Микроскоп разрешающая способность

Преимуществом растровых или сканирующих микроскопов является возможность исследовать непосредственно поверхность излома без использования промежуточных реплик, высокая при-цельность и получение объемных изображений. Перспективным является также изучение с помощью сканирующих микроскопов предварительно травленой поверхности излома и особенно совмещение сканирующего микроскопа с микроанализатором. Сканирующие микроскопы обладают меньшей, чем просвечивающие микроскопы, разрешающей способностью и, как правило, меньшей контрастностью изображения. Габариты исследуемых образцов ограничены по высоте и площади, т. е. в ряде случаев необходимо разрезать поверхность разрушения на части, что при исследовании аварийных изломов часто недопустимо. [c.190]

Изучение механики усталостных трещин началось после внедрения в практику исследований растрового электронного микроскопа, разрешающая способность которого позволяет четко разграничить стадии возникновения и развития трещин начиная с момента излома микроструктуры. На этом микроскопе удается наблюдать начало процесса концентрации рассеянных микротрещин и перерастания их в одну конечную трещину критического размера, которая под воздействием приложенных усилий после медленного роста переходит в катастрофическое состояние. Однако такой процесс не носит внезапного характера, он состоит из последовательного объединения соседних микротрещин, уменьшения числа микротрещин, размер которых увеличивается, и ускорения роста размеров одной из трещин. Такая трещина называется конечной, и именно она приводит к усталостному разрушению. Поэтому полное число циклов до разрушения составит [c.60]

В. С. Фадеева и М. Е. Яковлева [45] показали, что в исследовании состояния поверхности глазури может также оказаться вполне эффективным применение электронного микроскопа. Разрешающая способность электронного микроскопа при измерении неровностей поверхности определяется в 0,005—0,006 [j., в то время как профилографом можно измерить выступы и впадины на микрорельефах порядка 0,2 [л и микроинтерферометром 0,03 р.. [c.161]

Определение разрешающей способности отпечатка дает возможность установить, в какой степени при применении данного отпечатка используют разрешающую способность микроскопа, так как разрешение, получаемое на микрофотографии, всегда ниже такового для самого микроскопа. Разрешающая способность изображения, вообще говоря, может меняться от точки к точке в пределах данной микрофотографии [2]. [c.126]

Электронная микроскопия. Разрешающая способность обычного микроскопа ограничена сравнительно большой длиной волн видимого света. Значительно большее увеличение (до 10 раз) можно получить при помощи электронного микроскопа. Пучок электронов, разогнанный в электрическом поле до нужной скорости, фокусируется магнитными полями соответствующей конфигурации (как видимый свет фокусируется линзами) и, проходя через изучаемый объект или отражаясь от него, дает изображение на фотопластинке. [c.90]

Разрешающая способность микроскопа. Разрешающая способность микроскопа вычисляется по формуле [c.30]

Электронные микроскопы, разрешающая способность которых в десятки раз выше, чем оптических, вследствие меньшей длины волны электронного излучения, позволяют исследовать микроструктуры с увеличением в 10—40 тыс. раз и более. Уже применяют микроскопы, на которых достигают увеличения в 500 тыс. раз. При этом можно вести исследования на уровне величин нескольких атомных радиусов (до 0,9 нм). [c.313]

Однако оптический микроскоп не является аппаратом, который может обнаружить кристаллик любого малого размера. Как известно из оптики, разрешающая способность микроскопа равна [c.38]

В поле напряженностью 50000 В электронам сообщается скорость 124000 км/с, что соответствует длине волны, равной сотым долям ангстрема. Разрешающая способность современного электронного микроскопа порядка [c.38]

В последнее время под электронным микроскопом изучают тонкие пленки исследуемого металла, в той или иной степени прозрачные для электронного луча. В этом случае разрешающая способность электронного микроскопа близка к величине межатомных расстояний. [c.39]

Разрешающая способность глаза человека при наблюдении на расстоянии 250 мм (так называемое расстояние наилучшего зрения) составляет приблизительно 0,1 мм. Два маленьких предмета, находящиеся на таком расстоянии и освещаемые даже прямым солнечным светом, можно считать практически некогерентными источниками. Тем более это относится к всестороннему освещению. Таким образом, при наблюдении невооруженным глазом в естественных условиях можно не принимать во внимание частичной когерентности волн, попадающих в глаз от различных точек предметов. Напротив, при наблюдении с помощью микроскопа, обладающего разрешением порядка длины волны, учет частичной когерентности освещения объекта, как правило, необходим. [c.107]

Условие (63.1), полученное с помощью качественных соображений, мало отличается от результатов строгого рассмотрения разрешающей способности микроскопа (см. 97). Этого и следовало ожидать, так как специфические черты голографирования, такие, как наличие опорной волны, ее геометрия, просвечивание и т. п., совершенно не существенны в вопросе о дифракционном пределе разрешения. [c.257]

Основные физические идеи голографии были сформулированы Д. Габором в 1948 г. в связи с проблемой повышения разрешающей способности электронных микроскопов. Габор подтвердил свои теоретические соображения экспериментами в оптической области спектра. Однако в силу указанных трудностей голография развивалась очень медленно вплоть до создания оптических квантовых генераторов, излучение которых, по самому принципу их работы, исключительно монохроматично и обладает высокой степенью про- [c.260]

Метод Аббе не только позволяет вывести значение разрешающей способности для освещенных объектов, но и показывает, что результаты наблюдения в микроскоп могут сильно зависеть от условий [c.354]

Рис. 15.4. Значение косых пучков для повышения разрешающей способности микроскопа.

Так как числовую апертуру нельзя значительно повысить, то единственный способ увеличения разрешающей способности микроскопа состоит в переходе к более коротким волнам. [c.357]

Для дальнейшего увеличения разрешающей способности микроскопа следовало бы перейти к рентгеновским лучам. Но изготовление соответствующей оптики для получения изображения в рентгеновских лучах встречает весьма большие затруднения. [c.357]

Лучшие из существующих в настоящее время электронных микроскопов обладают разрешающей способностью около 0,1 нм. [c.360]

Микроскоп 329 —. метод темного поля 362 —, — фазового контраста 362 —, разрешающая способность 330, 348—357 [c.923]

Необходимо вместе с тем учитывать, что в связи с высокой разрешающей способностью просвечивающей электронной микроскопии метод очень локален. Один снимок дает информацию о структуре па площади в несколько микрон. Поэтому, чтобы получить достаточно достоверную информацию о структуре, необходимо анализировать большое число снимков и применять статистические методы анализа. [c.99]

В сравнении с просвечивающим электронным микроскопом использование растровых приборов дает ряд преимуществ. Во-первых, отпадает нужда в кропотливом и трудоемком изготовлении реплик и фольг, во-вторых, наиболее полно и достоверно фиксируется рельеф поверхности, в-третьих, исследованию доступна значительно большая площадь образца и, наконец, растровый микроскоп позволяет проводить изучения в непрерывном и широком интервале увеличений — от 20 и до 100 000 крат. К недостаткам растрового микроскопа можно отнести более низкую разрешающую способность в сравнении с разрешением, которое возможно на просвечивающем приборе. [c.180]

Микрорельеф излома в зоне усталостной трещины характеризуется площадками сглаженного рельефа, вытянутыми в направлении развития усталостной трещины. Усталостные бороздки в рассматриваемой зоне не были выявлены при разрешающей способности использованного растрового электронного микроскопа лучше 0,009 мкм. [c.593]

Кристаллические тела не идеальны в них всегда в огромном количестве суш,ествуют нарушения структуры, называемые несовершенствами (или дефектами). В силу ряда- причин отдельные кристаллы в реальном металле не имеют возможности принять правильную форму. Кристаллы неправильной формы называются зернами или кристаллитами. Их размер от 0,1 до 10 мкм. Напомним, что разрешающая способность микроскопа равна длине волны све- [c.31]

Реплика помеш,ается в камеру с иммерсионной жидкостью, т. е. жидкостью с большим показателем преломления (применяемой для усиления разрешающей способности микроскопа), которая должна находиться между рассматриваемой репликой и объективом. Камеру с репликой ставят под объектив микроскопа и наблюдают в монохроматическом зеленом свете интерференционную картину. Цена интерференционной полосы зависит от показателей преломления пленки и жидкости, которые, естественно, должны быть заранее известны. Цену полосы можно изменять в достаточно широких пределах, меняя жидкость, как это следует из формулы (94), которая в данном случае приобретает вид [c.96]

Оценка сплошности покрытия и косвенные данные об адгезии покрытия к углеродному волокну были получены на основании проведенных электронномикроскопических исследований на растровом микроскопе JSM-U3 с разрешающей способностью 200 А. [c.149]

Современные достижения в области физических исследований металлов свидетельствуют о перспективности использования не только световой, но и электронной тепловой микроскопии, когда контраст изображения обусловлен не геометрическим профилем поверхности образца, а определенными характеристиками исследуемого материала, например, работой выхода электрона при термоэлектронной или фотоэмиссии кроме того, в качестве такой характеристики может быть использован коэффициент вторичной электронной эмиссии при бомбардировке первичными электронами. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и температуры изучаемого объекта, поэтому, например, эмиссионная высокотемпературная микроскопия вследствие более высокой разрешающей способности обеспечивает получение большего объема информации по сравнению со световой тепловой микроскопией. При микроструктурном изучении процессов деформирования и разрушения принципиально новые результаты могут быть получены при использовании эффекта экзоэлектронной эмиссии, позволяющего количественно характеризовать определенное энергетическое состояние локальных участков исследуемого образца, что является весьма ценным дополнением к наблюдаемым в металлографический микроскоп качественным структурным изменениям, связанным с накоплением дефектов в поверхностных слоях материала. [c.6]

Попытка выявить тонкую структуру, вызванную топохимическим взаимодействием частиц между собой и подложкой, обусловливающим возникновение адгезионно-когезионных связей, столкнулась с определенными техническими трудностями. В связи со сложностью изучения структуры на контактных границах частица - подложка и частица - частица даже с помощью растрового электронного микроскопа (разрешающая способность РЭМ составляет обычно 25. .. 30 нм) был использован вариант решения этой задачи с помощью синхротронного излучения (СИ). Схема зондирования образца из N1 с А1 покрытием, нанесенным холодным газодинамическим напыле-ние.м, показана на рис. 3.32. [c.165]

Несомненный теоретический и практический интерес приобрели также исследования оптич. систем для Р. л. и создание рентгеновских микроскопов. Разрешающая способность рентгеновских микроскопов значительпо — на 2—3 порядка — ниже разрепшю-щей способности электронных микроскопов. Однако значительно ббльшая проникающая способность Р. л. по сравнению с электронными и несоизмеримо более простое устройство рентгеновских микроскопов делает их весьма полезными для решения многих практич. задач металловедения, биологии и т. н. (см. также Рентгеновская микроскопия). [c.426]

Чем больше апертурное число А (A=h sin p), тем меньше разрешающая способность. В современных микроскопах отверстный угол объектива близок к 90°, показатель преломления воздуха равен 1. Отсюда [c.38]

Для снятия оттиска с микрошлифа применяются полистирол марки Д (ГОСТ 944), рентгеновская пленка на колок-силиновой основе, лента для магнитной звукозаписи, целлулоид или полимерные сжиженные материалы. Наибольшую разрешающую способность и наиболее высокую контрастность изображения обеспечивают полистироловые реплики. О ггиски на рентгеновской пленке имеют худшее изображение, а оттиски на ленте дают четкое изображение микроструктуры при визуальном рассмотрении в микроскопе, но недостаточно контрастны при фотографировании. Поэтому рекомендуется применять полистирол, а в качестве раствори-теля-бензол или толуол. [c.325]

Я перенес главу, посвященную основным фотометрическим понятиям, во введение, желая использовать правильную терминологию уже при описании явлений интерференции и оставив в отделе лучевой оптики лишь вопросы, связанные с ролью оптических инструментов при преобразовании светового потока. Заново написаны многие страницы, посвященные интерференции, в изложении которой и во втором переработанном издании осталось много неудовлетворительного. Я постарался сгруппировать вопросы кристаллооптики в отделе VIII, хотя и не счел возможным полностью отказаться от изложения некоторых вопросов поляризации при двойном лучепреломлении в отделе VI, ибо основные фактические сведения по поляризации мне были необходимы при изложении вопросов прохождения света через границу двух сред, с которых мне казалось естественным начать ту часть курса, где проблема взаимодействия света и вещества начинает выдвигаться на первый план. Я переработал изложение астрономических методов определения скорости света и добавил некоторые новые сведения о последних лабораторных определениях этой величины. Гораздо больше внимания уделено аберрации света. Рассмотрены рефлекторы и менисковые системы Д. Д. Максутова. Значительным изменениям подверглось изложение вопроса о разрешающей способности микроскопа я постарался отчетливее представить проблему о самосветя-щихся и освещенных объектах. Точно так же значительно подробнее разъяснен вопрос о фазовой микроскопии, приобретший значительную актуальность за последние годы. [c.11]

Для повышения разрешающей способности микроскопа выгодно применение более коротких волн (ультрасриолет) и увеличение [c.354]

О преимуществах схемы прямой регистрации уже говорилось, к недостаткам ее можно отнести высокие требования к разрешающей способности регистрирующей среды и сильное влияние пятнистой структуры (спек.л-структуры) на качество изображения. В голографической схеме, использующей микрообъективы для создания увеличенно1 о изображения предмета, требования к разрешающей способности минимальны, пятнистая структура мало влияет на изображение, но поле зрения и глубина регистрируемого пространства определяются свойствами применяемого микрообъектива и оказываются весьма мaJ ыми. Таким образом, обе описанные схемы [ологра-фического микроскопа обладают существенными недостатками, ограничивающими возможностг. их применения при микроскопических исследованиях. [c.85]

РЕНТГЕНОВСКАЯ ТОПОГРАФИЯ, использующая тот же эффект дпфракциопиого контраста, что и просвечивающая электронная микроскопия, также позволяет наблюдать отдельные дислокации. Но из-за малой разрешающей способности она применима лишь к монокристаллам с плотностью дислокаций не выше 10 — 10 см . Поэтому этот метод не может сколько-нибудь широко использоваться для изучения дислокационной структуры металлов и сплавов. Основная область применения метода — анализ дислокационной структуры совершенных монокристаллов полупроводников (кремний, германий и др.). [c.99]

Угловая разрешающая способность глаза (т. е. минимальный угол между деталями изображения, которые он различает) равна Г при расстоянии до объекта I = 250 мм и соблюдении указанных выше условий. Линейное разрешение в плоскости ОК е = loL Л1 яй 250-0,0003 0,08 мм. Частотноконтрастная характеристика (ЧКХ) глаза имеет максимум при угловом размере объекта а 1° и спад в областях как низких, так и высоких пространственных частот. Использование увеличивающей ошики (лува, микроскоп) повышает разрешение в число раз, равное увеличению прибора. Применение микроскопов обеспечивает разрешение e ss 1. .. 5 мкм. [c.51]

Минимально обнаруживаемый дефект достигает порядка 0,1 мм в диаметре. Применение металлического вращающегося зеркала увеличивает скорость сканирования в 4 раза по сравнению со стеклянным зеркалом. Возможно контролирование поверхности ма 1ериала, двигающегося со скоростью свы1не 15 м/с. Сканирующие лазерные системы бегущего луча могут также использоваться для получения изображения объектов контроля. Схема лазерного сканирующего инфракрасного микроскопа для контроля внутренних дефектов полупроводниковых материалов с механическим сканированием объекта контроля и неподвижным лучом лазера отличается низким быстродействием, но имеет высокую разрешающую способность. Схема с системой сканирующих зеркал отличается большим быстродействием (до 50 кад/с при 200—400 строках разложения телевизионного изображения), однако наличие полевых аберраций оптической системы приводит в этом случае к снижению пространственного разрешения. [c.96]

Методологический подход к исследованию вида излома (макрофрактографический анализ) и мезорельефа поверхности разрушения (мезо-фрактография), регистрируемого достаточно отчетливо с помощью электронно-микроскопических методов, равно как и характерные черты рельефа излома для различных материалов при разных видах разрушающих режимов нагружения, неоднократно описаны и представлены в виде атласов фрактограмм [6-12, 18-20]. Следует оговориться, что традиционно используемый термин микро-фрактография относится к использованию средства исследования в виде электронного микроскопа без выделения мезоскопического масштабного уровня. Однако нижняя граница величин анализируемого параметра рельефа составляет 2-5 нм, в зависимости от разрешающей способности микроскопов, а верхняя — несколько десятков микрон. [c.80]

Создание перспективных оптических систем с повышенной разрешающей способностью для тепловой микроскопии и, в частности, разработка объективов с большим рабочим расстоянием непосредственно связаны с развитием зеркальной и зеркально-линзовой оптики. Как известно [23], преимущество зеркально-линзовых объективов перед обычными линзовыми объективами заключается в том, что у них так называемый передний отрезок может более чем в четыре раза превышать фокусное расстояние, что позволяет по-новому решать ряд конструктивных задач проектирования оптических систем для средств высокотемпературной металлографии, для приборов локального микроспектрального анализа и других устройств. [c.95]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...