, а также — в меньшей степени — электрический двойной слой у поверхности тела. Наиболее распространенные методы экспериментального определения работы выхода — эмиссионные по температурной, спектральной или полевой зависимости соответственно термо- фото- или полевой эмиссии, а также по измерению контактной разности потенциалов между исследуемым телом и другим телом (анодом), работа выхода которого известна [I, 2]. В табл. 25.1, 25.3 и 25.4 приведены значения работы выхода простых веществ и некоторых соединений. Внешнее электрическое поле уменьшает работу выхода (эффект Шоттки). Если поверхность эмиттера однородна, то уменьшение работы выхода. эВ, при наложении электрического поля напряженностью В/см, равно [c.567]

Интерметаллич. соединения условно подразделяют на электронные соединения, фазы внедрения, фазы с простыми стехиометрия. соотношениями, соединения с нормальной валентностью и др. Для электронных соединений характерно наличие почти пост, отношения числа валентных электронов к числу атомов (%, и 4 соответственно для Р-, у- и е-фаз). Фазы внедрения могут образовываться при определённых соотношениях атомных радиусов металлов и неметаллов. Простые стехиометрич. соотношения АВ,, АВ, АВ , А3В присущи фазам Лавеса и родственным им соединениям (см. Интерметаллические соединения). [c.112]

ПАЙБРЛСА переход структурный фазовый переход металл — диэлектрик в кеаэиодномерных соединениях, при к-ром формируются периодич. в пространстве смещения ионов из их положения равновесия в метал-лич. фазе. Смещения сопровождаются перераспределением электронной плотности (см. Волки зарядовой плотности [1, 3]). В квазиодномерных кристаллах с цепочечной структурой атомов (или молекул) электроны проводимости свободно двигаются вдоль цепочек из-за хорошего перекрытия волновых электронных ф-ций соседних атомов в цепочке, но движение электронов между цепочкалш затруднено /4]. [c.520]

СВЕТОФИЛЬТР — устройство, меняющее спектральный состав и энергию падающего на него оптич. излучения то же, что оптический фильтр. СВЕТОЭЛЕКТРЙЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ — появление направленного электронного потока в твёрдом проводнике в результате передачи электронам импульса от направленного потока фотонов. Наблюдается в оптич. и СВЧ-диапазонах в нек-рых металлах, полупроводниках, полуметаллах в виде тока (ток увеличения) или эдс. Наиб, исследован в полупроводниках (Ge, Si, соединениях см. Полупроводниковые материалы). [c.470]

У. с. используется при исследовании спектров атомов, ионов, молекул и твёрдых тел с целью изучения их уровней энергии, вероятностей квантовых переходов и др, характеристик. В УФ-области спектра лежат резонансные линии нейтральных, одно- и двукратно ионизованных атомов, а также спектральные линии, испускаемые возбуждёнными конфигурациями высокоионизованных атомов (многозарядных ионов). Электронно-колебательно-вращательные полосы молекул в осн. также располагаются в ближней УФ-области спектра. Здесь же сосредоточены полосы поглощения в спектрах большинства полупроводников, возникающие при прямых переходах из валентной зоны в зону проводимости. Многие хим. соединения дают сильные полосы поглощения в УФ-области, что создаё преимущества использования У. с. в спектральном анализе. У. с. имеет большое значение для внеатм. астрофизики при изучении Солнца, звёзд, туманностей и др. (см. Ультрафиолетовая астрономия). [c.221]

Наиб, чувствительностью в видимой и ближней ИК-областях спектра обладают Ф. с отрицат. электронным сродством (ОЭС). Они представляют собой сильнолегированные полупроводники /1-типа, работа выхода к-рых снижена так, что уровень вакуума оказывается ниже дна зоны проводимости в объёме полупроводника. Такие Ф. изготавливаются на основе полупроводниковых соединений GaP, GaAs, InP и их твёрдых растворов, а также на основе Si. В процессе изготовления Ф. поверхность полупроводника очищается прогревом в сверхвысоком вакууме, после чего работа выхода снижается адсорбцией цезия и кислорода. Наиб, высокую чувствительность имеют Ф. с ОЭС, изготовленные на основе совершенных полупроводниковых эпитаксиальных плёнок, обладающих большими диффузионными длинами (см. Эпитаксия). Длинноволновая П)аница Ф. с ОЭС определяется шириной запрещённой зоны используемого полупроводника (рис. 2) i-oss 1,24/ , [c.349]

Протекание каждой стадии зависит от свойств растворителей, ПАВ и других компонентов ПИНС. Чем выше полярность растворителей, чем больше в них содержится активированных комплексов, долгоживуших свободных стабильных радикалов и их комплексов, а также чем выше поляризуемость маслорастворимых ПАВ (в результате динамических электронных эффектов своих активных групп), тем легче первая стадия переходит во вторую или даже третью с образованием ионизированного и активированного комплекса. Естественно, что образование такого комплекса сказывается на функциональных свойствах ингибиторов и других ПАВ (см. рис. 36, кривая 2), а также на свойствах ПИНС в целом (кривая 3). Таким образом, активные растворители можно рассматривать не просто как жидкую инертную среду, а как поляризующие и промежуточно поляризующие соединения, улучшающие многие функциональные свойства составов. [c.172]

Кьюзак [291] недавно рассмотрел электронные свойства чистых жидких металлов. Он подходил к ним с теоретической точки зрения и обсудил имеющиеся экспериментальные данные по чистым жидким металлам (см. также [605]). В последние два года были сделаны значительные достижения, особенно в области определения электронных свойств чистых металлов и сплавов в данном разделе обсуждаются и суммируются все данные, ранее рассмотренные Кьюзаком, дополнительно представлены недавние исследования по чистым металлам, а также детально рассмотрены свойства жидких сплавов и интерметаллических соединений. [c.101]

Излагаемый ниже способ расчета я-электронной конфигурации металл-хелатных соединений впервые использован Барнумом [ ] в применении к ацетилацетонатам трехвалентных металлов. Оценка кулоновских и резонансных интегралов проводилась в соответствии с указаниями Поправка для на индукционный эффект со стороны гетероатомов и иона меди (А= = 2500 см [ ]) вводилась только для атомов в халатном кольце. Значения параметров в единицах =22 750 см приведены в табл. 1. [c.36]

М. Хансен и К. Андерко (см. т. I [27]) сообщают, что б-фаза из работы [3] на самом деле представляет собой упорядоченный твердый раствор на основе а-Т1 в работе [5] на основании электронно.микроскопического исследования сообщается, что б-фаза наблюдается в сплаве с 10,2% (ат.) [6% (по массе)] А1 при температуре 500° С (в противоположность рис. 28). Данные по эффекту Холла свидетельствуют о существовании соединений Т1еА1 и Т1зА1 [6]. Сообщается [7] [c.83]

В сплавах, содерлсащих цинк в пределах от 39 до 50%, появляется новая структурная составляющая — 3-фаза. Р-фаза представляет собой твердый раствор. Растворителем в данном случае является не чистый металл, а электронное соединение uZn, имеющее решетку объемноцентрированного куба и отношение числа валентных электронов к числу атомов— /г (см. стр. 71). [c.360]

Наиболее важными технологическими параметрами процесса сварки яйляются тип и геометрия стыкового соединения и пространственное положение сварного шва и электронного п чка. Для однопроходной ЭЛС применяются типы соединений, главным образом характерные для сварки плавлением (рис. 6.13). Отличительными типами соединений являются соединения под сварку проникающим электронным пучком (см. рис. 6.13, ж)-, в углублении и труднодоступных местах (см. рис. 6.13, г) тавров через полку (см. рис. 6.13, и). Отбортовка кромок (см. рис. 6.13, в) применяется обычно в изделиях радиоэлектроники и приборостроения. Соединения под сварку проникающим пучком допускаются для тонколистовых металлов в нижнем положении и для металлов малых и средних толщин в горизонтальном положении. Тавровые соединения могут выполняться на металлах с 5 < 10 мм. Остальные соединения допускаются для металлов малых, средних и больших толщин. [c.416]

П. м., как правило, обладают высокой пластичностью, антикоррозионной стойкостью, достаточной мехапич. прочностью такие свойства необходимы при изготовлении из них проводов, профилированных токонесущих деталей и т. д. П. м. обладают электронной проводимостью (см. Электропроводность). Наиболее электропроводпы при обычных темп-рах химически чистые 1-валентные металлы. При весьма низких темп-рах нек-рые металлы и сплавы обладают сверхпроводимостью. Статич. искажения кристаллич. решетки, ео динамич. нарушения, а также процессы, связывающие электроны, понижают электропроводность П. м. (см. Остаточное сопротивление) 1-е имеет место при образовании твердых растворов, пластич. деформации, воздействии проникающего ядерного излучения 2-е — при нагреве 3-е — при образовании нек-рых растворов и хим. соединений. [c.207]

Типы С. д. в области твердого состояния паиболее многообразны. На рис. 3, в приведена С. д. системы, в к-рой один из компонентов имеет полиморфное препращспие, а другой — пет (иример Fe—Ni). С. д. системы, в к-рой один из компонентов имеет 2 аллотропных превращения, причем образуется замкнутая область одной из фаз, изображена на рис. 3, г (пример Fe—Сг). Кще сложней С. д. при наличии нескольких полиморфных превращений у одного или обоих компопептов С. д. систем, в к-рых образуются металлические соединения, упорядоченные фазы, электронные соединения, фазы Лавеса и т. д. (см. Метал-лимсские соединения). [c.589]

КАТОДНАЯ ЛАМПА (лампа электронная, катодное реле, электронная, или термион-ная, трубка), пустотный прибор, сквозь который электрич. ток переносится электронами, испускаемыми накаленным катодом электронной лампы (см. Лампа электронная) и притягиваемыми анодом. Последний соединяется с (- -)батареи, к-рой (-) соединен с катодом. Между анодом и катодом помещается сетка—решетчатый электрод, управляющий всем потоком электронов. Слабые, изменяющиеся эдс прикладываются между сеткой и катодом и вызывают изменения тока сквозь лампу гораздо более значительные, чем те, которые получились бы, если бы те же эдс действовали непосредственно на обычное сопротивление (усилительное действие). К. л. применяются в качестве усилителей, детекторов и генераторов и имеют громадное значение в современной радиотехнике. [c.15]

МЕТАЛЛЫ, элементы, реакции к-рых обусловлены их способностью отдавать электроны. Ббльшая часть элементов периодич. системы принадлежит к М. число их равно 70. Многочисленность М. обусловливается возрастанием легкости отдачи электрона при увеличении объема атома и экращ1рующим действием внутренних электронных слоев у элементов с большим атомным номером. Поэтому в группах периодич. системы с увеличением номера элемента как правило начинают появляться металлич. свойства. Для типичных М. характерны легкое образование нелетучих окислов, а следовательно и солей, отсутствие летучих водородистых соединений, металлическое их состояние и практич. отсутствие сложных молекул в парах. Следствием отдачи одного или нескольких электронов является образование полярной связи, ведущее к легкости электролитич. диссоциации в растворах солей М. При процессе диссоциации ионы металлов всегда несут положительный заряд они могут присоединять к себе нейтральные молекулы, опразуя соединения второго порядка, могущие иметь или характер сольватов (гидратов, аммиакатов и пр.) или при большей прочности связи комплексных соединений (см.). Чаще ив перечисленных признаков у М. присутствуют не все и обычно о принадлежности [c.400]

Планарно-матричные архитектуры обработки изображений, т. е. переноса одной матрицы изображения на другую преобразующую матрицу, с успехом реализуются на основе устройств, рассмотренных выше. Планарно-матричная архитектура обеспечивает полную параллельность обработки массива (основное соображение в пользу оптических вычислений) и использует хорошо развитые методы классической оптики [34]. При этом линза становится межэлементным соединением сразу для 10 элементов/см с субфемтосекундной временной однородностью. Обычно упорядоченность таких соединений рассматривают в качестве механизма ограничения степени универсальности такого оптического компьютера. Однако даже в электронных цепях по мере увеличения их быстродействия становится все более необходимым сделать одинаковыми длины проводов, соединяющих элементы. Данное требование совместно с недопустимостью пересечения проводов заставляет использовать в электронике все более и более упорядоченные соединения. Оказывается, что необходимость в упорядоченности соединений обусловливается в основном стремлением добиться высокой скорости и простоты изготовления, а не типом используемых- логических элементов. За последнее время сделаны значительные успехи в области разработки архитектур обработки изображений. Символьные подстановки [35 ] стали од- [c.71]

В соединениях А "В максимум подвижности /х 78000 см /В с наблюдается у InSb, в А"В максимум /х 2300 см /В с наблюдается у HgTe, в А В " максимум /х 50 см /В с наблюдается у Agi. Во всех этих трех соединениях q оказывается минимальным или близким к минимальному значению эффективных зарядов, характерных для соответствующей группы соединений, поэтому полярное рассеяние в них минимально. Таким образом, в каждой из групп соединений А В - максимум подвижности наблюдается вблизи минимального значения q, а при переходе от А В к А В и далее к А В величина максимальной подвижности падает с увеличением равновесной ионности соединения, так что и относительная полярность связи q, я равновесная ионность определяют величины подвижности электронов в полупроводниковых соединениях с ковалентно-ионной межатомной связью. [c.71]

Нами рассматриваются неметаллические материалы, имеющие температуру плавления более 1600°С. Эти материалы представляют софй согласно [31] кристаллические структуры, которые Можно представить в виде множества структурных единиц причем взаимодействие внутри такой единицы значительно сильнее, чем между ними. Поэтому сложные соединения, состоящие из нескольких сортов атомов, разбивают на структурные ком плексы и рассматривают взаимодействие внутри полу ченных комплексов, причем структурная группа должна быть симметричной. Последнее требование хорощо со гласуется с опытами по исследованию инфракрасньп спектров поглощения при частотах до 1000 см [32] Действительно, колебания симметричных комплексов цо добны колебаниям молекулы идеального газа такой же симметрии. Следовательно, симметричный комплекс мож но рассматривать как молекулу, состоящую из двух разных или одинаковых ядер, связь в которой осуществляется исключительно за счет взаимодействия валентных электронов обоих атомов. [c.51]

Боридный термокатод — катод на основе металлоподобных соединений типа МеВе, где iMe — щелочноземельный, редкоземельный металлы или торий. В качестве термокатода наиболее широко применяется гекса-борид лантана, реже — гексабориды иттрия и гадолиния и диборид хрома. Покрытие оксидного слоя тонкой пленкой осмия понижает работу выхода катода и увеличивает его эмиссионную способность. Термоэмиссионные катоды из гексаборида лантана работают при температуре 1650 К и обеспечивают получение плотности тока ТЭ до 50 А/см . Высокая механическая прочность и устойчивость таких катодов к ионной бомбардировке позволяет использовать их в режиме термополевой эмиссии (при напряженности внешнего электрического поля 10° В/см значительная часть эмиссионного тока обусловлена туннелированием электронов сквозь барьер). В этом режиме катод из гексаборида лантана при температуре 1400—1500 К может эмитировать ток с плотностью до 1000 A/ м . Катоды из гексаборида лантана не отравляются на воздухе и устойчиво работают в относительно плохом вакууме. Срок их службы не зависит от давления остаточных газов в приборе до давлений порядка 10 Па. Эти катоды используются в ускорителях и различных вакуумных устройствах. [c.571]

Карбидами называют соединения углерода с другими элементами. Широкое применение имеет карбид кремния Si —карборунд—ио-ликристаллический полупроводник. Карборунд получают в электрических печах при температуре 2000° С из смеси двуокиси кремния SiOa и угля. Кристаллы карборунда гексагональной структуры в чистом виде бесцветны, но благодаря примесям технический материал имеет светло-серую или зеленоватую окраску. При нормальных условиях энергия запрещенной зоны = 2,86 эв. Характер электропроводности определяется составом примесей или отклонением от стехио-метрического состава Si . Электронная проводимость получается при избытке Si, а также при наличии примесей из V группы — фосфора, мышьяка, сурьмы, висмута или азота. Дырочная проводимость достигается при избытке С и наличии примесей элементов II группы (Са, Mg) и III группы (А1, In, Ga, В). При введении примесей изменяется также окраска карборунда. Подвижность носителей низкая гг = = 100 см 1в-сек. Up = 20 см /в-сек. Порошкообразный карборунд применяют для изготовления нагревателей электрических печей с температурой до 1500° С. Кроме того, из него изготовляют нелинейные объемные резисторы — варисторы, в которых значение R падает с ростом приложенного напряжения (рис. 14.2). Нелинейность таких резисторов резко вырастает при одновременном введении небольших примесей алюминия (IM группа) и азота (V группа), вблизи точки перехода [c.188]

Полупроводники этой группы представляют собой соединения селена и теллура с некоторыми другими металлами (см. 14.7). При избытке металла (РЬ, Hg, Bi, d) по отношению к стехиометрической формуле получается электронная проводимость, при избытке селена или теллура — дырочная. В качестве легирующих присадок используются также некоторые соединения. Все эти проводники нмеют низкую энергию запрещенной зоны порядка ГО" эв, кроме dTe с W = 1,5 эв. Главной областью применения полупроводников этой группы являются термоэлектрические генераторы и холодильники, где важной характеристикой служит эффективность [c.191]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...