Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Описание структуры кристаллов

Глава 1. ОПИСАНИЕ СТРУКТУРЫ КРИСТАЛЛОВ  [c.15]

Зная лишь структуру твердого кристалла, можно уже довольно много сказать и о его свойствах. Поэтому мы начнем изложение некоторых методов описания структуры кристаллов. При этом будут введены часто встречающиеся в физике твердого тела понятия и термины, многие из которых оказываются полезными и при изучении систем с гораздо более сложной структурой.  [c.16]

Описание структуры кристаллов  [c.441]

Строение и дефекты твердых тел. Кристаллическая решетка — это присущее кристаллическому состоянию вещества регулярное расположение частиц (атомов, ионов, молекул), характеризующееся периодической повторяемостью, в трех измерениях. Полное описание кристаллической решетки дается пространственной группой, параметрами элементарной ячейки, координатами атомов в ячейке. В этом смысле понятие кристаллической решетки эквивалентно понятию атомарной структуры кристалла. Русский ученый Е. С. Федоров почти на 40 лет раньше, чем были найдены методы рентгеноструктурного анализа, рассчитал возможные расположения частиц в кристаллических решетках различных веществ. Он подразделил кристаллы на 32 класса симметрии, объединяющих 230 возможных пространственных групп. Кристаллы могут различаться по двойному лучепреломлению, по пьезо- и пироэлектрическим свойствам, образованию адсорбционных центров, работе выхода электронов и т. п.  [c.11]


Рассмотрим более подробно внутреннюю структуру кристаллов. Для ее описания удобно воспользоваться понятием кристаллической решетки. Различают простые решетки (решетки Бравэ) и решетки с базисом.  [c.12]

Из числа различных групп симметрии, используемых для описания кристаллов, важнейшие С ) (пространственные группы, описывающие атомную структуру кристалла) и (точечные группы, описывающие внешнюю форму кристаллов, их всего 32 группы (см. табл. Д.1), которые иначе называют кристаллографическими классами).  [c.610]

Роль пространственных групп симметрии кристаллов. Пространственные группы симметрии кристаллов— основа теоретич. кристаллографии, дифракционных и иных методов определения атомной структуры кристаллов и описания кристаллич. структур.  [c.514]

Кристаллическими называют твердые вещества, в которых атомы расположены в пространстве в строго определенном порядке. Все металлы являются кристаллическими веществами. Для описания кристаллической структуры металлов пользуются понятием кристаллической решетки. Кристаллическая решетка - это воображаемая пространственная сетка, в узлах которой расположены атомы. Наименьшая часть кристаллической решетки, определяющая структуру металла, называется элементарной кристаллической ячейкой. Элементарная ячейка повторяется во всех трех измерениях и полностью характеризует структуру кристалла.  [c.9]

Следующим приближением к описанию внутренней структуры кристаллов являются пространственные (или федоровские) группы — совокупности элементов симметрии, действующих на систему трансляций или на ячейку Бравэ (элементы симметрии дисконтинуума— пп. 5—7 в табл. 5.1). Всего получается 230 пространственных групп (Пр.гр.). Символ Пр. гр. включает символ ячейки Бравэ и далее символы осей симметрии или нормалей к плоскостям симметрии вдоль так называемых главных трансляционных направлений, которые для разных сингоний выбираются по-разному, а именно для кубической [001], [111], [ПО] для гексагональной, тетрагональной, ромбоэдрической [001], [010], [110] для ромбической [001], [010], [100] для моноклинной [010] в триклинной СИНГОНИЙ нет осей симметрии или плоскостей симметрии.  [c.101]

Большинство конструкционных материалов состоит из множества нерегулярно расположенных мелких кристаллов (поли-кристаллические тела). Таковы, например, металлы и их сплавы. В лучшем случае при описании структуры таких тел можно надеяться на определение функций распределения кристаллов по величине, форме, расположению и т. д., на определение места расположения и размера наиболее крупных кристаллов или дефектов типа трещин, дислокаций, инородных включений и т. п.  [c.26]


Описанные свойства дислокаций и изменения, вносимые их присутствием в свойства кристаллов, послужили основой для разработки экспериментальных методов наблюдения дислокаций. Представления о дислокациях в кристаллах и их теоретическое изучение интенсивно развивались в период (1Й4— 1950 гг.), предшествующий непосредственному наблюдению дислокаций (начиная с 1953 г.), это создало благоприятные условия для экспериментаторов. Предсказания теории дислокаций во всех деталях были подтверждены при их экспериментальном наблюдении — случай довольно редкий в истории физики. В настоящее время экспериментальное изучение дислокационных структур кристаллов различных типов идет широким фронтом. Ниже приводятся иллюстрации, показывающие возможности некоторых разработанных к настоящему времени экспериментальных методов [2, 9, 10, 20].  [c.448]

Непосредственное наблюдение дислокационной структуры кристаллов описанными методами показало, что отожженные монокристаллы имеют (в зависимости от типа кристалла и условий отжига) плотность дислокаций от 10 до Ш см/см .  [c.454]

В первой части (гл. 1—11) освещены известные, классические представления о строении кристаллов и. их свойствах. Изложены основные положения о симметрии кристаллов и о типах кристаллических решеток. Далее автор переходит к описанию термических и калорических свойств кристаллов и квантовомеханическому расчету теплоемкости кристаллов по Эйнштейну и Дебаю. В книге подробно развит термодинамический метод анализа важнейших свойств кристаллов, в особенности, для определения условий фазовых равновесий и полиморфных превращений. Последовательная термодинамическая трактовка проходит через все разделы книги и составляет в известном смысле ее логический стержень. Наряду с термодинамическими расчетами в ряде случаев используются методы, основанные на приближенной оценке межатомных взаимодействий. В этих главах сообщаются также элементарные сведения о кинетических закономерностях важнейших процессов, происходящих в кристаллах, в том числе—о процессах диффузии. Наконец, дается представление о реальной структуре кристаллов и о видах структурных дефектов.  [c.11]

Расплавы. Структура кристаллов с простым строением изучена достаточно глубоко. Изучение структуры расплавов гораздо сложнее. Теоретически анализ структуры расплавов провести значительно труднее, чем анализ строения кристаллов. К. описанию структуры расплавов можно в принципе подходить с двух различных позиций, рассматривая два способа их образования  [c.193]

Рассмотрим неустойчивость регулярной структуры кристалла в процессе продолжающейся деформации, использовав механизм неустойчивости, описанный в наших работах [30—32]. Попытаемся использовать при этом кинетические уравнения (3.49) (стационарному состоянию соответствует четко выраженная субструктура типа ячеистой, см. рис. 3.5, а).  [c.91]

Необходимо, однако, отметить, что роль вторичных кристаллов очень велика там, где они сосуществуют только с твердым раствором. При дальнейшем повышении концентрации, когда образуется эвтектика, уже имеющая значительное количество того же компонента, который выделяется при вторичной кристаллизации, и тем более в заэвтектических сплавах, где имеются еще и первичные кристаллы того же компонента, который выделяется при вторичной кристаллизации, — роль вторичных кристаллов становится менее значительной. Кроме того, чем больше эвтектики (и особенно в заэвтектических сплавах), тем труднее обнаружить при микроскопическом исследовании вторичные кристаллы, так как они сливаются с одноименной фазой в самой эвтектике и с первичными кристаллами этой же фазы. Поэтому очень часто при описании структур областей, в которые входит эвтектика, наличие вторичных кристаллов не отмечают, т. е. считают их слившимися с эвтектикой.  [c.63]

Для описания кристаллической структуры веществ используются представления о трехмерной пространственной кристаллической решетке. Между структурой и решеткой имеется геометрическое и размерное соответствие, которое проявляется в том, что совмещение любого одного узла пространственной решетки с центром атома (иона, молекулы) кристаллической структуры при соответствующей ориентации решетки обеспечивает совмещение всех ее узлов с центрами всех других идентичных атомов. Следует различать понятие структура кристалла и пространственная решетка. Структура - это физическая реальность, а пространственная решетка- геометрическое построение, помогающее выявить законы симметрии структуры кристалла. Симметрия является очень важным геометрическим свойством твердых тел.  [c.15]


Для описания кристаллических структур был создан специальный символический язык. Человеку, изучившему этот кристаллографический язык, легко восстановить структуру кристалла по нескольким символам. Здесь будет изложен ряд простых идей, положенных в основу создания этого языка. Этих идей будет достаточно для геометрического описания простых кристаллических структур.  [c.20]

Конечно, описанный эффект оттеснения уровней является просто удобной наглядной моделью для понимания процессов формирования зонной структуры кристалла. К сожалению, такая  [c.148]

Легче всего наглядно представить себе такие точечные дефекты, как отсутствующие ионы (вакансии), избыточные (междоузельные) ионы или же ионы другого типа (примеси замещения). Не столь очевиден случай, когда ион в идеальном кристалле отличается от своих соседей только возбуждением электронного состояния. Такой дефект называется экситоном Френкеля. Поскольку в возбужденном состоянии может находиться любой ион, а между внешними электронными оболочками ионов имеется сильное взаимодействие, энергия возбуждения может в реальной ситуации передаваться от одного иона к другому. Следовательно, перемещение экситона Френкеля по кристаллу не связано с изменением положения ионов, поэтому он (как и полярон) имеет гораздо большую подвижность, чем вакансии, междоузельные атомы и примеси замещения. В большинстве задач вообще не имеет смысла считать экситон локализованным. При более строгом описании электронную структуру кристалла, содержащего экситон, представляют как суперпозицию квантовомеханических состояний, в которой возбуждение с равной вероятностью может быть отнесено к любому иону в кристалле. Последний подход связан с представлением  [c.244]

При традиционном описании процесса пластической деформации исходят из того, что существующие в кристаллах системы скольжения позволяют обеспечить его формирование без разрушения сплошности. В.Е. Паниным и др. [11] было доказано, что пластическое течение происходит одновременно на нескольких уровнях, причем трансляция на одном уровне обязательно сопровождается поворотом на более высоком уровне, и наоборот. Принципиально важным в этом подходе является то, что любое нарушение структуры кристалла при подводе к нему внешней энергии рассматривается с позиции самоорганизации локальных структур, обусловленной энтропийными эффектами. Вторичные структуры, формирующиеся в деформируемом кристалле при достижении необходимого уровня возбуждения, представляют совокупность локальных структур - от дефектов типа точечных или линейных до аморфного состояния, возникающего при высокой плотности дефектов. Таким образом, при анализе пластической деформации кристаллов необходимо учитывать кооперативное взаимодействие трансляции, ответственной за изменение формы (дисторсии), и ротации, ответственной за изменение объема (дилатации). При этом важную роль в распространении скольжения играют границы зерен. Эволюция скольжения включает образование полос скольжения на начальных этапах пластической деформации, которые потом трансформируются в полосы микроскопического сдвига, что приводит к возникновению зоны локализованной макропластической деформации, проходящей через весь объем. Переход от одного масштабного уровня (микрополосы) к другому (макротюлосы) являет собой неустойчивость пластической деформации, предопределяющую шейко-образование. Он характеризуется тем, что шменяются элементарные носители деформации - дислокации сменяются дисклинациями. Дисклинации являются более энергоемкими дефектами, чем дислокации, что позволяет системе про-  [c.241]

При описании дефектов стали считать положения частиц в узлах кристаллической решетки правильными, а в междоузлиях - неправильными или дефектными. В связи с этим для описания кристаллических веществ пришлось ввести два фундал<ентальных понятия - понятие пространственной решетки - геометрического построения, помогающего выявить законы симметрии или наборы симметричных преобразований кристаллической структуры, и понятие структуры кристалла - конкретного расположения частиц в пространстве [88]. Таким образом узаконивался факт неидеальности кристаллической структуры вещества в целом.  [c.193]

Кратко суммируя эти достижения, можно отметить, что в основе современных описаний структуры таких границ зерен лежит концепция решетки мест совпадения [155, 156], в соответствии с которой в двух произвольно ориентированных кристаллах может быть выбрана сверхрешетка таким образом, чтобы атомы обоих кристаллов находились в ее узлах. Характерным дискретным углам поворота соответствует определенная плотность узлов совпадения, т. е. их доля по отношению ко всем атомам решетки кристалла. Для характеристики решетки совпадения обычно используют не плотность узлов совпадения, а обратную ей величину Е — число атомов решетки кристалла, приходящихся на один узел совпадения в общей сверхрешетке. При некоторых разори-ентировках соседних зерен совпадающие узлы встречаются сравнительно часто и для них значения II относительно малы. Такие разориентировки называют специальными. В качестве критерия близости к специальным ориентировкам часто применяют значе-  [c.87]

Предпринимались разные попытки выявить характерные атомные конфигурации в зернограничной структуре, но пути решения этого вопроса удалось найти используя результаты геометрического анализа [164] и моделирования на ЭВМ [165-167], которые позволили выявить те кирпичики , из которых построена любая граница. Оказалось, что существует строго ограниченный набор координационных многогранников, по вершинам которых могут располагаться атомы в границе зерен. Эти многогранники совпадают с берналовскими полиэдрами, предложенными для описания структуры жидкостей и аморфных тел. В работе [168] показано, что многогранники можно разбить на тетраэдры и октаэдры, т. в. на основные элементы, характерные для кристаллической структуры металлов, однако искажения этих тетраэдров и октаэдров по сравнению с правильными формами довольно велики. В отличие от структуры аморфных тел, где атомные полиэдры расположены неупорядочено, в границе полиэдры располагаются в один слой, для них имеются жесткие граничные условия, обусловленные периодичностью кристаллов по обе стороны границы, что приводит к строго упорядоченному построению атомных групп в структуре границ. Упорядоченность структуры характерна для всех границ зерен.  [c.89]


Ш (т. и. шубниковскме группы) ивляются асимметричным расширением обычных фёдоровских пространств. групп С =Ф, описывающих атомную структуру кристаллов. Групп 6 а всего 1651. Из них 1421 (креме серых ) применяются, в частности, для описания расположения спинов атомов в кристаллах, обладающих магн. Boii TBaMH. А. является одним из обобщений  [c.107]

Как правило, И. к. являются диэлектриками, они прозрачны в видимой и МК-областях. Наблюдающаяся иногда окраска И. к. обусловлена присутствием катионов редкоземельных или переходных металлов. Упругие модули и прозрачность И. к. тем выше, чем выше доля ковалеитпой составляющей связи. Для описания структуры И. к. разработаны детальные системы кристалло-хим. радиусов (см. Атом шй радиус).  [c.203]

Понятие К. ч. применяется и при описании структуры аморфных тел и жидкостей. В этом случае оно является статистическим, поэтому К. ч. может ока-.заться не целым. Для жидкостей К. ч.— мера ближнего порядка по тому, насколько К. ч. жидкости близко к К. ч. кристалла, судят о близости её структуры к структуре кристалла.  [c.461]

Др. обобщение симметрии — симметрия подобия, когда равенство частей фигуры заменяется их подобием (рис. 10), криволинейная симметрия, статистич. симметрия, вводимая при описании структуры разу-порндоченных кристаллов, твёрдых растворов, жидких кристаллов и др.  [c.515]

Териин аморфное состояние, как и термин к р и-сталлическое состояние, предполагает широкий спектр различных структур, возникающих в зависимости от способа получения, химического состава и последующей обработки. К настоящему времени предложен ряд структурных моделей аморфных сплавов, которые можно разделить на две большие группы. Первая группа моделей основывается на квазижидкостном описании структуры с помощью непрерывной сетки хаотически расположенных плотноупакованиых атомов, вторая — на квазикристалл ическом описании структуры, т. е. с помощью кристаллов, содержащих высокую плотность дефектов различного типа (дислокаций, дисклинаций, границ зерен).  [c.161]

Электронный антиферромагнитный резонанс (ЭАФР) — электронный резонанс в антиферро.магнетиках......явление избирательного резонансного поглощения энергии электромагнитных волн, наблюдаемые при частотах, близких к собственным частотам прецессии магнитных моментов магнитных подрешеток антиферромагнетика [13.21 ]. Особенность ЭАФР является введение понятия магнитная под р е ш е т к а для описания магнитной структуры кристалла, обладающего атомным магнитным порядком. При Яо = О прецессия магнитных моментов двух подрешеток /i, /а происходит во внутренних эффективных полях магнитной анизотропии Яа, направленных вдоль естественной оси антиферромагнетизма (рис. 3.9). Частоты резонанса для подрешеток зависят как от величины эффективного поля обменных сил (молекулярного поля Вейса) Н , так и от // , удерживающего вектора / , /jj вдоль оси г Для обычных в аитиферро-190  [c.190]

Тот факт, что модификаторы воздействуют на измельчение структуры слитка более интенсивно при низкотемпературной разливке, можно связать не только с температурой дезактивации нерастворимых примесей, но и с особенностями структуры жидкости. В слабо перегретом расплаве, благодаря большей упорядоченности и длительности жизни микрогруппировок, адсорбция модифицирующих атомов может проходить активнее, чем при значительном перегреве расплава. В условиях, когда структура ближнего порядка жидкости наиболее сходна со структурой кристалла, при благоприятном соотношении сил межатомной связи чужеродные атомы, встраиваясь в координационную сферу, способствуют подготовке микрогруппировок к образованию зароды-щей в переохлажденном расплаве. О подобном механизме свидетельствуют описанные в гл. I данные о различном влиянии ионов Н, К и Na на собственную структуру воды вблизи температуры кристаллизации. Адсорбг-ция чужеродных атомов уже при малых переохлаждениях должна активизироваться в результате увеличения  [c.167]

Существует тесная связь между доменной структурой кристаллов KNbOs и их общим совершенством. В кристаллах высокого качества, выращенных при правильно выбранных режимах кристаллизации и составе исходного расплава, встречаются только 90°-ные и 180°-ные домены. При этом первые, как правило, имеют сравнительно большую толщину (до десятков микронов) и проходят через все сечение кристалла. Их стенки обычно оказываются параллельными направлению роста кристалла. Домены с 60°(120°)-ными стенками или двойники описанного выше типа в них полностью отсутствуют. В работе L63] по-  [c.28]

Если имеется несколько типов дефектов, энергетические уровни которых находятся в запрещенной зоне на разной г,чубине, на зависимости j L ) обнаруживаются несколько вертикальных участков, каждый из которых позволяет определить как концентрацию, так и глубину залегания соответствующих уровней. Если же энергетические уровни распределены в некотором интервале в запрещенной зоне, то участок 3 на рис. 2.3,а будет иметь вид не вертикальной, а пологой линии, по углу наклона которой можно найти функцию распределения уровней прилипания по энергиям. Данные об энергетических характеристиках дефектов важны при разработке новых диэлектрических и полупроводниковых материалов, предназначенных для использования в приборах электронной техники. Описанная выше методика по сравнительно несложны.м электрическим измерениям позволяет судить о микроскопической структуре кристаллов [9].  [c.49]

Описанная картина показывает, насколько деликатной и ответственной операцией для получения идеального кристалла ло мотиву, заданному центром кристаллизации, является элементарная операция вхождения и закрепления в структуре кристалла каждой его частицы. Хаотичность и массовость непрерывно протекающих и накладывающихся друг па друга эле-Л1ентарных актов кристаллизации и большая вероятность возникновения структурных нарушений и ошибок упаковки, обусловленных отступлениями от мотива структуры, затрудняют выращивание совершенных кристаллов.  [c.100]

В основе современных описаний структуры границ зерен лежит концепция решетки мест совпадения (см. [97, 98] , в соответствии с которой в двух произвольно ориентированных кристаллах может быть выбрана сверхрешетка таким образом, чтобы атомы обоих кристаллов находились в ее узлах. Характерным дискретным углам поворота соответствует определенная плотность узлов совпадения, т. е. их доля по отношению ко всем атомам решетки кристалла. Для характеристики решетки совпадения обычно используют не плотность узлов совпадения, а обратную ее величину S —число атомов решетки кристалла, приходящихся на один узел совпадения в общей сверхрешетке. При некоторых разориентиров-ках соседних зерен совпадающие узлы встречаются сравнительно часто и для них значения S относительно малы. Такие разориенти-ровки называют специальными. В качестве критерия близости к специальным ориентировкам обычно принимают значения S<25. Специальным разориентировкам зерен соответствуют так называемые специальные границы, изучение которых представляет особый интерес, поскольку, как показывают наблюдения, они обладают наиболее совершенной структурой и проявляют особые свойства. Так, на кривой зависимости энергии границ от разориентировки соседних зерен специальным углам отвечают провалы энергии (рис. 26). Границы с малым S отличаются обычно малой подвижностью, малым значением коэффициента зернограничной диффузии и другими особыми свойствами [148, 151, 152].  [c.77]

Сделаем одну терминологическую оговорку. Часто говорят структура стали состоит из перлита и феррита . Это выражение не совсем точно каждая сталь, как и всякое кристаллическое тело, состоит из зерен (кристаллов). Поэтому правильнее сказать так структура стали состоит из зерен перлита и зерен феррита . Если же условиться под ферритом понимать не только определенную фазу, но и совокупность всех зерен феррита в структуре стали, а под перлитом понимать не только структурную составляющую, но и совокупность всех зерен перлита в структуре стали, то в этом случае можно при описании структуры стали опускать слово зерна . Условившись об этом, мы в дальнейшем гюзволим себе говорить сокращенно так структура стали состоит из перлита и феррита .  [c.30]


Так как первые определения ориентировки монокристаллов [14] частично противоречили развиваемым представлениям о структуре цементита, было проведено детальное рентгенографическое исследование цементита, выделенного из сплавов, указанных в табл. 2. Порошки цементита получали по методике, описанной в работе [22]. Образцы подвергали анодному растворению в 0,3-ц. растворе НС1 при плотности тока 0,02 а см , а также измельчали кристаллы, извлеченные из усадочных раковин опытных слитков. Рентгеносъемку порошков производили в хромовом излучении по схеме на отражение с ионизационной регистрацией на УРС-50И. Периоды решетки рассчитывали по линиям (233), (025), (313). Интересно отметить существенное уменьшение параметра Ь с увеличением содержания Мп в сплаве в то время как в безмарганцевом цементите а = 0,4518, Ь = 0,50897 и с = 0,67337, в цементите сплава, содержащего 5% Мп, а — 0,4504, Ь 0,5072 и с 0,6712 нм. Этот факт объясним, так как добавка Мп, обладающего большим, чем железо, сродством к углероду и концентрирующегося преимущественно в цементите [22], должна приводить к усилению ковалентных связей в тетраэдрических цепочках и вызывать стягивание цепочек. Указанное обстоятельство следует иметь в виду и при оценке отмеченного выше влияния Мп на тонкую структуру кристаллов цементита.  [c.176]

В главах 2—7 и 9 излагается теория пространственных групп. В гл. 2 дается описание структуры кристаллических пространственных групп как групп симметрии трехмерного пространства кристалла. Особое внимание уделяется математической структуре кристаллических пространственных групп. Мы не приводим полного описания 230 пространственных групп, так как оно вместе с иллюстрациями имеется в литературе. В гл. 3 дается обзор стандартного материала по теории представлений конечных групп. Хотя этот материал широко известен, он необходим нам как основа для изложения теории представлений пространственных групп. В гл. 4 излагается теория представлений группы трансляций Неприводимые представления групп трансляций кристалла играют центральную роль в теории, поэтому важно рассмотреть их надлежащим образом, а также правильно ввести понятие первой зоны Бриллюэна. Далее в гл. 5 дается детальный вывод построения и свойств неприводимых предста влений и векторных пространств кристаллической пространственной группы . Этот материал оказывается центральным для характеристики собственных функций и собственных значений при их классификации по симметрии. Рассмотрение в главах 6 и 7 посвящено определению коэффициентов приведения для пространственных групп. Эти коэффициенты приведения являются основными входящими в рассмотрение величинами при определении правил отбора. С математической точки зрения они являются коэффициентами рядов Клебша — Гордана в разложении прямого произведения неприводимых представлений двух пространственных групп.  [c.19]

Теоретические предпосылки для анализа кристаллического расщепления термов имеются [10]. Многочисленные теоретические работы, базирующиеся в основном на классической работе Бете (1929), позволяют рассчитывать картину кристаллического расщепления с различной степенью приближения. Однако даже тогда, когда терм идентифицирован вполне надежно, а симметрия локального поля известна вполне достоверно, согласие теории с экспериментальными данными оставляет желать лучшего. По-видимому, лишь в незначительном числе наиболее простых случаев можно говорить об удовлетворительном теоретическом описании наблюдаемой структуры спектров. Как правило, уже число линий в отдельных группах существенно отличается от теоретически ожидаемого. Если структура кристалла не дает оснований для предположения о мно-готипности активаторных центров, для объяснения наблюдаемых в спектрах добавочных линий обычно, без особых оснований, говорят об электронно-колебательном их происхождении. Убедительность такого отождествления, как правило, бывает очень невелика, тем более, что надежные критерии для идентификации электронно-колебательных (вибронных) переходов отсутствуют. Вообще говоря, можно думать, что взаимодействие электронных и колебательных состояний ионов с 4 -электро-нами весьма слабо, хотя в ряде случаев спектроскопические проявления такого взаимодействия несомненны.  [c.90]

Полученные в рамках такой теории взаимосвязанные линейные электроупругие волны в объеме и на поверхности кристалла исследовались в 7.10 и 7.11 соответственно, простая нелинейная модель позволила продемонстрировать в 7.12 возможность описания структуры доменной стенки в кристалле сегнетоэлектрика электроупругими солитонными волнами. В заключение в 7.13 рассмотрен пример распространения линейных и нелинейных волн в керамике в связи с приложениями в технике с импульсной нагрузкой. Все содержание этой главы получено в результате исследований только двух последних десятилетий.  [c.434]


Смотреть страницы где упоминается термин Описание структуры кристаллов : [c.33]    [c.49]    [c.256]    [c.660]    [c.183]    [c.5]    [c.376]    [c.168]    [c.433]    [c.252]   
Смотреть главы в:

Пьезоэлектрические резонаторы на объемных и поверхностных акустических волнах  -> Описание структуры кристаллов



ПОИСК



Описание



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте