Микроскопы 242, 250 — Разрешающая

С другой стороны, разрешающая способность объектива, например 100 X 1,25 по формуле (I. 14), равна б = 0,2 мкм. Следовательно, при реальном поле зрения в 0,2. и.н объектив микроскопа разрешает 1000 линий, тогда как экран кинескопа разрешает только 312 линий. [c.79]

Малые расстояния измеряют при помощи микроскопов. Оптический микроскоп позволяет измерять объекты, размер которых порядка длины световой волны. Наиболее совершенные электронные микроскопы разрешают объекты размером в несколько ангстрем. Более короткие расстояния определяют по рассеянию атомных частиц. [c.10]

Изобретение в 1948 г. голографии Д. Габором, за которое ему была присуждена Нобелевская премия по физике 1971 г., основано на его работе по улучшению качества изображений, получаемых в электронной микроскопии. Результаты, полученные в 40-х годах с электронными микроскопами, оказались разочаровывающими, поскольку, несмотря на стократное улучшение в разрешающей способности по сравнению с лучшими оптическими микроскопами, разрешение оставалось далеким от теоретического значения. Быстрые электроны, используемые в электронной микроскопии, имеют длину волны де Бройля около 1/20 А, так что атомы должны разрешаться однако практически предел в то время составлял около 12 А. Основной причиной неудачи было наличие аберраций, связанных с использованием электронных линз. Именно при поиске путей решения этой проблемы Габором был создан метод, названный им восстановлением волнового фронта. Частично его идея исходила из принципов, заложенных в двухволновой микроскопии. У. Л, Брэгга (разд. 5.3.3). Он полагал, что если ему удастся зарегистрировать фазы так же, как и интенсивности в изображении электронного микроскопа, [c.104]

Наиболее критическим параметром конструкции голографического микроскопа является размер минимально разрешимой микроструктуры макроскопического объекта. Поскольку нельзя разрешить объекты, которые меньше длины волны используемого света, в случае видимого света такими неразрешимыми объектами являются объекты с размерами меньше 1 мкм. Положение и размер кадра пленки определяют минимально разрешаемым размером объекта. А разрешение пленки будет определяться размером объекта и углом падения опорного пучка. [c.628]

Существующая техника электронной микроскопии не позволяет непосредственно разрешать скрытое фотографическое изображение в негативной эмульсии. Начальные стадии видимого почернения можно наблюдать на электронных микрофотографиях реплик эмульсионных микрокристаллов. Однако такой метод не позволяет обнаружить начальное поверхностное распределение скрытого изображения. Поэтому нами разработана новая методика, позволяющая усилить скрытое изображение, не изменяя его распределения. Этот метод заключается в медленном физическом проявлении экспонированных микрокристаллов в растворе ионов [c.223]

Радикальное увеличение разрешающей способности достигается в электронном микроскопе, где вместо световых лучей используются Электроны. Соответствующая электронам длина волны де Бройля K=h/ mv) при ускоряющем напряжении 10 кВ равна 10 " м, что уже меньше размеров атома ( 10 m). В формирующих изображение системах электронных линз (магнитных и электростатических) из-за больших аберраций используются только узкие параксиальные пучки-с малыми апертурами ( 0,01 н-0,1), и все же разрешающая способность электронного микроскопа в сотни раз больше, чем оптического. Это позволяет разрешать детали, всего в несколько раз превосходящие размеры отдельных атомов. [c.371]

Так как количественную оценку плотности дислокаций в углеродистых сталях, деформированных на 10% и более, произвести под электронным микроскопом на просвет нельзя вследствие того, что отдельные дислокации уже не разрешаются, то оценивали изменение плотности дислокаций по уширению рентгеновских интерференций. [c.160]

Исследования показали [536], что прокатка при температурах динамического деформационного старения приводит к значительному упрочнению стали. Отпуск продолжительностью до 48 ч при температурах ниже температуры прокатки не приводит к разупрочнению стали. Отпуск при температурах, равных температурам деформации в течение 2 ч также не приводит к заметному изменению свойств. Следовательно, при динамическом деформационном старении насыщение атмосфер примесными атомами успевает пройти достаточно полно в процессе деформации, поэтому при последующем нагреве возможности дальнейшего развития старения ограничены, свойства стали не изменяются. Аналогичные данные получены в. работе [474] при изучении зависимости твердости деформированной при 300° С стали с 0,02% С от продолжительности отпуска при температурах 100— 300 С. По данным работы [474], при температурах отпуска 300° С и ниже даже выдержка до 170 ч не уменьшает твердость стали. В работе [435, с. 504] исследована дислокационная структура границ зерен сплава Ре — 0,75% Мп, деформированного на 0,3—1,0% при 300°С. Исследование выполнено в электронном микроскопе на просвет с ускоряющим напряжением до 1 мв. Показано, что после деформации на 0,3% отдельные дислокации на границах зерен разрешаются. После деформации на 1% плотность дислокаций на границах зерен повышается настолько, что индивидуальные дислокации не разрешаются. Изображения дислокаций на границах зерен не изменяются при нагреве образцов ниже 300° С, т. е. ниже температуры деформации, и исчезают в течение нескольких минут при нагреве до 370° С. Приведенные данные показывают, что создаваемые пластической деформацией при температуре динамического деформационного старения [c.282]

Производить измерение шага резьбовых калибров на инструментальном микроскопе следует разрешать только при отсутствии универсального микроскопа. [c.274]

Таким образом, при освещении объекта параллельным пучком лучей, проходящих вдоль оптической оси, разрешаемое расстояние вдвое больше, чем в случае двух самосветящихся точек. Если же освещающий пучок направлен вкось и составляет с осью угол т ), то нулевой максимум смещается к краю зрачка объектива, а у противоположного края зрачка сможет поместиться первый максимум лучей, дифрагированных на угол, вдвое больший -ф, т. е. микроскоп сможет разрешить решетку, интервал которой б вдвое меньше. Поэтому освещение препарата производится сходящимся пучком лучей с апертурой Ад, которая несколько меньше апертуры А или, в пределе, равна ей. [c.16]

В телевизионной микроскопии изображения на промежуточных этапах представляются в виде электрических сигналов, поэтому счет частиц заменяется счетом электрических импульсов, произведенных частицами. Так как размер сканирующего пятна меньше размера частицы (в противном случае она не разрешается), то частица будет сосчитана столько раз, сколько раз пятно ее пересечет. Устранение многократной регистрации одной и той же частицы является основной проблемой телевизионного счета, которая в разных приборах решена по-разному. Однако все приборы верно считают частицы только более или менее правильной формы. Погрешность счета частиц сложной формы (кольца, серповидные частицы, звездочки и т. д.). очень велика. [c.79]

Микроскоп должен разрешать линейный интервал, соответствующий полуширине интерференционного максимума. Расстояние между полосами соответствует изменению толщины клина на, поэтому принятое условие определяет точность измерений [c.171]

Согласно уравнению (27) разрешающая сила находится в прямой зависимости от длины волны света. Чем короче длина волны света X, тем меньшую частицу разрешает микроскоп. [c.162]

В том случае, когда максимум первого порядка не попадает в объектив из-за его малой апертуры и штрихи решетки не разрешаются, следует увеличить апертуру освещающего пучка. Наклоненные к оптической оси пучки образуют нулевые спектральные максимумы, сдвинутые к краю зрачка, и тем самым создают возможность размещения на зрачке также максимумов первого порядка. Такой способ освещения как бы расширяет апертуру объектива, а в действительности увеличивает разрешающую способность благодаря суммированию апертур конденсора и микрообъектива А . Тогда разрешающая способность микроскопа с конденсором увеличивается до значения [c.14]

Микроскопия с использованием ультрафиолетового излучения. Предел разрешаю- [c.156]

Эта формула дает расстояние между двумя точками объекта, которые при освещении некогерентным светом начинают разрешаться микроскопом с круглым отверстием объектива. [c.384]

Непосредственное микроскопическое изображение структуры кристалла удается получить лишь в редких случаях. Электронный микроскоп с разрешающей способностью 2 А может разрешить выступающие плоскости слоистых кристаллов, таких, например, как кристалл графита, но разрешение электронного микроскопа не позволяет в настоящее время осуществлять прямое определение неизвестных кристаллических структур. Непосредственное изображение ) расположения атомов на [c.59]

Абсорбционные объекты дают контрастные изображения с хорошо выраженными границами между темными и светлыми частями. На них можно обнаружить все детали, которые способен разрешить микроскоп при заданной разрешающей способности. Напротив, изображения рефракционных объектов почти лишены контраста. В таких изображениях трудно, а часто и практически невозможно разрешить детали изучаемого объекта, хотя бы разрешающей способности микроскопа и было достаточно для этой цели. Причина такого различия между абсорбционными и рефракционными структурами состоит в том, что объектив микроскопа воспроизводит в плоскости изображения, а следовательно и на сетчатке глаза, то же распределение интенсивности светового поля, которое существует в плоскости объекта, а светочувствительные нервные окончания сетчатки реагируют именно на интенсивность световой волны, а не на ее фазу. [c.378]

В курсах оптики излагаются методы, позволяющие несколько повысить разрешающую силу по сравнению с той, которая была вычислена в 10, п. 4. Однако порядок величины остается тем же он определяется длиной световой волны. Радикальное увеличение разрешающей силы возможно лишь за счет соответствующего укорочения волны—замены световых волн (X порядка 10 см) теми волнами, которые сопряжены, как учит в согласии с опытом волновая (или квантовая) механика, с потоком электронов. Здесь может быть, например, X = 10 см. Эта идея лежит в основе создания электронного микроскопа. Рассмотрение электронного микроскопа выходит за рамки этой книги. Подчеркнем, однако, что борьба за короткую волну в микроскопии, приведшая к созданию электронного микроскопа, глубоко родственна борьбе за короткую волну в радиолокации и гидролокации (гл. VHI, 5, 6 гл. IX, 10) чем короче волна, тем при данных размерах излучающей системы острее направленность и, следовательно, тем меньшее угловое расстояние может разрешить локационная установка ). [c.488]

Дефекты исследуемой поверхности также являются фактором, который ограничивает разрешающую способность эмиссионного микроскопа. Неровности поверхности, которые неизбежно возникают во время нагрева образца (термическое травление), вызывают местное искажение электрического поля. Они действуют как дополнительные линзы, которые ухудшают четкость изображения. В результате этого в эмиссионной электронной микроскопии невозможно разрешить детали размером менее чем 500— 1000 А (50—100 нм). [c.20]

Структура состоит из перлитных участков, окруженных белыми участками феррита. Перлитная смесь, состоящая из феррита и цементита, встречается в виде чередующихся пластинок, которые едва разрешаются микроскопом при этом увеличении. [c.115]

В ряде работ отмечается, что начальные изменения микростроения при старении не могут быть разрешены в световом микроскопе, тогда как именно на этих ранних стадиях наиболее значительно меняется поведение металлов и сплавов при механических испытаниях [106]. Для обнаружения ранних стадий процессов старения наиболее чувствительным является метод измерения электрического сопротивления материала. Как известно, удельное электросопротивление металла или однофазного сплава является функцией общего числа и распределения точечных дефектов, дисклокаций и растворенных атомов. Большие изменения удельного электросопротивления можно однозначно связывать с образованием скоплений растворенных атомов или выделений. [c.220]

Большое преимущество микроанализа в том, что он дает возможность исследовать довольно большие площади, легко обнаруживая неравномерность состава. Затем может быть проведен химический анализ того самого образца, который изучался под микроскопом, и, таким образом, такой комплекс ис-следовашш разрешает хорошо проконтролировать состав образца. [c.221]

Область применения рентгеновского мето-д а. Как было указано в главе 23, в настояш,ее время нет об-uiero мнения относительно стадии, на которой должны быть применены рентгеновские методы при построении диаграмм состояния. Всегда желательно, чтобы рентгенограммы были сняты с каждой фазы системы и с достаточного числа промежуточных сплавов, чтобы убедиться, что не пропуш ены какие-либо другие фазы. При нахождении положения кривых растворимости в твердом состоянии рентгеновский метод ценен особенно в тех случаях, когда область твердого раствора уменьшается с понижением температуры и очень мелкие выделившиеся частицы могут быть не замечены при исследовании сплавов под микроскопом. В литературе есть немало примеров, когда в результате применения рентгеновских методов определения периода решетки удавалось установить, что область твердого раствора при низких температурах оказывается более ограниченной, чем показало предварительное исследование микроструктуры. В некоторых случаях метод микроисследования приводил к ошибке скорее вследствие применения неправильного режима при отжиге, чем из-за недостатка метода микроанализа однако несомненно, что рентгеновский метод определения периода решетки, примененный со всеми предосторожностями, оказывается, обычно лучшим методом дл)я исследования при пониженных температурах. В об1ласти более высоких температур лучше сначала провести предварительные исследования системы методами термического и микроанализа, использовать их возможно полнее для построения диаграммы, а затем применить рентгеновский метод для решения вопросов, для которых классические методы оказываются непригодными. Микроскопическое исследование разрешает установить много факторов, как ликвацию в слитке или распад при закалке, а подобные данные экономят много времени при последующем рентгеновском исследовании. [c.256]

На границе раздела структурных составляющих в обрабатываемом материале идут процессы массопереноса. В результате при МЛ в течение 12 ч структурные составляющие слоистых гранул практически не разрешаются в световом микроскопе и распределение элементов в них существенно равномернее по сравнению с начальной стадией обработки. В гранулах, имеющих зернистую структуру, на сканограммах вокруг равноосных частиц никеля, как правило, отмечается тонкая серая прослойка, свидетельствующая об образовании соединений алюминия с никелем. [c.313]

Структура бейнита хорошо разрешается только при бояьших увеличениях при использовании электронного микроскопа Типичные структуры верхнего и нижнего бей нита приведены на рис 53 Если в верхнем бейните карбиды цементитного типа могут выделяться между ферритны ми пластинами, то в нижнем бейните, где диффузия угле- [c.99]

Чтобы использовать разрешающую способность объектива, т. е. увидеть те детали структуры объекта, которые разрешаются объективом, необходимо установить соответствующее увеличение микроскопа. Увеличение микроскопа М называют полезным, если разрешаемые детали структуры можно наблюдать под углом зрения 2 —4. Полезное увеличение находятся в пределах Л 500Л-н ЮООЛ (2). [c.23]

Рис. 2,7. Оптический микроскоп (случай самосветящегося объекта), а-изображения (картины Эри) двух точек объекта О и О, разделенных расстоянием s, согласно критерию Рэлея, разрешаются линзами объектива, если О В - О А = = 1,22%, так как ОА = ОВ. Из схемы б находим О В = ОБ + ssini, О А = = ОА - S sin i, следовательно, s = 0,6Vsin i.

ЧТО высокого разрешения в голографической мпкроскопни можно ДОСТИЧЬ путем соответствующего изменения первоначального принципа голографии. В частности, они показали, что голограмма Фурье позволяет преодолеть эффект протяженного источника и проблему мелкозернистости фотоэмульсии, возникающие в обычной проекционной голографии. Вскоре после этого Строук [29] продемонстрировал метод получения голограммы Фурье с помощью безлинзового преобразования Фурье, при котором сохранялись исходные преимущества безлинзовой фотографии Габора. Совсем недавно Строук и др. [31] показали, что потери разрешения при использовании протяженных источников на стадии получения голограммы можно удивительным образом скомпенсировать путем применения на стадии восстановления другого протяженного источника с соответствующей структурой. Таким образом, проблема структуры источника в голографической микроскопии [11, 28, 29, 31, 48], по-видимому, окончательно разрешается с помощью безлинзовой голографии Фурье [29, 30] на основе когерентно-интерферометрического рассмотрения структуры освещающих источников. [c.175]

Локальный разогрев материала приводит к окислению его поверхности, поверхности частиц и к образованию на перемычке слоя графитоподобного вещества толщиной не менее 200 нм за счет пиролиза паров углеродных соединений, присутствующих в атмосфере, особенно в машинных испытательных залах, и содержащих кислород, а на поверхности и другие элементы — S, С1, Р, N, К,Са, диффундирующие из внутренних объемов металла и адсорбированные из окружающей среды. В этом слое находятся мелкодисперсные частицы АЬОз размером 0,1—2 мкм. Оценка толщины слоя частиц АЬОз показала, что она менее 60 нм (так как через 25 мин травления исчезал пик 55 эВ от АЬОз). Поскольку пик 55 эВ (АЬОз) при травлении гораздо быстрее превращается в пик 68 эВ (А1), чем исчезают пики примесных элементов (S, Р, Са и др.), то наиболее вероятно, что эти примеси находятся в слое углерода. Обкатывание в перемычке окисленных с поверхности частиц алюминия приводит к накапливанию продуктов износа в зоне роста трещины без контактного взаимодействия (внутри туннеля). Продукты являются мелкодисперсными и не разрешаются в растровом электронном микроскопе. Однако результаты исследования методом Оже-спектроскопии свидетельствуют [c.186]

Диссоциация дислокаций - при переползании в шпинели MgAI204 с различными отклонениями от стехиометрии непосредственно наблюдалась в просвечивающем электронном микроскопе дислокации здесь. сидячие и очень прямые, а частичные дислокации могут быть разрешены с помощью техники слабого лучк [89, 94, 97]. Диссоциация может происходить в нескольких плоскостях 100 , 110 и даже 113 в шпинели с п=1,8 [95]. Кроме того, плоскость диссоциации может Непрерывно меняться вдоль линии дислокации (рис. 4.23). Диссоциация дислокаций при их переползании, приводящая к образованию дипольных дефектов упаковки, наблюдалась также в сайфире (ос-А Оз) [247, 284]. и в пирите РеЗг [220] (рис. 4.24, 4.25). В результате диссоциации при переползании дислокации становятся сидячи- [c.149]

Б объективе 1 слишком мелкие детали структуры не разрешаются микроскопом, так как дифрагированные лучи (стрелки) не попадают в объектив (половина отверстного угла а меньше угла отклонения ф). В объективе 2 детали структуры раз- [c.10]

Максимальное полезное увеличение микроскопа достигается в том случае, если d имеет максимальное значение, когда при постоянной длине волны света Я величина п sin а/2, называемая числовой апертурой, будет максимальной. Поэтому надо стремиться к наибольшим величинам угла а/2 и коэффициента преломления п Обычно в микроскопе ведут наблюдения в воздушной среде (п = 1 с обычными, так называемыми сухими объективами. Для полу чения больших увеличений между поверхностью объектива и рас сматриваемым предметом создают среду, имеющую высокий коэф фициент преломления (кедровое масло, в котором п достигает 1,52) В последнем случае применяют специальные иммерсионные объек тивы, пригодные для работы с кедровым маслом. Тогда разреша ющая способность оптической системы достигает [c.61]

Простой микроскоп, как и лупа, дает одноступенное изображение предмета, т. е., рассматривая предмет через простой микроскоп, наш глаз разрешает лучше, чем в случае рассматривания этого же предмета нормальным глазом на удобном расстоянии зрения. Сложный микроскоп дает двухступенное изображение, т. е. сначала объектив дает действительное увеличенное и перевернутое изображение предмета (1-я ступень), затем окуляр, выполняющий роль лупы, дополнительно увеличивает это промежуточное изображение под большим углом зрения (2-я ступень). [c.27]

Так как разрешающая способность микроскопа ограничена, то его увеличение также ограничено некоторым преде- Ллом, который носит название Г полезного увеличения. Прини- Амая во внимание разрешаю-г>Ащую способность глаза (I. 1), находим, что на расстоянии С Гч наилучшего видения (250 мм) глаз может разрешать детали, интер-вал между которыми равен D. е, т. е. 0,15- 0,30 мм. Полезное Зувеличение микроскопа должно быть таким, чтобы разрешаемое им расстояние o также имело видимую величину 0,15- 0,30 мм, т. е. [c.17]

Пористость. Коррозия алюминированной в вакууме стали в жестких атмосферных условиях и растворах, содержащих ионы хлора, носит ярко выраженный язвенный характер [81 ] коррозионные очаги возникают в местах пор и трещин алюминиевого покрытия, коррозия стали в порах покрытия ускоряется. В связи с этим одним из наиболее важных свойств алюминиевого покрытия является его пористость. Влияние условий нанесения на пористость алюминиевых покрытий толщиной 0,5 мкм рассмотрено в работе [192]. Для определения пористости на алюминиевое покрытие наносили тонкий прозрачный слой эпоксидной смолы, после чего стальную основу стравливали в 5%-ном растворе НЫОд. Поры исследовали под микроскопом на просвет при увеличении 150> (поры размером менее 1 мкм не разрешаются этим методом). Другой метод измерения пористости состоял в воздействии на алюминированную сталь 502 в течение 2 ч с последующим подсчетом (при увеличении 150 числа ржавых пятен, появившихся в местах сквозных пор. На рис. 23 показан график зависимости пористости алюминиевых покрытий от начальной температуры конденсации. С повышением температуры пористость покрытия уменьшается, достигая минимума при 350° С. При температурах выше 400° С на неровностях стальной подложки появляются участки соединения Рс2А15, на которых под действием ЗОа появляется ржавчина. Аналогичное увеличение пористости при температуре конденсации выше 400° С обнаруживает и микроскопический метод исследования на просвет. График распределения пор по размерам в алюминиевом покрытии толщиной 0,5 мкм, полученном при скорости конденсации 15 мкм/мин, показан на рис. 24. Поры обычно образуются на неровностях поверхности подложки. Влияние степени шероховатости на пористость покрытий толщиной 0,5 мкм, нанесенных 58 [c.58]

Для выявления структуры медных покрытий образцы подвергали травлению в 25°о-ном растворе МН40Н при температуре 20—25° С. Установлено, что до температуры конденсации 350° С структура не разрешается в металлографическом микроскопе МИМ-7 при увеличении ЮОО- . В диапазоне температур конденсации 370—420° С размеры зерен, по данным металлографических и рентгеноструктурных исследований, достигают 7—-10 мкм. Дальнейшее повышение температуры приводит к укрупнению зерен (вследствие рекристаллизации) до 40—50 мкм. В диапазоне температур 430—740° С размер зерен плавно увеличивается до 60 мкм. При переходе от третьей к четвертой зоне (740° С) наблюдается увеличение расстояний между отдельными зернами с одновременным их укрупнением. При температуре выше 740° С нарушается сплошность покрытий. Микрофотографии структуры поверхности медных конденсатов при различных температурах конденсации приведены на рис. 91. [c.182]

Дисперсная структура зерен. Крекинговый и пиролизный коксы имеют ярко выраженные различия в макро-и микроструктурах [2-30]. Макроструктура крекингового кокса относительно однородна (рис. 2-7,а), а пиролизного отличается наличием включений в виде плотных гранул размером от 0,5 до 4,6 мм, располагающихся обычно в межпоровых стенках (рис. 2-7,6). Микроструктура гранул в световом микроскопе не разрешается (рис. 2-8,а). Микроструктура межпоровых стенок пиролизного кокса целиком состоит из ориентированных вдоль стенок полосчатых образований (рис. 2-8,а), сгруп-пироваиных в пачки. Степень ориентации несколько уменьшается в центре наиболее крупных частичек. Микроструктура крекингового кокса отличается явной слоистостью с различной степенью ориентации слоев на границе с макропорами (более ориентированные) и в центральной части стенок (менее ориентированные) (рис. 2-8,6). [c.29]

Формула (20) позволяет изучить зависимость распределения интепсивпостн в плоскости изображения объектива микроскопа от отношения числовых апертур т. В частности, определим интенсивность в точке, находящейся посередине между Р[ и Рг- Будем считать, что изображения отверсти начинают разрешаться, когда интенсивность в этой точке на 26,5% меньше, чем интенсивность в каждой из наших двух точек. Величина 26,5% соответствует критерию Рэлея для круглого отверстия при некогерентном освещении (см. п. 8.6.2). Выразим предельное разделение (Р,Ра)пред. соответствующее этому критерию, в одинаковом виде как для некогерентного (см. (8.6.32)), так и для когерентного (см. (8.6.55)) освещения [c.482]

Для простоты Аббе в качестве объекта рассматривает решетку (фиг. 31), освещенную когерентным пучком, созданным, например, малым источником света 5, помещенным в фокусе коллиматора С. Согласно описанию свойств решетки (стр. 54) в фокальной плоскости объектива микроскопа создаются диффракционные спектры 5 , 52, 5з... эти спектры играют роль вторичных когерентных источников, интерферирующих между собой в результате этой интерференции создается перед окуляром картина / , которая воспринимается, как изображение решетки R. Вычисления П окавывают, что изображение тем лучше, чем больше имеется спектров в фшалъной плоскости объектива число спектров обратно пропорционально расстоянию между штрихами, м тем больше, чем больше численная апертура микроскопа. Необходимо наличие не менее двух спектров, чтобы была видна структура изображе -гия, позволяющая считать число штрихов. При одном спектре получается серый фон микроскоп не разрешает решетки. Согласно этой теории, при освещении, перпендикулярном плоскости решетки, наименьшее разрешаемое расстоятше равно [c.61]

Для наблюдения дефектов решетки было предложено три основных метода. В первом, разработанном Ментером, плоскости кристалла становятся видимыми, если прямые и дифрагированные пучки проходят через апертуру объективной линзы микроскопа. Когда расстояние между атомными плоскостями очень мало и оно не разрешается существующими электронными микроскопами, применяют второй метод муаровых картин их получают путем наложения кристаллов и они являются увеличенными изображениями кристаллической решетки. [c.52]

Эта микрофотография получена при граничных оптических условиях. На шлифе изотермически обработанной эвтектоидной стали была выбрана область, состоящая из топкопластинчатого перлита (см. ф. 158), и сфотографирована с применением иммерсионного масла (п = 1,515 0,0002) и планохроматического объектива с числовой апертурой 1,25. Конечное увеличение микроскопа было 1250 1, для облегчения интерпретации отпечаток с негатива увеличен вдвое. Среднее расстояние между цемен-титными пластинками перлита в центре микрофотографии равно 0,6 Л1м, что соответствует разрешению около 0,25 мкм. На некотором расстоянии от центра пластинки расположены ближе друг к другу и не разрешаются. [c.108]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...