Установка плазменная

Покрытия наносили на образцы из стали 45 на установке плазменного напыления Киев-7 при следующих рабочих режимах напряжение дуги и 220 V, ток плазмотрона I == 210 А, дистанция напыления — 180 мм. [c.62]

Н. п. в природе, технике и лабораторных условиях. Неидеальной является плазма в жидких металлах, полупроводниках, электролитах (ЭЛТ, рис. 1), в глубинных слоях Солнца и планет-гигантов Солнечной системы, плазма белых карликов. Неидеальной является плазма рабочих тел в магнитогидродинамических генераторах на парах щелочных металлов (МТД), ракетных двигателях с газофазным ядерным реактором (ЯЭУ) плазма, возникающая в установках по исследованию термоядерного синтеза путём лазерного, электронного и взрывного обжатий мишени (см. Лазерный термоядерный синтез, Инерциальное удержание). Н. п. возникает за сильными ударными волнами при взрывах или при высокоскоростном ударе. В установках плазменной технологии неидеальная плазма возникает при импульсных электрических разрядах. [c.253]

Этим требованиям в достаточной степени удовлетворяет электродуговой плазмотрон, входящий в комплект промышленной установки плазменного выращивания монокристаллов тугоплавких металлов Монокристалл ПД-3 (рис. 4.6.9). Он состоит из вольфрамового катода 1 с держателем 2 и формирующего сопла 3. Вторым электродом плазменной горелки (анодом) служит выращиваемый монокристалл. Мощность такого плазмотрона составляет 30 кВт, которой достаточно для получения монокристаллов вольфрама диаметром 50 мм [11]. [c.451]

Установки плазменного напыления [c.421]

Рис. 1.4. Установка плазменного напыления

Автоматизированные комплексы (или линии) в основном построены по модульному принципу и включают механический модуль-автомат струйно-абразивной обработки механический модуль-автомат напыления аппаратурный модуль (установку) плазменного напыления транспортный манипулятор систему автоматического управления комплексом. Модуль транспортного манипулятора зависит от характера производства и типа напыляемого изделия. Система управления комплекса осуществляет локальное программное управление всеми модулями и управление в целом. [c.427]

Тантал 300 Установка плазменного напыления в динамическом вакууме 90 — — Аг+Не — — — [c.614]

Рис. 168, Схема установки плазменной обработки металлов

Принципиальная схема установки плазменно-дугового переплава металлов и сплавов с вытягиванием слитка из кристаллизатора показана на рис. 135. [c.276]

Для получения покрытий применяют установку плазменного напыления (тип УМП-5-68) с источником питания (тип ИПН-160/600) и устройством для подачи полимерного материала. Принципиальная схема такой установки приведена на [c.127]

Рис. 7,11, Принципиальная схема установки плазменного напыления порошковых материалов

В Советском Союзе интенсивно ведутся работы в этом направлении, начиная с 1961 г. Создана серия установок для обработки материалов в контролируемой атмосфере Куб-1 , УПН-2 , УПН-3 для напыления покрытий и корковых изделий небольших размеров, Жираф-2 и Плазма-2 для сфероидизации порошков металлических и керамических материалов в дуговой и ВЧ-плазме, установка плазменно-центробежного распыления Центр-1 для получения таких же порошков. [c.239]

Создаются установки плазменно-электронного луча и электронно-лучевой сварки с лучом, выведенным из вакуумной камеры в атмосферу. Последнее решение позволит сваривать электронным лучом изделия неограниченных размеров. [c.11]

Установка плазменной резки СТД-72002 предназначена для полуавтоматической резки металла толщиной до 10 мм. Сущность процесса резки заключается в выдувании расплавленного металла с образованием полости реза при перемещении плазмотрона относительно разрезаемого металла. Плазмотрон для разрезки представляет собой горелку с неплавящимся электродом и соплом, охлаждаемым водой. [c.164]

Рис. 5. Установка плазменно-центробежного распыления Центр-1

На качество покрытий существенное влияние оказывают состав плазмообразующих газов, сила и напряжение тока, форма, ра 3 меры и прочность частиц напыляемого материала. Кроме того, особое значение для получения качественных покрытий имеют надежность работы одного из основных агрегатов плазменной установки — системы питания порошком и правильный выбор энергетического режима. [c.96]

В работе [101], помимо определения коэффициента теплопроводности, проведены измерения и степени черноты покрытия из окиси алюминия, нанесенного плазменным способом (схема установки приведена на рис. 6-2, там же см. ее описание). Для расчета интегральной степени черноты получена формула [c.168]

Для нанесения покрытий плазменным методом применяют различные установки (табл. 113). [c.438]

Благодаря высоким температурам в камерах сгорания ракетных двигателей и в плазменных установках потоки теплоты излучением становятся сопоставимыми с конвективными тепловыми потоками и даже могут превосходить их. При полете в сильно разреженном [c.427]

Ранее отмечалось, что применение МГД-генераторов наиболее целесообразно в качестве головного эвена обычной энергетической (в частности, паросиловой) установки. Это сопряжено с тем, что рабочие температуры в газовом (Плазменном) МГД-генераторе должны составлять при- [c.587]

Рассмотрим основные процессы и установки первого типа. Сюда относятся индукционные плазменные установки, нагрев под гибку труб и профилей, нагрев перед механической обработкой, нагрев под [c.222]

Высокочастотные плазменные установки находят широкое применение в плазмохимии, при высокотемпературных и аэродинамических исследованиях, при сфероидизации порошков и в других процессах. Отечественная промышленность выпускает специальные установки для нагрева газов типа ВЧГ. Рабочая частота 1,76 МГц, мощность 160 и 60 кВт. Схема двухконтурная, обеспечивает повышенное напряжение на индукторе (5—7 кВ). [c.222]

Рис. 8.9. Схема вакуумно-плазменной установки

Для плазменной наплавки применяют установки УД-417 (разработка ИЭС им. Е.О. Патона), УПН-303 (завод Электрик ), УН-602 и др. Можно применять установки плазменной сварки УПС-301, УПС-403, УПС-804, а также установки для плазменного напыления УМП-5, УМП-6, УПУ З, УПУ-5 после изменения электрической схемы и замены плазмотрона. Для плазменно-порошковой наплавки валов диаметром до 50 мм ВНИИТУВИД Ремдеталь и ИЭС им. Е.О. Патона совместно разработали установку УД-609.09 с источником питания ВДУ-506. Производственный интерес представляет комплект КПН-01.23-215 Ремдеталь из поста 01.23-21 и установки плазменно-порошковой наплавки 01.05.185 с вращателем деталей. [c.308]

Комплекс ОПН-11 предназначен для нанесения покрытий методом плазменного напьше-ния на наружные поверхности деталей широкой номенклатуры, включает установку плазменного напыления марки УН-1, устройство аспира-ционное марки А-9000, блок плазменного напыления марки БП-1. Техническая характеристика комплекса ОПН-11 приведена ниже. [c.427]

Схема ракетной установки приведена па рис. 216. В камеру ракетного металлнзатора, охлаждаемую водой, непрерывно подается пропан под давлением 0.7—0.8 Мн/лг , кото )]чн при сжигании его в кнсло )оде развивает температуру порядка 3000° С. Продукты сгорания газа вырываются из сопла со скоростью 1600 лг/сск подаваемая при этом проволока плавится и напыляется на покрываемую поверхность. Описанные плазменно-дуговой и ракетный методы металлизации весьма производительны, но пока еще не получили применения. [c.324]

Плазмообразующий газ выбирают исходя из требуемой температуры потока, его теплосодержания. Чаще всего останавливаются на смесях аргона с водородом или аргона с азотом. Добавка к аргону водорода или азота делается с целью увеличения теплосодержания потока. Энергетические параметры плазменного потока определяются мощностью, подводимой к плазменной головке, и для каждого конкретного случая разрабатываются специально. Основным требованием к форме и к размерам частиц порошкообразных напыляемых. материалов является их транспортабельность газовым потоком в зону плазменной струи. Порошок должен не комковаться, не создавать заторов в транспортных трубопроводах системы питания установки и равномерно подаваться в плазменную струЮ. С помощью методов порошковой металлургии можно [c.96]

Использование покрытий с высокой излучательной способностью в интервале температур 1000—1500°С в топках паровых котлов, металлургических печах и в других нагревательных устройствах в настоящее время является еще недостаточно широким. Следует отметить, что в ряде отечественных конструкций используются хромитовая обмазка, наносимая в качестве изоляционного материала на ошипованные экраны котельных топок [177], а также магнезиальная обмазка, рекомендуемая ОРГРЭС. Кроме того, имеются отрывочные сведения по применению покрытий в топочных и печных установках за рубежом. Э. Кречмар [55] указывает, что в ГДР с успехом применяют наносимое методом плазменного напыления покрытие, которое значительно увеличивает теплоотдачу водоохлаждаемой медной фурмы и препятствует расплавлению рубашки. [c.211]

В последние годы предприятиями России выпчскается значительное количество нового сварочного оборудования. Основу этого оборудования для сварки плавлением составляют источники питания для сварки штучными электродами, полуавтоматы и автоматы для сварки в среде защитных газов и под флюсом, а также установки для имп льсно-дуго-вой, плазменной и лазерной сварки и полуавтоматы и автоматы для термической резки. Наиболее систематизированные данные о сварочном оборудовании изложены в /7/. Выбор оборудования для сварочных операций в значительной мере определяется гфиня1Ъ1м способом сварки, но при этом необходимо руководствоваться следующими соображениями. [c.25]

Цикл энергетической установки с МГД-генератором. Ранее отмечалось, что применение МГД-генераторов наиболее целесообразно (если опыт подтвердит эффективность использования МГД-геиераторов вообще) в качестве головного звена обычной энергетической (в частности, паросиловой) установки. Это сопряжено с тем, что рабочие температуры в газовом (или, как говорят еще, плазменном) МГД-генераторе составляют 2000" С н более. При температурах ниже этой величины электропроводность газа слишком низка для осуществления процесса. [c.612]

Принцип работы вакуумно-плазменной установки поясняется схемой, представленной на рис. 8.9. Поток ионов металла формируется из плазмы электродугового разряда с холодным катодом. К катоду прикладывается отрицательный потенциал. Под действием приложенного напряжения ускоренный плазменный поток направляется на подложку, где происходят физико-химические процессы конденсации ионов и нейтральных атомов и образование поверхностных слоев. При напылении осуществляется подача газа в вакуумную камеру, что приводит к плазмохимическим реакциям с получением нитридных, карбидных, кар-бонитридных покрытий, а также покрытий на основе других соединений. Выбор реагента газовой среды определяется задачей получения покрытия требуемого состава. Некоторые характеристики соединений, используемых в качестве нап[.1ляемых покрытий, приведены в табл. 8,1. [c.249]

Выбор установки для ионно-плазменной обработки определяется в соответствии с технологическими возможностями данной модели оборудования и решаемыми задачами. Промышленно освоенные модели [145] (табл. 8.2) в основном отличаются числом и расположением испарителей, формой и размерами вакуумных камер, а также скоростью осаждения ионно-плазменных потоков. Последовательность операций и параметры типового технологического процесса ионноплазменной обработки инструментальных материалов следующие. [c.251]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...