Эмиссионный электронный микроскоп

Эмиссионный электронный микроскоп [c.168]

ЭМИССИОННЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП (ф. 105) [c.19]

Эмиссионный электронный микроскоп занимает особое положение в истории микроскопии первое изображение с помощью электронного пучка было получено в микроскопе этого типа. Изображение было образовано электронами, эмитированными поверхностью объекта и сфокусированными соответствующей электроннооптической системой. [c.19]

Однако развитие эмиссионной электронной микроскопии задержалось созданием просвечивающего электронного микроскопа, эффективная разрешающая способность которого в 100 раз выше, чем эмиссионного микроскопа, тогда как области их применения весьма сходны [c.19]

Дефекты исследуемой поверхности также являются фактором, который ограничивает разрешающую способность эмиссионного микроскопа. Неровности поверхности, которые неизбежно возникают во время нагрева образца (термическое травление), вызывают местное искажение электрического поля. Они действуют как дополнительные линзы, которые ухудшают четкость изображения. В результате этого в эмиссионной электронной микроскопии невозможно разрешить детали размером менее чем 500— 1000 А (50—100 нм). [c.20]

Эмиссионная электронная микроскопия не пригодна для исследования металлов, поверхность которых изменяется во время исследования вследствие избирательного испарения ее составляющих. К таким составляющим относятся, например, кадмий, цинк, хром, марганец. [c.20]

ЭМИССИОННАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ [c.108]

Современные достижения в области физических исследований металлов свидетельствуют о перспективности использования не только световой, но и электронной тепловой микроскопии, когда контраст изображения обусловлен не геометрическим профилем поверхности образца, а определенными характеристиками исследуемого материала, например, работой выхода электрона при термоэлектронной или фотоэмиссии кроме того, в качестве такой характеристики может быть использован коэффициент вторичной электронной эмиссии при бомбардировке первичными электронами. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и температуры изучаемого объекта, поэтому, например, эмиссионная высокотемпературная микроскопия вследствие более высокой разрешающей способности обеспечивает получение большего объема информации по сравнению со световой тепловой микроскопией. При микроструктурном изучении процессов деформирования и разрушения принципиально новые результаты могут быть получены при использовании эффекта экзоэлектронной эмиссии, позволяющего количественно характеризовать определенное энергетическое состояние локальных участков исследуемого образца, что является весьма ценным дополнением к наблюдаемым в металлографический микроскоп качественным структурным изменениям, связанным с накоплением дефектов в поверхностных слоях материала. [c.6]

Для понимания механизма формирования эмиттирующей поверхности углеродно-волоконных автокатодов и изменения их авто-эмиссионных свойств в процессе эксплуатации важное значение имеют данные, получаемые при наблюдении поверхности катодов при помощи растрового электронного микроскопа. Поэтому в данном разделе рассмотрена динамика структуры поверхности автокатодов из полиакрилонитрильных углеродных волокон в процессе длительной работы (1000 часов). [c.121]

Принципиально возможны два способа сте-реоЛогической реконструкции — непосредственная и статистическая. Непосредственная реконструкция методом последовательных сечений — построение пространственной. модели структуры на основании изображений ее на последовательных по глубине сечениях — шлифах в металлографическом световом микроскопе (СМ), эмиссионном (ЭМ) или растровом (РЭМ) электронном микроскопе или на репликах в просвечивающем электронном микроскопе (ПЭМ). Последовательные сечения с минимальным шагом получают строго параллельным последовательным механическим или электролитическим полированием образца. Некоторые характеристики пространственной структуры определяют непосредственно на модели, другие — на представляющем ее графе. Непосредственную реконструкцию. методом стереопар проводят в основном для поверхностей разрушения в РЭМ или ПЭМ и частиц, порошковой пробы в РЭМ, На изображениях одного и того же участка структуры, полученных с одинаковым увеличением при двух, различных углах наклона объекта относительно пучка электронов, измеряют горизонтальный параллакс (разность координат идентичных точек на двух изображениях) и на его-основе рассчитывают соответствующие высоты. [c.73]

Непосредственное изучение таких поверхностей возможно лишь в отражательном, эмиссионном или растровом микроскопах, наблюдение объектов в которых может быть отнесено также к прямым методам исследования. Однако наибольшее распространение имеют электронные микроскопы просвечивающего типа, обладающие наибольшим разрешением из всех перечисленных типов, и потому для изучения структур поверхностей непрозрачных тел были разработаны и успешно применяются косвенные методы. [c.41]

Сочетание методов высокотемпературной металлографии с другими приемами экспериментирования (эмиссионной и электронной микроскопией, методами рентгеновского анализа, количественной металлографии и др.), позволяет, получать более детальные сведения о поведении изучаемых материалов. Следует отметить также успешное использование новых направлений и приемов высокотемпературной металлографии для исследования металлов и сплавов и весьма перспективных в развитии ряда отраслей техники металлических слоистых и волокнистых композиций, а также в других направлениях научных изысканий. [c.4]

В отличие от электронного микроскопа в эмиссионном микроскопе источником излучаемых электронов является сам образец, эмиссия которого возбуждается путем его нагрева либо электронным пучком (термоэлектронная эмиссия), либо путем облучения исследуемой поверхности ускоренными электронами или ионами (вторичная электронно-электронная или ионно-электронная эмиссия соответственно). [c.40]

Кроме просвечивающего, существуют отражательный, эмиссионный и растровый электронные микроскопы. При применении отражательного или обратного способов излучения используется эффект отражения электронов, падающих под очень малым углом к исследуемой поверхности. [c.120]

Оптическая металлография позволяет на ранних стадиях оценить строение металла и определить его структурные составляющие, их качество, морфологию и распределение частиц, дефектность строения и природу ее появления, химическую неоднородность, размеры и ориентацию зерен и т.д., а также выявить участки для дальнейшего более глубокого исследования с привлечением тонких методов, в том числе просвечивающей электронной микроскопии (растровые, эмиссионные, отражательные), стереологии (количественная металлография, рентгеноструктурный анализ, рентгеноспектральный анализ и т.д.). Электронные микроскопы используются для решения метал- [c.484]

Обзор методов эмиссионной (автоэлектронной) микроскопии дан п работе Гуда и Мюллера [2] см. также [2а]. Единичные атомы элемента с большим атомным весом, нанесенного на углеродную подложку, наблюдались Крю и др. на сканирующем электронном микроскопе с высоким разрешением [3] используемая в работе [3] электронно-оптическая система фокусирует электроны в пятно диаметром приблизительно 5 А. [c.59]

П. д. и самодиффузия исследуются экспериментально разл. методами, регистрирующими результат перемещения частиц (меченые атомы, измерение работы выхода). Однако наиб, число данных по П. д., в т. ч. весьма определённых и детализированных, получено методами полевой эмиссионной микроскопии (электронной и [c.644]

Изображение объекта получают с помощью различных видов микроскопии — световой и электронной просвечивающей, эмиссионной и растровой. Основное требование к данному этапу анализа — перенести без искажения (инструментальные погрешности) структурное содержание объекта на плоскость наблюдения. [c.73]

Сканирующая микроскопия (или эмиссионный микроанализ) осуществляется с помощью электронного микрозонда. В этом случае рентгеновские лучи возбуждаются электронным лучом, двигающимся через регулярные интервалы но образцу, а наблюдение ведется с помощью телевизионной техники на экране катодной трубки. [c.385]

Наряду с высокотемпературным методом исследования структуры массивного объекта с помощью светового микроскопа в последние годы развивается применение метода эмиссионной микроскопии, позволяющего наблюдать за структурой изучаемого объекта при высоких температурах, даже если они не связаны с изменением рельефа поверхности. Этот метод основан, на использовании отличий в величине работы выхода электронов разных фаз или различных граней кристаллов при термоэлектронной эмиссии. [c.40]

Нагрев образца в эмиссионном микроскопе ЕР-б осуществляется электронным пучком, ускоренным напряжением 4—5 ке и бомбардирующим тыльную поверхность диска, при этом измерение температуры образца в интервале 20—900° С осуществляется никель — хромоникелевой термопарой, а выше 900° С — с помощью оптического пирометра с точностью 20° С). [c.41]

Обзор современных оптических и электронно-ионных методов анализа материалов широко представлен в литературе [22, 51]. К этим методам относятся оптическая микроскопия, метод микротвердости, лазерный эмиссионный микроанализ, рентгеноструктурный анализ, электрические и акустические методы. Заметное место в оценке составов КМ принадлежит химическому анализу. Для оценки гетерогенных металлических материалов хорошо зарекомендовали себя электрохимические и коррозионные методы. [c.70]

Эмиссионными микроскопами называются приборы, в которых изображение образуется электронами, ионами или рентгеновскими лучами 3, испускаемыми поверхностью объекта. Имеются два метода для образования изображения. [c.19]

Автоэлектронный катод в сочетании с анодом, совмещённым с люминесцирующим экраном, превращает такой автоэмиссионный диод в эмиссионный электронный микроскоп. На его экране можно лаблюдать картину углового распределения тока А. э. с острия при высоких увеличениях и разрешающей способности (см. Электронный проектор). [c.23]

Эмиссионный электронный микроскоп (рис. 1.420). Объект служит источником электронов (катод), причем электронная эмиссия может вызываться как путем нагрева (термоэмиссия), так и облучением электронами, ионами или ультрафиолетовым излучением. Контрастность получается благодаря различию в электронной эмиссионной способности. Разрешающая [c.159]

Эмиссионная электронная микроскопия Порошковая проба Шлиф Проекции всех частиц в мшюслое в положении наибольшей устойчивости Случайные сечения [c.75]

Эмиссионный электронный микроскоп дает изображение объекта в электронах, которые эмиттирует сам оВъект. Эмиссия может бытъ результатом -нагрева 4термо- электронная эмиссия), освещения (фотоэлектронная эмиссия), бомбардировки электронами или ионами (вторичноэлектронная или ионно-электронная эмиссия), действия сильных электрических полей (автоэлектронная эмиссия). Разрешение эмиссионных микроскопов значительно хуже просвечивающих и в зависимости от типа эмиссии достигает 20—100 мкм. [c.185]

Эмиссионная электронная микроскопия в режиме термоэмиссии позволяет изучать высокотемпературные превращения в структуре массивных образцов, что невозможно сделать с помощью просвечивающего микроскопа (Прим. ред.). [c.19]

Микроснимки, полученные при помощи эмиссионного электронного микроскопа, показывают развитие превращения аустенит перлит в стали с 0,81% С. Поверхность была активирована осаждением на нее тонкого слоя бария. Обратите внимание на фиксацию эмиссионного изображения границ зерен, которое обеспечивает удобный способ определения положения этих границ во время превращения (снимки представлены Исследовательскими лабораториями фирмы, Айндховен). [c.108]

Рис. 4. Изображения поверхности кремниевого ПП диода, полученные в стробоскопич. эмиссионном электронном микроскопе а — напряжение на диоде отсутствует б — на диод подано запирающее напряжение 40 В, тёмная область — падение напряжения на р — п-переходе в — кратковременное (менее 40 НС) прямое падение напряжения (широкая тёмная область) на базе диода при переключении его в состояние, при к-ром он отперт .

Реакция (84) энергетически не выгодна и возможна только при концентрации напряжений на двойниковом некогерентном фронте, что и имеет место в действительности. Реакция (84) дает набор испущенных дислокаций из некогерентных границ двойника с нулевым даль-нодействующим полем напряжений. Происходит увеличение длины двойниковой прослойки за счет эмиссии дислокаций из некогерентной границы. Деформация сдвига, произведенная испущенными дислокациями, эквивалентна деформации от исходной двойниковой границы, из которой они испущены. Существование эмиссионных дислокаций для о. ц. к. и г. п. у. кристаллов подтверждено экспериментами просвечивающей электронной микроскопии, наблюдаемым пробегом субграниц впереди двойника. [c.145]

Первые эксперименты с углеродными волокнами, используемыми в заостренном виде для растрового электронного микроскопа [155], показали очень большую (на несколько порядков величины) долговечность в условиях высокого технического вакуума по сравнению с вольфрамовыми. Далее было показано, что такие волокна — для получения с них автоэмиссии — можно и не заострять [156], что создало предпосылки для развития исследований авто-эмиссионных свойств таких материалов. Значительная часть подобных исследований представлена в данной главе или в ссылках на литературу. [c.102]

В процессе формовки автокатодов с большой рабочей площадью, во время сильноточного ее этапа, наблюдалось существенное увеличение автоэмиссионного тока, например, с 1,5—2 мА до 3,0 мА, с одновременным незначительным уменьшением напряжения. Этот факт можно объяснить образованием на рабочей поверхности мик-рошероховатого рельефа. Последнее подтверждается изучением поверхности в растровом электронном микроскопе. Образование микровыступов приводит к смещению вольт-амперной характеристики в координатах Фаулера—Нордгейма в область более низких напряжений. При этом происходит изменение угла наклона характеристик, что говорит об изменении форм-фактора эмиттирующей поверхности катода. Отбор тока на уровне около 10 мА с отформованного автокатода в течение 10 часов приводил (для всех исследованных образцов) к сдвигу вольт-амперной характеристики в область более высоких напряжений. Подобное снижение эмиссионной способности исследуемого эмиттера можно объяснить как увеличением среднего радиуса закругления эмиттирующих микровыступов, так и обнаруживаемым на рабочей поверхности автокатода, после работы макета [c.187]

Развитие электронной оптики и электронной микроскопии привело также к созданию отражательных, эмиссионных, растровых (электронных и рентгеновских) микроскопов, имеющих большие перспективы использования в исследовании металлов созданы новые приборы и методы металлофизического исследования, использующие электронную оптику и высококачественные электропитающие устройства электронных микроскопов рентгеноспектральные микроанализаторы, рентгеновские микроскопы, электронные анализаторы (для исследования потенциала кристаллической решетки), электронные зеркала (для исследования до-ме.нной структуры ферромагнетиков) и т. д. [c.165]

Непосредственное исследование таких объектов проводят в электронографе, при съемке на отражение , в отражательном, эмиссионном и раствором электронных микроскопах. Вследствие сильного взаимодействия 5 лектронов с веществом (атомная амплитуда рассеяния электронов в среднем в 1000 раз больше, чем рентгеновых лучей) максимальная глубина проникновения электронов в образец не превышает нескольких микрон, Для фокусировки рассеянных электронов можно использовать лишь те из них, энергия которых лочти не изменяется при отражении от объекта. Это условие ограничивает допустимую глубину проникновения электронов до 10 см, что достигается применением малых углов падения электронов на объект до 2—4°. В связи с этим особое значение приобретает чистота исследуемой поверхности. Присутствие на ней даже малейших следов каких-либо загрязнений может совершенно исказить дифракционную картину или дать ложные эффекты на электронном изображении. [c.171]

Автоэмиттеры (холодные катоды) имеют большую кривизну поверхности (острия, лезвия, выступы и т. п.). Анод, совмещённый с люминесцирую-щим экраном, превращает одноострий-ный автоэмиссионный диод в эмиссионный безлинзовый электронный микроскоп (проектор). [c.11]

Современные достижения в области физических исследований металлов свидетельствуют о перспективности использования не только световой, но и электронной тепловой микроскопии, когда контраст изображения обус-словлен не геометрическим профилем поверхности образца, а определенными характеристиками материала, например работой выхода электрона при термоэлектронной эмиссии или фотоэмиссии кроме того, в качестве такой характеристики может быть использован коэффициент вторичной электронной эмиссии при бомбардировке первичными электронами. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и темпера-10 туры изучаемого объекта, поэтому, например, эмиссионная высокотемпера- [c.10]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...