Электронные соединения, См. соединения электронные

Электронные соединения. См. соединения [c.523]

Медь с цинком кроме а-твердого раствора образуют ряд фаз р, у и е- твердые растворы на основе электронных соединений (см. рис. 2.43, а). [c.211]

Сварные соединения, выполненные плазменной сваркой без присадочного металла, имеют такую же структуру, как и соединения, выполненные электронным лучом (см. раздел 4.1,7). Поэтому в настоящем разделе они не рассматриваются. [c.46]

Как ожидалось (см. раздел 2.1), у всех систем, содержащих соединения, отрицательные энтальпии смешения в жидком состоянии, и они, как и в твердом состоянии, проявляют в основном тенденцию к образованию связей типа А—В. Энтальпии, наименьшие для систем, содержащих электронные соединения, возрастают с увеличением тенденции к образованию максимума на линии лик- [c.57]

Низкие отрицательные значения (- —1,5 ккал) и малые изменения в после плавления (большинство которых объясняется изменением в стандартном состоянии) для простых систем, содержащих электронное соединение, позволяют допустить, что изменение энергии Ферми после сплавления дает главный вклад в Н . Во всех этих системах фактор электроотрицательности мал и не может дать значительного вклада в энтальпии смешения или в сильной степени привести к образованию отрицательных группировок в жидкости (возможно, за исключением системы Си—-Sn, где имеет резкий минимум). Хаотичность структуры жидкости отражается в относительно малых отрицательных избыточных энтропиях растворов. Влияния критической электронной концентрации в жидкости не наблюдается, так как плавление уничтожает всякое влияние, вызванное взаимодействием зоны Бриллюэна и сферы Ферми, вследствие разрушения зоны Бриллюэна. Однако влияние зон в жидких сплавах все же возможно (см. разделы 5.1 и 5.2), но не при этом же составе, как в твердом состоянии. [c.58]

Электронные соединения (фазы) см. [c.328]

Как мы увидим дальше (гл. VHI), эти фазы — электронные соединения на диаграммах состояний — выявляются несколько иначе, чем прочие обычные химические соединения, отвечающие на диаграмме максимуму. Подробнее о металлических соединениях см. литературу (35, r.i. П1). [c.84]

Остановимся на причине изменения концентрации носителей тока с температурой. Концентрация носителей не может расти за счет ионизации каких-либо примесных уровней, поскольку при концентрациях порядка 10 —10 2 см энергии ионизации обычно равны нулю. Изменение концентрации в карбидах переходных металлов можно объяснить, исходя из сложной зонной структуры этих соединений. Зона проводимости состоит из двух перекрывающихся зон 5-зоны и -зоны. Если уровень Ферми находится в области, где плотность состояний с -зоны падает с ростом энергии, то с повышением температуры происходит перераспределение электронов между зонами таким образом, что число их в 5-зоне растет. Когда уровень Ферми находится в области роста плотности состояний -зоны, то наблюдается обратная картина. В [5] показано, что кривая зависимости плотности состояний от энергии в гибридной 2р + Зо -зоне Т1С действительно имеет минимум, причем уровень Ферми стехиометрического Т1С находится на участке падения плотности состояний. С ростом энергии плотность состояний сначала падает, а потом начинает расти. В соответствии с этим и наблюдается изменение концентрации носителей тока. Эффект падения концентрации сильнее у более дефектных карбидов, поскольку у них вследствие роста концентрации зона заполняется до больших энергий [4]. [c.43]

РЕЛЯТИВИСТСКИЙ ЭФФЕКТ, уменьшение (дефект) массы конгломерата протонов и электронов вследствие освобождения некоторой энергии при их соединении. По основному выводу теории относительности (см. Относительности теория) энергия эквивалентна массе где с—скорость света. Поэтому освобождение энергии при соединении протонов и электронов в атомное ядро эквивалентно уменьшению обш,ей массы. Такой дефект массы обнаруживается во всех элементах кроме водорода (см. Изотопы и Водород), с. Вавилов. [c.273]

В изолированном атоме (см.) энергия электронов может иметь согласно требованиям волновой механики не любые, а лишь определенные дискретные значения Wl,W,,W ,.,, (фигура, а). При соединении атомов в твердую кристаллич. решетку (см. Кристалл) каждый ив этих уровней несколько смещается и расщепляется на целый ряд тесно расположенных новых уровней, образующих вону, общую для всего кристалла (фигура, б). В кристаллич. решетке энергия электронов может иметь лишь вначения, лежащие в пределах вон значения же энергии, к-рые соответствуют промежуткам мешду зонами, для электронов запрещены. Каждая зона соглас- [c.462]

Интерметаллич. соединения условно подразделяют на электронные соединения, фазы внедрения, фазы с простыми стехиометрия. соотношениями, соединения с нормальной валентностью и др. Для электронных соединений характерно наличие почти пост, отношения числа валентных электронов к числу атомов (%, и 4 соответственно для Р-, у- и е-фаз). Фазы внедрения могут образовываться при определённых соотношениях атомных радиусов металлов и неметаллов. Простые стехиометрич. соотношения АВ,, АВ, АВ , А3В присущи фазам Лавеса и родственным им соединениям (см. Интерметаллические соединения). [c.112]

Для электрич. свойств О. в, с. в нормальном состоянии типичен линейный рост сопротивления с изменением темп-ры. Ква-аидвумерная слоистая структура О. в. с. проявляется в сильной анизотропии ферми-поверх-ности, электрических и сверхпроводящих свойств. Измерение ковф. Холла и Зеебека указывает, что носителями заряда в большинстве О. в. с. являются дырки (см. Зеебека эффект. Холла эффект], хотя имеются соединения и с электронным типом проводимости (наир., т . Се СиО , Г, - 24К). [c.403]

ПАЙБРЛСА переход структурный фазовый переход металл — диэлектрик в кеаэиодномерных соединениях, при к-ром формируются периодич. в пространстве смещения ионов из их положения равновесия в метал-лич. фазе. Смещения сопровождаются перераспределением электронной плотности (см. Волки зарядовой плотности [1, 3]). В квазиодномерных кристаллах с цепочечной структурой атомов (или молекул) электроны проводимости свободно двигаются вдоль цепочек из-за хорошего перекрытия волновых электронных ф-ций соседних атомов в цепочке, но движение электронов между цепочкалш затруднено /4]. [c.520]

СВЕТОФИЛЬТР — устройство, меняющее спектральный состав и энергию падающего на него оптич. излучения то же, что оптический фильтр. СВЕТОЭЛЕКТРЙЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ — появление направленного электронного потока в твёрдом проводнике в результате передачи электронам импульса от направленного потока фотонов. Наблюдается в оптич. и СВЧ-диапазонах в нек-рых металлах, полупроводниках, полуметаллах в виде тока (ток увеличения) или эдс. Наиб, исследован в полупроводниках (Ge, Si, соединениях см. Полупроводниковые материалы). [c.470]

У. с. используется при исследовании спектров атомов, ионов, молекул и твёрдых тел с целью изучения их уровней энергии, вероятностей квантовых переходов и др, характеристик. В УФ-области спектра лежат резонансные линии нейтральных, одно- и двукратно ионизованных атомов, а также спектральные линии, испускаемые возбуждёнными конфигурациями высокоионизованных атомов (многозарядных ионов). Электронно-колебательно-вращательные полосы молекул в осн. также располагаются в ближней УФ-области спектра. Здесь же сосредоточены полосы поглощения в спектрах большинства полупроводников, возникающие при прямых переходах из валентной зоны в зону проводимости. Многие хим. соединения дают сильные полосы поглощения в УФ-области, что создаё преимущества использования У. с. в спектральном анализе. У. с. имеет большое значение для внеатм. астрофизики при изучении Солнца, звёзд, туманностей и др. (см. Ультрафиолетовая астрономия). [c.221]

Наиб, чувствительностью в видимой и ближней ИК-областях спектра обладают Ф. с отрицат. электронным сродством (ОЭС). Они представляют собой сильнолегированные полупроводники /1-типа, работа выхода к-рых снижена так, что уровень вакуума оказывается ниже дна зоны проводимости в объёме полупроводника. Такие Ф. изготавливаются на основе полупроводниковых соединений GaP, GaAs, InP и их твёрдых растворов, а также на основе Si. В процессе изготовления Ф. поверхность полупроводника очищается прогревом в сверхвысоком вакууме, после чего работа выхода снижается адсорбцией цезия и кислорода. Наиб, высокую чувствительность имеют Ф. с ОЭС, изготовленные на основе совершенных полупроводниковых эпитаксиальных плёнок, обладающих большими диффузионными длинами (см. Эпитаксия). Длинноволновая П)аница Ф. с ОЭС определяется шириной запрещённой зоны используемого полупроводника (рис. 2) i-oss 1,24/ , [c.349]

Протекание каждой стадии зависит от свойств растворителей, ПАВ и других компонентов ПИНС. Чем выше полярность растворителей, чем больше в них содержится активированных комплексов, долгоживуших свободных стабильных радикалов и их комплексов, а также чем выше поляризуемость маслорастворимых ПАВ (в результате динамических электронных эффектов своих активных групп), тем легче первая стадия переходит во вторую или даже третью с образованием ионизированного и активированного комплекса. Естественно, что образование такого комплекса сказывается на функциональных свойствах ингибиторов и других ПАВ (см. рис. 36, кривая 2), а также на свойствах ПИНС в целом (кривая 3). Таким образом, активные растворители можно рассматривать не просто как жидкую инертную среду, а как поляризующие и промежуточно поляризующие соединения, улучшающие многие функциональные свойства составов. [c.172]

Кьюзак [291] недавно рассмотрел электронные свойства чистых жидких металлов. Он подходил к ним с теоретической точки зрения и обсудил имеющиеся экспериментальные данные по чистым жидким металлам (см. также [605]). В последние два года были сделаны значительные достижения, особенно в области определения электронных свойств чистых металлов и сплавов в данном разделе обсуждаются и суммируются все данные, ранее рассмотренные Кьюзаком, дополнительно представлены недавние исследования по чистым металлам, а также детально рассмотрены свойства жидких сплавов и интерметаллических соединений. [c.101]

Излагаемый ниже способ расчета я-электронной конфигурации металл-хелатных соединений впервые использован Барнумом [ ] в применении к ацетилацетонатам трехвалентных металлов. Оценка кулоновских и резонансных интегралов проводилась в соответствии с указаниями Поправка для на индукционный эффект со стороны гетероатомов и иона меди (А= = 2500 см [ ]) вводилась только для атомов в халатном кольце. Значения параметров в единицах =22 750 см приведены в табл. 1. [c.36]

М. Хансен и К. Андерко (см. т. I [27]) сообщают, что б-фаза из работы [3] на самом деле представляет собой упорядоченный твердый раствор на основе а-Т1 в работе [5] на основании электронно.микроскопического исследования сообщается, что б-фаза наблюдается в сплаве с 10,2% (ат.) [6% (по массе)] А1 при температуре 500° С (в противоположность рис. 28). Данные по эффекту Холла свидетельствуют о существовании соединений Т1еА1 и Т1зА1 [6]. Сообщается [7] [c.83]

В сплавах, содерлсащих цинк в пределах от 39 до 50%, появляется новая структурная составляющая — 3-фаза. Р-фаза представляет собой твердый раствор. Растворителем в данном случае является не чистый металл, а электронное соединение uZn, имеющее решетку объемноцентрированного куба и отношение числа валентных электронов к числу атомов— /г (см. стр. 71). [c.360]

Наиболее важными технологическими параметрами процесса сварки яйляются тип и геометрия стыкового соединения и пространственное положение сварного шва и электронного п чка. Для однопроходной ЭЛС применяются типы соединений, главным образом характерные для сварки плавлением (рис. 6.13). Отличительными типами соединений являются соединения под сварку проникающим электронным пучком (см. рис. 6.13, ж)-, в углублении и труднодоступных местах (см. рис. 6.13, г) тавров через полку (см. рис. 6.13, и). Отбортовка кромок (см. рис. 6.13, в) применяется обычно в изделиях радиоэлектроники и приборостроения. Соединения под сварку проникающим пучком допускаются для тонколистовых металлов в нижнем положении и для металлов малых и средних толщин в горизонтальном положении. Тавровые соединения могут выполняться на металлах с 5 < 10 мм. Остальные соединения допускаются для металлов малых, средних и больших толщин. [c.416]

Магнитные свойства молекул. В М., у к-рых равны нулю суммарный спиновый и орбитальный моменты, магнитный момент отсутствует. Соответственно такие М. диамагнитны. Диамагнитная восприимчивость 1 1. X в ряде органич. соединений может быть выражена посредством аддитивной схемы, как сумма значений X для отдельных связей однако аддитивность восприимчивостей выполняется гораздо хуже, чем аддитивность поляризуемостей. И восприимчивость %, и поляризуемость а в основном определяются свойствами внсмших электронов М., и эти величины связаны друг с другом. М. ароматич. соединений, содержащих бензольное кольцо, характеризуются резко выраженной анизотропией диамагнитной восприимчивости. Молярная восприимчивость бензола СвНе в плоскости кольца равна —37 10" см , в перпендикулярном направлении—91- 10 см . Это интересное явление объясняется свободой движения я-электронов по периметру кольца, образующих замкнутый ток. Анизотропная диамагнитная воснриимчивость М. исследуется либо прямым измерением х по разным направлениям в молекулярном кристалле, либо с помощью Коттон — Мутона эффекта. [c.283]

П. м., как правило, обладают высокой пластичностью, антикоррозионной стойкостью, достаточной мехапич. прочностью такие свойства необходимы при изготовлении из них проводов, профилированных токонесущих деталей и т. д. П. м. обладают электронной проводимостью (см. Электропроводность). Наиболее электропроводпы при обычных темп-рах химически чистые 1-валентные металлы. При весьма низких темп-рах нек-рые металлы и сплавы обладают сверхпроводимостью. Статич. искажения кристаллич. решетки, ео динамич. нарушения, а также процессы, связывающие электроны, понижают электропроводность П. м. (см. Остаточное сопротивление) 1-е имеет место при образовании твердых растворов, пластич. деформации, воздействии проникающего ядерного излучения 2-е — при нагреве 3-е — при образовании нек-рых растворов и хим. соединений. [c.207]

Типы С. д. в области твердого состояния паиболее многообразны. На рис. 3, в приведена С. д. системы, в к-рой один из компонентов имеет полиморфное препращспие, а другой — пет (иример Fe—Ni). С. д. системы, в к-рой один из компонентов имеет 2 аллотропных превращения, причем образуется замкнутая область одной из фаз, изображена на рис. 3, г (пример Fe—Сг). Кще сложней С. д. при наличии нескольких полиморфных превращений у одного или обоих компопептов С. д. систем, в к-рых образуются металлические соединения, упорядоченные фазы, электронные соединения, фазы Лавеса и т. д. (см. Метал-лимсские соединения). [c.589]

КАТОДНАЯ ЛАМПА (лампа электронная, катодное реле, электронная, или термион-ная, трубка), пустотный прибор, сквозь который электрич. ток переносится электронами, испускаемыми накаленным катодом электронной лампы (см. Лампа электронная) и притягиваемыми анодом. Последний соединяется с (- -)батареи, к-рой (-) соединен с катодом. Между анодом и катодом помещается сетка—решетчатый электрод, управляющий всем потоком электронов. Слабые, изменяющиеся эдс прикладываются между сеткой и катодом и вызывают изменения тока сквозь лампу гораздо более значительные, чем те, которые получились бы, если бы те же эдс действовали непосредственно на обычное сопротивление (усилительное действие). К. л. применяются в качестве усилителей, детекторов и генераторов и имеют громадное значение в современной радиотехнике. [c.15]

МЕТАЛЛЫ, элементы, реакции к-рых обусловлены их способностью отдавать электроны. Ббльшая часть элементов периодич. системы принадлежит к М. число их равно 70. Многочисленность М. обусловливается возрастанием легкости отдачи электрона при увеличении объема атома и экращ1рующим действием внутренних электронных слоев у элементов с большим атомным номером. Поэтому в группах периодич. системы с увеличением номера элемента как правило начинают появляться металлич. свойства. Для типичных М. характерны легкое образование нелетучих окислов, а следовательно и солей, отсутствие летучих водородистых соединений, металлическое их состояние и практич. отсутствие сложных молекул в парах. Следствием отдачи одного или нескольких электронов является образование полярной связи, ведущее к легкости электролитич. диссоциации в растворах солей М. При процессе диссоциации ионы металлов всегда несут положительный заряд они могут присоединять к себе нейтральные молекулы, опразуя соединения второго порядка, могущие иметь или характер сольватов (гидратов, аммиакатов и пр.) или при большей прочности связи комплексных соединений (см.). Чаще ив перечисленных признаков у М. присутствуют не все и обычно о принадлежности [c.400]

Планарно-матричные архитектуры обработки изображений, т. е. переноса одной матрицы изображения на другую преобразующую матрицу, с успехом реализуются на основе устройств, рассмотренных выше. Планарно-матричная архитектура обеспечивает полную параллельность обработки массива (основное соображение в пользу оптических вычислений) и использует хорошо развитые методы классической оптики [34]. При этом линза становится межэлементным соединением сразу для 10 элементов/см с субфемтосекундной временной однородностью. Обычно упорядоченность таких соединений рассматривают в качестве механизма ограничения степени универсальности такого оптического компьютера. Однако даже в электронных цепях по мере увеличения их быстродействия становится все более необходимым сделать одинаковыми длины проводов, соединяющих элементы. Данное требование совместно с недопустимостью пересечения проводов заставляет использовать в электронике все более и более упорядоченные соединения. Оказывается, что необходимость в упорядоченности соединений обусловливается в основном стремлением добиться высокой скорости и простоты изготовления, а не типом используемых- логических элементов. За последнее время сделаны значительные успехи в области разработки архитектур обработки изображений. Символьные подстановки [35 ] стали од- [c.71]

Смотреть страницы где упоминается термин Электронные соединения, См. соединения электронные : [c.54] [c.281] [c.40] [c.466] [c.468] [c.8] [c.296] [c.296] [c.581] [c.41] [c.59] [c.244] [c.374] [c.377] [c.361] [c.21] [c.122] [c.301] [c.457] [c.586] [c.227] [c.193] [c.468]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...