Взаимодействие между подсистемами

При эксплуатации систем ИОЗ необходимо определить общую структуру объединенной системы, организовать взаимодействия между подсистемами и элементами АСУ, учет влияния внещней среды и разработать оптимальные алгоритмы функционирования. [c.30]

Допустим, что нас интересует ионизационное равновесие при заданных температурах Те и Th. Тогда взаимодействие между подсистемами соответствует реакции [c.99]

Приближение слабого взаимодействия. Во многих задачах, представляющих физический интерес, взаимодействие между подсистемой S и термостатом можно считать слабым, что позволяет значительно упростить основное кинетическое уравнение (7.3.15), применяя теорию возмущений по Н. Как правило, условие слабости взаимодействия выполняется, когда сама подсистема S является макроскопической и непосредственное воздействие термостата на подсистему происходит на ее границе. Если число степеней свободы подсистемы невелико, но амплитуда взаимодействия в операторе Н пропорциональна некоторому малому параметру, то к уравнению (7.3.15) также можно применить теорию возмущений. Физический смысл малого параметра зависит, конечно, от постановки задачи и рассматриваемой модели. [c.120]

Из выражения (7.3.16) видно, что ядро основного кинетического уравнения имеет по крайней мере второй порядок по Я. Поэтому, если взаимодействие между подсистемой S и термостатом является слабым, то в операторе эволюции можно опустить QL Q а эффекты памяти в (7.3.15) исключить с помощью соотношения [c.120]

Итак, предполагается, что между параметрами, описывающими макроскопическое состояние жидкой частицы и ее подсистем, существует связь, справедливая для состояния полного термодинамического равновесия каждой подсистемы. Это означает, что все взаимодействия между подсистемами и с внешней средой протекают гораздо медленнее, чем процесс установления [c.22]

Затухание магнитоупругих волн представляет собой сложный процесс. Он определяется взаимодействиями волн двух подсистем — упругой и магнитной, причем в общем случае необходимо учитывать как взаимодействия внутри каждой подсистемы — фонон-фононные, магнон-магнонные взаимодействия, так и взаимодействия между двумя подсистемами [21. Однако в пределах широкого диапазона температур взаимодействия внутри каждой из подсистем выражены значительно сильнее, чем взаимодействия между подсистемами. Поэтому при феноменологическом описании затухания магнитоупругих волн можно пользоваться приближением, в котором затухание за счет магнон-фононных взаимодействий не учитывается. Для простоты будем, кроме того, считать, что в релаксационном члене (2.13) отсутствует слагаемое, описывающее изменение величины магнитного момента, т. е. 1/ti=0. Затухание упругих волн будем описывать с помощью изотропного тензора вязкости [c.378]

Взаимодействие между подсистемами [c.199]

Управление работой проектирующей подсистемы разделяется между центральной подсистемой управления и собственным управлением. Центральное управление организует взаимодействие проектирующей подсистемы с другими подсистемами собственное управление организует автономную работу подсистемы. Из всех подсистем САПР проектирующие подсистемы являются наименее универсальными. Поэтому они обычно называются объектно-зави-симыми подсистемами в отличие от остальных подсистем, называемых объектно-независимыми (инвариантными). [c.21]

Законы некоторых неравновесных процессов можно установить и на основе использования простых вероятностных предположений о случайном поведении соответствующей системы. Поэтому наш курс начинается с описания процессов временной эволюции малой подсистемы в термостате в случае слабого взаимодействия между ними (импульсы частиц при каждом соударении испытывают малые изменения). Типичными примерами таких стохастических (вероятностных) процессов являются брауновское движение, замедление нейтронов, флуктуации в радиотехнических устройствах. [c.36]

Если система не взаимодействует с окружающей средой, она называется изолированной. Система может быть изолированной, но отдельные ее части (подсистемы) могут взаимодействовать между собой. [c.6]

Предварительные теоретические и экспериментальные исследования показали, что волочильный стан следует рассматривать как систему, включающую главный приводной механизм, волочимое изделие, станину стана. Таким образом, исследуется динамика упругой системы, состоящей из трех подсистем, взаимодействующих между собой через концевые элементы. Подсистемы включают гибкие звенья (тяговые цепи и волочимое изделие) и связаны посредством упругого основания (станина стана). В работе построена общая модель упругой системы волочильного стана, и на этой основе получены общие рекомендации. [c.131]

Указанные подсистемы активно взаимодействуют между собой, а также с двигательной и информационной системой робота. Алгоритмы функционирования всех элементов системы управления зависят от конструктивных особенностей транспортного робота, целей и условий его эксплуатации. Конкретизация этих алгоритмов, включая вопросы их программно-аппаратной реализации, дается ниже по мере описания различных образцов транспортных роботов с адаптивным и интеллектуальным управлением. [c.189]

Понятие дислокационного ансамбля включает в себя микронные участки материала, характеризующиеся некоторой критической скалярной плотностью дислокаций, при которой а) силы взаимодействия между отдельными дислокациями/ = Vp) /2 соизмеримы с действием на них сил со стороны внешних напряжений/ = [140] б) протяженность рассматриваемого участка превышает радиус экранирования упругого поля дислокаций [139, 141]. В таких условиях дислокации образуют пространственные квазиравновесные конфигурации (низкоэнергетические дислокационные субструктуры [134]). По мнению авторов [134, 139], в этом случае причиной расслоения изначально однородного распределения дислокаций является их стремление к относительному минимуму полной энергии упругого поля дислокационной подсистемы. [c.86]

Взаимодействие вынуждает подсистемы переходить из одних дозволенных состояний в другие. Чрезвычайно сложный и запутанный характер взаимодействий между многочисленными подсистемами позволяет рассматривать попадание любой из них в то или иное состояние как случайное событие. При этом в течение небольших промежутков времени вследствие слабости взаимодействия микросостояние каждой подсистемы не зависит от остальных. Микроскопические состояния подсистем оказываются статистически не зависимыми по отношению друг к другу. Это означает, что вероятность состояния системы равна произведению вероятностей состояний подсистем [c.36]

Химические реакции. В качестве примера нелинейных процессов релаксации в системе, состоящей из слабо взаимодействующих подсистем, мы рассмотрим химические реакции в однородной среде. В химических реакциях происходит обмен частицами между подсистемами, поэтому нужно использовать квазиравновесные распределения, которые мы обсуждали в разделе 2.2.5 [c.143]

Пусть квантовая система состоит из двух подсистем. Гамильтониан имеет вид Я = Ях + Я2 + Я, где Ях и Я2 — гамильтонианы подсистем, а Я — слабое взаимодействие, описывающее обмен энергией между подсистемами. [c.162]

Прежде чем приступить непосредственно к вычислению проводимости, сделаем одно замечание. Мы отмечали а параграфе 5.1. первого тома (см. также приложение 5Б), что в теории электропроводности могут встретиться два предельных случая. В адиабатическом пределе средний импульс носителей заряда релаксирует значительно быстрее, чем устанавливается равновесное распределение частиц по энергиям или, как говорят, происходит термализация в системе. Такая ситуация возникает, например, в полупроводниках, когда концентрация электронов проводимости и дырок мала, а средний импульс носителей заряда быстро релаксирует из-за их упругого рассеяния на примесных атомах. Как мы видели в приложении 5Б, в адиабатическом пределе необходимо рассматривать процесс релаксации всех моментов одночастичной функции распределения, поскольку упругие процессы рассеяния сами по себе не приводят к установлению равновесного распределения частиц по энергиям. Относительно проще обстоит дело в изотермическом пределе, когда характерное время термализации носителей заряда значительно меньше времени релаксации их полного импульса. В этом пределе достаточно рассматривать лишь процесс релаксации первого момента одночастичной функции распределения, т. е. среднего импульса. В плазме ситуация близка к изотермической, поскольку сильное кулоновское взаимодействие между электронами быстро приводит к термализации электронной подсистемы. Важно подчеркнуть, что само по себе это взаимодействие не меняет полный импульс электронов, который релаксирует только за счет взаимодействия между электронами и ионами. Из-за эффектов экранирования в плазме электрон-ионное взаимодействие является относительно слабым и может быть учтено а рамках теории возмущений. [c.38]

Здесь Н — гамильтониан поля излучения, — гамильтониан подсистемы активных атомов, а Я >д — гамильтониан взаимодействия между атомами и полем излучения. [c.127]

Прерывные системы состоят из конечного числа однородных областей, соединенных друг с другом с помощью устройства, которое предназначено для регулирования интенсивности взаимодействия между подсистемами. В общем случае такое устройство называется вентилем. В качестве вентиля могут быть использованы малые отверстия, капилляры, системы капилляров, пористые перегородки, сплошные мембраны, селективно проницаемые для компонентов, границы раздела фаз, например жидкости и пара, либо двух несмешивающихся жидкостей. Гомогенные части прерывной системы находятся во внутреннем тепловом и механическом равновесии при постоянном локальном составе, а при переходе через вентиль параметры состояния изменяются скачко.м. В прерывных системах протекают неравновесные процессы обмена теплотой, веществом, энергией (например, электрической). Естественно, вид законов сохранения, записанных для непрерывных и прерывных систем, различен. [c.195]

Постаноька более сложных задач перед системой управления централизо]5анным теплоснабжением возродила разработку методов управле шя, основанных на современной теории оптимального управления. К числу задач, решаемых на основе системотехнического подхода, обычно относят определение общей структуры системы, ор1 анизацию взаимодействия между подсистемами и элементами, учет влияния внешней среды, выбор оптимальной структуры, оптимальных алгоритмов функционирования. [c.209]

Использование синергетических принципов при разработке новых неравновесных технологий открыло поистине фантастические возможности формирования профилей изделий и сварки путем управления тепловыми потоками при воздействии на металл концентрированными потоками энергии (КПЭ). Следует отметить, что КПЭ для обработки и сварки металлов используется уже несколько десятилетий, но при разработке технологических процессов не учитывались особые свойства системы КПЭ—металл, находящейся вдали от термодинамического равновесия. Их использование позволяет оптимизировать процессы путем доведения их до самоорганизующихся. Эти возможности связаны с тем, что при воздействии на. металл КПЭ (струи плазмы, лазерные, электронные и другие лучи) теплофизические процессы, происходящие в нем, целиком определяются температурным полем [571]. Однако вид пространственно-временной структуры при воздействии КПЗ зависит от технологических параметров. Самоорганизующиеся процессы отвечают условиям воздействия, при которых переходы устойчивость—неустойчивость—устойчивость определяются внутренними динамическими взаимодействиями между подсистемами, контролируемыми автоколебаниями. Последние относятся, как известно, к нелинейным процессам. Существенной особенностью воздействия внешней периодической силы на автоколебательную систему является существование областей синхронизации автоколебаний внеигаим периодическим сигналом. [c.359]

Для решения таких многокритериальных задач можно использовать подход, развитый в теории исследования операций и основанный на так называемом свертывании критериев [1]. Этот подход основан на том, что многокритериальность в сложных системах, подчиненных глобальной цели, возникает вследствие наличия неопределенных и неконтролируемых факторов, влияющих на процесс управления. Следствием неопределенности ситуаций, вызываемых наличием неопределенных и неконтролируемых факторов, является невозможность составления полной математической модели системы, описания взаимодействия между подсистемами и составления единого критерия цели или эффективности управления. Вместо этого появляется вектор-функция [c.11]

Для создания глобальных команд, обеспечивающих взаимодействие между подсистемами, пользователь может включить команды в супервизор и задать их конкретной подсистеме. Файл глобальных команд , показанный на рис. 6, содержит имена глобальных команд, которые будут отрабатываться данной подсистемой. Каждая подсистема имеет свой собственный файл. Когда пользователь задает командную строку, вначале ведется поиск именно глобальных команд, так что пользователь может переопределить любую команду пддсистемы с помощью задания соответствующей глобальной команды.. Когда глобальная команда найдена, управление передается супервизору для выполнения последовательности действий, связанных с данной командой. [c.200]

Но когда параметры подсистем не фиксированы, как это и бывает в действительности, подобной мультипликативности у числа микросостояний, вообще говоря, не существует. Потому что, если возможны больщие флуктуации, то подсистемы не могут изменять свои состояния совсем независимо друг от друга, даже если взаимодействие между ними слабо. Когда одна частица газа, например, получит всю его энергию, остальные не смогут двигаться как хотят. Они обязаны будут остановиться [c.52]

Внедренные атомы являются точечными дефектами кристаллической решетки металла, вызывающими ее деформацию. Такая деформация, в частности, может иметь характер тетрагональных искажений, существенных для понимания свойств мартенситных фаз. Поля деформаций вызывают появление сил деформационного взаимодействия между внедренными атомами, важного для понимания ряда яв.лепий, происходящих в сплавах внедрения. В главе I, имеющей вводный характер, даетСуЧ обзор теорий точечных дефеютов кристаллической решетки металлов и сплавов, который мон ет иметь и самостоятельный интерес для специалистов, работающих в области физики неидеальных кристаллов. Точечные дефекты рассматриваются в рамках различных моделей (изотропный и анизотропный континуум, атомная модель, учет электронной подсистемы), причем эти модели применяются для определения смещений и объемных изменени1Г в кристалле, вызванных появлением дефекта, энергии дефекта, а также взаимодействия между точечными дефектами, приводящего к образованию их комплексов. [c.7]

Возникло новое направление теории дефектов — моделирование их на быстроде11ствующих ЭВМ ). Идея этого метода заключается в том, что рассматривается небольшая область кристалла — некоторый кристаллит, содержащий обычно от 500 до 5000 атомов. Предполагается, что атомы взаимодействуют между собой и машине задается зависимость потенциала межатомного взаимодействия от расстояния между ними. Обычно для этого выбирается экранированный кулоновский потенциал, потенциал Борна — Майера, Морзе, а также различные их комбинации. Для учета обусловленных электронами проводимости сил связи может быть задано эквивалентное давление на поверхность кристаллита. Таким образом, в этом методе хотя и принимаются во внимание, но явно не рассматриваются изменения в электронной подсистеме при появлении дефекта. Кроме того, следует учесть, что рассматриваемый кристаллит находится в бесконечном кристалле с такой же структурой. Это приводит к необходимости введения дополнительных сил, имитирующих действие окружающего кристалла, или к замене его упругой средой, в которую погружены атомы этой наружной области. [c.89]

ЭЛЕКТРбН-ФОНОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ—взаимодействие между двумя подсистемами квазичастиц в твёрдых телах, а именно, носителями заряда (блоховскими [c.585]

Система паротурбоагрегат — фундамент расчленяется на две подсистемы I) собственно валопровод 2) подсистему статор—фундамент (см. рис. 2). Связь между подсистемами осуществляется через масляную пленку подшипников, через аэродинамическое взаимодействие ротора и статора в проточной части турбин и электродинамическое взаимодействие ротора и статора генератора. При вынужденных колебаниях главное значение имеет взаимодействие через масляную пленку подшипников. Аэродинамическое взаимодействие необходимо учитывать при расчете устойчивости. [c.312]

При использовании этого метода систему можно расчпенить на oisejibHM простые под-систеиЫу попутать силы взаимодействия между ними, а затем определить внутренние силы в каждой подсистеме. [c.77]

Для оценки члена взаимодействия H sw заметим, что во взаимодействии между малой подсистемой S и внешним миром W могут принимать участие только те молекулы, которые располагаются в слое, или коридоре , толпщной Вд вдоль границы между S и W. Если размер подсистемы S порядка Rs, то ее объем имеет величину порядка R%, а объем коридора — величину порядка jR jRo- Из (4.3.6) в таком случае вытекает, что [c.137]

Поскольку Вд представляет собою характеристику самого парного потенциала взаимодействия, относительный вклад взаимодействия подбистем Дзрг можно сделать сколь угодно малым путем соответствующего выбора размера S, который должен быть достаточно большим по сравнению с радиусом действия парных сил. В частности, в термодинамическом пределе (4.3.3) это отношение обращается в нуль. Таким образом, мы приходим к заключению, что взаимодействие между рассматриваемой системой и внешним миром, которое физически весьма важно для обеспечения необходимого обмена энергией между указанными подсистемами, дает пренебрежимо малый вклад в полную энергию вселенной . Поэтому можно считать, что рассматриваемая система и внешний мир практически не связаны друг с другом [c.137]

Учтем теперь наличие взаимодействия между молекулами, в этом случае нельзя говорить об отдельных частицах и их состояниях, а нужно рассматривать всю систему в целом. Однако существует много задач, в которых взаимодействие между частями системы настолько слабо, что можно говорить (приближенно, но с достаточной точностью) о квантовых состояниях каждой отдельной части. Это могут быть молекулы или их группы, блоки макроскопических размеров и т. д. Назовем их квазинезависимыми подсистемами. Взаимодействие между ними проявляется только в том, что оно вынуждает подсистемы совершать переходы между допустимыми для них квантовыми состояниями. Описание микросостояния на квантовом языке состоит в перечислении квантовых состояний всех квазинезависимых подсистем, из которых состоит система. [c.28]

Разделим систему на части, слабо взаимодействующие между собой. При определенных условиях это могут быть отдельные атомы или молекулы или подсистемы, содержащие большое число микрочастиц. Важно, чтобы выделенные подсистемы были квазинезависимыми, т. е. энергия их взаимодействия в среднем была мала по сравнению с энергией отдельной подсистемы. Иными словами, должно выполняться условие (4.4), необходимое для применения статистического метода. [c.35]

Статистическая система состоит из огромного числа квазинезави-симых подсистем, слабо взаимодействующих между собой. Система рассматривается как замкнутая, подсистемы — как квазизамкнутые. [c.53]

Изложим сначала микроскопическую схему, представляющую процесс самоорганизации. С этой целью рассмотрим систему, состоящую из бозонного и фермионного газов, взаимодействие между которыми характеризуется потенциалом v. В представлении вторичного квантования бозонам отвечают операторы b ,bi, удовлетворяющие коммутационному соотношению [ЬьЬт] = 6im, где 1,т — номера узлов. Двухуровневая фермионная подсистема представляется операторами а , fa, а = 1,2, для которых выполняется антикоммутационное соотношение й1а,о-т1з) - Распределение бозонов определяется числами за- [c.91]

При поглощении фотона в кристалле полупроводника образуется пара квазичастиц — электрон в зоне проводимости и дырка в валентной зоне. Обратный переход электронов из зоны проводимости в валентную зону осуществляется за счёт электронно-дырочной рекомбинации свободных носителей одного типа со связанными носителями противоположного типа. Взаимодействие электронов и дырок с диссипативной подсистемой фононов колебаний решетки кристалла изменяет состояния электронов и дырок, так что они не могут сразу же после образования аннигилировать с испусканием поглощенного фотона. В этом случае энергия взаимодействия между электронами и дырками обусловлена электростатическим взаимодействием заряженных частиц и отбор излишней энергии происходит согласно одному из следующих двух механизмов 1) осуществляется одним или более решёточным фононом 2) осуществляется посредством трёхчастичного [c.17]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...