Выбор подложки

Для выбора подложки, обеспечивающей максимальную прочность склеивания, образцы из дублированного полиэтилена испытывались на отрыв и сдвиг при растяжении и на отслаивание (рис. 37, 38)- Испытание на [c.112]

Важен вопрос выбора подложки, на которую осаждается магнитная пленка. Необходимо обеспечить микроскопически гладкую по- [c.167]

Среди полупроводниковых материалов ведущее положение занимают в настоящее время германий и кремний. До сих пор в тех случаях, когда основным фактором была стоимость устройства, предпочтение отдавалось германию. Это положение изменилось с развитием и удешевлением производства кремния. Разработка планарной технологии (см. ниже) в значительной степени стимулировала выдвижение кремния на ведущее место при выборе подложки для полупроводниковых микросхем. [c.173]

Граничное условие (6-39) выражает непрерывность теплового потока на границе покрытие — подложка. Это условие требует, чтобы все тепло в системе передавалось только теплопроводностью, т. е. чтобы конвекцией и излучением можно было пренебречь. Выполнение этого условия достигается либо теплоизоляцией боковых поверхностей системы, либо выбором соответствующих размеров. [c.149]

Для изучения вопросов, связанных с образованием, составом и структурой сконденсированного слоя в случае одновременной конденсации слоя из паровой фазы и диффузии в этот слой из подложки, была выбрана система ниобий (подложка)—никель (конденсат). Выбор этой системы был продиктован следующими соображениями. , [c.112]

Таким образом, исходя из результатов, полученных в данной работе, при выборе металла пленки для металлизации неметаллических материалов и последующей пайки следует исходить из адгезии пленки к материалу подложки, которая обусловливает струк- [c.27]

При выборе способа и режима отверждения (сушки) покрытий учитывают многие факторы вид лакокрасочного материала, характер подложки, размеры и степень сложности покрываемого изделия, поточность производства и др. При этом следует учитывать экономичность, производительность, трудоемкость и энергоемкость метода и возможность получения покрытий высокого качества. [c.221]

Выбор метода очистки зависит от природы подложки, вида загрязнения и степени требуемой чистоты поверхности. Чистота поверхности — это не постоянный, а переменный критерий, зависящий от требований, предъявляемых к микросхеме. Основным критерием чистоты поверхности подложки является процент выхода годных схем, величина разброса по подложке поверхностного удельного сопротивления, количество коротких замыканий в композициях металл — диэлектрик— металл. [c.421]

Выбор связующего материала подложки из условий согласования со свойствами композиционной системы. В качестве связующего стеклофазы для микроэлектронных устройств рекомендуются легкоплавкие. На рис. 26, а, б приведены термограммы наиболее распространенных стекол. [c.474]

Для обработки тонких покрытий толщиной 500—2000 А необходимо обеспечить плотность энергии излучения 1—60 Дж/см , а для уменьшения повреждения подложки и термического искажения рисунка длительность лазерного импульса должна находиться в пределах от 10 до 500 не. Этим требованиям удовлетворяют твердотельные н газовые лазеры с модуляцией добротности резонатора, химические лазеры на органических красителях и полупроводниковые. Из табл. 25 видно, что выбор лазеров. [c.160]

Пленочные датчики требуют дальнейшего развития как по линии выбора предельных толщин, так и по созданию прочной чувствительной плевки — измерителя температуры поверхности подложки. [c.506]

Факторы, влияющие на выбор покрытия, весьма многочисленны. Очевидно, что главной причиной применения покрытия является необходимость защиты материала подложки от вредного воздействия окружающей среды и этот выбор зависит от конструкции и области применения детали. Следует учитывать все возможные эффекты, связанные с влиянием как самого покрытия, так и процесса его нанесения, на механические или теплофизические свойства суперсплава, включая влияние взаимной диффузии элементов между покрытием и подложкой во время работы при высоких температурах. Технология нанесения покрытия может зависеть и от геометрии обрабатываемой детали, так как некоторые методы, например, позволяют обрабатывать лишь открытые участки детали. И, наконец, на выбор конкретного типа покрытия всегда влияет, а иногда является и определяющим фактором, его стоимость. [c.89]

Остановимся более подробно на выборе исходных значений приведенных толщин х, — хз.. Толщина плоскопараллельной подложки не может быть больше отведенного ей промежутка между элементами системы, поэтому для щ — хз существуют определенные диапазоны значений, приводящих к физически реализуемым толщинам. Для подложек, расположенных между предметной плоскостью и первой линзой и между второй линзой и плоскостью изображения, эти диапазоны не зависят от параметров объектива и известны до начала расчета О rii, О пз, как легко получить из выражений (4.18). Диапазон значений приведенной толщины подложки между линзами объектива зависит от его параметров О 2 — 2, как можно получить из соотношения (4.17) с учетом определения вспомогательной величины а. Таким образом, существует вероятность, что выбранное заранее значение %2 окажется вне допустимого диапазона. В этом случае необходимо повторить расчет с уточненным значением 2. Чтобы не ошибиться с выбором приведенных толщин и не получить в результате расчета нереализуемую или просто аномально большую толщину подложки, предварительно проводят сравнительно простой расчет объектива без подложек, который дает хорошее приближение для отрезков линз объектива с подложками. С выбором значений приведенных толщин в этом случае не будет никаких затруднений. [c.116]

Наконец, реакции типа (6.3.3) оказываются исключительно важными при эксплуатации композитов или гетероструктур. В первом случае речь идет о взаимодействии матрицы и наполнителя, а во втором - о взаимодействии пленки с подложкой, на которую эта пленка наносится специальными методами (например, плазменным или лазерным напылением). В обоих случаях реакция типа (6.3.3) нежелательна, и ее пытаются избежать, используя разнообразные методы, основанные на правильном выборе партнеров или условий эксплуатации. [c.630]

Таким образом, при выборе типа пленки-подложки для того или иного исследования необходимо найти оптимальное соотношение всех характеристик данного типа пленок, как-то несложность [c.29]

Как видно, принцип пространственного согласования вытекает из основных понятий и положений термодинамики. Отсюда следует и единственность выбора тех промежуточных параметров, которые были использованы при формулировке принципа пространственного согласования (собственная текстура, направление в подложке), так как Щ и и - с являются в первую очереДь функциями структурных параметров совокупности кристаллов. Естественно, что и принцип пространственного согласования должен устанавливать связь мещ(у структурными параметрами и свободной энергией рассматриваемой системы. Собственная текстура и направления в решетке отвечают этому требованию. Любые другие формулировки принципа пространственного согласования, использующие иные физические понятия, будут тождественны принятой выше. Поэтому речь может идти лишь о наглядности анализа каждого конкретного случая. [c.30]

Выбор материала подложки генератора. При конструировании узлов изделий электронной техники, работающих в условиях высоких температур, широко применяются металлы большой пятерки — ниобий, тантал, молибден, вольфрам, рений и их сплавы [180] (табл. 2.1). [c.39]

В W-Ва-катоде подложкой является пористая губка из вольфрама. С целью выбора такого материала подложки катода, который имел бы наименьшее распыление в жестких условиях работы АЭ при высоких давлениях неона (когда обеспечивается высокая долговечность), был исследован катод из чистого вольфрама. Вольфрам из всех тугоплавких металлов имеет самую высокую температуру плавления — 3400°С. Вольфрамовое кольцо таких же размеров, как и W-Ва-катод, испытывалось в АЭ ГЛ-201. Для того чтобы разряд горел только с поверхности вольфрамового кольца и не перебрасывался на другие элементы, со стороны выходного окна в электрод вставлялась керамическая втулка из материала марки А-995 длиной 40 мм. Средние мощности излучения имели примерно такие же значения, как и в случае W-Ва-катода. Но нестабильность горения разряда имела место практически во всех режимах испытаний, которые приводили к существенным колебаниям импульсной энергии. Ценным результатом испытаний оказалось то, что на поверхности вольфрамового кольца имелись следы плавления и эрозии. Отсюда следует важный вывод, что даже самый тугоплавкий металл — вольфрам — под действием высоковольтного импульсного разряда ЛПМ начинает разрушаться и применять в качестве подложки катода другой материал нежелательно. [c.50]

При реализации процессов легирования используемые энергетические характеристики лазерного излучения несколько выше, чем при термОупрочнении, так как энергия используется на расплавление слоя обмазки и на пере-плавление поверхности подложки. Определенные проблемы связаны с выбором коэффициента перекрытия при легировании из обмазок в связи с тем, что в процессе обработки происходит выгорание обмазки в местах, непосредственно прилегающих к зоне лазерного воздействия. Поэтому целесообразно вести обработку с перекрытием только по одной координатной [c.570]

Принцип работы вакуумно-плазменной установки поясняется схемой, представленной на рис. 8.9. Поток ионов металла формируется из плазмы электродугового разряда с холодным катодом. К катоду прикладывается отрицательный потенциал. Под действием приложенного напряжения ускоренный плазменный поток направляется на подложку, где происходят физико-химические процессы конденсации ионов и нейтральных атомов и образование поверхностных слоев. При напылении осуществляется подача газа в вакуумную камеру, что приводит к плазмохимическим реакциям с получением нитридных, карбидных, кар-бонитридных покрытий, а также покрытий на основе других соединений. Выбор реагента газовой среды определяется задачей получения покрытия требуемого состава. Некоторые характеристики соединений, используемых в качестве нап[.1ляемых покрытий, приведены в табл. 8,1. [c.249]

Наиболее важные факторы формирования покрытия - температура подложки, ее тепловое состояние при ионной очистки и напылении. Поэтому при разработке технологии ионно-вакуумной обработки температурные условия рассматриваются как главный оптимизационный параметр. Управление тепловыми условиями осаждения покрытий осуществляют посредством кратковременного подключения высокого напряжения, изменением величины напряжения на подложке, варьированием силы тока, подогревом или охлаждением подложки внешними источниками тепла, а также использованием специальной технологической оснастки с определенной теплоемкостью. В целом изменение температурных условий во время технологического цикла происходит в соответствии с тремя стадиями (рис. 8.10). Завершающий этап технологического процесса - стадия охлаждения, которое должно осуществляться до определенных температур в вакуумной камере. Охлаждение изделия в рабочей камере проводят для предотвра1цения окислительных процессов на его поверхностях. Выбор состава покрытий и конструирование поверхностных слоев с повышенной сопротивляемостью конкретному виду изнашивания материала трибосистемы базируются на экспериментальных результатах исследования триботехнических свойств модифицированных материалов. [c.250]

В обоих случаях затрудняется образование окисных пленок и возникает контакт ювенильных поверхностей, что приводит к образованию адгезионных связей и интенсивному схватыванию. Интенсифицируются процессы упрочнения и разупрочнения материала, фазовые переходы, а для неметаллических материалов в вакууме может происходить испарение отдельных составляющих. Интервал условий (давления, температуры), в которых происходит резкое изменение свойств пары трения, для различных материалов изменяется в достаточно широком диапазоне. Работоспособность сопряжений в этих условиях может быть обеспечена при применении специальных Твердых смазочных покрытий Эффективность этих покрытий зависит от выбора состава суспензии, способа ее нанесения, от материала подложки и обработки ее поверхности. В качестве критерия для оценки работоспособности твердых смазок при их испытании принимают обычно время работы покрытия до резкого необратимрго повышения коэффициента трения. Толщина покрытия на стадии проектирований определяется из условия обеспечения необходимого зазОрй в со- [c.253]

В методе точки росы , используемом для нахождения давления пара в районе расположения образца, естественно, большую роль играет подложка, от выбора которой, вообще говоря, может зависеть искомая критическая температура конденсации. Наиболее подходящим материалом для подложки, вероятно, мог бы служить такой материал, который бы практически не взаимодействовал с покрытием и на который перед проведением опыта наносится небольшой слой осаждаемого металла. Тогда для тех температурных зон конденсатора, для которых равновесная упругость паров выше внешнего давления пара над конденсатором, наблюдалось бы полное испарение хрома с поверхности. Очевидно, это соответствует температурам Т > Т . Для температур конденсации, меньших Тд, наоборот, наблюдалось бы только наращивание конденсата, следующего некоторой температурной завщ симости. Пограничная между этими двумя зонами температура, или точка росы , имела бы в этом случае четкую локалиг зацию. [c.123]

Для осуществления взаимодействия по схеме 2) необходимо создать на поверхности металла реакционный слой в виде непроницаемой сплошной пленки, состоящей из окисла или окисного соединения, прочно соединенного с основой, и обладающей химическим сродством к осаждаемому материалу. Удовлетворительной прочностью связи с металлической основой обладает ограниченное число компактных окислов, например N10, СгзОз, А12О3, ЗЮа, некоторые окислы низшей валентности, например ГеО, М0О2 и др., а также субокислы. Низшие окислы и субокислы образуются и существуют в узком интервале температур. Поэтому при выборе температуры подогрева подложки необходимо учитывать кинетику окисления металла пли сплава, чтобы осуществить намеченную схему взаимодействия. [c.94]

Разрушение хрупких покрытий часто происходит по краям изделий и обусловлено значительными температурными напряжениями (остаточными или эксплуатационными). Рациональный выбор конструкции, технологии изготовления и режимов эксплуатации изделий с покрытиями должен опираться на анализ указанных напряжений. При этом, на наш взгляд, целесообразно рассматривать напряженное состояние в двух опасных точках, расположенных на границе с подложкой, одна из которых лежит непосредственно на конце покрытия, а другая — на некотором удаленпи от конца. [c.22]

Опыт применения газотерыических покрытий триботехнического назначения показывает, что они являются эффективным средством увеличения долговечности деталей и машин в целом при норма.льных и повышенных температурах. Широкое распространение среди таких покрытий нашли покрытия состава Ме—МеС. С ростом температур эксплуатации все большее влияние на эксплуатационные характеристики покрытии оказывает согласование теплофизических свойств твердой фазы покрытия и матрицы с аналогичными свойствами подложки. В связи с этим возможности выбора МеС номере роста температуры сужаются и при температуре 973 К находит применение лишь СГ3С2. [c.154]

Обычно пленочные сопротивления изготовляются двух типов с защитными покрытиями и влагостойкие. Сопротивления с защитными покрытиями применяют главным образом в высокочастотных схемах, работающих в отсутствие влажности. Влагостойкие сопротивления представляют собой либо герметически запаянные с помощью серебряного припоя в керамические чехлы стандартные сопротивления с осажденной пленкой, либо сопротивления, спрессованные и герметизированные с помощью эпоксидной смолы. Проводящий слой всех пленочных углеродистых сопротивлений наносится путем пиролитического осаждения углерода на подложки из стеатита, окиси алюминия или стекла. Таким образом, степень радиационных нарушений в пленочных углеродистых сопротивлениях зависит от выбора материала, тина сопротивления и технологии изготовления. При изучении сопротивлений с осажденными пленками можно пренебречь влиянием излучения на керамические чехлы или эпоксидные покрытия. К числу пленочных сопротивлений с защитным покрытием относятся недофор-мованные и герметически запаянные сопротивления с осажденной углеродистой пленкой. [c.348]

Для выбора материалов, стойких в коррозионно-эрозионной среде, и путей реализации мероприятий по защите быстроизнашиваемых элементов котельных поверхностей нагрева было проведено лабораторное исследование износа образцов из различных материалов. С этой целью на подложки из стали вручную и полуавтоматически на стационарной установке при помощи наплавочного аппарата А-384 электродуговым, электроискровым способом или способом электрической металлизации наплавлялся защитный слой толщиной 3—4 мм. Затем из заготовки вырезались полоски с наплавленным металлом, с которых снимался слой ос-новной стали. Оставшаяся пластинка наплавленного металла шлифовалась до толпщны 2 мм и разрезалась вулканите-вым кругом на образцы 10X15 мм. Эти образцы подвергались износу на центробежной установке, описанной выше. [c.119]

Гетеролазеры и гетерофотоприём-н и к и, используемые в сочетании с плёночными полупроводниковыми Болиоводами, могут выполняться на основе единой Г. и на общей полупроводниковой подложке объединяться (интегрироваться) в оптич. схему (методами планарной технологии). Для управления условиями генерации и распространения света часто используются сложные Г., активный слой к-рых состоит из неск. слоев постоянного или плавно изменяющегося состава с соответствующим изменением Sg. Помимо локализации света в пределах одного или неск, слоёв в плоскости ГП, при создании интегрально-оптнч. схем возникает необходимость дополнит, локализации световых потоков в плоскости волноводных слоёв (в плоскости ГП). Такие волноводы наз. полосковыми и создаются изменением либо состава и свойств полупроводника в плоскости ВОЛ1ГОВОДНОГО слоя, либо толщины слоёв, Встраивание гетеролазера в волноводную схему осуществляется с помощью оптического резонатора, образуемого периодич, модуляцией толщины волноводного слоя. При определ. выборе периода модуляции благодаря дифракции в волноводе возникает волна, бегущая в обратном направлении. В результате формируется распределённое отражение света (см. Интегральная оптика). [c.449]

Манипуляция с нитевидными кристаллами, пожалуй, самая сложная часть работы, включающая снятие усов с подложки, сортировку их, ориентацию, прядение и т. д. Благодаря высокой удельной поверхности и большим силдм притяжения усы, как правило, при манипулировании собираются в клубки. Для разделения усов используют всевозможные методы диспергирования в различных жидкостях, выбор которых зависит от свойств кристаллов. [c.374]

К выбору подшипниковых сплавов необходимо подходить с учетом толщины баббитового слоя подшипника. Гетерогенное микростроение сплавов типа Б83 с крупными твердыми кубическими кристаллами химического соединения SnSb (р-фазы) не способствует удовлетворительной сопротивляемости усталостным повреждениям под действием циклических нагрузок в тонкослойных подшипниках (толщина слоя менее 1 мм). В отдельных локальных объемах кристаллов р-фазы накапливается пластическая деформация, и в слое баббита возникают остаточные напряжения. В тонком слое внедрение в пластичную основу кристаллов твердой составляющей, принимающей на себя нагрузку, затруднительно. Размеры таких кристаллов нередко соизмеримы с толщиной слоя (достигают нескольких десятых мм). Слой мягкой пластичной основы под кристаллами твердой составляющей приобретает способность больше сопротивляться пластической деформации за счет влияния подложки (корпуса цапфы). На отдельных участках скопления хрупких кристаллов Р-фазы возникает вероятность непосредственной передачи давления через эти кристаллы от шейки вала на корпус подшипника. В таких условиях Р-фаза оказывается слабым участком, по кристаллам SnSb развиваются трещины. Эти микроскопические повреждения при дальнейших циклических нагружениях являются очагами развития усталостных трещин. [c.763]

С тех пор область применения данных дистанционного зондирования Земли (ДЗЗ) из космоса многократно расширилась. Задачи оперативного спутникового контроля природных ресурсов, исследования динамики протекания природных процессов и явлений, анализа причин, прогнозирования возможных последствий и выбора способов предупреждения чрезвычайных ситуаций являются на современном этапе неотъемлемым атрибутом методологии сбора информации о состоянии интересующей территории (страны, края, города), необходимой для принятия правильных и своевременных управленческих решений. Особая роль отводится спутниковой информации в геоинформационных системах (ГИС), где результа-ть1 пигтячционного зондирования поверхности Земли из космоса являются регулярно обновляемым источником данных, необходимых для форми- -рования природоресурсных кадастров и других приложений, охватывая весь- ма широкий спектр масштабов (от 1 10 ООО до 1 10 ООО ООО). При этол информация ДЗЗ позволяет оперативно оценивать достоверность и, в слу-чае необходимости, проводить обновление использующихся графических слоев (карт дорожной сети, коммуникаций и т.п.), а также может быть использована в качестве растровой подложки в целом ряде ГИС-прило-жений, без которых сегодня уже немыслима современная хозяйственная деятельность. В разработан 10м в 1992 г. Проекте государственной космической программы РФ указывается на необходимость создания нацио- [c.10]

Уменьшение коагуляции частиц может быть достигнуто и правильным выбором материала пленки-подложки. Как показали специальные исследования [33 34], в том случае, если пленка-подложка обладает той же полярностью, что и взвешенные частицы, то последние, отталкиваясь от пленки, собираются в крупные скопления. Поэтому необходимо сообщить пленке другую полярность, что может быть сделано, например, в случае применения формва-ровой пленки напылением на нее очень тонкого слоя бериллия. Благодаря противоположной полярности пленки и исследуемых частиц они притягиваются пленкой и во время сушки остаются так же хорошо распределенными на ней, как и в самой суспензии. [c.33]

Основное преимущество линейного по полю электрооптическо- 0 эффекта в сегиетоэлектрических ЖК состоит в том, что характерное Время отклика x si [/(p-E) в отличие от квадратичного эффекта в неполярных ЖК, где т=1> /(Де 2) [90, 91]. В самом деле, динамическая вязкость ЖК Vi в обоих случаях примерно одинакова, а момент диэлектрических сил (р-Е) для линейного эффекта может более чем на порядок превышать типичные значения Де 2 для квадратичного эффекта [92]. Однако в неориентированных образцах хиральных смектиков быстрая раскрутка спирали в электрическом поле невозможна из-за наличия топологических дефектов. Скорость их перемещения под действием поля ограничивает прсмена переключения значениями, сравниваемыми с характерными временами квадратичных эффектов в ЖК- С другой стороны, если начальное состояние ориентации ЖК соответствует раскрученной спирали, т о под действием ноля происходит только переориентация директора за время, определяемое диэлектрическим моментом и вязкостью, Начальная раскрутка спирали мож( т быть достигнута с помощью поверхностей электродов на подложках при правильном выборе толщИНы ячейки, ориентации смектических слоев и граничных условий на подложках. [c.104]

Указанные недостатки преодолены во вращательной системе осаждения частиц (ВСО), созданной в 80-х годах [85]. Принцип действия системы основан на одновременном воздействии на пробу масла, помещенную на подложку, гравитационного и магнитного полей. Специальная конфигурация магнитного поля и выбор скорости вращения подложки с пробой обеспечивают осаждение частиц, содержащихся в масле, в трех концентрических окружностях. Частицы размером больше 50 мкм осаждаются на внутреннем кольце вместе с некоторой частью мелких частиц. Во втором кольце выпадают частицы размером 10—50 мкм и немного частиц размером менее 10 мкм. Более мелкие частицы содержатся в наружном кольце. Большая часть неметаллических частиц осаждается в наружном (третьем) кольце. После осаждения частиц осадок промывают растворителем и высушивают. Полученный осадок может, так же как и при феррографии, подвергаться качественному и количественному анализу. Для проведения количественного анализа осадка, полученного с помощью ВСО, обычно применяется специально разработанный счетчик частиц [85], представляющий собой магнитометр переменного тока. Для определения содержания частиц изнашивания пробу помещают в торроидальную чувствительную катушку и измеряют разбаланс системы с помощью цифрового индикатора. [c.191]

Из работы [178] также следует, что в контакте с молибденом и вольфрамом эта же керамика проявляет значительно большую устойчивость взаимодействие практически отсутствует до 2000 °С. Что же касается рения, то этот материал с AI2O3 взаимодействует даже в меньшей степени, чем молибден и вольфрам. Применяется рений чаще всего не в чистом виде, а в виде сплавов с молибденом и вольфрамом. Рассмотренные тугоплавкие металлы довольно хорошо смачиваются медью, в то время как их окислы, наоборот, не смачиваются. Плохо смачивается и окись алюминия [182]. Эти свойства при выборе материала подложки для конструкции генераторов (и также конденсоров) необходимо было учитывать. Из проведенного выше анализа следует, что из металлов большой пятерки , применяемых в производстве изделий электронной техники, требованиям к материалу подложки генераторов наиболее полно отвечают молибден и рений. [c.41]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...