Активный слой

Спектральная ширина излучения жидкостных лазеров составляет 4—30 нм. Ее можно сделать значительно уже, если внутрь резонатора поместить какой-либо дисперсионный элемент, т. е. создать селективный резонатор. Такого рода резонаторы могут быть различных типов. Можно, например, поместить внутрь резонатора (между активным слоем и одним из зеркал) обычную призму или интерферометр. Часто заменяют одно из зеркал отражательной дифракционной решеткой. При наличии в резонаторе селективных элементов вдоль оси лазера может распространяться излучение лишь некоторых длин волн. Излучение других волн, отражаясь от решетки или проходя через призму, отклоняется от оси и выходит за пределы резонатора. [c.294]

Минимальная толщина активного слоя, при которой термокатод сохраняет работоспособность, [c.572]

В 1-3 было показано, что в слое толщиной, равной глубине проникновения тока, выделяется при постоянных р и р. 86,5 % всей энергии, передаваемой в проводник. Руководствуясь этим, найдем эффективную глубину проникновения тока, или глубину активного слоя ( ), для ферромагнитной среды. [c.31]

Эффективная глубина проникновения тока используется в тепловых расчетах режимов поверхностной закалки в качестве глубины активного слоя (см. 7-3) и для определения расчетного диаметра нагреваемой детали ( 6-1 н 6-2). [c.48]

Введем глубину активного слоя и по аналогии с глубиной проникновения тока зададим ее такой, чтобы в слое выделялось 86,5% всей энергии, поступающей сквозь поверхность пластины. Тогда при резком проявлении поверхностного эффекта = Аз, а при низких частотах I A , причем формально глубина проникновения тока может быть больше толщины пластины. [c.65]

Рассмотрим зависимость глубины активного слоя от частоты. [c.65]

Мощность в активном слое g, отнесенная к единице поверхности, выражается как [c.65]

Рис. 4-10. Зависимость глубины активного слоя 5 от частоты

По определению глубины активного слоя имеем [c.65]

А2- При 2>2,5А2 глубина активного слоя I А . [c.73]

Зависимость УR2 = / (А3/ 2). приведенная на рис. 5-4, может быть в расчетах приближенно заменена ломаной линией. Тогда верхний предел частоты, обеспечивающий наибольшую глубину активного слоя, а следовательно, и наименьшее время нагрева при заданных температурах поверхности и оси цилиндра определится из соотношений [c.73]

Совместным решением уравнений (5-27) и (5-29) находим постоянные Сх и С2, которые выражаются через полный ток индуктора и относительные радиусы цилиндра гпх я т2- Этим полностью определяются значения Я, , и У в любой точке сечения. Если толщина стенки цилиндра Уз относительно мала, то плотность тока может быть с достаточной точностью найдена из выражения (3-12). Такое упрощение возможно, когда Пзг > 5 2, что почти всегда соблюдается на практике. В этом случае для определения глубины активного слоя можно пользоваться табл. 3-4, положив т - — 1 (удельное сопротивление второй среды равно бесконечности). [c.76]

Для расчета задано внутренний диаметр индуктора = 6,1 см диаметр изделия D2 5,7 см ширина индуктора и активного слоя -- [c.94]

Применительно к задачам сквозного нагрева будут введены поправки, учитывающие глубину активного слоя, по которому протекает индуктированный в нагреваемом теле ток. [c.101]

Для дальнейшего упрощения примем, что глубина активного слоя I неизменна во времени и равна своему значению в конце нагрева. В пределах слоя мощность источников тепла постоянна, а за его пределами равна нулю. Опыт показывает, что такое допущение обеспечивает достаточную точность расчета. [c.105]

В действительности в начале нагрева глубина активного слоя мала. Поэтому максимум будет отсутствовать и кривая пойдет примерно так, как показано штриховой линией на рис. 7-2. Часть кривой влево от максимума из рассмотрения исключается, и для нахождения времени нагрева используется лишь правая ее часть. [c.107]

В таком виде выражение для 5 (а, р, т) представляет собой медленно сходящийся ряд, в котором приходится вычислять много членов. Однако этот ряд разбивается на два первый, не содержащий экспоненты, медленно сходящийся, который может быть суммирован точно, н второй — быстро сходящийся. Тогда получаем 1) при а>р (область внутри активного слоя) [c.110]

На границе активного слоя при а = р обе формулы дают одинаковый результат. При т>0,3 члены второго ряда составляют менее 5% соответствующих членов первого. Поэтому вторым ря- [c.110]

Формула для 5 (а, р, т) упрощается, если разбить ее на две суммы и выразить первую из них в конечном виде. Получим I) при р>а (область внутри активного слоя ) [c.113]

Из-за большого времени нагрева удельная мощность мала и составляет 0,2—0,05 кВт/см . Поэтому существенное влияние на характер распределения температуры по сечению оказывает рассеяние тепла в окружающее пространство. Наличие тепловых потерь приводит к уменьшению перепада температуры в пределах активного слоя по сравнению с расчетным, а следовательно, сокращает время нагрева. [c.116]

Как и в рассмотренном выше случае, для приближенного учета активного слоя при определении времени нагрева вводится расчетный диаметр О = —I- Тогда имеем [c.117]

Для пластины, нагреваемой с двух сторон в овальном или прямоугольном индукторе, предельная глубина активного слоя до- [c.118]

Активный слой 31, 48, 65, 72 Амплитуда комплексная 9 Аппаратура коммутационная 173 [c.320]

Металл или сплав (компонент) с большим коэффициентом линейного расширения называется активным слоем, а компонент с меньшим коэффициентом линейного расширения — пассивным слоем. [c.629]

При попытках осуществить нагрев под поверхностную закалку за время порядка нескольких минут потерн теплоты во внешнюю среду становятся существенными. Кривые распределения температур у поверхностных слоев при этом получают характерный загиб вниз, свидетельствующий об обратном направлении теплового потока от толщи активного слоя к поверхности (рис. 9). [c.13]

Перейдем к рассмотрению процесса генерации. Образование инверсной заселенности еще не гарантирует высокой интенсивности светового потока, выходящего из активного вещества. Степень усиления зависит от коэффициента усиления кус и длины активного слоя I. В простом виде эту зависимость можно представить следующим образом ( = оехр(/ ус/), где о — интенсивность света, падающего на поглощающий слой вещества щ — интенсивность света, выходящего из него /гус = = —йпогл. Если бы удалось сильно увеличить длину активного стержня, то излучение, выходящее из его торцов, было бы весьма интенсивным, причем оно существовало бы даже, если бы и не было внешнего потока. Первичным источником была бы люминесценция, многократно усиленная при прохождении большой длины усиливающего слоя (это явление называют сверхлюминесценцией). [c.277]

Основные характеристики термокатодов — работа выхода бф рабочая температура Т плотность тока насыщения ТЭ /э и ее зависимость от температуры скорость испарения активного вещества при рабочей температуре Чисп эффективность катода ti — отношение плотности тока ТЭ к мощности, затрачиваемой на нагревание катода критерий качества катода t — отношение работы выхода к теплоте испарения активного вещества при данной температуре толщина активного слоя d (для однородных катодов — диаметр). Характеристики различных термокатодов приведены в табл. 25.5—25.14 и на рис. 25.4—25.11. [c.571]

В качестве резонаторов полупроводниковых лазеров обычно используют плоские резонаторы, образуемые параллельными гранями кристалла. Для получения более эффективной спектральной селекции применяются внешние резонаторы с соответствующими селектирующи.ми элементами, а также резонаторы с распределенной обратной связью (РОС). В РОС-лазерах периодические возмущения, определяющие спектральную селекцию, вносятся по всей длине активной среды. Коэффициент отражения, обеспечиваемый периодической структурой, оказывается достаточным для возникновения генерации без дополнительных зеркал. Периодическое возмущение, внесенное лишь на конце активного слоя, воспроизводит эффект зеркала и носит название распределенного брэгговского рефлектора. [c.946]

Некоторые примеси, например галлий и алюминий, легко диффундируют через пленку SiOj, поэтому применять ее для маскирования таких поверхностей не рекомендуется. Большое значение имеют свойства поверхности пленок SiOj на границе с кремнием. Прежде всего необходимо отметить, что из-за ухода части примеси из кремния в прилегающий оксид или, наоборот, из-за отталкивания примеси оксидом и накапливания ее в приповерхностном слое кремния вблизи границы может образовываться либо истощенный, либо-насыщенный примесью слой. Истощение или накопление в приповерхностном слое кремния примеси зависит от коэффициента ее распределения между кремнием и оксидом. Этот коэффициент равен отношению концентраций примеси в Si и SiOj и для В и А1 он меньше 1, а для Р, Ga, In, As больше 1. Это, естественно, сказывается на электрофизических характеристиках активных слоев микросхем. [c.45]

За многие тысячелетия развития человеческого общества и технического прогресса накоплен некоторый опыт по предотвращению или снижению коррозии используемых изделий и устройств. В предшествующие столетия отсутствовало научно обоснованное истолкование коррозионных процессов, работоспособность и долговечность объекта защиты предопределялись правильностью выбора конструкционного материала или защитного покрыли на основе накопленного опыта. В наши дни происходит становление науки Химическое сопротивление материалов , предложены и экспериментально подтверждены механизмы коррозионных разрушений, разработаны и продолжают совершенствоваться активные методы электрохимической и ингибторной защиты, да и традиционные защитные покрытия рассматриваются уже не как инертные барьеры, изолирующие коррозионную среду от поверхности изделия, а как физически и электрохимически активные слои веществ, изменяющие механизм возможной коррозии на границе раздела фаз. [c.3]

Ранее указывалось (см. 1-2), что при ярко выраженном поверхностном эффекте можно считать, что D rja и = ziD xJa, где Го и Хо — сопротивления единичного квадрата, вычисленные по формулам для плоской волны. Повысить точность вычисления и расширить применение этих формул возможно, если учесть, что путь тока короче длины окружности, путем введения так называемого расчетного диаметра D . Если в качестве расчетного диаметра при нагреве внешней поверхности цилиндра взят1з средний диаметр активного слоя [c.49]

Верхний предел частоты, как и в 4-7, определяется из рассмотрения зависимости глубины активного слоя от частоты. ПриАЛз< 1 [c.72]

Для расчета. задано длина магнитопровода, равная длине активного слоя, /и = 50 см полная длина индуктирующего провода /и = 53 см толщина трубки индуктирующего провода di = 0,2 см ширина индуктирующего провода Ь 2 см ширина паза в магнитопроводе а 2,2 см ширина башмака магнитопровода С = 1,4 см Л = 0,1 см зазор между башмаком магнитопровода п нагреваемой поверхностью h = 0,5 см число витков а/= 1 частота f2000 Гц удельная мощность p = 1,55 кВт/см глубина закаленного слои A j,. " 0,45 см. [c.96]

Особенностью кривей TJT = f t) является наличие максимума (см. рис. 7-2). При t = О отношение TJT = 1, а при tоо значение Тц1Т - 1. Такой характер кривой объясняется принятым допущением о независимости глубины активного слоя от времени (5 = onst). [c.107]

Рассмотрим напряженное состояние элемента твердого тела (рис. 4.3) на площадке фактического контакта в виде одной из граней этого элемента. Все грани элемента будут находиться под сжимающими напряжениями, поскольку под действием приложенной нормальной нагрузки по оси X элемент должен увеличиваться в направлении осей К и Z, но этому препятствует окружающий материал. На площадке контакта действует сила трения, поэтому элемент находится под действием не только нормальных О,, но и касательных напряжений, например а,. Такое напряженное состояние сгюсобствует пластическому течению материала. Исследования рабочих поверхностей деталей машин в парах трения и опытных образцов после их испытания показывают, что все металлы в условиях трения в пределах активного слоя подвергаются пластическому деформированию. Активным слоем или активным объемом называют слой (объем), который примыкает к контактирующей поверхности элемента (детали) пары трения и в котором могут происходить различные физико-химические изменения, инициированные трением. [c.84]

Магнитные ленты [22] применяют в магнитографической дефектоскопии. Двухслойные ленты состоят из немагнитной основы (ацетилцеллюлозы, поливинилхлорида, лавсана) и магнитно-активного слоя — порошков окиси железа, взвешенного в лаке, обеспечивающего хорошую адгезию с основой. Для изготовления рабочего слоя используют гамма-окислы железа (у-РсгОз), железокобальтовый феррит (СоРегОз), двуокись хрома (СгОа). В однослойных лентах магнитный порошок вводится непосредственно в основу (резина, полиамидные смолы). Однослойные ленты получили меньшее распространение из-за невысоких механических свойств. [c.14]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...