Конфигурация геометрическая электронная

Как уже отмечалось, основным недостатком всех расчетов электронной структуры кластеров является то, что они проводятся для некоторых модельных геометрических форм, которые могут существенно отличаться от реальных стабильных конфигураций атомов. [c.228]

Конфигурацией принципиальной электрической схемы называется сама электронная схема без указания численных значений параметров компонентов, а конфигурацией компонента — топологическая схема компонента без указания геометрических размеров. [c.10]

В предшествующих разделах данной главы мы ограничивались рассмотрением вопроса о том, какие электронные состояния многоатомной молекулы получаются при образовании молекулы из составляющих ее атомов, либо при добавлении электронов к ядерному остову, либо при образовании молекулы из объединенного атома или объединенной молекулы. Большое число получающихся таким образом состояний оказываются нестабильными, и только сравнительно небольшое число — стабильными ), другими словами, в этих состояниях у потенциальной поверхности есть явно выраженный минимум. В данном разделе рассматривается вопрос о том, каше состояния оказываются стабильными. Это непосредственно связано с проблемой валентности в многоатомных молекулах. С вопросом о стабильности тесно связан также и вопрос о геометрической конфигурации молекулы в различных электронных состояниях. [c.360]

В многоатомных системах близкие дискретные уровни энергии (т. е. укладывающиеся в масштаб имеющегося диапазона температур) могут существовать не только в связи с различными электронными состояниями, но и вследствие дискретных изменений геометрической конфигурации атомного остова молекул (в двухатомных молекулах такой возможности, естественно, нет), изменений состояний магнитных моментов отдельных ядер (см. том 3, гл. 5, доп. вопросы, 4) и т. п. [c.192]

Положение спасают квантовые флуктуации излучения, вызывающие эффект квантового уширения орбиты. Одновременное действие радиационного затухания и квантовых флуктуаций приводит к некоторым сбалансированным оптимальным размерам пучка (рис. И). Пучок электронов оказывается сильно вытянутым в радиальном -направлении и сжатым по вертикали. Такая конфигурация пучка обусловлена различным проявлением квантовых флуктуаций в зависимости от энергии частиц радиальные флуктуации траектории проявляются быстрее чем вертикальные Е ). Геометрические размеры электронного пучка оказываются порядка миллиметров, что значительно больше эффективной длины волны синхротронного излучения — когерентность не наступает. [c.72]

При соблюдении структурного соответствия зародыш новой фазы когерентно связан с матрицей. Поверхность раздела двух кристаллов считается когерентной, если кристаллы соприкасаются общими плоскостями (сопряжение межнлоскостного расстояния одного кристалла с геометрически подобной, но кристаллографически отличной структурой другого кристалла) и взаимно связаны ориентировками (решетка одной фазы постепенно переходит в решетку другой). Чем лучше геометрически согласуются кристаллы и чем меньше различие электронных конфигураций их атомов, тем меньше энергия поверхности раздела. Такое сопряжение возможно при некотором упругом искажении решеток (например, сжатии одной и растяжении другой) вблизи границы раздела. Таким 0браз0)М, общим условием когерентности является образование метастабильной решетки у зародыша или деформация его равновесной решетки. В обоих случаях свободная энергия новой фазы возрастает по сравнению с равновесной. Следует отметить, что полная когерентность в реальных сплавах наблюдается редко. Однако даже при некогерентном выделении в связи со стремлением системы уменьшить поверхностную энергию может наблюдаться ориентационное соответствие решеток двух фаз. Так, например, в системе медь — цинк при выделении из р-латуни частиц а-фазы наблюдается соотношение (110)р II (111)а и [111]р II [110]а. С упругой энергией деформации связана также форма выделяющейся частицы. [c.178]

Интегрированное электронное описание изделия - это набор данных различного типа, полученных в ходе проектирования различными способами, а затем преобразованных в стандартизованный вид и достаточных для решения задач последуюш,их этапов ЖЦ. Например, конструкторское электронное описание в соответствии со стандартом STEP содержит структуру и варианты конфигурации изделия, геометрические модели и чертежи, свойства и характеристики составных частей и др. (см. рис. 9). [c.23]

Автоматизированные системы, предназначенные для поддержки ЭМИ, в современной литературе обозначаются термином PDM - системы управления данными о продукте. Как з ке отмечалось, для информационного описания изделия разработан стандарт ISO 10303 STEP. В соответствии с ISO 10303 электронная конструкторская модель изделия включает в себя геометрические данные, данные о конфигурации изделия, административные данные, неструктурированные данные. [c.33]

Основное состояние электронной конфигурации Ni имеет в молекулярных орбиталях п неспаренных 3( -электронов. Попытки вместить Зй-электроны в структуру замкнутых (заполненных) оболочек приводили к значительному увеличению энергии системы. В случае линейных кластеров Nig, Ni4 и кластера Nis, обладающего формой квадратной пирамиды, обнаружено обеднение электронами крайних атомов (Ni ,, Ni4) и атомов квадратного основания кластера N15. Авторы работы [400] признают, что повышенная стабильность геометрической формы более низкой размерности для кластера с заданным числом атомов (например, квадрат стабильнее тетраэдра) может быть искусственной, зависящей от используемого базиса. Вместе с тем они считают близкой к реальности тенденцию роста Е , по мере увеличения п (см. табл. 9), связывая ее спрогрессивным удлинениеммежъядер-ных расстояний в укрупняющихся кластерах. [c.238]

Группы молекулярной симметрии, элементами которых являются перестановки тождественных ядер с инверсией или без инверсии, используются для изучения ровибронных уровней молекул, причем наличие единственной равновесной конфигурации не обязательно. Впервые они были введены в работах Лонге-Хиггинса и Хоугена. Важность групп молекулярной симметрии связана не только с их использованием для изучения нежестких молекул типа аммиака, имеющих колебания с большой амплитудой, или для изучения электронных переходов, при которых происходят изменения геометрического расположения ядер, но также и с тем, что они применимы для классификации как ви-бронных, так и ровибронных состояний. [c.12]

В системах Си—So и Ag—Sn s-фазы (7/4 электронов на атом) наблюдаются при таких же составах. Высокий фактор электроотрицательности в системе Аи—Sn мешает образованию е-структуры в твердом состоянии [47] (размерный фактор подходящий), но факторы, направленные на образование соединения с отношением eja, равным 7/4, в этой системе должны действовать в жидкости скорее в пользу этой структуры, чем любой другой. Структуры е-фазы по существу электронные и предел их существования прежде всего определяется взаимодействием поверхности Ферми и зоны Бриллюэ-на, которые отсутствуют в жидкости при тех же составах. Структура ближнего порядка в жидкости должна стабилизироваться каким-то другим фактором и, судя по низкому аь и Хь и довольно высокому рь, должна образовываться или полярная,или гомеополярная связь. Предполагалось (см.раздел 1), что жидкое олово имеет черты гомеополярной связи серого олова, которая может дать в результате стабильный комплекс TWesSn (где Мез — металл IB), имеющий, возможно, тетраэдрическую конфигурацию, состоящую из четырех атомов, или конфигурацию, кратную этой геометрической единице, с направленными гомеополярными и гетерополярными связями [39]. [c.127]

В предшествующем тексте и в таблицах приложения I рассмотрена классификация электронных состояний только для стандартных (геометрических) точечных групп. Необходимо учитывать, что молекулы, в которых переход из одной равновесной конфигурации в другую является возможным (нежесткие молекулы см. стр. 13), могут относиться к другим группам симметрии, более высокого порядка. Типы нескольких из этих групп рассмотрены Майерсом и Уилсоном [922 J, Лонге-Хиггинсом [767], Хоугеном [575] и Стоуном [1169]. Нам не целесообразно останавливаться на этом вопросе, так как в электронных спектрах многоатомных молекул, по крайней мере до сих пор, были достаточно изучены только такие нежесткие молекулы, у которых группа симметрии изоморфна с одной из стандартных точечных групп. Хорошим примером служит молекула NH , для которой, как уже упоминалось, точечная группа, учитывающая инверсию, изоморфна с группой />зй, т. е. колебательные состояния (разд. 2) можно классифицировать по типам этой точечной группы. [c.19]

Следует отметить, что в последующих разделах пспользуются некоторые постулаты п предположения, содержание которых пе излагается и которые часто вообще не указываются. Ниже в ряде мест эти молчаливо принимаемые предположения по возможности будут сформулированы и пояснены. Здесь отметпм только, что в разд. 1 и 2 ( Корреляция электронных состояний и Электронные конфигурации ) предполагается, что точечная группа симметрии, к которой принадлежит равновесная конфигурация ядер молекулы, известна. Следовательно, в этих разделах теоретические соображения (теория групп и квантовая механика) не используются для установления равновесной геометрической конфигурации ядер молекулы и ее элементов симметрии. Если рассматривается реальная молекула, то предполагается, что данные по геометрии равновесной конфигурации ядер (по меньшей мере точечная группа симметрии равновесной конфигурации) известны из эксперимента. Если рассматривается какая-либо пробная модель молекулы, то указанные данные задаются как исходные прп рассмотрении возможных электронных состояний этой модели. В отличие от этого в разд. 3 ( Стабильность молекулярных электронных состояний. Валентность ) ставится вопрос об определении равновесной геометрической конфигурации ядер или ее отдельных параметров пли, наконец, только точечной группы симметрии, к которой относится равновесная конфигурация, исходя не из экснеримента, а на основании теоретических положений квантовой механики. [c.276]

Структуры (б) и (в) подобны двум резонирующ,им структурам для молекулы СОа, рассмотренным выше,— они отличаются друг от друга ориентацией плоскостей двойных связей. Считается, что для всех трех структур большее число связей (четыре связи, образуемые электронными парами, и одна электростатическая связь) приводит к тому, что энергия оказывается нин е, чем для структуры (а), дан е несмотря на то, что требуется энергия для ионизации центрального атома N. Дальнейшее понижение энергии обусловливается резонансом. Вышеизложенное подтверждает линейность молекулы это следует из тех же соображений, из каких следует линейность геометрических конфигураций таких молекул, как СОо и F N. При реализации каждой из структур (б), (в) и (г) молекула долнша бы обладать большим дипольным моментом, тогда как в состоянии, которое описывается функцией, являюш,ейся линейной комбинацией функций для этих структур, дипольный момент должен быть совсем небольшим, как это на самом деле и наблюдается для молекулы N2O в основном состоянии. [c.381]

В ЭТОМ случае так же, как и орбитали типа е в случае плоской конфигурации молекулы ХНз. Таким образом, для основного состояпия молекулы NH3 (неплоская конфигурация) получается следующая электронная конфигурация с шестью связывающими электронами (2а еУ (3ai) . Поскольку число связывающих электронов в случае неплоской конфигурации молекулы оказывается большим, чем в случае плоской конфигурации, то следует ожидать, что молекула NH3 будет обладать неплоской равновесной геометрической конфигурацией, и это действительно наблюдается. В известно мере аналогичные соображения позволили сделать такой же вывод на основании диаграммы Уолша, приведенной на фиг. 128. Грубый количественный подход, как и для молекулы Н2О (стр. 400), дает аналогичный результат. Совпадение вышеприведенных предсказаний с экспериментальными данными не должно, однако, давать повода забывать о том, что было принято грубое приближение и что малые члены, не учтенные в этом приближении, могут влиять на небольшие разности энергий различных геометрических конфигураций, отличающихся величиной валентных углов. [c.404]

На фиг. 187 изображена геометрическая структура молекулы H N в четырех электронных состояниях, рассмотренных выше. Состояние С А, вероятно, образуется нз сгя п41-состояния линейной конфигурации и, следовательно, переход С — X должен быть разрешенным. Действительно, интенсивность полос системы С — X значительно превосходит интенсивность полос систем А — X и В — X. К сожалению, из-за возрастающей диффузности колебательная структура полос вблизи вертикального перехода не могла быть проанализирована, что свидетельствует о сильном влиянии квазилинейности молекулы (гл. I, разд. 3). Полосы в области длин волн, меньших 1120 А, до настоящего времени но проанализированы ридберговские серии в спектре H N не наблюдались. Поэтому значение потенциала ионизации молекулы H N, основанное на известно. [c.506]

За исключением трех очень слабых диффузных полос поглощения вблизи 1550 А, пары 80г практически прозрачны в области 1800—1350 А (Прайс и Симпсон [1020]). При 1335 и 1140 А расноложены две узкие группы полос, которые являются, вероятно, первыми членами ридберговских серий. Небольшая ширина этих групп полос указывает на то, что имеет место очень незначительная разница в геометрической структуре ридберговских состояний и основного электронного состояния. Две другие более широкие группы полос, наблюдаемые при 1260 и 1040 А, образуют, очевидно, ридберговские серии, верхние состояния которых имеют конфигурацию, отличную от основного состояния. [c.522]

В таблицы включены лишь молекулы, спектры которых исследованы в газовой фазе. Для молекул, имеющих только непрерывные спектры поглощения, в общем случае не приводится детальный перечень электронных состояний, а даются лишь ссылки на одну или две последние работы. То же самое относится и к нескольким другим молекулам, сведения о которых весьма ограничены. Во всех остальных случаях в таблицах систематизированы все известные электронные состояния молекул (обозначенные, как указано в вводной части гл. V), за исключением самых высоких ридберговских состояний, для которых приведены сериальные формулы. Для каждого состояния в таблицу включены следующие данные точечная группа симметрии, энергия возбуждения То, отсчитываемая от нижнего состояния (а не значение Те, как в томе I для двухатомных молекул),частоты колебаний Vj, вращательные постоянные А о, Во, Со и геометрические параметры (межатомные расстояния и углы). В тех случаях, когда это было возможным, для трех- и четырехатомных молекул дополнительно приведена электронная конфигурация, соответствующая каждому состоянию. И наконец, таблицы содержат сведения о наблюдаемых электронных переходах и областях длин волн, в которых они расположены, а также ссылки на соответствующие литературные источники. При обозначении электронных переходов (в соответствии с правилами, принятыми на основании международного соглашения) верхнее состояние всегда записывается первым вне зависимости от того, наблюдается ли данный переход Б поглощении (<—) или в испускании (— ). [c.593]

Неизвестные функции этой системы — концентрация дырок и электронов р(х, у, z, t) и п х, у, z, t) и напряженность электрического поля Е(х, у, Z, t). Вместо Е может фигурировать электрический потенциал ф(д , у, z, t), так как Е=—gradf. Краевые условия состоят из начальных условий, характеризующих распределение зависимых переменных по объему кристалла в начальный момент времени, и граничных, задающих значения зависимых переменных на границах рассматриваемой полупроводниковой области. Геометрические размеры и конфигурация диффузионных областей и омических контактов транзистора также учитываются граничными условиями. Параметрами этой модели являются основные электрофизические параметры полупроводника. Дифференциальные уравнения в частных производных можно решать методами конечных разностей либо конечных элементов. С помощью физико-топологической модели можно с высокой степенью точности определить основные статические и динамические характеристики транзистора. Модель не учитывает влияния магнитного поля и возможных неоднородностей полупроводникового материала, что несущественно для моделирования реальных транзисторов, так как большее значение имеет точное определение параметров модели. Применение подобных моделей транзистора в задачах анализа электронных схем практически нереализуемо. Они применяются только для идентификации параметров более простых схемных моделей транзистора. [c.132]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...