Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Антиферромагнитный резонанс

ФЕРРОМАГНИТНЫЙ И АНТИФЕРРОМАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНСЫ  [c.182]

Анализаторы структуры количественные 31 Антиферромагнитный резонанс 182 Атомная функция рассеяния 115 Атомный объем 288, 289 Аустенит остаточный 131  [c.348]

Анализаторы структуры 1 153 Антиферромагнитный резонанс 2 189 Атомная функция рассеяния 1 214 Атомы, электронные конфигурации 2 14 --- оболочки 2 13  [c.455]

Частота антиферромагнитного резонанса для сферического образца в нулевом внешнем поле выражается формулой  [c.626]


В соответствии с этими двумя типами сил при теор. описании А. вводят два эфф. магн. поля обменное поле Не и поле анизотропии Я . Представление о том, что в антиферромагнетике действуют два эфф. магн. поля, позволяет объяснить мн. св-ва, в частности поведение антиферромагнетика в переменных внеш. Магн. полях (см, Антиферромагнитный резонанс).  [c.30]

На основании этого можно предположить, что изменения в магнитной структуре железомарганцевых сплавов будут проходить по следующей схеме при Ti = Tx, в сплаве с 13% Мп, антиферромагнитное упорядочение 7-фазы, при переходе из парамагнитного состояния в антиферромагнитное, должно проходить с образованием коллинеарной спиновой структуры типа 7-Fe. Эта схема распространяется на сплавы и с меньшим 13% содержанием марганца. При Т ФТх, в сплавах с содержанием марганца более 13%, антиферромагнитное упорядочение в точке Нееля протекает с образованием изотропной спиновой конфигурации, переходящей в коллинеарную в точке Тх [119]. Переход в точке Тх этих сплавов связан с изменением магнитной симметрии 7-фазы, то есть с превращением типа AFi- AF2, подобно тому как это имеет место в хроме и ряде редкоземельных металлов [119]. Образование коллинеарной спиновой магнитной структуры в ГЦК-решетке должно приводить к ее тетрагональному искажению, что подтверждается исследованиями электронной структуры с помощью метода ядерного 7-резонанса [121].  [c.76]

Частота ферромагнитного резонанса, кроме материала изделия, зависит от его формы и направления вектора напряженности магнитного поля. Поэтому, изменяя направление магнитного поля, можно обнаружить характерные элементы формы образца или дефекта. По линиям ферро.магнитного резонанса можно вести контроль наличия и структуры ферромагнитных металлов и сплавов, а при малых образцах — контролировать возникновение так называемого естественного ферромагнитного резонанса, присущего также ряду антиферромагнитных веществ (в частности, некоторым соединениям марганца). Практически обнаруживаются дефекты размером 0,1—0,5 мм, но при магнитном поле 10—15 тыс. э.  [c.459]

ЯДЕРНЫЙ РЕЗОНАНС В АНТИФЕРРОМАГНИТНЫХ И ФЕРРОМАГНИТНЫХ ВЕЩЕСТВАХ  [c.199]

Ядерный магнитный резонанс наблюдался в веш ествах, в которых электронные едины находятся в антиферромагнитном или ферромагнитном состоянии. Подробное обсуждение этого явления привело бы к необходимости рассмотрения электронного ферромагнетизма и антиферромагнетизма, что выходит за рамки настояш ей книги. Поэтому ниже дано сильно упрош енное описание явления и приведены результаты экспериментов.  [c.199]


Преимущественным направлением для электронных спинов в антиферромагнитном состоянии является ось [001], и частота ядерного резонанса во внешнем поле, приложенном параллельно [001], равна  [c.201]

О) вызывает квант, переход между магн. подуровнями. Условие резонанса А8=1ь(а, где А8 — разность энергий между магн. подуровнями. Если поглощение энергии осуществляется ядрами, то М. р. наз. ядерным магнитным резонансом (ЯМР). М. р., обусловленный магн. моментами неспаренных эл-нов в парамагнетиках, наз. электронным парамагнитным резонансом (ЭПР). в магнитоупорядоченных в-вах электронный М. р. наз. ферромагнитным и антиферромагнитным.  [c.378]

Спектр магнонов (спиновых волн имеет щель (рис. 28.7), которая определяет частоту <оо антиферромагнитного резонанса (АФМР). В приближении теории  [c.649]

АФМР — антиферромагнитный резонанс ВСП — волна спиновой плотности  [c.654]

Наличие Г-доменов приводит к тому, что при наблюдении антиферромагнитного резонанса во внеш. магн. поле резонансные линии от каждого домена, вообще говоря, наблюдаются нри разл. значениях магн. ноля Н, т. к. углы между HvlLb разных Г-доменах оказываются различными.  [c.116]

Ферромагнитный резонанс, Антиферромагнитный резонанс) при движении электронов проводимости в магн. поле (см. Циклотронный резонанс) В пр. Интервалн между уровнями энергии, изучаемые в Р., обычно соответствуют диапазону СВЧ (10 —3-10 Гц), а в случае ЯМР и ЯКР — диапазону ВЧ (10 —3-10 Гц). Столь малые интервалы, как правило, не удаётся разрешить в оптич, и ИК-спектрах, их можно зарегистрировать только методами Р.  [c.234]

Электронный антиферромагнитный резонанс (ЗАФР) — электронный спиновой резонанс в антиферромагиетиках — явление избирательного резонансного поглощения энергии электромагнитных волн, наблюдаемое при частотах,, близких к собственным частотам прецёссйИ магнитных моментов магнитных подрешеток антиферромагнетика [29]. Понятие магнит-  [c.182]

Электронный антиферромагнитный резонанс (ЭАФР) — электронный резонанс в антиферро.магнетиках......явление избирательного резонансного поглощения энергии электромагнитных волн, наблюдаемые при частотах, близких к собственным частотам прецессии магнитных моментов магнитных подрешеток антиферромагнетика [13.21 ]. Особенность ЭАФР является введение понятия магнитная под р е ш е т к а для описания магнитной структуры кристалла, обладающего атомным магнитным порядком. При Яо = О прецессия магнитных моментов двух подрешеток /i, /а происходит во внутренних эффективных полях магнитной анизотропии Яа, направленных вдоль естественной оси антиферромагнетизма (рис. 3.9). Частоты резонанса для подрешеток зависят как от величины эффективного поля обменных сил (молекулярного поля Вейса) Н , так и от // , удерживающего вектора / , /jj вдоль оси г Для обычных в аитиферро-190  [c.190]

Рис. 17.22. Расположеппе эффективны.х поле при антиферромагнитном резонансе. Намагниченность М1 подрешетки 1 испытывает действие поля —ХМ2 + Влг, а намагниченность М2 — действие поля —XM — вдг. (Оба конца оси кристалла являются направлениями легкого намагничивания .) Рис. 17.22. Расположеппе эффективны.х поле при антиферромагнитном резонансе. Намагниченность М1 подрешетки 1 испытывает действие поля —ХМ2 + Влг, а намагниченность М2 — действие поля —XM — вдг. (Оба конца оси кристалла являются направлениями легкого намагничивания .)
Экспериментально константы М. а. могут быть определены из сопоставления значений энергии М. а. для разл. кристаллографич, направлений. Другой метод определения констант М. а. сводится к измерению моментов врапдения, действуюш,их на диски из ферромагн. монокристаллов во внеш. поле (см. Анизометр магнитный), т. к. эти моменты пропорц. константам М. а. Наконец, эти константы можно определить графически по плош,ади, ограниченной кривыми намагничивания ферромагн. кристаллов и осью намагниченности, ибо эта пло-ш адь также пропорц. константам М. а. Значения констант М. а. могут быть определены также из данных по электронному парамагнитному резонансу (для парамагнетиков), по ферромагнитному резонансу (для ферромагнетиков) и по антиферромагнитному резонансу (для антиферромагнетиков). Вследствие магнитострикции в магнетиках наряду с естеств. кристаллографич. М. а. наблюдается также магнитоупругая анизотропия, к-рая возникает при наложении на образец внеш. односторонних напряжений. В поликристаллах, при наличии в них текстуры магнитной или текстуры кристаллографической, также проявляется М. а.  [c.363]


Р. отличается от оптич. спектроскопии и инфракрасной спектроскопии специфич. особенностями а) благодаря малым частотам со и, следовательно, малым энергиям квантов в Р. исследуются квант, переходы между близко расположенными уровнями энергии. Это делает возможным изучение таких вз-ствий в в-ве, к-рые вызывают очень малые расщепления энергетич. уровня, незаметные для оптич. спектроскопии. В Р. исследуются вращат. и инверсионные уровни зеемановское расщепление уровней эл-нов и ат. ядер во внеш. и внутр. магн. полях [см. Микроволновая спектроскопия. Электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) Ядерный магнитный резонанс (ЯМР)] уровни, образованные вз-ствием квадрупольных моментов ядер с внутр. электрич. полями [см. Ядерный квадрупольный резонанс (ЯКР)] и вз-ствием эл-нов проводимости с внеш. магн. полем [см. Циклотронный резонанс (ЦР)]. В магнитоупорядоченных средах наблюдается резонансное поглощение радиоволн, связанное с коллективным движением магн. моментов эл-нов (см. Ферромагнитный резонанс, Антиферромагнитный резонанс), б) Естеств. ширина спектральной линии в радио-диапазоне очень мала (Aw (o ). Наблюдаемая ширина Ло) обусловлена разл. тонкими вз-ствиями в в-ве. Анализ ширины и формы линий позволяет количественно их оценивать, причём ширина и форма линии в Р. может быть измерена с очень большой точностью, в) Измерение длины волны Я, характерное для оптич. спектроскопии, в Р. заменяется измерением частоты со, что осуществляется обычно радиотехнич. методами с большой точностью. Это позволяет измерять тонкие детали спектров, связанные с малыми сдвигами уровней  [c.610]

Отметим интересный факт, заключающийся в том, что анизотропия не наблюдается в сравнительно слабых нолях. По-видимому, она не связана с антиферромагнитными свойствами. Открытие анизотропии, обладающей более низкой симметрией, чем кубическая, было совершенно неожиданным. То обстоятельство, что ориентация бинарной комнонетпы может быть разной в различных гелиевых экспериментах, создает впечатление, что ее направление определяется какими-то вторичными причинами — возможно, отклонениями от сферической формы или наиряжениями в кристалле. Вероятно, это связано с результатом Блини, который наблюдал более низкую, чем кубическая, симметрию в своих экспериментах по парамагнитному резонансу при температуре жидкого воздуха и при более низких температурах (см. п. 34). Было бы желательно получить данные о х ДРУгих направлений, не совпадающих с направлением кубической оси.  [c.551]

РЕАКЦИЯ [термоядерная — реакция слияния легких атомных ядер в более тяжелые, происходящие при высоких температурах 10 К фотоядерная- -расщепление атомных ядер гамма-квантами цепная — реакция деления атомных ядер тяжелых элементов под действием нейтронов, в каждом акте которой число нейтронов возрастает, так что может возникнуть самоподдерживающийся процесс деления ядерная — превращение атомных ядер, вызванное их взаимодействием с элементарными частицами, в том числе с гамма-квантами, или друг с другом] РЕВЕРБЕРАЦИЯ — процесс постепенного затухания звука в закрытых помещениях после окончания действия его источника РЕЗОНАНС (есть явление резкого возрастания амплитуды вынужденных колебаний системы при приближении частоты вынужденной силы к собственной частоте колебаний системы акустический — избирательное поглощение энергии фононоБ определенной частоты в парамагнитных кристаллах, помещенных в постоянное магнитное поле антиферромагнитный — избирательное поглощение энергии электромагнитных волн, проходящих через антиферромагнетик, при определенных значениях частоты и напряженности приложенного к нему магнитного поля гигантский — широкий максимум, которым обладает зависимость сечения ядерных реакций, вызванных налетающей на атомное ядро частицей или гамма-квантом, от энергии возбуждения ядра магнитный — избирательное поглощение энергии проходящих через магнетик электромагнитных волн на определенных частотах, связанное с переориентировкой магнитных моментов частиц вещества параметрический — раскачка колебаний при периодическом изменении параметров тех элементов колебательных систем, в которых сосредоточивается энергия колебаний)  [c.271]

В работе Жаккарино и др. [53] методами ядерного магнитного резонанса и электронного парамагнитного резонанса были определены величина и знак поляризации электронов проводимости у соединений типа (РЗЭ) Alg. Спиновый момент S неспаренных 4/-электронов редкоземельного элемента поляризует спины электронов проводимости S таким образом, что спины ионов редкоземельного элемента и спины электронов проводимости располагаются в антиферромагнитном порядке, если допустить одинаковую поляризацию последних. Эта работа явилась первым определением знака поляризации электронов проводимости в магнитных металлах, которая дала возможность разобраться в магнитных свойствах соединений (РЗЭ)А12 и твердых растворов между ними.  [c.238]

После первого успешного детектирования сигналов ядерного резонанса в 1945 г. ядерпый магнетизм интенсивно изучался па протяжении пятнадцати лет и до сих пор исследования еще не имеют тенденции к сокращению. Кроме первого и очевидного применения для измерения величины ядерных моментов, ядерный резонанс стал основным орудием изучения тончайших свойств большинства веществ. Структура молекул, скорости реакций и химическое равновесие, химические связи, кристаллические структуры, внутренние движения в твердых телах и в жидкостях, электронные плотности в металлах, сплавах и полупроводниках, внутренние поля в ферромагнитных и антиферромагнитных веществах, плотности состояний в сверхпроводниках, свойства квантовых жидкостей — вот некоторые из тех вопросов, для которых ядерный магнетизм позволил получить специфичную и детальную информацию.  [c.8]


Соединения СиС12 2Н20 и МпР2 становятся антиферромагнитными при 4,3 и 68° К соответственно. Явление ядерного резонанса в антифер-ромагнитном состоянии будет рассматриваться в разделе Б, 7 настоящей главы. Спин-решеточная релаксация ядерных спинов в магнитных веществах будет рассматриваться в гл. IX.  [c.190]

В то время как первое из перечисленных отличий относится как к антиферромагнитным, так и к ферромагнитным состояниям, второе характеризует только антиферромагнитную систему. Какой-либо ядерный спин, вообш е говоря, будет находиться заметно ближе к электронным спинам одной подрешетки, скажем / 1, чем к спинам другой подрешетки К2, поэтому сдвиг частоты ядерного резонанса будет по суш еству пропорционален электронной намагниченности подрешетки / 1. В противоположность этому при обычных измерениях электронной восприимчивости можно получить только алгебраическую сумму М1 + М2 намагниченностей двух подрешеток, значительно меньшую, чем М1 или М2.  [c.200]

Ядерный резонанс в антиферромагнитном состоянии первые наблюдался на протонах воды в СиС12 2Н20 при температуре жидкого гелия [34]. В слабом магнитном поле Но электронные спины каждой подрешетки ориентируются приблизительно вдоль а-оси кристалла независимо от направления Но. Составляюш ая Щ локального поля электронов вдоль внешнего поля в месте расположения данного протона Р (это единственная составляюш ая, которую следует учитывать, если Но > Не] локальное поле обусловлено магнитным ионом Си) будет равна  [c.200]

Эти две чрезвычайно своеобразные особенности протонного резонанса позволили установить, что СиС12 2Н20 при 4,3° К становится, антиферромагнетиком. Дальнейшее исследование указанного кристалла методом ядерного резонанса позволило получить значительную информацию о зависимости его антиферромагнитных свойств от температуры величины и ориентации внешнего поля и т. д. [47].  [c.201]


Смотреть страницы где упоминается термин Антиферромагнитный резонанс : [c.654]    [c.113]    [c.117]    [c.182]    [c.622]    [c.623]    [c.381]    [c.31]    [c.360]    [c.409]    [c.456]    [c.8]    [c.200]    [c.200]    [c.201]    [c.201]    [c.201]    [c.201]   
Смотреть главы в:

Металловедение и термическая обработка стали Т1  -> Антиферромагнитный резонанс


Металловедение и термическая обработка стали Т1 (1983) -- [ c.182 ]

Металловедение и термическая обработка стали Справочник Том1 Изд4 (1991) -- [ c.2 , c.189 ]



ПОИСК



Резонанс



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте