Электронная конфигурация энергия

ЗС6%). Из искусств, изотопов наиб, период полураспада имеет р + -радиоактивный (Г,, =9,96 мин). Ковалентный радиус 0,070 нм. радиус иона 0,148 нм. Электронная конфигурация .Энергии последо- [c.32]

Электронное состояние Электронная конфигурация Энергия Энергия в термах 2 и П [c.290]

Истолкование молекулярных спектров также возможно в квантовой теории. Необходимо только при расчете энергии стационарного состояния молекулы принимать во внимание большую сложность ее структуры. В основном изменение энергии молекулы происходит, как и в атоме, в результате изменений в электронной конфигурации, образующей периферическую часть молекулы. Однако при заданной электронной конфигурации молекулы могут отличаться друг от друга еще и состоянием, в котором находятся их ядра, могущие колебаться и вращаться относительно общего центра тяжести. С этими возможными типами движения также связаны известные запасы энергии, которые должны быть учтены в общем балансе. Как по общим соображениям теории квантов, так и на основании более строгих квантовомеханических расчетов эти запасы энергии также необходимо считать дискретными и имеющими квантовый характер. [c.746]

Обозначим через энергию, обусловленную вращением ядер (ротационная энергия), через ХРт, — энергию, соответствующую колебаниям ядер (вибрационная энергия), и через We — энергию, обусловленную электронной конфигурацией (электронная энергия). Энергия взаимодействия отдельных типов молекулярных движений обычно бывает мала даже по сравнению с Поэтому мы можем ею пренебречь и с достаточным приближением выразить полную энергию какого-либо стационарного состояния молекулы в виде [c.746]

На рис. 2.1 приведена зависимость первого потенциала ионизации атомов J от атомного номера. Первый потенциал ионизации соответствует энергии, необходимой для отрыва электрона от нейтрального невозбужденного атома. Зависимость (2.1) имеет отчетливый периодический характер. Как видно из рис. 2.1, щелочные металлы (Li, Na, К, Rb, s) имеют ио сравнению с другими элементами минимальные потенциалы ионизации 5,4 5,16 4,35 4,18 3,90 эВ соответственно. В атомах щелочных металлов имеется всего лишь один валентный электрон, который находится вне заполненной оболочки и поэтому связан относительно слабо, из-за чего в различных реакциях эти элементы легко теряют внешний электро , образуя при этом положительно заряженные ионы — катионы Li+, Na+, К+, Rb+, s+. После потери внешнего электрона электронные оболочки соответствующих атомов становятся такими же, как п оболочки атомов ближайших к ним инертных газов (Не, Ne, Аг, Кг, Хе, Rn), имеющих очень устойчивую электронную конфигурацию, первый потенциал ионизации для которых очень велик и изменяется от 12 до 25 эВ (рис. 2.1). [c.56]

На рис. 117 представлена схема энергетических уровней Не и Пе. Для уровней Не применена система обозначений Пашена. В скобках под уровнями указаны электронные конфигурации. Уровни П8 и пр пронумерованы в порядке убывания энергии [c.302]

Электронная конфигурация атомов Периодической таблицы, орбитальные радиусы внешних электронов, энергии ионизации, сродства к электрону [c.36]

Заполнение электронных состояний в первых трех периодах. Рассмотрим строение периодической системы элементов. В начале системы, когда число электронов невелико, роль взаимодействия между ними несущественна и заполнение электронных состояний происходит в соответствии с идеальной схемой. У водорода Н имеется один электрон, который находится в состоянии с минимальной энергией, т. е. при и = 1, поэтому электронная конфигурация этого атома l.v ( если электрон один, то он в виде степени у символа орбитального состояния не указывается). У гелия Не добавляется еще один электрон в состоянии l.v, но с противоположно направленным спином, поэтому электронная конфигурация гелия В основном состоянии 1 . Это парагелий. У ортогелия спин второго электрона совпадает по на- [c.286]

Г. В. Самсонов во взглядах на природу образования покрытий из тугоплавких соединений на металлах и неметаллах исходит в основном из представлений о влиянии стабильных электронных конфигураций на формирование свойств твердого тела. Энергию активации самодиффузии автор связывает с возбуждением, необходимым для нарушения электронных конфигураций атомов металлов и неметаллов, которая возрастает при увеличении стабильности этих конфигураций, образуемых локализованными электронами и при уменьшении доли коллективизированных электронов. Рост энергетической стабильности -состояний с увеличением главного квантового числа ведет к увеличению энергии активации самодиффузии. При одинаковой энергетической стабильности -электронов величина энергии активации прямо [c.25]

При гетеродиффузии значение Е зависит от энергии, необходимой для возбуждения атома диффундирующего металла и возможности образования стабильных электронных конфигураций атомами того металла, в который происходит диффузия за счет электронов диффундирующего металла. [c.26]

Зонная структура твердого тела является результатом взаимодействия волновой функции электрона с рещеткой. Зонная структура позволяет найти частоты и направления, для которых волновая функция электрона может или не может проходить через решетку. Отражение электронной волны под углами Брэгга от кристаллографических плоскостей является идеально упругим и не вносит вклада в электрическое сопротивление. Для каждого кристалла и каждой электронной конфигурации условия Брэгга налагают определенные ограничения на направление волнового вектора и значения энергий, которые может принимать электронная волна. Эти ограничения в направлениях и значениях энергий приводят к появлению щелей в почти непрерывном спектре энергий и направлений. Именно эти щели (порядка 1 эВ для полупроводников и 5 эВ или больше для хороших диэлектриков) обусловливают сильнейшие различия между металлами, полупроводниками и диэлектриками (рис. 5.2). Для металлов характерно, что уровень Ферми оказывается внутри зоны, имеющей вакантные энергетические уровни. Полупроводники имеют полностью заполненную разрешенную зону. Ширина запрещенной зоны у них невелика, н поэтому ие большое число электронов при тепловом возбуждении может перейти в расположенную выше разрешенную зону. Диэлектрик отличается от полупроводника тем, что его запрещенная зона очень велика, и практически ни один возбужденный электрон не может ее преодолеть. [c.190]

Естественно разделить наблюдаемые инфракрасные спектры на два типа — вращательные и колебательные (точнее, колебательновращательные), приписывая их этим двум процессам в молекуле. Действительно, из рассуждений предыдущего параграфа следует, что главная часть изменения энергии молекулы при переходе из одного стационарного состояния в другое соответствует изменению электронной конфигурации молекулы. Связанное с ним изменение энергии мы обозначили через (1 —1 ) и видели, что благодаря этому члену в формуле (213.1) частота молекулярного излучения соответствовала видимой или ультрафиолетовой части спектра. Если же электронная конфигурация остается неизменной, т. е. И7 = Же, то часто а излучения будет определяться соотношением [c.749]

Энергия атома в целом, равная сумме энергий отдельных электронов, определяется заданием квантовых чисел Пи Ц всех электронов (/ = 1, 2, 3,..., К, где N — число электронов в атоме). Совокупность квантовых чисел П 1, 2 2, , определяет электронную конфигурацию атома. Электронная конфигурация охватывае г в общем случае несколько состояний атома, отличающихся взаимной ориентацией орбитальных и спиновых моментов электронов. В центральном поле энергия электронов не зависит от ориентации их моментов. Поэтому в приближении центрального поля все состояния конфигурации имеют одинаковую энергию, т. е. являются вырожденными. [c.60]

В табл. 19.6 представлены значения энергии сродства атомов к электрону. Наиболее точные современные методы измерения этой величины основаны на анализе порогового поведения сечения лазерного фотоотрыва и лазерной фотоэлектронной спектроскопии [17—20]. В отдельных графах табл. 19.6 приведены электронная конфигурация валентной оболочки иона и соответствующий терм отрицательного иона. [c.420]

Рядом с линиями уровней в прямоугольной рамке приведены значения энергии расщепления мультиплет-ных уровней с нужным знаком, характеризующим либо нормальный (+), либо обращенный (—) мультиплет. Штриховые метки использовались для обозначения электронных конфигураций, отвечающих разным исходным состояниям атомного остова. В случае атомов инертного газа и атома иода, у которых возбужденные состояния классифицируются по схеме //-связи моментов, на диаграммах Гротриана были указаны только положения нижней и верхней компонент мультиплетных подуровней (отмеченных соответственно чертой снизу и сперху при символе квантового числа J полного момента атома) и граничные длины волн переходов между заданными мультиплетными уровнями. [c.838]

Различным уровням внутренней энергии атома 8 , е,,. .., р, , согт-ветствуют различные электронные конфигурации и статистическая сумма по возбужденным электронным состояниям [c.431]

Многообразие углеродных структур обусловлено способностью атома углерода находиться в различных валентных состояниях и образовывать связи разных типов. В стабильном состоянии углерод имеет электронную конфигурацию В этом случае атом углерода двухвалентен. В большинстве химических соединений углерод выступает как четырехвалентный элемент. Четырехвалентное, возбужденное состояние атома углерода получается при переходе электрона из состояния 2s в состояние 2р. Ему соответствует конфигурация . s 2s2p 2p 2p . Энергия, затраченная на возбуждение, компенсируется энергией, выделяемой при образовании связей. [c.8]

АМЕРИЦИИ (назв. от слова Америка , по месту открытия лат. Ameri ium), Am,— радиоакт. хим. элемент семейства актиноидов, ат. номер 95. Наиб, долгоживущие изотопы — -радиоактивные Аш(Т /2=7370 лет), 242етАт (141 год), Aш (432,1 года). Получен искусственно при облучении урана или плутония тепловыми нейтронами в ядерных реакторах. Электронная конфигурация внеш. оболочек 5/ 6 p 7i . Энергия ионизации 5,99 эВ. Металлич. радиус 0,182 нм, радиусы ионов АтЭ+ и Ат + равны соответственно 0,100 и 0,085 нм. Значение электроотрицательности 1,2. [c.65]

Наряду с нормальной электронной конфигурацией А., соответствую1цей наиб, прочной анергии связи всех электронов, при возбуждении одного пли неск. электронов получаются возбуждённые электронные конфигурации. Тлаждо]( электронной конфигурации в случае полностью укомплектованных оболочек соответствует один уровень энергии Л., а в случае недостроенных внутр. оболочек напр., s, р, -чр,...) — ряд уровней энергии. Самый глубокий уровень энергии нормальной конфигурации А. паз. основным, все остальные уровни упергии — возбуждённые. [c.151]

ВАНАДИЙ (лат. Vanadium), V,— хим. элемент V группы периодич. системы элементов, ат. номер 2.3, ат. масса 50,9415. Природный В. состоит из 2 изотопов V (0,25%) и (99,75%). слабо радиоактивен (К-захват, Г,, =6-10 лет). В качестве радиоактивного индикатора используют искусственно полученный V (К-захват и р- --раснад. Г,, =16 сут). Конфигурация внеш. электронных оболочек . Энергии после- [c.239]

Конфигурация внеш. электронных оболочек Энергии последовательных ионизаций соотвстстненио равны 7,5, 15,0, 23,3 и 33,3 оВ. Металлич. радиус 0,159 нм, радиус иона Hf + 0,082 нм. Значение элект-роотр1щательности 1,23. [c.419]

Электронная конфигурация двух внеш. оболочек Щ Энергии последоват. ионизации 7,8fJ5, 17,06 2 и 33,50 эВ. Кристаллохим. радиус атома К. 0,125 нм, радиус иона Со + 0,078 нм, иона Со - + 0,064 нм. Значение электроотрицательности 1,70. [c.389]

КРЁМНИЙ (Sili ium), Si, хим. элемент IV группы периодич. системы элементов, ат. номер 14, ат. масса 28,0855, относится к неметаллам. Природный К. состоит из стабильных изотонов (92,23%), (4,67%) и "Si (3,10%). Конфигурация внеш. электронной оболочки Энергии последоват. ионизации 8,151, 16,342, 33,530, 45,141 эВ. Энергия сродства к. электрону [c.489]

КРИПТОН (Kripton), Кг, — хим. элемент VIII группы периодич. системы элементов, инертный газ, ат. номер 36, ат. масса 83,80. Природный К. состоит из 6 стабильных пзотопов бКг, Кг, Кг, Кг, и Кг, среди них наиб, распространён Кг (57,0%), наименее — Кг (0,35%). Электронная конфигурация внеш. оболочки Радиус атома К. 0,198 нм. Энергии иоследо-ват. ионизации 13,999 24,4 36,4 52,5 64,7 эВ. При [c.495]

ЛАНТАН (Lanthanum), La, хим. элемент III группы периодич. системы элементов, ат. номер 57, ат. масса 138,9055, относится к редкоземельным элементам. Природный Л. состоит из смеси стабильного La (99,911%) и слаборадиоактивного La (р-распад и К-захват, Г,, =1,1-10 лет). Конфигурация внеш. электронных оболочек Энергии последоват. [c.576]

МАГНИЙ (лат. Magnesium), Mg,— хим. элемент II группы иериодич. системы элементов ат. номер 12, ат. масса 24,305, Природный М. содержит 3 стабильных изотопа (78,99%), Mg (10,00%) и (11,01%). Электронная конфигурация внеш. оболочки 3s . Энергии последоват. ионизации равны соответственно 7,fi45 15,035 и 80,144 эВ, Металлич. радиус [c.645]

Смотреть страницы где упоминается термин Электронная конфигурация энергия : [c.112] [c.579] [c.188] [c.230] [c.337] [c.839] [c.287] [c.333] [c.10] [c.65] [c.123] [c.177] [c.186] [c.337] [c.375] [c.392] [c.141] [c.185] [c.225] [c.229] [c.235] [c.371] [c.469] [c.532] [c.46]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...