Подвижность носителей в GaAs

Аналогично в гетероструктурах (напр., на основе GaAs) у свободной поверхности полупроводников и на границах зёрен (Si, Ge, InSh и др.) образуется двумерный слой с избыточной концептрациеп подвижных носителей заряда или с инверсной проводимостью (см. Инверсионный слой). Он возникает из-за изгиба зон и при приложении разности потенциалов к структуре металл — диэлектрик — полупроводник (см. МДП-структура). Д. п. — [c.565]

Кроме Si полупроводниковые И. с. изготавливаются из GaAs и нек-рых др. полртроводников. Это повышает быстроде11Ствие И. с. (более высокая подвижность носителей заряда) и дополняет кремниевую электронику оптоэлектронными, в т. ч. лазерными, системами (см. Оптоэлектроника). [c.154]

Рис. 4.3.6. резкий GaAs—AUGai , As р —Л -гетеропереход при термическом равновесии, а — энергетическая зонная диаграмма в момент образования гетероперехода б — распределение носителей в момент образования гетероперехода б —обедненная подвижными носителями область пространственного заряда после установления поля контактной разности потенциалов. Неподвижные ионизованные доноры обозначены через ф, неподвижные акцепторы — через , подвижные электроны и дырки — через — и -Ь соответственно. [c.241]

На третьем этапе по значению Ne находят подвижность свободных носителей заряда [х, которая согласно [221 ] для /г-GaAs определяется выражением [c.189]

I где Рр — концентрация дырок в р-слое. В выражениях (7.3.9) и (7.3.11) коэффициент диффузии дается через подвижность ц следующим образом D = [ikT/q. Для оценки этих величин на .рис. 7.3.7 представлены значения подвижности и диффузионной I длины [31] носителей в GaAs при комнатной температуре. [c.195]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...