Электронная микроскопия разрешение

Отсутствие одного из основных уровней приводит соотношение между соседними значениями чередующихся величин к выражению (215). Поэтому использовать последнее выражение для отыскания истинных уровней чередования не представляется возможным. Для отыскания истинных значений уровней чередования шага усталостных бороздок авторы книги проводили корректировку результатов измерений, исходя из следующих соображений. Соотношение (207) определяет процесс чередования уровней 6 во всех сплавах. Из всех измеренных величин на начальной стадии формирования усталостных бороздок истинной величиной является 10 м, поскольку она существенно больше наилучшего разрешения использованных растровых электронных микроскопов (разрешение 2 10- м) и многократно подтверждена проведенными исследованиями кинетики усталостных трещин путем измерения шага усталостных бороздок и скорости роста трещины. Используя ее в качестве реперной вели- [c.224]

Для определения фрактальной размерности требуется использование оптической микроскопии в широком интервале изменения увеличения и разрешения. Это достигается при комбинировании световой, сканирующей электронной и трансмиссионной электронной микроскопии (в отдельных случаях также используют ионную туннельную электронную микроскопию). [c.92]

Рис. 1.29. Электронный микроскоп Сименса, работающий при напряжении 50-100 кВ и дающий разрешение до 10 см. В соединенных друг с другом цилиндрах находятся магнитные линзы. Источник электронов расположен сверху, а увеличенное окончательное изображение объекта можно видеть на флуоресцирующем экране в нижней части прибора. Для получения фотоснимков надо помещать фотопластинки в этой плоскости. Фокусировка производится посредством из.менения силы тока в магнитных линзах.

Так при одном из режимов прокатки в квадратных ручьях было достигнуто утонение металлических жил до размеров в поперечнике около 0,01 мкм при плотности жил 10 —10 2 см 2. Понятно, что этот результат был наблюдаем с помощью электронных микроскопов высокого разрешения. [c.64]

С помощью описанных голографических пространственных фильтров решено большое количество технических задач по улучшению качества изображения повышению контраста, устранению дефокусировки. Одним из наиболее. эффективных применений метода явилось улучшение изображений в электронном микроскопе. Улучшенные изображения имели высокий контраст и разрешение, близкое к предельному. [c.53]

К достоинствам подобных систем относятся повышенное по сравнению с обычными микроскопами разрешение, возможность регулирования яркости, контраста и масштаба изображения электронным способом, большой динамический диапазон (до 60 дБ и более). Для контроля материалов, прозрачных только в инфракрасном диапазоне спектра (кремний, германий, арсенид галлия), применяют лазеры, излучающие на соответствующих длинах волн, в сочетании с фотоприемниками, обладающими нужной спектральной чувствительностью. Возможно исследование объектов в поляризованных лучах, контролирование в них напряжений методом фотоупругости, а также исследование магнито- и электрооптиче-ских свойств материалов при использовании соответствующих источников электромагнитных полей. [c.96]

О качестве и возможностях электронных микроскопов судят прежде всего по разрешению, которое они позволяют получить. Микроскопы в Зависимости от величины разрешения делятся на три [c.177]

В сравнении с просвечивающим электронным микроскопом использование растровых приборов дает ряд преимуществ. Во-первых, отпадает нужда в кропотливом и трудоемком изготовлении реплик и фольг, во-вторых, наиболее полно и достоверно фиксируется рельеф поверхности, в-третьих, исследованию доступна значительно большая площадь образца и, наконец, растровый микроскоп позволяет проводить изучения в непрерывном и широком интервале увеличений — от 20 и до 100 000 крат. К недостаткам растрового микроскопа можно отнести более низкую разрешающую способность в сравнении с разрешением, которое возможно на просвечивающем приборе. [c.180]

Разрешение в режиме растрового электронного микроскопа, нм........... 20 [c.498]

Из всего сказанного следует, что именно волновые свойства света определяют предел разрешения в оптических приборах. В дальнейшем были предприняты попытки отказаться от световых волн и использовать для получения изображения в микроскопе более мелкие частицы материи электроны, а затем и нейтроны. Использование для этой цели электронов привело к возникновению новых приборов — электронных микроскопов. [c.370]

Просвечивающие электронные микроскопы (ПЭМ) позволяют получить разрешение до 10" м (10 А). Для исследования поверхности с нее необходимо снимать тонкие, прозрачные для электронов реплики (отпечатки). [c.112]

Просвечивающая электронная микроскопия, несмотря на высокое разрешение (до 0,5 — 1 нм), мало применима для исследования процессов окисления сплавов, вследствие больших ограничений в выборе размеров образца (фольга толщиной не более 5 О нм). [c.24]

Значительно большие возможности представляет растровый электронный микроскоп (РЭМ). Меньшее разрешение РЭМ (порядка 20 нм) компенсируется рядом преимуществ, к числу которых относятся возможность исследования массивных образцов, относительная простота приготовления образцов, большая глубина фокусировки, разносторонняя информация об образце, простота интерпретации изображения и др. [c.24]

На рис. 5. 2 представлена микрофотография тройного стыка специальных границ с значениями Е=3, Е=3 и Е=9 в пленке d-Mn-Te, полученная методом электронной микроскопии высокого разрешения. [c.63]

В сканирующих электронных микроскопах высокого разрешения изображение рельефа получают при сканировании пучком электронов по поверхности образца. [c.185]

Обычные сканирующие (растровые) электронные микроскопы в силу небольшого разрешения (3 — 3,5 нм) пригодны для исследования наноматериалов в ограниченном объеме. [c.185]

Метод растровой электронной микроскопии Изображение в растровой электронной микроскопии (РЭМ) создается благодаря вторичной эмиссии электронов, излучаемых поверхностью, на которую падает непрерывно перемещающийся по этой поверхности поток первичных электронов. Растровая электронная микроскопия позволяет изучать непосредственно поверхность материалов и получать со сравнительно высоким разрешением как качественную, так и количественную информацию о химическом составе объекта во взаимосвязи с топографией поверхности. [c.69]

Уменьшение толщины образца от бесконечности до нуля лишь незначительно повышает авторадиографическое разрешение источников, активизированных изотопом с мягким р-излучением. Для небольшого выигрыша в разрешении толщину образца необходимо снизить до сотых долей микрона (до сотых долей максимального пробега соответствующего р-излучения в данном материале) это явно нецелесообразно, так как из практики просвечивающей электронной микроскопии хорошо известно, на- [c.471]

В последние годы наряду с макромеханикой разрушения, основы которой были заложены А.А. Гриффитсом более 100 лет тому назад, интенсивно начали развиваться подходы микромеханики [27]. Этому способствовало создание электронных микроскопов с большим разрешением, что позволило изу- [c.287]

Изучением строения изломов и интерпретацией содержащейся в них информации занимается фрактография. Ценность фрактографии как источника информации о механизмах разрущения усиливается тем, что она позволяет однозначно определить источник разрушения. Разработка новых методов изучения поверхности твердых тел каждый раз способствовала развитию фрактографии. Бурный рост фрактогра-фических исследований связан с развитием растровой электронной микроскопии, которая сочетает уникальные возможности одновременного изучения морфологических особенностей рельефа поверхности трещины с разрешением порядка 1,5—2,0 нм, а также химического и кристаллографического микроанализа с разрешением порядка 1 мкм. [c.187]

Просвечивающая электронная микроскопия может дать много информации о структуре покрытий и основного металла. Современные приборы позволяют получать изображения структур с увеличением до 200 000 крат и при этом проводить дифракционный анализ на выбранных участках. В просвечивающем электронном микроскопе изображение формируется фокусировкой дифрагированного потока электронов после прохождения его через образец. Используются очень тонкие объекты, причем толщина выбирается в зависимости от природы исс.ледуемого материала и используемого в микроскопе ускоряющего напряжения. В практической электронной микроскопии при нaпpянieнии 100 кВ толщина образцов обычно составляет 10 —10" мм. Разрешение (рабочее) отечественных микроско- [c.160]

Медленное деформирование материала может приводить к росту трещины не только по плоскостям скольжения, но также и по границам фрагментов Б условиях интенсивного наклепа материала и к потере когезивной прочности в субграницах. Такой вид разрушения сосуда под давлением был зарегистрирован в условиях эксплуатации. Трещина распространялась в сплаве 17Х4НЛ по границе раздела двухфазовой структуры между прослойками феррита (ферритная полосчатость) и мартенситной матрицей, В условиях двухосного растяжения под давлением и длительной выдержки под нагрузкой происходило вязкое отслаивание феррита по приграничным зонам. Трехточечный изгиб образцов в виде пластин, вырезанных из гидроагрегата вдоль образующей его цилиндрической части, показал, что при скорости деформации 0,1 мм/мин образцы имеют высокую пластичность с остаточной деформацией около 8 % в зоне разрушения. Рельеф излома имел полное подобие рельефу эксплуатационного излома. Это означало, что в условиях эксплуатации вязкость разрушения была реализована полностью, хотя на мезоскопическом масштабном уровне (0,1-10 мкм) разрушение было квазихрупким. Пластическая деформация материала была реализована за счет деформации зерен феррита с формированием неглубоких ямок в момент отслаивания феррита по границам мартенситных игл, что привело к столь значительному утонению стенок ямок, что их можно было выявить только при увеличении около 10,000 крат при разрешении растрового электронного микроскопа около 10 нм. [c.92]

Детальное изучение состава частиц было проведено на Оже-спектрометре LAS-2000 (фирма Рибер , Франция) с коаксиальной электронной нушкой и анализатором электронов тина цилиндрическое зеркало с разрешением доли энергии спектра AWf/ Wf < 0,3 % при остаточном давлении (1,3-2,6) 10 МПа. Ток пучка электронов составлял около 5-10 А, энергия первичного пучка 3 кэВ, диаметр — несколько микрометров. Режим работы во вторичных электронах позволял в режиме работы типа растрового электронного микроскопа выбрать для исследования участок поверхности размером в несколько квадратных микрометров. [c.157]

Патрик и др. [54] изучали поверхности разрушения с помощью сканирующего электронного микроскопа с разрешением 200 А и установили, что разрушение под влиянием влаги происходит по поверхности раздела смолы и склеиваемого материала. Обнаружено также, что на поверхности алюминия образуется р-шдро-окись алюминия (байерит), разрушающаяся в процессе коррозии под напряжением. По-видимому, уже на первой или на второй стадии воздействия воды происходит поверхностный гидролиз окиси алюминия с образованием байерита. [c.109]

Микроструктура поверхности раздела и прочность сцепления на границе раздела, несомненно, являются наименее изученными из тех основных факторов, которые влияют на усталостную прочность композита. Такое положение дел сохраняется и до сих нор из-за экспериментальных трудностей обнаружения границ раздела матрицы и волокна с достаточно высокой степенью разрешения. В последнее время, однако, для выявления поверхностей раздела алюминия и бора [22, 23, 25—27, 46] и оценки ее влияния на усталостную прочность композита были разработаны методы трансмиссионной электронной микроскопии. Почти все исследования поверхностей раздела, в которых достигалась высокая степень разрешения, проводились на бороалюминиевых композитах, поэтому в последующем подробном обсуждении композиты такой системы будут рассмотрены особо. [c.423]

В последние годы благодаря развитию экспериментальной техники, в первую очередь электронной микроскопии высокого разрешения и высокоразрешающих методов рентгеновской и электронной дифракции, стали возможными экспериментальные исследования структуры границ на атомном уровне. С помощью этих методов, а также ионной микроскопии получены убедительные доказательства справедливости кристаллогеометрических теорий для описания структуры границ. Эти выводы относятся как к межзе-ренным, так и к межфазным границам. [c.90]

Прицельность анализа обеспечивается встроенным в прибор оптическим микроскопом. Значительное распространение получили комбинированные установки, включающие растровый электронный микроскоп (РЭМ) высокого разрешения (<10 нм), рентгеновские спектрометры волновой дисперсии, рентгеновский спектрометр энергетической дисперсии, систему автоматизации процесса анализа и обработки полученных результатов с помощью ЭВМ. [c.497]

При прямом освещении в микроскопе видны пылинки размером 0,4 мкм и более, а при косом освещении — 0,2 мкм. Предел видимости в темном поле — до 0,06 мкм [ 60]. Подсчет пылинок методом фазового контраста в счетчиках Оуэнса позволяет фиксировать частицы размером до 0,02 мкм. Особо высоким разрешением обладают электронные микроскопы. Поскольку линейные измерения связаны с идентификацией положения и расстояния точек поверхностей, то допускаемую объемную загрязненность воздуха твердыми частицами можно, в частности, определять через нормы запыленности измеряемой поверхности. При контактных измерениях положение точек измерения оценивается с разрешением порядка 1. .. 2 мм (кроме специальных задач), откуда допускаемое число частиц пыли Nan нормируемых размеров а [c.97]

К классу II с допускаемой амплитудой скорости колебаний Оа = 0,1 мм/с, отнесены электронные микроскопы с разрешением 0,4 нм и более, растровые электронные микроскопы, фотоэлектрические интерферометры для поверки штриховых мер, стационарные специализированные приборы на основе голографии, компараторы, измерительные машины длины более 1 м, установки для поверки долемикрометровых головок, приборы для контроля линейных размеров с электронным индикатором контакта и ценой деления менее 0,1 мкм, оптические скамьи длиной до 5 м, эталонные установки для измерения плоского угла, автоколлиматоры с ценой деления 0,5" и менее, гониометры с погрешностью измерения 1" и менее, экзаменаторы с ценой деления 0,1", кругломеры, сферометры, весы лабораторные образцовые 1а 1-го и 2-го разрядов, лабораторные рычажные 1-го и 2-го классов точности, торсионные весы, особо точные продольные и круговые делительные машины, ультрамикротомы, металлорежущие станки особо высокой точности шлифовальной группы с направляющими качения, тяжелые высокоточные зу-бофрезерные станки, мастер-станки и т. п., плавильные печи для выращивания кристаллов, поливные машины для нанесения эмульсионных слоев. [c.121]

Для испытаний автокатодов были заданы различные уровни тока (от 10 до 200 мкА для полиакрилонитрильного волокна) при неизменном напряжении на аноде, максимальная наработка составляла 1000 часов в непрерывно-циклическом режиме с продолжительностью цикла 8 часов. Структура рабочей поверхности автоэмиттеров исследовалась в растровом электронном микроскопе JSH-35 с разрешением до 100 А. [c.121]

Для исследования структуры неоргапич. веществ и биол. объектов служит метод просвечивающей электронной микроскопии, в к-ром используют дифракцию электронов с энергией 10 —10 эВ. Более высокие ( 10 эВ) ускоряющие напряжения применяют в элек тронной микроскопии высокого разрешения, позволяющей анализировать структуру веществ вплоть до атомных масштабов. [c.682]

Аморфные и квазиаморфные тела, размеры частиц к-рых меньше разрешаемого в электронном микроскопе расстояния, рассеивают электроны диффузно. Для их исследования используются простейшие методы амплитудной Э. м. Напр., в ПЭМ контраст изображения, т. е. перепад яркостей изображения соседних участков объекта, в первом приближении пропорционален перепаду толщин этих участков. Для расчёта контраста изображений кристаллич. тел и решения обратной задачи—расчёта структуры объекта по наблюдаемому изображению—привлекаются методы фазовой Э. м. решается задача о дифракции электронов на кристаллич. решётке. При этом дополнительно учитываются неупругие взаимодействия электронов с объектом рассеяние на плазмонах, фононах и т. п, В ПЭМ и растровых ПЭМ (ПРЭМ) высокого разрешения получают изображения отд. молекул или атомов тяжёлых элементов пользуясь методами фазовой Э. м., восстанавливают по изображениям трёхмерную структуру кристаллов и биол. макромолекул. Для решения подобных задач применяют, в частности, методы голографии, а расчёты производят на ЭВМ. [c.550]

Методами дифракции электронов может быть осуществлено полное исследование атомного строения твёрдого тела. Основы этой т. н, электронной кристаллографии заложены учёными Москвы. Сочетание микродифракции электронов с электронной микроскопией атомного разрешения открыло принципиально новые возможности локального анализа атомного строения и исследования реальной структуры кристаллич. вещества. Фурье-преобразо-вание данных эксперимента позволяет вычислить фазы структурных амплитуд, к-рые могут быть приписаны определяемым по дифракц. картине модулям структурных амплитуд. Зная модули структурных амплитуд и фазы, можно построить пространств, распределение потенциала в исследуемом кристалле. [c.585]

Микродифракция и рентгеновский микроанализ давно применяются в электронной микроскопии, но в последнее время развиваются тонкие методы так называемой аналитической электронной микроскопии, например регистрация и анализ энергетических потерь электронов первичного прощедшего пучка (спектроскопия электронов, потерявших энергию). За счет уменьшения диаметра пучка и повышения чувствительности детекторов удается добиться пространственного разрешения порядка 0,5 нм с пределом детекции около 100 атомов. Это открывает новые перспективы анализа сегрегаций на межкристаллитных границах в наноматериалах. [c.184]

В [158—160] параметрическим методом решеточной статики моделировалась атомная структура зернограничной области AI2O5 (типа 0001 и [ЮТи], где л = 0,1,4). Энергия системы оценивалась как сумма кулоновского межионного взаимодействия и репульсив-ного вклада, обусловленного перекрыванием ионных оболочек. Рассмотрено несколько возможных конфигураций структур зернограничной области двух основных типов, формирующихся как дефекты слоевых упаковок или зеркальных структур, рис. 6.17. Несмотря на приближенный метод расчета (использование различных форм потенциала приводит, например, к вариации получаемых значений энергии границы зерна перпендикулярно <0001> направлению в интервале 0,3—0,9 Дж/м [9]) авторы [160] отмечают неплохое согласие получаемого вида релаксированных атомных структур данным электронной микроскопии высокого разрешения [158, 159]. [c.144]

Настоящая схема метода электронномикроскопической авторадиографии применима для всех материалов. Ее разрешение и чувствительность на 1—2 порядка выше, чем контактной авторадиографии. Техника метода принципиально проста, результаты вполне воспроизводимы. Метод электронномикроскоии-ческой авторадиографии позволяет видеть в электронном микроскопе авторадиограмму,- совмещенную с угольной репликой и, таким образом, определять локализацию радиоактивного элемента в тонкой структуре исследуемого объекта. Метод электронномикроскопической авторадиографии позволяет и количественно оценить распределение меченых атомов в структуре для этого надо определить плотность кристаллов проявленного серебра в соответствующих участках авторадиограммы реплики (аналогично измерению плотности почернения при фотометри- [c.473]

У электронного микроскопа соотношение между разрешающей способностью и глубиной резкости лучшее. Для препаратов обычной толщины у большинства микроскопов достижимая разрешающая сила больше 5 нм (50 А). В противоположность светооптическому изображению при максимальном увеличении электронного микроскопа глубина резкости кратна разрешению например, при разрешающей способности 5 нм (50 А) глубина резкости равна примерно 1000 нм (10000 А) = 1 мкм (1 микрону). [c.26]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...