Кристалл неидеальный

Неметаллические кристаллы, выращенные должным образом, могут проявлять все свойства идеального кристалла. В соответствии с этим обсуждение их теплопроводности делится на две части для идеальных и неидеальных кристаллов. [c.70]

ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ НЕИДЕАЛЬНЫХ КРИСТАЛЛОВ [c.109]

Теплопроводность неидеальных кристаллов [c.111]

Теплопроводность неидеальнЫх кристаллов [c.127]

Другая причина — неидеальность структуры твердых тел существование различного рода дефектов (дислокаций) в кристаллах, внутренних напряжений различных масштабов в поликристаллических телах и кристаллах. [c.287]

Последовательная микроскопическая теория решеточной теплопроводности при ФП, охватывающая все существенные особенности процессов этого рода, еще не создана. М. А. Кривоглазом [3] рассмотрена теплопроводность неидеальных кристаллов, закаленных от критической точки на кривой распада, или ФП второго рода. Кавасаки [4] и Штерн [5] получили выражение теплопроводности при магнитном переходе. Результаты этих работ будут освещены. [c.44]

Последняя важная задача применения общей теории симметрии к структурам алмаза и каменной соли рассмотрена в гл. 13—15. Как пояснялось в предыдущем параграфе, мы преследуем здесь двойную цель проиллюстрировать применение теории на важных и распространенных системах, а также дать достаточно ясное обсуждение, чтобы читатель мог научиться применять теорию к любой другой системе, выбранной им самим. В гл. 15 рассматриваются неидеальные кристаллы с точечными дефектами, причем особое внимание уделено тем оптическим свойствам, которые обусловлены симметрией. И в этом случае теория применяется к рассмотрению кристаллов со структурой алмаза и каменной соли. [c.22]

Теоретический предел упругости ) всех кристаллов имеет порядок одной десятой модуля сдвига ( а/10). В таких условиях деформация требовала бы столь высоких напряжений, что была бы практически нереализуемой в мире идеальных кристаллов была бы невозможна металлургия и пластическая тектоника. Конечно, в действительности это не так, и сравнительная легкость, с которой деформируются реальные кристаллы, объясняется тем, что они деформируются не целиком, а постепенно. Эта точка зрения согласуется с представлением о пластичности как о медленном процессе течения, требующем меньших энергетических затрат. Реальные кристаллы неидеальны и содержат дефекты, в которых локально нарушается периодичность решетки. Некоторые из наиболее важных дефектов являются потенциальными носителями деформации их перемещение в поЛе напряжений вызывает элементарную деформацию (так сказать, квант деформации) в том смысле, что приложенным силам приходится совершать механическую работу. В принципе, если нам известны величины квантов деформации, соответствующих данному дефекту (т. е, их напряженности), концентрация дефектов и их скорости, то мы можем получить микроскопическое определяющее соотношение, (типа закона Ома для электрического тока) поток деформации=концентрации носителейХнапряженностьХскорость. Принимается следующая классцфакаДйл дефектов [c.52]

Ошибки измерения. Точность параметрического фотонометра будет зависеть от ряда факторов. Прежде всего, на индикатор может действовать фоновое изотропное излучение из-за фотолюминесценции кристалла, неидеальной фильтрации накачки, некогерентного параметрического и рамановского рассеяния и т. д. Однако определить уровень этого изотропного неполяризованного фона можно достаточно точно благодаря острой направленности (при малом интервале измеряемых длин волн) и полной поляризации полезного сигнала. Влияние неидеальной прозрачности кристалла также поддается достаточно точному учету ( 6.6). [c.203]

При описании дефектов стали считать положения частиц в узлах кристаллической решетки правильными, а в междоузлиях - неправильными или дефектными. В связи с этим для описания кристаллических веществ пришлось ввести два фундал<ентальных понятия - понятие пространственной решетки - геометрического построения, помогающего выявить законы симметрии или наборы симметричных преобразований кристаллической структуры, и понятие структуры кристалла - конкретного расположения частиц в пространстве [88]. Таким образом узаконивался факт неидеальности кристаллической структуры вещества в целом. [c.193]

Внедренные атомы являются точечными дефектами кристаллической решетки металла, вызывающими ее деформацию. Такая деформация, в частности, может иметь характер тетрагональных искажений, существенных для понимания свойств мартенситных фаз. Поля деформаций вызывают появление сил деформационного взаимодействия между внедренными атомами, важного для понимания ряда яв.лепий, происходящих в сплавах внедрения. В главе I, имеющей вводный характер, даетСуЧ обзор теорий точечных дефеютов кристаллической решетки металлов и сплавов, который мон ет иметь и самостоятельный интерес для специалистов, работающих в области физики неидеальных кристаллов. Точечные дефекты рассматриваются в рамках различных моделей (изотропный и анизотропный континуум, атомная модель, учет электронной подсистемы), причем эти модели применяются для определения смещений и объемных изменени1Г в кристалле, вызванных появлением дефекта, энергии дефекта, а также взаимодействия между точечными дефектами, приводящего к образованию их комплексов. [c.7]

Нелинейные эффекты. В действительности колебания кристалла не являются строго гармоническими. Несмотря на малость ангармонкзма, при слабых возбуждениях нормальные колебания кристалла оказываются связанными друг с другом (фононы образуют неидеальный газ, т. е. взаимодействуют между собой), а закон дисперсии оказывается зависяш им от темп-ры. Наличие энгармонизма взаимодействие между фононами), в частности, объясняет тепловое расширение кристалла. [c.619]

Развитие пластич. деформации, связанное с перемещением Д., существенно определяется скоростью их движения (подвижностью) и интенсивностью образования (зарождения) подвижных Д. Подвижность Д. в предельно чистых и совершенных кристаллах зависит от характера сил межатомных связей, от взаимодействия с фононами и электронами проводимости (в металлах). Подвижность Д. в неидеальных кристаллах уменьшается за счёт их взаимодействия друг с другом и с др. дефектами, к-рое приводит к торможению или застопо-рению движущихся Д. и вызывает упрочнение кристалла при деформировании. Но оно же приводит к возникновению новых Д., без чего невозможно обеспечить значит. пластич. деформацию. Если бы новы Д. не рождались в кристалле, то пластич. деформация прекратилась бы после выхода па поверхность тола всех подвижных Д. При повышении внеш. напряжений интенсивность размножения Д. увеличивается, и ср. расстояния между Д. сокращаются. Возникает дислокационная структура, к рая либо полностью препятствует движению Д. тогда дальнейший рост нагрузки приводит к разрушению кристалла путём зарождения и распространения микротрещин), либо придаёт движению Д. кооперативный характер, обеспечивающий очень большие пластич. деформации (кристалл может перейти в состояние сверхпластичности). [c.638]

В неидеальных кристаллах закон сохранения квазиимпульса может не выполняться при элементарных процессах превращения магнонов, и поэтому могут происходить несобственные двухмагнонные процессы уничтожения маг-нона однородных колебаний и рождения вырожденного с ним (имеющего ту же частоту) магнона с кФй (рис. 4), Такие процессы можно назвать процессами рассеяния магнонов на неоднородностях. Неоднородностями могут являться химические неоднородности—флуктуации распределения ионов по узлам кристалла упоминавшиеся выше вариации направлений кристаллот рафич. осей в поликристаллах неоднородные упругие напряжения геометрические неоднородности— поры и шероховатости поверхности образцов. Последний вид неоднородностей играет большую роль в случае образцов из совершенных монокристаллов получение упоминавшихся выше малых значений ДЯ требует тщательной полировки поверхности образцов. [c.308]

Наиб, просты для анализа особенности (при Э. т. п.) термодинамич. характеристик. При 7=0 К в идеальном кристалле электроитя men.weMKo mb С, (точнее, отношение С,/Г) и сжимаемость дР/дУ (Р—электронное давление) имеют сингулярные добавки, отличные от нуля с одной стороны от точки перехода и зависящие от дробной степени г , а добавка к коэф. теплового расширения дУ/дТ (У— объём) с одной стороны от перехода обращается в бесконечность как г При Г>0 К или в неидеальном кристалле эти особенности размываются, изломы в теплоёмкости и сжимаемости сглаживаются, а бесконечный скачок в коэф. теплового расширения становится конечным. [c.583]

Оказывается, что с хорошей точностью для кристалла с абсолютно шероховатыми поверхностями можно сложить скорость релаксации при рассеянии на границах и скорости релаксации резистивных процессов, происходящих в объеме. Для кристалла с гладкими поверхностями эквивалентная скорость релаксации зависит от частоты. В обоих случаях характер интеграла в формуле для теплопроводности таков, что общее тепловое сопротивление нельзя рассматривать как сумму сопротивления на границах и сопротивления вследствие дефектов [хотя тепловые сопротивления при доминирующих N-пpoцe ax, вообще говоря, складываются для тепловых сопротивлений, обусловленных рассеянием на границах и доминирующими К-процессами, это правило уже не справедливо (см. 3 настоящей главы)]. Андерсон и Смит [7] нашли поразительное доказательство такой неаддитивности, сравнив теплопроводности неидеальных кристаллов с шероховатыми и гладкими поверхностями. [c.101]

Пластины (в частности, тонкие полупроводниковые монокристаллы) характеризуются, как правило, некоторыми отклонениями от идеальной плоскопараллельной формы, что обусловлено особенностями процессов резки, шлифовки и полировки пластин, а также сложностью контроля геометрических параметров в ходе технологического процесса (контроль после окончания процесса только фиксирует наличие и степень неидеальности, но повторная обработка пластин с целью устранить эту неидсальность практически никогда не проводится). Различные отклонения от идеальной формы по-разному влияют на результат взаимодействия света с пластиной. Например, при взаимодействии лазерного пучка с пластиной тонкого полупроводникового монокристалла происходит интерференция света, но ее проявление в проходяш,ем и отраженном пучках может соответствовать любой из возможностей, ограниченных предельными случаями (от интерференции в идеальной пластине до вырожденного режима многократных отражений без интерференции). В пределах плош,ади одного кристалла диаметром 75-Ь150 мм иногда проявляется полный спектр возможностей. Поэтому правильность интерпретации результатов лазерного зондирования зависит от знания геометрических свойств пластины. Неучет геометрических особенностей пластин иногда приводит к обнаружению фиктивных микро- и макрообъектов в монокристаллах (например, областей аномального поглош,ения света, волнообразного распределения примесей и т.д.). [c.58]

М. А. Кривоглаз, Диффузное рассеяние рентгеновских лучей и нейтронов, на флуктуационных неоднородностях в неидеальных кристаллах (Киев На-укова Думка, 1984), [c.327]

Книга построена следующим образом. В 1—65 описываются структура, неприводимые представления и коэффициенты Клебша — Гордана для кристаллических пространственных-групп. В 66—ПО теория кристаллической симметрии с учетом сопредставлений применяется к классической динамике решетки. В 111—118 и в т. 2, 1—6 приводится квантовая теория колебаний кристаллической решетку и теория инфракрасного поглощения и комбинационного рассеяния света. Здесь же в общем виде показана полезность применения теоретико-группового анализа к задачам такого типа. Наконец, в т. 2, 7—36 дается детальное применение общей теории к оптическим спектрам инфракрасного поглощения и комбинационного рассеяния света для диэлектриков со структурой алмаза и каменной соли (пространственные группы 0 и 0 ). Даны примеры идеальных и неидеальных кристаллов обоих типов. [c.10]

Анализ систем с нарушенной симметрией по крайней мере столь же сложен, как проведенное выше изучение максимальной пространственно-временнбй симметрии. В частности, при этом необходимо рассмотреть каждый аспект теории групп, динамики решетки и оптических свойств неидеальных кристаллов и, если возможно, установить взаимосвязь с теми же аспектами теории идеального кристалла таким путем можно установить, что в благоприятных условиях (например, при наличии изолированных точечных дефектов или при однородном напряжении) неидеальный кристалл отображает свойства идеального. Однако такой подробный анализ выходит за рамки данной книги. [c.223]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...